1R (1 Rank, Rank único)
Uma largura de dados de 64 bits em um módulo de memória.
2R (2 Rank, Rank Duplo)
Duas larguras de dados de 64 bits em um módulo de memória.
4R (4 Rank, Rank Quádruplo)
Quatro larguras de dados de 64 bits em um módulo de memória.
8R (8 Rank, Rank Óctuplo)
Oito larguras de dados de 64 bits em um módulo de memória.
AMD
Advanced Micro Devices, uma empresa que desenvolve processadores, chipsets, processadores gráficos e produtos relacionados.
AMD EPYC™
A marca de processadores de servidor da AMD.
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking. Os módulos de memória com perfis AMD EXPO apresentam velocidades, tempos e tensões específicas otimizadas para sistemas AMD.
AMD Ryzen™
A marca de CPUs de desktop e laptop da AMD.
ARGB
ARGB significa “Addressable RGB” e é uma forma avançada de iluminação que permite que você personalize e controle cada LED separadamente. Você pode exibir uma variedade de cores ao mesmo tempo, e usar efeitos de iluminação impressionantes como Salto, Respiração e Arco-íris.
AES (Advanced Encryption Standard)
Ver FIPS. Um código de bloqueio para criptografar dados eletrônicos confidenciais usados pelo governo dos EUA sob o nome de FIPS 197 desde 2002.
Proteção de distribuição de leitura de atualização automática
A função de atualização automática lê todos os dados nas áreas da memória flash, incluindo aquelas onde os dados raramente são lidos, e realiza uma correção de erro automática, conforme necessário, para evitar perdas de dados causadas por erros de leitura, erros de controladores de dados e outros erros. A função de atualização automática é realizada no segundo plano, o que causa um pequeno atraso na resposta a comandos, mesmo durante o processo de correção.
Gerenciamento de Bad Block
Bad blocks contém um ou mais bits que perderam confiabilidade. Os bad blocks aparecem durante um processo de fabricação (Bad Blocks Primários) ou durante o ciclo de vida do cartão (Bad Blocks Tardios). Os dois tipos de Bad Blocks são inevitáveis, portanto o Gerenciamento de Bad Block é uma necessidade para gerenciar esses erros em dispositivos flash NAND. O Gerenciamento de Bad Block identificará e marcará bad blocks, e então utilizará a capacidade extra livre para substituir os blocos inválidos. Isso impedirá que os dados sejam gravados nos bad blocks, o que fortalece a confiabilidade do produto. Se os bad blocks possuírem dados, eles serão movidos para um bloco válido para prevenir a perda dos dados.
Saiba como o Bad Block Management se aplica a SSDs da Kingston, eMMC e cartões SD/microSD industriais..
Banco
Um banco na memória pode se referir a várias coisas na computação. Primeiro, ele geralmente se refere a uma estrutura independente de linhas de dados dentro de um chip DRAM, onde as informações são armazenadas temporariamente. Quando o controlador de memória acessa um banco, ele o faz no mesmo local em todos os chips em um rank ao mesmo tempo. Um segundo significado para o banco refere-se a um agrupamento de soquetes de memória multicanal em uma placa-mãe.
bit
A abreviação de "dígito binário" é a medição mais básica de dados em computação, representada como um 0 ou 1 / ligado ou desligado.
Força bruta
Um ataque sem sofisticação que tenta descobrir uma senha ou chave criptográfica tentando todas as soluções possíveis.
Byte
Oito bits é igual a um byte. Esta é uma unidade de medida para armazenar informações, como um caractere de texto. Combinações de bits e bytes formam a linguagem fundamental da computação.
CAMM
CAMM significa Compression-Attached Memory Module, e é um tipo de módulo DRAM exclusivo desenvolvido pela Dell para uso em seus laptops de perfil fino.
CAMM2
CAMM2 é um tipo de módulo padrão da indústria JEDEC introduzido pela Dell com base no seu conceito CAMM original. A Dell submeteu o seu projeto CAMM à JEDEC em 2022, permitindo que os membros do comitê de padrões da JEDEC contribuíssem e/ou criassem novos designs para qualquer pessoa do setor usar. Em vez de pinos/fios na extremidade inferior do módulo que se liga a um soquete, o CAMM2 usa um conector de compressão na parte de trás do módulo que se aperta contra a placa-mãe. Os parafusos então são usados para fixar o CAMM2 no lugar. O JEDEC suporta dois tipos de memória DRAM para o CAMM2: DDR5 CAMM2 e LPDDR5 CAMM2. A DDR5 CAMM2 utiliza componentes DRAM DDR5 com designs que suportam capacidades de 8 GB a 128 GB, canais de memória simples e duplos, PMICs de fase única e dupla e clock drivers. O LPDDR5 CAMM2 (também conhecido como LPCAMM2) usa componentes DRAM LPDDR5, oferecendo uma opção de menor potência para sistemas móveis ou de formato pequeno. Os tipos de módulos DDR5 CAMM2 e LPDDR5 CAMM2 não são intercambiáveis em um sistema e usam pinagens diferentes ao se conectar a uma placa-mãe.
Capacidade
Número total de células de memória disponível em um módulo, expresso em Gigabytes (GB). No caso dos kits, a capacidade indicada é a capacidade combinada de todos os módulos no kit.
Latência CAS/ CL
CAS é um acrônimo para Column Address Strobe, e Latência CAS (CL) é o tempo que leva em ciclos de clock para encontrar a linha aberta de memória necessária para ser acessada. (ou seja CL32, CL40).
CSODIMM
CSODIMM significa Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module. A partir da memória DDR5 de 6400 MT/s, os padrões da indústria da JEDEC exigem a inclusão de um componente de driver de clock (CKD) de cliente em SODIMMs. O driver de clock cliente armazena em buffer o sinal de clock entre o controlador de memória (integrado na CPU) e a DRAM, melhorando a integridade do sinal, a estabilidade e permitindo velocidades mais altas.
CUDIMM
CUDIMM é um acrônimo para o Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module. A partir da memória DDR5 de 6400 MT/s, os padrões da indústria para JEDEC exigem a inclusão de um componente de driver de clock (CKD) de cliente em UDIMMs. O driver de clock cliente armazena em buffer o sinal de clock entre o controlador de memória (integrado na CPU) e a DRAM, melhorando a integridade do sinal, a estabilidade e permitindo velocidades mais altas.
Canal
Para SSDs, canal se refere ao número de chips de flash com o qual o controlador pode se comunicar ao mesmo tempo. SSDs convencionais / Nível básico normalmente têm 2 ou 4 canais; SSDs de desempenho mais alto normalmente têm 8 canais, indo até 16 em SSDs de datacenter.
Para ver os canais em referência à memória, consulte Canal de memória.
Organização de Chip / Largura de DRAM
Os componentes DRAM têm uma estrutura interna organizada em linhas e colunas. A organização do chip refere-se à largura da coluna de um componente DRAM. As larguras de coluna DRAM usadas para módulos de memória são x16 ("por 16"), o que significa 16 colunas, x8 e x4. Essas larguras correspondem aos tipos de módulos de memória e computadores em que podem ser usadas. Por exemplo, x16 só pode ser usada em DIMMs ou SODIMMs usados em PCs ou laptops, enquanto x4 só pode ser usada em DIMMs para servidores ou estações de trabalho. Um módulo de memória com uma organização de chips de x4 significa que todas as DRAM no módulo têm a mesma largura de coluna.
Cryptochip
Uma ferramenta de hardware que protege dados em um drive USB ao manter a gestão da chave de criptografia no dispositivo, onde eles podem ser protegidos. A série de pendrives IronKey usa cryptochips.
Taxa de dados
Para a memória (RAM), a taxa de dados é a classe de velocidade de um módulo de memória (anteriormente referida como frequência). Para a memória DDR5, uma taxa de dados de módulo de 4800 MT/s (megatransferências por segundo) indica a capacidade de transferir 4.800 milhões de transferências de dados por ciclo de clock por linha de dados.
DDR / Double Data Rate / DDR SDRAM
"DDR" é o acrônimo abreviado para Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. A DRAM sincronizada transfere dados no clock do sistema, enquanto a SDRAM DDR transfere dados nas bordas ascendente e descendente de clock, ou duas vezes por ciclo de clock, criando uma duplicação da taxa de transferência em comparação com a frequência. "DDR" também se refere à primeira geração de módulos de memória SDRAM DDR que inaugurou em 1998, e cobriram taxas de transferência de 200, 266, 333 e 400MT/s ao longo de sua vida útil usando apenas 2,5 V por módulo.
DDR2
DDR2 é a segunda geração da SDRAM DDR. Ela usou menos potência em apenas 1,8 V por módulo, e aumentou a taxa de transferência de dados, começando em 2003 em 400MT/s, com aumentos de velocidade para 533, 667, 800 e 1066MT/s ao longo de sua vida útil.
DDR3
DDR3 é a terceira geração de SDRAM DDR e apareceu pela primeira vez em 2007. Usando menos energia do que a DDR2 a 1,5 V por módulo, a DDR3 começou a 800MT/s, progrediu então para 1066, 1333, 1600, 1866 e 2133MT/s.
DDR3L
DDR3L surgiu como uma subespecificação dentro do padrão DDR3 JEDEC. Com as mesmas velocidades e tempos que a DDR3, a DDR3L reduziu a tensão para 1,35 V, economizando a vida útil da bateria em laptops e reduzindo o calor nos servidores. A memória DDR3L é compatível com DDR3 e alternará para 1,5 V em sistemas antigos ou quando misturado com módulos padrão DDR3.
DDR4
DDR4 é a quarta geração de SDRAM DDR e foi lançada em 2014. A DDR4 abrangeu uma faixa de velocidade de 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, e 3200MT/s em apenas 1,2 V por módulo. A DDR4 introduziu avanços significativos em relação à DDR3, começando com uma forma do módulo DIMM. Uma curva foi projetada para o centro inferior do DIMM para melhorar o assento do soquete e para proteger o módulo contra a força de inserção, o que poderia danificar os microcircuitos.
DDR5
DDR5 é a quinta geração de SDRAM DDR e lançada em 2020. A DDR5 possui uma faixa de velocidade de 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 e 7200MT/s. A DDR5 reduziu significativamente o consumo de energia ao cair para apenas 1,1 V por módulo e incluiu um IC de gerenciamento de energia (PMIC) no módulo para melhor distribuição de energia onde e quando necessário. Os módulos DDR5 melhoraram significativamente a eficiência em relação às gerações anteriores através da duplicação de bancos e do comprimento de burst, permitindo as mesmas atualizações do banco e dividindo o módulo em dois subcanais endereçáveis de 32 bits de forma independente. A integridade dos dados também melhorou através da incorporação de ECC on-die, capaz de corrigir erros de bit dentro dos componentes DRAM DDR5 individuais.
Design-In
Design-in refere-se a uma categoria de PCs/dispositivos não tradicionais, tais como quiosques, sistemas POS, sinalização digital, equipamento de diagnóstico etc. A Kingston fabrica componentes discretos, módulos e unidades especificamente para esta categoria de computação.
Revisão de matriz
Refere-se à designação da letra de um componente DRAM de um fabricante de semicondutores. Essas letras representam geralmente uma densidade e um design específicos.
DIMM / Dual In-line Memory Module
DIMM um acrônimo para Módulo de Memória Duplo Em Linha e é um tipo de módulo que tem contatos elétricos separados em cada lado do módulo. Isso permite que os dados sejam transferidos de e para o módulo de cada lado de forma independente.
Veja os nossos módulos de memória DRAM.
Densidade de DRAM
A capacidade individual de um chip DRAM é chamada de "densidade" e é medida em Megabits ou Gigabits. Quanto maior a densidade da DRAM, maior a capacidade do módulo de memória que pode ser feita. Geralmente, a densidade duplica entre gerações, no entanto, com a memória DDR5 há uma densidade provisória de 24 Gbit, também conhecida como "não-binária". Abaixo estão as densidades comuns apresentadas para cada geração de memória:
DRAM / Dynamic Random Access Memória
DRAM é um acrônimo para Memória de acesso aleatório dinâmico e é o tipo mais comum de tecnologia RAM usada hoje em dia na computação. Os chips DRAM são feitos de semicondutores, dispostos em uma grade de linhas de dados com capacitores e transistores que podem armazenar cargas elétricas para representar uns e zeros no código de computação.
Dual Channel
Arquitetura de soquete de memória onde dois módulos de memória idênticos instalados agregam sua largura de banda para aumentar o desempenho do sistema.
Dual Rank
2 Ranks, ou Rank Duplo, quantas cargas de dados de 64-bit por módulo.
Atualização de dados dinâmica
Atualização de Dados Dinâmica é aplicada durante operações de somente leitura, blocos com alto número de erros podem ser removidos e atualizados para os próximos usos. Durante cada comando de leitura, o controlador realizará uma verificação de três etapas no bloco-alvo: a primeira etapa é procurar por uma marca de “necessidade de atualização”. A segunda etapa é verificar o número de bits de erro presentes atualmente. A terceira etapa é verificar a repetição em relação ao número de contagens de repetição presentes atualmente.
EC4
Uma designação JEDEC para um módulo de memória de classe de servidor DDR5 com uma largura de dados de 72 bits.
EC8
Uma designação JEDEC para um módulo de memória de classe de servidor DDR5 com uma largura de dados de 80 bits.
ECC / Error Correction Code
Código de Correção de Erro refere-se a um algoritmo que pode detectar e corrigir o corrompimento de dados de bit único ou múltiplo na computação. Para memória (RAM), o ECC é apresentado no controlador de memória de processadores de servidor ou estação de trabalho. Módulos de memória compatíveis com ECC, que apresentam componentes DRAM adicionais para fornecer largura de dados extra (ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced) são necessários para que o controlador de memória execute a detecção e correção de erros. Para DDR3 e DDR4, os módulos de 72 bits (x72) suportam ECC, enquanto para DDR5 ambos os módulos de 72 bits (x72 ou EC4) e 80 bits (x80 ou EC8) suportam ECC.
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
Os módulos ECC sem buffer apresentam componentes DRAM adicionais para suportar o algoritmo ECC.
EEPROM
EEPROM é um acrônimo que significa Memória somente leitura programável eletricamente apagável. Este é um componente apresentado no módulo de memória que armazena informações importantes sobre as especificações do módulo. O SPD é considerado uma EEPROM.
FAT
Uma tabela de alocação de arquivo (FAT) é um sistema de arquivos desenvolvido para discos rígidos. É utilizado pelo sistema operacional (OS) para gerenciar arquivos em discos rígidos e outros sistemas de computação. Ele normalmente é utilizado em memória flash, câmeras digitais e dispositivos portáteis. Ele é utilizado para armazenar informações do arquivo e estender a vida do disco rígido. Saiba mais sobre o Sistema de Arquivos.
FIPS (Normas Federais de Processamento de Informações)
Normas e diretrizes para sistemas de computação federais dos EUA, desenvolvidas pelo Instituto Nacional de Normas e Tecnologia (NIST), de acordo com a Lei Federal de Gestão de Segurança da Informação (FISMA) e aprovadas pela Secretaria do Comércio.
FIPS 197
O Padrão de Criptografia Avançada (também conhecido como Rinjdael), uma variante de um código de bloqueio desenvolvido por um belga. Ele usa chaves de 128, 192, ou 256-bit: O AES-128 nunca foi invadido por força bruta e é suficientemente protegido para ser usado com dados de nível secreto. Esse é o primeiro e único código acessível publicamente aprovado pela Agência de Segurança Nacional dos Estados Unidos para informações ultrassecretas (criptografia de 192-bit ou maior).
FIPS 140-2 Nível 3
Um padrão comum de segurança de computação do governo, estabelecido em 2019. Bem como ser seguro no nível de produção e preencher os requisitos de autenticação de função e resistência de invasão física, os sistema que atendem essas normas devem ter separação entre interfaces que inserem “parâmetros de segurança críticos” e deixar o módulo.
Memória Flash
A memória Flash é não volátil (tipo de memória que retém dados na ausência de um fornecimento de energia). A memória Flash normalmente é utilizada em dispositivos como unidades de estado sólido (SSDs) e pendrives. É comumente encontrada em computadores pessoais e soluções de armazenamento empresarial.
Formato
Geralmente se refere ao tamanho e forma de um componente eletrônico, como um SSD ou DRAM.
Os SSDs comuns estão disponíveis em formatos 2,5", M.2, U. 2 e mSATA, conforme definido pela Associação da Indústria de Redes de Armazenamento (SNIA). Saiba mais sobre fatores de SSD.
Com os módulos DRAM, os padrões da indústria JEDEC definem as dimensões e os tipos de conectores para módulos DRAM. Os formatos mais comuns do módulo DRAM são DIMM e SODIMM.
Frequência
Comumente referido como velocidade, taxa de dados ou ciclo de clock da RAM.
Coleta de lixo
A Coleta de lixo é fundamental para a Flash NAND continuar durável e manter sua velocidade. Os dispositivos com base em Flash NAND não podem sobrescrever dados já existentes. Eles devem passar por um ciclo de Programar/Apagar; para gravar em um bloco de dados já usado, um controle Flash NAND precisaria primeiro copiar todos os dados válidos (que ainda estão em uso) e gravá-los em páginas vazias de um outro bloco, apagar todas as células no bloco atual (dados válidos e inválidos) e em seguida gravar novos dados no bloco recém apagado. Este processo é chamado de Coleta de lixo. Saiba mais.
Modos Gear
Os processadores das mais novas gerações Intel (11th Gen+) e AMD (Ryzen) vêm com Modos Gear de memória, que são proporções de velocidade ajustável da BIOS entre o controle de memória do processador e o módulo de memória. Gear 1 significa que as velocidades do controle de memória do processador e do módulo de memória são iguais (1:1) e é o melhor modo para o desempenho com a melhor latência. Gear 2 reduz a velocidade do controle de memória do processador pela metade, permitindo maiores velocidades do módulo de memória mas sacrificando ligeiramente a latência. Gear 4 reduz a velocidade do controle de memória do processador a um quarto, fornecendo a melhor velocidade e largura de banda do módulo mas com um sacrifício geral na latência. Os Modos Gear são, de forma geral, padronizados para “Auto”, permitindo que o controle da memória seja ajustado com base na velocidade da memória, entretanto eles também podem ser selecionados manualmente na BIOS.
Gbps / Gigabits por segundo
Uma medida de largura de banda em bilhões de bits.
Gigabit / GB / Gbit
1000³ bits ou 1000 Mb. Comumente usado para descrever a densidade de componentes, como chips DRAM individuais.
Gigabyte / GB / GByte
1000³ bytes ou 1000 MB. Comumente usado para se referir à capacidade de memória ou SSDs.
GT/s
GT/s significa gigatransferência por segundo.
Dissipador de calor
Um escudo de metal anexado aos módulos para dissipar o calor.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Esta é uma tecnologia de sincronização patenteada que utiliza componentes infravermelhos nos módulos de memória Kingston HyperX e FURY para alinhar padrões RGB.
Memória de Alta Largura de Banda (HBM - High Bandwidh Memory)
Uma nova tecnologia de memória DRAM desenvolvida pela AMD em 2008 para atender à crescente demanda por memória de alto desempenho e alta capacidade para suportar GPUs, com menores requisitos de energia. A HBM foi adotada pela JEDEC como uma tecnologia de memória padrão da indústria em 2013, com empresas de semicondutores de memória SK Hynix, Samsung e Micron capazes de produzi-la. Evoluiu ao longo de gerações sucessivas na última década para aumentar o suporte para maiores capacidades de memória em mais camadas, barramentos de dados mais amplos e maior rendimento de desempenho: HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E. Além das placas gráficas, os componentes de memória da HBM descobriram novos usos que suportam as necessidades de alto desempenho dos processadores de IA.
Intel®
Intel Corporation. Designer de plataforma de computação e fabricante responsável por CPUs, chipsets, GPUs, entre outras tecnologias.
Intel® Xeon®
CPUs de desktops de ponta/linha de servidor da Intel® que apresentam suporte de memória ECC, altas contagens de núcleos e grande largura de banda para suportar alta quantidade de RAM e GPUs.
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles é uma especificação Intel para permitir que os fornecedores de memória e placas-mãe definam perfis de overclock (DDR3 e DDR4) para permitir um overclock fácil para o usuário final.
Intel® XMP 3.0
A versão mais recente do XMP feita para DDR5 que suporta até cinco perfis, três para o fabricante da memória e dois personalizáveis para overclock manual pelo usuário final.
Certificado Intel® XMP 3.0
Uma peça ou kit que foi aprovada e submetida ao programa de Autocertificação da Intel.
Intel® XMP 3.0-Ready
Uma peça ou kit compatível com a especificação Intel® XMP 3.0.
Certificado Intel® XMP 2.0
Uma peça ou kit que foi aprovada e submetida ao programa de Autocertificação da Intel.
Intel® XMP 2.0-Ready
Uma peça ou kit compatível com a especificação Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC é um acrônimo para Joint Electron Device Engineering Council, que é o órgão de padrões da indústria para muitas tecnologias relacionadas a semicondutores e computadores. JEDEC é um consórcio de agentes do setor que trabalham juntos para definir os padrões, sendo a memória um deles.
Kingston FURY™ Beast
Linha de produtos de entrada UDIMM com overclock da Kingston.
Kingston FURY™ Impact
Linha de produtos SODIMM com overclock da Kingston.
Kingston FURY™ Renegade
Linha de produtos UDIMM de alto desempenho com overclock da Kingston.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Linha de produtos DDR5 RDIMM de alto desempenho com overclock da Kingston.
Kit
Um número de peça que inclui múltiplos módulos de memória normalmente para suporte de arquitetura de memória de canal duplo, triplo ou quádruplo. Por exemplo, K2 = 2 DIMMs no conjunto para igualar a capacidade total.
Comprimento (mm) x Altura (mm) x Largura (mm)
Medidas do módulo em milímetros de um módulo incluindo o dissipador de calor.
DIMM de carga reduzida/LRDIM (Load Reduced DIMM)
Similar aos DIMMs registrados (RDIMMs), os LRDIMMs apresentam buffers de dados para reduzir as cargas no controlador de memória, que de outra forma alterariam as velocidades de memória para compensar. A tecnologia LRDIMM permite módulos de grande capacidade sem sacrificar o desempenho.
M.2
Um formato para placas de expansão de computador montadas internamente. Permite diferentes larguras e comprimentos de módulo.
Mbps
Megabits por segundo, medida de velocidade de dados Nº de milhões de bits por segundo.
MCRDIMM
MCRDIMM é um acrônimo para Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module. Este é um design de módulo de servidor DDR5 com suporte Intel que fornece alto desempenho e memória de alta capacidade para as plataformas de servidor Intel Xeon. Semelhante em conceito e design ao JEDEC DDR5 MRDIMM, o MCRDIMM é capaz de operar dois ranks simultaneamente, entregando 128 bytes de dados ao processador de uma só vez. O aumento da taxa de transferência é ativado através do uso de buffers de dados multiplexados e de um driver de clock registrado multiplexado, atingindo velocidades superiores a 8000MT/s.
MRDIMM
MRDIMM é um acrônimo para Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module. Este é um tipo de módulo DDR5 padrão JEDEC destinado a ser usado em ambientes de servidores. Os MRDIMMs permitem maiores taxas de dados (velocidades), maior largura de banda e capacidades mais altas do que os DIMMs registados DDR5 convencionais usando Registers especiais (MRCDs) e buffers de dados (MDBs) para operar a duas vezes a interface do host, duplicando efetivamente as taxas de transferência. Há dois formatos principais de MRDIMMs: Altura padrão e formato alto (TFF) a 56,9 mm. A velocidade inicial do MRDIMM da primeira geração é de 8800MT/s, e a segunda geração é de 12800MT/s.
Megabytes / MB
1000² bytes ou 1000 KB. Comumente usado para se referir à capacidade de dados da memória, SSDs e outros dispositivos flash.
Megabits / Mb
1000² bits ou 1000 Kb. Geralmente usado para se referir à densidade de componentes, como DRAM.
Memória
Um dispositivo, geralmente um semicondutor, que armazena dados necessários para uso em um computador ou outro hardware relacionado.
Canal de Memória
Um canal de memória é o caminho de transferência de dados entre um módulo de memória e um controlador de memória (normalmente encontrado dentro do processador). A maioria dos sistemas de computação (PCs, laptops, servidores) conta com uma arquitetura de memória multicanais onde os canais são combinados para aumentar o desempenho da memória. Uma arquitetura de memória Dual Channel indicaria quando módulos idênticos são instalados como um par, a largura de banda eficaz para o controlador de memória é duplicada.
Megahertz / MHz
Megahertz é uma métrica padrão para milhões de ciclos por segundo. Historicamente usado para descrever a frequência/taxa de dados do módulo de memória.
Megatransferências / MT/s
Megatransferência significa milhões de transferências por segundo (MT/s) e é o termo correto usado para descrever a taxa de dados (velocidade) de todos os módulos de memória DDR, que transferem dados com o dobro da frequência. Saiba mais.
Cartão microSD
Um tipo de cartão de memória muito pequeno utilizado em celulares e outros dispositivos portáteis. Veja a nossa linha de produtos de cartão microSD.
NAND
Um tipo de memória Flash, um suporte de armazenamento volátil capaz de ser eletricamente apagado e reprogramado. NAND significa NOT AND, um portal lógico (meio de produzir saídas específicas em eletrônicos digitais).
Empilhamento de dispositivo NAND
Para aumentar a capacidade de armazenamento, um dispositivo de memória não volátil como uma memória Flash NAND pode ter várias pilhas de matrizes de memória (por ex., chips) para formar um conjunto de matriz de memória. O conjunto de matriz de memória pode ser implementado de várias formas como DDP (Double-Die Package ou Conjunto de Matriz Dupla), um QDP (Quad-Die Package ou Conjunto de Matriz Quádrupla), um ODP (Octo-Die Package ou Conjunto de Matriz Óctupla) até o HDP (16 die package ou Conjunto de Matriz de 16). A tecnologia de empilhamento de matriz permite maior capacidade em formatos menores como um drive USB ou SSDs M.2.
Memória não-binária
Veja densidade DRAM.
Não-ECC
Um módulo que não tem a largura de dados (habilitado por DRAM extra) para suportar o algoritmo ECC.
Memória não volátil
Memória não volátil é um tipo de memória de computador que tem a capacidade de guardar dados salvos se a energia for desligada.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express, uma especificação de interface aberta para acessar o armazenamento não volátil de computadores, por ex., SSDs.
On-Die ECC / ODECC
On-die ECC, abreviado como ODCCC, é ECC incorporado no chip DRAM para corrigir erros de bit antes de transmitir para o módulo. Para a memória, esta tecnologia foi introduzida com a DDR5.
PCB / Placa de circuito impresso
PCB é a abreviação para placa de circuito impresso. PCBs são o meio no qual os chips semicondutores estão interconectados. As placas de PCB geralmente possuem várias camadas, com planos de conduzir e isolar camadas. Cada camada é gravada com um padrão onde materiais condutores, como o cobre, são usados para conectar os componentes semicondutores que são montados na superfície às camadas externas.
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express, um padrão de interface para componentes de alta velocidade, como GPUs ou SSDs.
PCN
Um acrônimo para Aviso de Alteração de Produto/Peça (Part/Product Change Notice) Estes são usados para documentar o anúncio de um novo produto, uma mudança no produto, uma eliminação gradual para o fim da vida, ou uma descontinuação.
PMIC
PMIC é um acrônimo que significa Circuito Integrado de Gestão de Energia. Os PMICs são geralmente usados para gerenciar o acompanhamento de energia para componentes específicos em um dispositivo. Para a DDR5, um PMIC está incluído em cada módulo.
Plug N Play / PnP
Plug and Play (PnP) pode se referir a muitos tipos de dispositivos na computação que não exigem software ou drivers específicos para funcionar. Para a Kingston, usamos o termo "Plug N Play" para descrever um método pioneiro de overclock da Kingston sem ter que habilitar perfis. Os módulos Kingston FURY com PnP apresentam os tempos de overclock programados no perfil JEDEC padrão no SPD, o que força um computador a acionar automaticamente o desempenho mais alto.
Proteção contra falha de energia
A perda de energia é inevitável e pode causar um caos em um ambiente de trabalho se o hardware apropriado não for utilizado. A proteção contra falha de energia é necessária para prevenir perda de dados. Um dispositivo host compatível pode enviar um comando à placa que impedirá qualquer uma de suas operações ao detectar qualquer queda de energia. Isso permite que a placa salve quaisquer dados sendo gravados atualmente no momento da perda de energia.
Quad Channel
Arquitetura de soquete de memória onde dois módulos de memória idênticos instalados agregam sua largura de banda para aumentar o desempenho do sistema.
Quad Rank
4 Ranks, ou Quad Rank, quantas cargas de dados de 64-bit por módulo.
QVL / Qualified List
QVL é um acrônimo que comumente significa lista de fornecedores qualificados. Os fabricantes de PC e placa-mãe frequentemente listam QVLs em seus sites de suporte para mostrar quais componentes, como memória e SSDs, foram testados para funcionar com seus sistemas.
RAM / Random Access Memória
RAM é um acrônimo que significa Memória de Acesso Aleatório. Na computação, a RAM geralmente se refere à memória de curto prazo entre o armazenamento (SSD/HDD) e o processador para permitir o acesso rápido. A RAM de hoje é predominantemente volátil, o que significa que não guarda informações sem energia.
Rank
Um Rank é um bloco de dados que tem 64 bits de largura. A quantidade de bits é determinada pela quantidade de bancos, não chips DRAM (ou seja, oito chips de chips x8 compõem os 64 bits para criar um Rank). Um módulo de memória pode ser construído com vários ranks, no entanto os dados só podem ser acessados um Rank de cada vez.
RAS
RAS é um acrônimo que pode significar algumas coisas na computação. Primeiro, RAS pode ser Row Address Strobe, referindo-se a uma solicitação de ativação de linha do processador para a RAM. RAS também pode se referir à confiabilidade, disponibilidade e capacidade de serviço. Estes são recursos de chipset, como ECC, DIMM Sparing, Lock-step, espelhamento etc., que fornecem redundância aprimorada para a RAM. Os recursos RAS são mais comumente apresentados em sistemas de estações de trabalho e de classe de servidor.
DIMM Registrado / RDIMM (Registered DIMM)
Um módulo de memória de classe de servidor que apresenta um componente de Register, também conhecido como Registered Clock Driver (RCD), que funciona como um buffer entre os componentes DRAM (memória) em um módulo (DIMM) e o controlador de memória (geralmente localizado dentro da CPU). Registers permitem que mais componentes DRAM sejam usados em um módulo para alcançar capacidades mais altas e a maioria dos chipsets exigem o uso de DIMMs registrados como sistema de memória principal. O Register gerencia os sinais de comando e endereço da DRAM no módulo, usando um ciclo de clock adicional para sincronizar os dados a tempo.
Pronto para AMD Ryzen™
Programa de autoqualificação de AMD para overclock em computadores baseados em AMD Ryzen.
Registro
Register é a abreviação para Registered Clock Driver (RCD), que atua como um buffer entre os componentes DRAM de um módulo e o controlador de memória. Registros permitem que mais componentes DRAM sejam usados em um módulo para alcançar capacidades mais altas. O Register gerencia os sinais de comando e endereço da DRAM no módulo, usando um ciclo de clock adicional para sincronizar os dados a tempo.
RGB
RGB é um acrônimo que significa vermelho, verde e azul, e LEDs RGB são usados para criar padrões de iluminação. Para a memória, os LEDs RGB são uma parte integrada do módulo e estão posicionados abaixo de um difusor de luz no dissipador de calor para fins estéticos. Veja os nossos produtos com RGB.
SATA
Abreviação de Serial Advanced Technology Attachment (Acessório de tecnologia avançada serial), SATA é uma interface de barramento de computador que se coneta a dispositivos de armazenamento em massa, como unidades de disco rígido e SSDs.
Cartão SD
Um tipo de cartão de memória muito pequeno utilizado em celulares e outros dispositivos portáteis. Veja a nossa linha de produtos de cartão SD.
Classe de Velocidade SD
A SD Association estabeleceu padrões que classificam a transferência mínima de dados sobre as necessidades das empresas que criam produtos de gravação de vídeo e precisam de determinadas velocidades de gravação ao gravar os dados em um cartão de memória. A classe de velocidade SD, a classe de velocidade UHS e a classe de velocidade de vídeo uniformizaram essa norma, tanto para cartões de memória como para dispositivos, para garantir velocidades de gravação mínimas e proporcionar um melhor desempenho.
SDRAM / Synchronous DRAM
SDRAM é um acrônimo que significa DRAM síncrona e é a principal tecnologia de RAM para a maioria dos computadores atualmente. Esta tecnologia de memória apareceu pela primeira vez no final da década de 1990, e melhorou muito o desempenho, sincronizando as transferências de dados com o clock do sistema.
Server Premier
Server Premier é a linha de produtos de memória padrão do setor da Kingston para módulos com ECC, geralmente servidores e estações de trabalho, e os números de peça começam com "KSM". As peças do Server Premier podem ser encomendadas com todos os componentes bloqueados (Full Lock) por consistência, ou apenas com a revisão da matriz DRAM bloqueada (DRAM Lock).
SIMM / Single In-line Memory Module
SIMM é um acrônimo que significa Módulo de memória único em linha e foi um antigo formato de módulo de memória. Os SIMMs eram geralmente limitados a larguras de dados de 32 bits e não suportavam acessos de dados independentes de cada lado dos pinos do módulo.
Sistema em Pacote (SIP)
Um sistema em pacote (SiP) é um projeto usado para agrupar vários circuitos integrados (ICs) e componentes passivos em um único pacote que pode ser empilhado usando pacote sobre pacote. É normalmente utilizado em SSDs, unidades USB, cartões SD, dentro de celulares, etc.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM é um acrônimo que significa Small Outline DIMM. Semelhante aos DIMMs, os SODIMMs são menores e são usados principalmente em laptops e PCs com formatos pequenos.
SPD / Detecção de Presença em Série
SPD é um acrônimo que significa Detecção de Presença em Série. SPD é uma EEPROM, um chip no módulo de memória que contém as informações sobre suas próprias especificações.
Velocidade
Para a memória, a velocidade geralmente se refere à taxa de dados do módulo. Todas as gerações DDR indicam velocidade em megatransferências por segundo (MT/s). A velocidade da memória pode ser escrita de várias maneiras: DDR5-4800, ou PC5-38400, ou 4800MT/s DDR5. A velocidade de um módulo também pode ser usada para determinar a largura de banda efetiva de um módulo multiplicando por 8. Por exemplo, a DDR5-4800 tem uma largura de banda efetiva de 38.400 MB/s ou 38,4 GB/s. Esta é a taxa de transferência de dados de pico dos dados que se movem dentro e fora do módulo por segundo.
Para a velocidade do cartão SD e microSD, consulte a classe de velocidade SD.
Classe de velocidade (Classe 4, 6, 10)
A SD Association uniformizou a classificação de velocidade para diferentes cartões de armazenamento externos (SD, microSD). Esses são caraterizados como "Classe de velocidade" e especificam a velocidade de gravação sustentada mínima absoluta. Os cartões podem ser classificados como Classe 4 (4MB/s), Classe 6 (6MB/s) ou Classe 10 (10MB/s). Saiba mais.
SSD
Unidade de estado sólido, um dispositivo de armazenamento composto por coleções de chips Flash NAND, onde os dados são lidos e gravados por um controlador Flash em vez de um atuador mecânico como acontece nas unidades de disco rígido. Devido à falta de peças mecânicas, os SSDs funcionam de forma mais suave e eficiente do que os HDDs. Outra vantagem dos SSDs em relação aos HDDs é que eles não são vulneráveis a interferência magnética. Veja a nossa linha de produtos SSD.
Mecanismo ECC forte
A memória Flash NAND deve manter a integridade dos dados conforme os dados se movimentam do PC host para o armazenamento NAND através do controlador Flash. As transferências de dados do host para a placa são geralmente mencionadas como “dados em voo” ou “dados em trânsito” antes de serem efetivamente gravados no armazenamento Flash NAND. Controladores Flash incorporam a tecnologia de Correção de Erros (chamada de ECC, ou Error Correction Code), para detectar e corrigir a maioria dos erros que podem afetar os dados ao longo dessa trajetória. Chips de memória Flash incorporam informações adicionais de correção de erros, juntamente com cada bloco de dados que é gravado; essas informações permitem que o controlador Flash corrija simultaneamente muitos erros ao ler um bloco de dados. A memória Flash NAND, como as unidades de disco rígido, encontrarão erros de bits durante a operação normal que serão corrigidos dinamicamente com seus dados ECC. Se um dispositivo NAND tiver um número excessivo de erros em um bloco de dados, aquele bloco será marcado como um Bad Block, será aposentado e um dos blocos reserva será colocado em serviço. Durante esse processo os dados serão corrigidos, se necessário, usando o ECC. O uso de blocos reserva estende a vida útil e a resistência dos SSDs.
Saiba mais sobre detecção e correção de erros em SSDs da Kingston.
Subcanal
Para a memória, o subcanal refere-se a um recurso de design de módulos de memória DDR5 que divide o endereço de 64 bits em dois segmentos independentes de 32 bits para aumentar a eficiência.
UDIMM / DIMM sem buffer (Unbuffered DIMM)
Um módulo (RAM) de 64 bits memória (x64) que não possui um Register ou buffer. Módulos Unbuffered são tradicionalmente usados em estações de trabalho/PCs/laptops.
Classe de Velocidade de Vídeo UHS-I
Uma classe de velocidade para gravação de vídeo. A velocidade mínima de gravação do meio em questão é medida por uma letra seguida de um número. Uma classe de velocidade V30 têm uma velocidade de gravação mínima de 30 MB/s.
Sem buffer (Unbuffered)
Não há buffers de dados no módulo, como um Registro.
U.2
Um padrão de interface de computador para conexão de SSDs, projetado para o mercado empresarial. Normalmente vem no formato de 2,5 pol e oferece mais armazenamento do que o M.2.
UHS-I
Velocidade ultra-elevada – I (UHS-I) é uma classe de velocidade para cartões de memória SDHC e SDXC. O UHS-I tem uma velocidade de interface de barramento de até 104 MB/s.
UHS-II
Velocidade ultra-elevada – II (UHS-II) é uma classe de velocidade para cartões de memória SDHC e SDXC. O UHS-II tem uma velocidade de interface de barramento de até 312 MB/s. A diferença da primeira versão (UHS-I) foi a segunda fila de pinos adicionada, que utiliza a tecnologia de sinalização diferencial de baixa tensão (LVDS) para permitir taxas de transferência mais elevadas.
Classe de velocidade UHS (U1, U3)
A velocidade ultra-elevada (UHS) especifica o desempenho mínimo de gravação sustentada para gravação de vídeo. Existem duas classes de velocidade UHS criadas pela SD Association, UHS Speed Class 1 e UHS Speed Class 3. A classe de velocidade UHS 1 suporta uma velocidade de gravação mínima de 10 MB/s e a classe de velocidade UHS 3 tem uma velocidade de gravação mínima de 30 MB/s. A classe de velocidade UHS é geralmente reconhecida por um 1 ou 3 dentro de um símbolo U. Saiba mais.
USB
O Barramento Serial Universal (USB) é uma interface padrão que permite a conexão entre dispositivos e um controlador host, como um computador pessoal (PC) ou smartphone. Conecta dispositivos periféricos como câmaras digitais, mouses, teclados, impressoras, scanners, dispositivos multimédia, discos rígidos externos e unidades flash.
USB 3.2 Gen 1 (5 Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
A diferença entre estes padrões USB é a capacidade de velocidade de transferência de dados. O USB 3.2 Gen 1 suporta velocidades de até 5 Gbit/s, o USB 3.2 Gen 2 suporta velocidades de até 10 Gbit/s, o USB 3.2 Gen 2x2 suporta velocidades de até 20 Gbit/s e o USB4 suporta velocidades de até 40 Gbit/s. Saiba mais.
Classe de velocidade de vídeo (V10, V30, V60, V90)
A classe de velocidade de vídeo foi criada pela SD Association para classificar placas que podem funcionar com recursos de gravação e resoluções de vídeo mais elevadas. Esta classe de velocidade garante um desempenho mínimo sustentado para gravação de vídeo. Incluindo V6, V10, V30, V60 e V90 A Classe de velocidade V90 significa que a velocidade mínima de gravação do cartão de memória precisa ser executada a 90MB/s, V30 é 30MB/s, e assim por diante. Saiba mais.
ValueRAM
A linha de produtos de memória padrão do setor da Kingston para DIMMs e SODIMMs de classe não ECC, tradicionalmente usados em laptops e desktops “white box”.
VLP / Perfil muito baixo (Very Low Profile)
VLP refere-se a uma classificação JEDEC da altura do módulo de memória para uso em sistemas de perfil fino. Para DDR3 e DDR4, VLP UDIMMs e VLP RDIMMs têm uma especificação de altura de 18,75 mm. Os DIMMs DDR3 de perfil padrão (30,00 mm) e DDR4/DDR5 (31,25 mm) são considerados de perfil "baixo".
Nivelamento de desgaste
Os dispositivos de armazenamento Flash da Kingston incorporam controladoras utilizando tecnologia avançada de monitoramento de desgaste, que distribui uniformemente o número de ciclos P/E (programar/apagar) na memória Flash. Por isso o nivelamento de desgaste estende a vida útil de um cartão de memória flash.
x16
Para a memória, x16 refere-se à largura de dados de um chip DRAM (x16 sendo largura de 16 bits). As DRAM x16 são usadas em UDIMMs e SODIMMs e são limitadas a desktops e laptops com processadores que suportam esse tipo de DRAM.
x4
Para a memória, x4 refere-se à largura de dados de um chip DRAM (x4 sendo largura de 4 bits). Os chips DRAM x4 são usados principalmente em RDIMMs e LRDIMMs, e os módulos com estes podem suportar ECC de detecção e correção de erros de vários bits.
x64
Para a memória, x64 significa 64 bits. Esta é a quantidade total de largura necessária para completar um Rank.
x72
Para a memória, x72 significa 72 bits. Isso indica um módulo com um endereço de 64 bits mais 8 bits para suportar ECC. X72 é a largura do módulo para RDIMMs, UDIMMs ECC, SODIMMs ECC e LRDIMMs para DDR3, DDR4 e alguns módulos DDR5. Módulos DDR5 que são x72 também são denominados como EC4.
x8
Para a memória, x8 refere-se à largura de dados de um chip DRAM (x8 sendo largura de 8 bits). As DRAM X8 são usadas em todos os tipos de módulos de memória, incluindo RDIMMs.
x80
Para a memória, x80 significa 80 bits. Isso é específico para um módulo do tipo DDR5 EC8. Os módulos DDR5 apresentam dois subcanais independentes de 32 bits, que podem cada um ter uma adição de 8 bits para suportar ECC, para um total de 40 bits. Os dois combinados equivalem a 80 bits totais por Rank.
XMP
Perfil de Memória Extrema da Intel, temporizações pré-programadas nos módulos de overclock. Saiba mais.
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard; a funcionalmente é uma cifra de bloco ajustável para unidades de dados de 128 bits ou mais, usando a cifra de bloco AES como uma sub-rotina. É um modo altamente seguro de criptografia usado por muitas organizações, tanto administrativas quanto corporativas.