1R (1 Rank, Rank singolo)
Una larghezza di dati a 64 bit su un modulo di memoria.
2R (2 Rank, Rank doppio)
Due larghezze di dati a 64 bit su un modulo di memoria.
4R (4 Rank, Rank quadruplo)
Quattro larghezze di dati a 64 bit su un modulo di memoria.
8R (8 Rank, Rank ottale)
Otto larghezze di dati a 64 bit su un modulo di memoria.
AMD
Advanced Micro Devices, un'azienda che sviluppa processori, chipset, processori grafici e prodotti correlati.
AMD EPYC™
Modello di processori AMD per server.
AMD EXPO™
AMD Extended Profiles for Overclocking. Moduli di memoria dotati di profili AMD EXPO con velocità, timing e voltaggio ottimizzati per i sistemi AMD.
AMD Ryzen™
Modello di CPU AMD per laptop e desktop.
ARGB
ARGB è l'acronimo di "Addressable RGB" (RGB indirizzabile) e indica una modalità evoluta di illuminazione, che permette di personalizzare e controllare ogni singolo LED. È possibile visualizzare molteplici colori allo stesso tempo, utilizzando effetti luminosi di grande impatto, come bounce, respiro, arcobaleno.
AES (Advanced Encryption Standard)
Vedere FIPS. Un metodo di cifratura a blocchi per la crittografia di dati elettronici sensibili utilizzato dal governo degli Stati Uniti con il nome FIPS 197 a partire dal 2002.
Protezione per la distribuzione della frequenza di auto-refresh in lettura
La funzione di auto refresh effettua la lettura di tutti i dati nelle aree di memoria flash, inclusi quelli in cui i dati non vengono letti con grande frequenza, effettuando la correzione automatica degli errori secondo necessità al fine di evitare perdite di dati causate da errori in lettura ritenzione dei dati e altri tipi di errori. La funzione di auto refresh viene utilizzata in background e pertanto il suo utilizzo causa minimi ritardi di risposta nell'esecuzione dei comandi , anche durante il processo di correzione.
Gestione dei blocchi difettosi
I blocchi danneggiati contengono uno o più bit che considerati non più affidabili. La presenza di celle danneggiate viene rilevata durante il processo di produzione (Early bad blocks), oppure si verifica durante il ciclo di vita della scheda (Later bad blocks). Entrambi i tipi di celle danneggiati sono inevitabili e ciò rende la gestione dei blocchi difettosi una necessità al fine di poter gestire tali errori sui dispositivi NAND flash. La gestione dei blocchi difettosi consente di identificare e segnalare le celle danneggiate per poi utilizzare la capacità extra del dispositivo per sostituire le celle divenute inutilizzabili. Tale funzione impedisce la scrittura dei dati sui blocchi danneggiati, rafforzando l'affidabilità del prodotto. Se i blocchi danneggiati contengono dati, tali dati saranno spostati verso un blocco valido al fine di prevenire la perdita di dati.
Ulteriori informazioni sulla gestione dei blocchi difettosi relativa alle schede SSD, eMMC e SD/microSD Industrial di Kingston.
Banco
Un banco di memoria può riferirsi a diverse cose nel campo dell'informatica. Il significato più comunemente espresso è un array indipendente di linee di dati all'interno di un chip DRAM in cui le informazioni vengono memorizzate temporaneamente. Quando il controller di memoria accede a un banco, lo fa contemporaneamente nella stessa posizione su tutti i chip di un livello. Un altro significato espresso dal banco di memoria è un raggruppamento di socket di memoria multicanale in una scheda madre.
bit
Abbreviazione di "binary digit": è la misura più elementare dei dati in informatica, rappresentata come 0 o 1 / acceso o spento.
Byte
Un byte è composto da otto bit. È un'unità usata per misurare la memorizzazione delle informazioni, come un carattere di testo. Le combinazioni di bit e byte costituiscono il linguaggio basilare dell'informatica.
Brute force
Attacco di tipo non sofisticato che tenta di effettuare il crack di una password o di una chiave crittografica tentando tutte le combinazioni possibili.
CAMM
CAMM è l'acronimo di "Compression-Attached Memory Module" ed è un tipo di modulo DRAM proprietario sviluppato da Dell per l'uso nei suoi portatili dal profilo sottile.
CAMM2
CAMM2 è un tipo di modulo standard industriale JEDEC introdotto da Dell partendo dal concept originale del suo CAMM. Dell ha consegnato il proprio progetto CAMM al JEDEC nel 2022, autorizzando i membri di questo comitato di contribuire e/o creare nuovi progetti utilizzabili da chiunque nel settore. Al posto dei terminali (pin) situati nel bordo inferiore del modulo di memoria che si inseriscono in un socket, il modulo CAMM2 utilizza un connettore a compressione posto nella parte posteriore del modulo da premere contro la scheda madre. Il modulo CAMM2 viene poi bloccato nella sua posizione tramite le viti. JEDEC supporta due tipi di memorie DRAM per CAMM2: DDR5 CAMM2 e LPDDR5 CAMM2. DDR5 CAMM2 utilizza componenti DRAM DDR5 con design in grado di supportare capacità da 8GB a 128GB, canali di memoria singoli e doppi, PMIC a fase singola e doppia e driver di clock LPDDR5 CAMM2 (noto anche come LPCAMM2) utilizza componenti DRAM LPDDR5, rappresentando un'opzione a basso consumo per sistemi mobili o di forma compatta. Non è possibile utilizzare contemporaneamente questi due tipi di moduli (DDR5 CAMM2 e LPDDR5 CAMM2) in un sistema perché utilizzano connettori diversi per il collegamento alla scheda madre.
Capacità
Indica il numero complessivo delle celle di memoria disponibili per i dati presenti in un modulo espresso in Gigabyte (GB). Nel caso dei kit, il valore indicato rappresenta la capacità combinata di tutti i moduli presenti nel kit.
Latenza CAS / CL
CAS è l'acronimo di Column Address Strobe, mentre la latenza CAS (CL) indica il tempo impiegato in cicli di clock necessario a trovare la linea di memoria aperta a cui dover accedere (ad. es. CL32, CL40).
CSODIMM
CSODIMM è l'acronimo di "Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module". Gli standard industriali JEDEC richiedono l'inclusione di un componente client clock driver (CKD) nelle SODIMM a partire dalla versione DDR5 a 6400MT/s. Questo componente funge da buffer del segnale di clock tra il controller di memoria (integrato nella CPU) e la DRAM, migliorando l'integrità del segnale, la stabilità e consentendo velocità più elevate.
CUDIMM
CUDIMM è l'acronimo di "Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module". Gli standard industriali JEDEC richiedono l'inclusione di un componente client clock driver (CKD) nelle UDIMM a partire dalla versione DDR5 a 6400MT/s. Questo componente funge da buffer del segnale di clock tra il controller di memoria (integrato nella CPU) e la DRAM, migliorando l'integrità del segnale, la stabilità e consentendo velocità più elevate.
Canale
Riferito agli SSD, il canale indica il numero di chip flash con i quali il controller può comunicare simultaneamente. Normalmente, gli SSD di classe entry level/mainstream utilizzano 2 o 4 canali; gli SSD ad alte prestazioni spesso utilizzano 8 canali, con gli SSD per data center che arrivano fino a 16 canali.
Vedere Canale di memoria, per l'uso di questo termine in relazione alle memorie.
Organizzazione del chip / Larghezza DRAM
I componenti DRAM hanno una struttura interna organizzata in righe e colonne. L'organizzazione del chip indica la larghezza della colonna di un componente DRAM. Le larghezza delle colonne DRAM utilizzate per i moduli di memoria sono x16 ("per 16"), ovvero 16 colonne,x8 e x4. Queste larghezze identificano i tipi di moduli di memoria e i computer in cui possono essere utilizzati. Ad esempio, la larghezza x16 può riferirsi solo ai moduli DIMM o SODIMM utilizzati in PC o laptop, mentre la larghezza x4 può riferirsi solo ai moduli DIMM utilizzati in server o workstation. In un modulo di memoria con un'organizzazione del chip x4 tutte le DRAM del modulo hanno la stessa larghezza di colonna.
Cryptochip
Uno strumento hardware che protegge i dati dei drive USB, preservando le funzioni di gestione della chiave crittografica sul dispositivo, in cui tale chiave può essere meglio protetta. La gamma di drive flash IronKey utilizza questi cryptochip.
Velocità dati
Nell'ambito della memoria (RAM), la velocità di trasmissione dei dati rappresenta la classe di velocità di un modulo di memoria (precedentemente denominata frequenza). Nell'ambito dello standard DDR5, la velocità di trasferimento dati di un modulo espressa come 4800MT/s (megatransfer al secondo) indica la capacità di trasferire 4.800 milioni di dati per ciclo di clock per linea di dati.
DDR / Double Data Rate / DDR SDRAM
"DDR" è l'acronimo di Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. La DRAM sincrona trasferisce i dati sul clock di sistema, mentre la DDR SDRAM trasferisce i dati su entrambi i fronti di salita e discesa del clock, ovvero due volte per ciclo di clock, raddoppiando così la velocità di trasferimento rispetto alla frequenza. Il termine "DDR" può indicare anche la prima generazione di moduli di memoria DDR SDRAM, che ha debuttato nel 1998 e supportava velocità di trasferimento di 200, 266, 333 e 400MT/s con un impiego di 2,5V per modulo.
DDR2
DDR2 è la seconda generazione di moduli DDR SDRAM. Necessitava di meno energia, richiedendo solo 1,8V per modulo e aumentava la velocità di trasferimento dei dati, partendo da 400MT/s nel 2003 e arrivando via via a 533, 667, 800 e 1066MT/s durante il ciclo di vita di questo standard.
DDR3
DDR3 è la terza generazione di moduli DDR SDRAM apparsi per la prima volta nel 2007, con un consumo energetico ridotto rispetto ai moduli DDR2 a soli 1,5V per modulo e velocità che partivano da 800MT/s e sono arrivate progressivamente a 1066, 1333, 1600, 1866 e 2133MT/s.
DDR3L
Si tratta di una sottospecifica nata all'interno dello standard DDR3 JEDEC, con velocità e tempi identici alle DDR3, ma con una tensione ridotta a 1,35 V, così da estendere la durata della batteria nei computer portatili e ridurre la produzione di calore nei server. La memoria DDR3L è retrocompatibile con le memorie DDR3 e passa a 1,5 V sui sistemi legacy o se usata congiuntamente a moduli standard DDR3.
DDR4
DDR4 è la quarta generazione di DDR SDRAM, che ha debuttato nel 2014. Le DDR4 hanno coperto una gamma di velocità di 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 e 3200MT/s, usando una tensione di soli 1,2V per modulo. Queste memorie hanno introdotto progressi significativi rispetto alle precedenti DDR3, a partire dalla forma del modulo DIMM. È stata infatti realizzata una curvatura nella parte inferiore centrale del modulo DIMM, per migliorarne l'alloggiamento nel socket e per rendere più resistente il modulo alla pressione di inserimento, così da prevenire danni ai microcircuiti.
DDR5
DDR5è la quinta generazione di DDR SDRAM, lanciata nel 2020, con una gamma di velocità di 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 e 7200MT/s. Le memorie DDR5 hanno ridotto significativamente il consumo di energia, portandolo a soli 1,1 V per modulo e hanno incluso un circuito integrato di gestione dell'alimentazione (PMIC) nel modulo per migliorare la distribuzione dell'energia dove e quando serve. I moduli DDR5 hanno migliorato notevolmente l'efficienza rispetto alle generazioni precedenti, raddoppiando i banchi e la lunghezza dei burst, consentendo il refresh dello stesso banco e dividendo il modulo in due sottocanali da 32 bit, indirizzabili in modo indipendente. L'integrità dei dati è migliorata anche grazie all'integrazione dell'ECC on-die, in grado di correggere gli errori di bit all'interno dei singoli componenti della DRAM DDR5.
Design-In
Design-in si riferisce a una categoria di PC/dispositivi non tradizionali, come chioschi, sistemi POS, segnaletica digitale, apparecchiature diagnostiche, ecc. Kingston produce appositamente componenti, moduli e drive dedicati a questa categoria di computer.
N. di revisione matrice
Codice letterale con cui un produttore di semiconduttori identifica un componente DRAM. In genere queste lettere indicano in modo specifico la densità e il design del componente.
DIMM / Dual In-line Memory Module
DIMM è l'acronimo di "Dual In-Line Memory Module" ed è un tipo di modulo che presenta contatti elettrici separati su ciascun lato del modulo. In questo modo è possibile trasferire i dati da e verso il modulo su ciascun lato in modo indipendente.
Fare riferimento ai nostri moduli di memoria DRAM.
Densità DRAM
La capacità del singolo chip DRAM è definita "densità" e si misura in Megabit o Gigabit. Maggiore è la densità della DRAM, maggiore è la capacità del modulo di memoria. Solitamente, la densità raddoppia nel passaggio tra una generazione e l'altra, ma nel caso delle DDR5 si è creata una densità intermedia di 24Gbit, definita anche “non binaria”. Ecco le densità tipicamente presenti in ogni generazione di memoria:
DRAM / Dynamic Random Access Memory
DRAM è l'acronimo di Dynamic Random Access Memory ed è il tipo di tecnologia RAM utilizzata più di frequente nell'attuale informatica. I chip DRAM sono costituiti da semiconduttori disposti in una griglia di linee di dati, con condensatori e transistor in grado di assorbire cariche elettriche che rappresentano l'1 e lo 0 del codice binario.
Dual Channel
Architettura socket di memoria in cui due moduli di memoria identici installati, combinano la larghezza di banda per incrementare le prestazioni di sistema.
Dual Rank
2 rank, o Dual Rank, indica il numero di carichi dati a 64-bit per modulo.
Refresh dinamico dei dati
Il refresh dinamico dei dati viene utilizzato al fine di assicurarsi che durante le operazioni di sola lettura i blocchi caratterizzati dal più elevato numero di errori siano rimossi e rigenerati per utilizzi successivi. Durante ciascun comando di lettura, il controller effettua una verifica su tre livelli sul blocco target: la prima fase consiste nella verifica dell'indicatore della “necessità di effettuare un refresh”. La seconda fase consiste nel verificare il numero di errori bit attualmente presenti. La terza fase consiste nel verificare il numero tentativi effettuati fino a quel momento.
EC4
Termine JEDEC che indica un modulo di memoria DDR5 di classe server con una larghezza di dati di 72 bit.
EC8
Termine JEDEC che indica un modulo di memoria DDR5 di classe server con una larghezza di dati di 80 bit.
ECC / Error Correction Code
Error Correction Code è un algoritmo in grado di correggere la corruzione dei dati in elaborazione a uno o più bit. Per la memoria (RAM), l'ECC è presente nel controller di memoria dei processori di classe server o workstation. Per consentire al controller di memoria di eseguire il rilevamento e la correzione degli errori, è necessaria la presenza di moduli di memoria dotati di ECC, che presentano componenti DRAM aggiuntivi in grado di fornire un'ampiezza di dati maggiore (ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced). L'ECC è supportato dai moduli a 72 bit (x72) DDR3 e DDR4, mentre nel caso dello standard DDR5 l'ECC è supportato sia dai moduli a 72 bit (x72 o EC4) che da quelli a 80 bit (x80 o EC8).
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
I moduli ECC senza buffer sono dotati di componenti DRAM aggiuntivi per supportare l'algoritmo ECC.
EEPROM
EEPROM è un acronimo di "Electrically Erasable Programmable Read-only Memory" che significa memoria di sola lettura programmabile e cancellabile elettricamente. È un componente presente nel modulo di memoria, che memorizza informazioni importanti sulle specifiche del modulo. L'SPD è considerato un EEPROM.
FAT
Una tabella di Allocazione File (FAT) è un file system sviluppato per gli hard drive. La FAT è utilizzata dal sistema operativo (SO) per gestire i file sull’hard drive e su altri sistemi informatici. Normalmente, tale soluzione è utilizzata su memorie flash, fotocamere digitali e dispositivi portatili. La FAT è utilizzata per archiviare informazioni ed estendere la durata dell’hard drive. Ulteriori informazioni sui File System.
FIPS (Federal Information Processing Standards)
Una serie di standard e linee guida peri sistemi informatici federali del governo degli Stati Uniti, sviluppati dal National Institute of Standards and Technology (NIST) in conformità con le regole del Federal Information Security Management Act (FISMA) e approvati dal Segretario al commercio.
FIPS 197
Advanced Encryption Standard (noto anche come Rinjdael), una variante del sistema di cifratura a blocchi belga. Il sistema utilizza chiavi a 128, 192, o 256-bit: Lo standard AES-128 non è mai stato violato mediante attacchi brute force, e garantisce livelli di protezione sufficienti per l’impiego con dati segreti. Si tratta dell’unico standard crittografico pubblicamente accessibile approvato dall'Agenzia per la Sicurezza Nazionale degli Stati Uniti per le informazioni top secret (crittografia a 192-bit o superiore).
FIPS 140-2 di livello 3
Standard di sicurezza informatica governativo definito nel 2019. Oltre a offrire livelli di sicurezza in ambito produttivo e a essere conformi ai requisiti di autenticazione e di resistenza ai tentativi di manomissione fisici, i sistemi conformi a questo standard devono essere dotati di interfacce di separazione attraverso i quali è possibile per i parametri di sicurezza critici entrare e uscire dal modulo.
Memoria Flash
La memoria flash è di tipo non volatile (un tipo di memoria che tieni dati memoria anche in assenza di alimentazione elettrica). La memoria flash è normalmente utilizzata su dispositivi come i drive a stato solido (SSD) e sui drive flash USB. Tale tipo di memoria eh comunemente utilizzato anche sui personal computer e nelle soluzioni di storage di tipo aziendale.
Formato
Generalmente riferito alla dimensione e alla forma di un componente elettrico come un SSD o un modulo DRAM.
I drive SSD possono avere i formati 2,5", M.2, U.2 e mSATA, secondo le definizioni date dalla SNIA (Storage Networking Industry Association). Ulteriori informazioni sui formati SSD.
Riguardo ai moduli DRAM, gli standard di settore JEDEC ne definiscono i tipi di connettore le dimensioni. I formati di moduli DRAM più diffusi sono DIMM e SODIMM.
Frequenza
Termine a cui generalmente ci si riferisce con parole quali velocità, data rate o ciclo di clock della RAM.
Garbage Collection
La funzione di garbage collection è fondamentale per garantire durata, manutenzione ottimale e velocità delle NAND flash. I dispositivi basati su memoria NAND Flash non possono sovrascrivere i dati presenti. Tali dispositivi devono essere sottoposti a un ciclo di programmazione/cancellazione. Per poter scrivere all’interno di un blocco di dati già utilizzato, infatti, un controller NAND di norma deve prima copiare tutti i dati validi (quelli ancora utilizzati) e scriverli all’interno delle pagine vuote di un altro blocco; quindi deve cancellare tutte le celle del blocco da liberare (eliminando dati validi e non validi) e solo a quel punto può scrivere nuovi dati nel blocco che è stato così liberato. Questo processo si definisce appunto Garbage Collection. Ulteriori informazioni.
Modalità "Gear"
I processori Intel (successivi alla 11° Gen) e AMD (Ryzen) di nuova generazione sono dotati di modalità "Gear" per la memoria: si tratta di una funzione che permette, tramite il BIOS, di impostare il rapporto tra la velocità del controller di memoria del processore e la velocità del modulo di memoria. "Gear 1" imposta le velocità del modulo di memoria e del controller di memoria del processore in un rapporto di uguaglianza (1:1), risultando l'opzione migliore per le prestazioni con la migliore latenza. "Gear 2" riduce della metà la velocità del controller di memoria del processore: si ottiene una maggiore velocità dei moduli di memoria, ma con un leggero sacrificio in termini di latenza. "Gear 4" riduce di un quarto la velocità del controller di memoria del processore: si ottiene la migliore velocità e larghezza di banda del modulo, ma con un sacrificio significativo della latenza. Come detto, è possibile selezionare l'opzione della modalità "Gear" manualmente tramite il BIOS, ma generalmente viene preferita l'opzione "Auto" che consente al controller di memoria di regolarsi in base alla velocità della memoria.
Gbps / Gigabit per secondo
Unità di misura della larghezza di banda in miliardi di bit.
Gigabit / Gb / Gbit
1000³ bit o 1000 Mb. Comunemente usata per descrivere la densità di componenti quali chip DRAM singoli.
Gigabyte / GB / GByte
1000³ byte or 1000 MB. Comunemente usata per indicare la capacità di memorie o drive SSD.
GT/s
GT/s significa trasferimenti di giga al secondo.
Dissipatore di calore
Un pannello metallico collegato ai moduli al fine di dissipare il calore.
HBM (High Bandwidth Memory)
Questo acronimo indica nuova tecnologia di memoria DRAM sviluppata da AMD nel 2008 per rispondere alla crescente domanda di memoria ad alte prestazioni e alta capacità per supportare le GPU, con requisiti di potenza inferiori. Il comitato JEDEC ha adottato questa come tecnologia di memoria standard del settore nel 2013 e le aziende di semiconduttori SK Hynix, Samsung e Micron sono in grado di produrla. Nell'ultimo decennio la tecnologia si è evoluta nel corso delle sue generazioni successive, aumentando il supporto di capacità di memoria più elevate in più strati, bus di dati più ampi e prestazioni più elevate in termini di throughput: HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E. Oltre alle schede grafiche, i componenti di memoria che adottano la tecnologia HBM hanno trovato nuovi casi di impiego finalizzati a supportare le elevate prestazioni necessarie ai processori di IA.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Si tratta di una tecnologia di sincronizzazione brevettata che utilizza componenti a infrarossi sui moduli di memoria Kingston HyperX e FURY per allineare le modalità RGB.
Intel®
Intel Corporation. Designer e produttore di piattaforme di elaborazione, tra cui CPU, chipset, GPU e altre tecnologie.
Intel® Xeon®
Linea di CPU Intel® dedicata a server e desktop di alto livello che si caratterizza per supporto ECC, elevato numero di core e ampia larghezza di banda in grado di supportare un'elevata quantità di RAM e GPU.
Intel® XMP 2,0
Intel® Extreme Memory Profiles è una specifica di Intel che consente ai produttori di memorie e schede madri di impostare profili di overclock (DDR3 e DDR4) e semplificare l'overclocking all'utente finale.
Intel® XMP 3.0
La versione più recente di XMP realizzata per le memorie DDR5 che supporta cinque profili: tre per il produttore della memoria e due personalizzabili dall'utente finale per l'overclocking manuale.
Certificate Intel® XMP 3.0
Un componente o un kit che è stato sottoposto al programma di autocertificazione di Intel, superandolo.
Intel® XMP 3.0-Ready
Un componente o un kit conforme alla specifica Intel® XMP 3.0.
Certificate Intel® XMP 2.0
Un componente o un kit che è stato sottoposto al programma di autocertificazione di Intel, superandolo.
Intel® XMP 2.0-Ready
Un componente o un kit conforme alla specifica Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC è l'acronimo di Joint Electron Device Engineering Council, che è l'organismo di standardizzazione del settore per molte tecnologie legate ai semiconduttori e ai computer. JEDEC è un consorzio di operatori del settore che lavorano insieme per definire gli standard, tra cui quello delle memorie.
Kingston FURY™ Beast
Linea entry-level di prodotti UDIMM overcloccabili di Kingston.
Kingston FURY™ Impact
Linea di prodotti SODIMM overcloccabili di Kingston.
Kingston FURY™ Renegade
Linea di prodotti UDIMM overcloccabili ad alte prestazioni di Kingston.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Linea di prodotti DDR5 RDIMM overcloccabili ad alte prestazioni di Kingston.
Kit
Un numero di parte che include più moduli di memoria, generalmente adatto ad architetture di memoria a due, tre o quattro canali. Ad esempio, K2 indica 2 moduli DIMM inclusi nella confezione che insieme offrono la capacità di memoria totale.
Lunghezza (mm) x Altezza (mm) x Larghezza (mm)
Indica le dimensioni dei moduli in millimetri, incluso il dissipatore di calore.
Load Reduced DIMM / LRDIMM
Simili alle DIMM registrate (RDIMM), le LRDIMM si caratterizzano per la presenza di un buffer di dati per ridurre il carico sul controller di memoria, che altrimenti abbasserebbe la velocità della memoria per compensarlo. La tecnologia LRDIMM consente di avere moduli di ampia capacità senza sacrificare le prestazioni.
M.2
Un tipo di formato utilizzato per le schede di espansione dei computer integrati interni. Il formato include moduli di larghezze e lunghezze differenti.
Mbps
Megabit per secondo. Una misura di velocità che indica il numero milioni di bit al secondo.
MCRDIMM
MCRDIMM è l'acronimo di "Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module". Si tratta di un progetto di modulo DDR5 per server supportato da Intel, in grado di fornire memoria ad alte prestazioni e ad alta capacità per le piattaforme server Intel Xeon. Assimilabile nel concetto e nel design al DDR5 MRDIMM del JEDEC, questo tipo di modulo prevede il funzionamento contemporaneo di 2 rank con l'invio simultaneo di 128 Byte di dati al processore. L'aumento della velocità di trasferimento è reso possibile dall'uso di buffer di dati multiplati e di un driver di clock registrato in multiplazione, che consente di raggiungere velocità superiori a 8000MT/s.
MRDIMM
MRDIMM è l'acronimo di "Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module". Si tratta di un tipo di modulo DDR5 standard di settore JEDEC destinato all'uso in ambienti server. I moduli MRDIMM consentono di aumentare la velocità dei dati, la larghezza di banda e la capacità rispetto ai convenzionali moduli DDR5 DIMM registrati, grazie all'impiego di registri speciali (MRCD) e buffer di dati (MDB) che operano a una velocità doppia rispetto all'interfaccia host, raddoppiando di fatto la velocità di trasferimento. Esistono essenzialmente due formati di MRDIMM: "Standard Height" e TFF "Tall Form Factor" di 56,9mm. La velocità di partenza della prima generazione di MRDIMM è di 8800MT/s, giunta poi a 12.800MT/s con la seconda generazione.
Megabyte / MB
1000² byte or 1000 KB. Comunemente usata per indicare la capacità di memorie o drive SSD e di altri dispositivi flash.
Megabit / Mb
1000² bit o 1000 Kb. Generalmente usato in riferimento alla densità di componenti, quali la DRAM.
Memoria
Dispositivo, solitamente un semiconduttore, che memorizza i dati necessari per l'utilizzo di un computer o di altro hardware correlato.
Canale di memoria
Un canale di memoria rappresenta il percorso di trasferimento dei dati da un modulo di memoria e da un controller di memoria (normalmente installato su un processore). La maggior parte dei sistemi informatici (PC, laptop, server) utilizzano architetture di memoria multicanale, in cui i canali si combinano per incrementare le prestazioni della memoria. Un’architettura di memoria Dual Channel è caratterizzata da moduli identici in coppia. In tal caso, la larghezza di banda effettiva del controller di memoria è raddoppiata.
Megahertz / MHz
Il Megahertz è un'unità di misura standard che corrisponde al milione di cicli al secondo. Storicamente utilizzato per misurare la frequenza/velocità dei dati del modulo di memoria.
Megatransfer / MT/s
Il Megatransfer un'unità di misura che corrisponde a un milione di trasferimenti al secondo (MT/s) ed è il termine corretto utilizzato per descrivere la velocità dei dati di tutti i moduli di memoria DDR, che trasferiscono i dati a una frequenza doppia. Daha fazla bilgi.
Scheda microSD
Un tipo di scheda di memoria dalle dimensioni estremamente compatte tipicamente utilizzata su smartphone o altri dispositivi mobili. Fare riferimento alla nostra linea di prodotti di schede microSD.
NAND
Un tipo di memoria flash o di supporto di storage elettronico non volatile in grado di consentire cancellazione e riprogrammazione elettrica. L'acronimo NAND significa “NOT AND”, a identificare un gate logico (un sistema per la produzione di output specifici nel settore dell’elettronica digitale).
NAND Device Stacking
Al fine di accrescere la capacità di storage, un dispositivo di memoria non volatile, come le memorie NAND flash possono utilizzare molteplici stack di matrici di memoria (per esempio, chip), a formare una singola matrice di memoria. Il pacchetto della matrice di memoria può essere implementato in varie forme, come DPP (Double-Die Package), QDP (Quad-Die Package) e ODP (Octo-Die Package), fino alle versioni HDP (16 die package). La tecnologia di die stacking offre maggiori capacità su formati compatti, come quelli relativi a drive USB o SSD M.2.
Memoria non binaria
Consultare Densità DRAM.
Non-ECC
Un modulo che non ha l'ampiezza dei dati (abilitata dalla DRAM aggiuntiva) necessaria a supportare l'algoritmo ECC.
Memoria non volatile
La memoria non volatile è un tipo di memoria per computer che ha la capacità di ritenere i dati in memoria anche in caso di interruzione dell’alimentazione elettrica.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express, è una specifica di interfaccia aperta che consente l’accesso allo storage non volatile dei computer, come gli SSD per esempio.
On-Die ECC / ODECC
Si tratta dell'ECC incorporato nel chip DRAM che consente di correggere gli errori di bit prima che vengano trasmessi al modulo. Nelle memorie, questa tecnologia è stata introdotta con il DDR5.
PCB / Circuito stampato
PCB è l'acronimo di Printed Circuit Board (circuito stampato). Si tratta del supporto che interconnette i chip dei semiconduttori. Le schede PCB in genere sono multistrato, con piani di strati conduttori e isolanti. Ogni strato è inciso con un motivo in cui vengono utilizzati materiali conduttivi, come il rame, per collegare i componenti semiconduttori montati in superficie sullo strato esterno.
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express. Interfaccia standard per componenti ad alta velocità, come GPU o SSD.
PCN
Acronimo per Part/Product Change Notice. Questi acronimi vengono utilizzati per documentare l'annuncio di un nuovo prodotto, di una modifica del prodotto, di un phase out per fine vita o di un'interruzione.
PMIC
PMIC è l'acronimo di Power Management Integrated Circuit. Questi circuiti integrati sono generalmente utilizzati per gestire l'alimentazione di componenti specifici di un dispositivo. In ogni modulo di memoria DDR5 è sempre integrato un PMIC.
Plug N Play / PnP
Il termine Plug and Play e il relativo acronimo "PnP" possono fare riferimento a molti tipi di dispositivi informatici che non richiedono software o driver specifici per funzionare. Kingston utilizza il termine "Plug N Play" per fare riferimento a un metodo di overclocking inventato da Kingston che non richiede l'attivazione di profili. I moduli Kingston FURY dotati di funzionalità PnP hanno i timing di overclock programmati direttamente nel profilo predefinito JEDEC dello SPD, così da forzare il computer a passare automaticamente a prestazioni più elevate.
Protezione contro le interruzioni dell’alimentazione
Le interruzioni di corrente sono un'eventualità inevitabile e possono causare gravi problemi negli ambienti di lavoro se non si utilizza hardware di tipo adeguato. Pertanto è necessario ricorrere a soluzioni di protezione contro l'interruzione dell'alimentazione per evitare le perdite di dati. Un dispositivo host di tipo supportato è in grado di inviare un comando alla scheda che consente di interrompere qualunque operazione quando viene rilevato un calo di potenza. Ciò da alla scheda il tempo di effettuare il salvataggio di qualunque dato attualmente in fase di scrittura durante l'interruzione dell'alimentazione.
Canale quadruplo
Architettura socket di memoria in cui quattro moduli di memoria identici installati, combinano la larghezza di banda per incrementare le prestazioni di sistema.
Quad Rank
4 Rank, o Quad Rank, indica il numero di carichi dati a 64-bit per modulo.
QVL / Qualified Vendor List
QVL è un acronimo con cui generalmente ci si riferisce all'elenco dei fornitori approvati. I produttori di PC e schede madri pubblicano spesso questi elenchi sui propri siti di supporto, per rendere noti i componenti (es. moduli di memoria o drive SSD) che sono stati testati e hanno dimostrato di funzionare con i loro sistemi.
RAM / Random Access Memory
RAM è l'acronimo di Random Access Memory, che significa memoria ad accesso casuale. In informatica, la RAM generalmente fa riferimento alla memoria a breve termine, che si trova tra lo storage (SSD/HDD) e il processore e consente di eseguire accessi rapidi. La RAM attuale è fondamentalmente volatile, ovvero non è in grado di conservare informazioni quando non è alimentata.
Posizione
Si tratta di un blocco di dati che ha un’ampiezza di 64 bit. La quantità di bit è determinata dal numero di banchi, non dai chip DRAM (ad. es. otto chip x8 generano i 64 bit di un rank). Un modulo di memoria può essere composto da più rank, ma è possibile accedere solo ai dati di un rank alla volta.
RAS
RAS è un acronimo che può avere più significati in informatica. In primo luogo, RAS può essere l'acronimo di Row Address Strobe, che si riferisce a una richiesta di attivazione della riga da parte del processore alla RAM. Ma RAS può anche fare riferimento a "Reliability, Availability e Serviceability" (affidabilità, disponibilità e facilità di manutenzione). Si tratta di funzionalità del chipset quali ECC, DIMM Sparing, Lock-step, Mirroring, ecc., che assicurano una maggiore ridondanza per la RAM e sono più comuni nei sistemi di classe workstation e server.
DIMM Registrata / RDIMM (Registered DIMM)
Un modulo di memoria di classe server dotato di un componente registrato, noto come RCD (Registered Clock Driver), che funge da buffer tra i componenti DRAM (memoria) di un modulo (DIMM) e il controller di memoria (generalmente posizionato nella CPU). I registri consentono di utilizzare più componenti DRAM in un modulo così da ottenere capacità più elevate. Molti chipset di classe server richiedono l'impiego di moduli DIMM registrati per la memoria di sistema principale. Il registro gestisce i segnali di comando e indirizzo della DRAM sul modulo, utilizzando un ciclo di clock aggiuntivo per sincronizzare i dati nel tempo.
Predisposte per AMD Ryzen™
Programma di autocertificazione AMD per l’overclocking su computer basati su processori AMD Ryzen.
Registro (Register)
Con questo termine ci si riferisce in genere all' RCF (Registered Clock Driver), che funge da buffer tra i componenti DRAM di un modulo e il controller di memoria. I registri consentono di utilizzare più componenti DRAM in un modulo così da ottenere capacità più elevate. Il registro gestisce i segnali di comando e indirizzo della DRAM sul modulo, utilizzando un ciclo di clock aggiuntivo per sincronizzare i dati nel tempo.
RGB
RGB è l'acronimo di Red, Green e Blue (rosso, verde e blu) e i LED RGB vengono utilizzati per dare vita a pattern di illuminazione. Nel caso delle memorie, i LED RGB si trovano integrati nel modulo al disotto inglobati in un diffusore di illuminazione nel dissipatore di calore allo scopo di amplificarne l'estetica. Fare riferimento ai nostri prodotti dotati di funzione RGB.
SATA
Abbreviazione della denominazione “Serial Advanced Technology Attachment”, l’acronimo SATA indica un’interfaccia bus per computer che consente di collegare dispositivi per lo storage di massa, come hard drive e SSD.
Scheda SD
Un tipo di scheda di memoria dalle dimensioni tipicamente utilizzata su fotocamere digitali e altri dispositivi mobili. Fare riferimento alla nostra linea di prodotti di schede SD.
Classe di velocità SD
La SD Association ha definito gli standard relativi alle velocità di trasferimento minime associate alle esigenze delle aziende che realizzano prodotti basati su registrazioni video che richiedono determinate velocità di scrittura durante la registrazione dei dati sulle scheda di memoria. Le classi di velocità SD Speec Class, UHS Speed Class e Video Speed Class offrono uno standard di velocità per schede di memoria e dispositivi correlati, al fine di garantire velocità in scrittura minime, offrendo al contempo le migliori prestazioni.
SDRAM / Synchronous DRAM
SDRAM è l'abbreviazione di Synchronous DRAM (DRAM sincrona) ed è la tecnologia RAM più diffusa nei computer attuali. Questa tecnologia di memoria è apparsa per la prima volta alla fine degli anni '90 e ha migliorato notevolmente le prestazioni, sincronizzando i trasferimenti di dati con il clock di sistema.
Server Premier
Server Premier è la linea di memorie standard di Kingston per i moduli con ECC, tipicamente destinati a server e workstation, i cui numeri di parte iniziano con "KSM". I ricambi Server Premier possono essere ordinati con tutti i componenti bloccati (Full Lock) per salvaguardare la compatibilità, o con il blocco relativo al solo "die" del DRAM (DRAM Lock).
SIMM / Single In-line Memory Module
SIMM è un acronimo che significa Single In-Line Memory Module (modulo di memoria singola in linea), un formato di modulo di memoria divenuto ormai desueto. Questi moduli avevano una larghezza di dati solitamente limitata a 32 bit e non supportavano accessi ai dati indipendenti da ciascun lato dei pin del modulo.
System In Package (SIP)
Un sistema system in package (SiP) è un design utilizzato per combinare molteplici circuiti integrati (CI) e componenti passivi in un singolo pacchetto che può essere implementato utilizzando il metodo “package on package”. Tale approccio è normalmente utilizzato su SSD, drive USB, schede SD, all’interno di telefoni cellulari, ecc.
SODIMM / SO-DIMM
Si tratta di un acronimo che sta per "Small Outline DIMM". Simili alle DIMM, le memorie SODIMM sono più piccole e utilizzate all'interno di laptop e PC compatti.
SPD / Serial Presence Detection
SPD è l'acronimo di "Serial Presence Detect", un EEPROM, ovvero un chip sul modulo di memoria in cui sono memorizzate le informazioni relative alle proprie specifiche.
Velocità
Nel caso delle memorie, la velocità si riferisce generalmente alla velocità di trasmissione dei dati del modulo. Tutte le generazioni di DDR indicano la velocità in MegaTransfer al secondo (MT/s). La velocità della memoria può essere riportata in diversi modi: DDR5-4800 o PC5-38400 o DDR5 4800MT/s. La velocità di un modulo può essere utilizzata anche per determinare l'ampiezza di banda effettiva di un modulo moltiplicando per 8. Ad esempio, DDR5-4800 ha un'ampiezza di banda effettiva di 38.400 MB/s, ovvero 38,4 GB/s, che corrisponde alle velocità massima a cui i dati possono essere trasferiti da o nel modulo in un secondo.
Vedere Classe di velocità SD, per l'uso di questo termine in relazione alla velocità delle schede SD e microSD.
Classe di velocità (Classi 4, 6, 10)
La velocità standardizzata secondo i parametri della SD Association per differenti schede di memoria esterne (SD, microSD). Tali parametri sono caratterizzati come “Classi di velocità” e specificano le velocità di scrittura minime assolute. Le schede possono essere classificate come Classe 4 (4 MB/s), Classe 6 (6 MB/s) o Classe 10 (10 MB/s). Ulteriori informazioni.
Drive SSD
Drive a stato solido. Dispositivi di storage realizzati mediante gruppi di chip NAND Flash, in cui i dati vengono letti e scritti mediante un controller flash anziché mediante un attuatore meccanico, come nel caso degli hard drive. In virtù dell'assenza di parti meccaniche, gli SSD funzionano con maggiore fluidità ed efficienza rispetto agli HDD. Un altro vantaggio degli SSD rispetto agli HDD risiede nel fatto che i primi non sono soggetti a interferenze magnetiche. Fare riferimento alla nostra linea di prodotti SSD.
Solido motore ECC
Le memorie NAND flash devono preservare l'integrità dei dati mentre questi transitano dal PC host allo storage NAND , attraverso il controller flash. Spesso si utilizza l'espressione "Dati in transito" per riferirsi ai dati che viaggiano dal PC al drive SSD, prima che questi vengano scritti nello storage Flash NAND. I controller flash adottano una tecnologia di correzione degli errori (denominata ECC, acronimo di Error Correction Code), per rilevare e correggere la maggioranza degli errori che possono influenzare negativamente i dati in questa specifica fase del loro tragitto. I chip di memoria Flash utilizzano informazioni di memoria aggiuntive, associate a ogni singolo blocco di dati che viene scritto; queste informazioni permettono al controller Flash di correggere simultaneamente molti errori durante la lettura del blocco di dati. La memoria NAND Flash, al pari degli hard disk, è soggetta agli errori dei bit durante le normali operazioni di funzionamento. Tali errori vengono corretti in tempo reale, grazie ai dati ECC. Se un dispositivo NAND presenta troppi errori in un blocco di dati, quel blocco viene prima etichettato come "Bad Block", per poi essere annullato e sostituito da uno dei blocchi di riserva. Durante questo processo, se necessario, i dati saranno modificati tramite la tecnologia ECC. L’uso dei blocchi di riserva estende la vita operativa e la resistenza dei drive SSD.
Ulteriori informazioni sulla rilevazione e la correzione degli errori negli SSD di Kingston.
Sub-channel
Nell'ambito delle memorie, sub-channel (sotto canale) fa riferimento a una caratteristica di progettazione dei moduli di memoria DDR5, che prevede la divisione dell'indirizzo a 64 bit in due segmenti indipendenti a 32 bit per aumentare l'efficienza.
UDIMM / DIMM senza buffer (Unbuffered DIMM)
Un modulo di memoria (RAM) da 64-bit (x64) senza buffer, ovvero un modulo di memoria non dotato di registro o di buffer. Questi moduli vengono solitamente utilizzati all'interno di PC, workstation e laptop.
Classe di velocità video UHS-I
Una classe di velocità per le registrazioni video. La velocità di scrittura minima del supporto in questione è misurata mediante una lettera seguita da un numero. La classe di velocità V30 ha una velocità di scrittura minima pari a 30 MB/s.
Senza buffer (Unbuffered)
No data buffers are featured on the module, like a Register.
U.2
Un’interfaccia per computer standard per il collegamento con gli SSD, progettata per il mercato aziendale. Tipicamente diffusa in formato 2,5”, offre una quantità di storage maggiore rispetto allo standard M.2.
UHS-I
Ultra-High Speed – I (UHS-I). Una classe di velocità specifica per schede di memoria SDHC e SDXC. Lo standard UHS-I utilizza interfacce bus con velocità fino a 104 MB/s.
UHS-II
Ultra-High Speed – II (UHS-II). Una classe di velocità specifica per schede di memoria SDHC e SDXC. Lo standard UHS-I utilizza interfacce bus con velocità fino a 312 MB/s. La differenza rispetto alla prima versione (UHS-I), risiede nella seconda fila di pin aggiunta, che utilizza la tecnologia LVDS (Low Voltage Differential Signaling) per consentire velocità di trasferimento più elevate.
Velocità di classe UHS-I (U1, U3)
Ultra High Speed (UHS). Specifica le prestazioni minime in scrittura per le registrazioni video. Esistono due classi di velocità UHS create dalla SD Association. Classe di velocità UHS 1 e Classe di velocità UHS 3. La Classe di velocità UHS 1 supporta velocità di scrittura minime pari a 10 MB/s, mentre la classe di velocità UHS 3 supporta velocità di scrittura minime pari a 30 MB/s. La classe di velocità UHS è normalmente identificata dal numero 1 o 3 all’interno del simbolo “U”. Ulteriori informazioni.
Il Drive USB
Lo standard USB (Universal Serial Bus) rappresenta l’interfaccia standard che consente la connessione tra dispositivi e controller host, come personal computer (PC) o smartphone. La tecnologia consente la connessione di periferiche come fotocamere digitali, mouse, tastiere, stampanti, scanner, supporti multimediali, hard drive esterni e drive flash.
USB 3.2 Gen 1 (5 Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
La differenza tra questi standard USB risiede nelle velocità di trasferimento dati. Lo standard USB 3.2 Gen 1 supporta velocità fino a 5 Gbit/s; lo standard USB 3.2 Gen 2 supporta velocità fino a 10 Gbit/s; lo standard USB 3.2 Gen 2x2 supporta velocità fino a 20 Gbit/s, e quello USB4 supporta velocità fino a 40 Gbit/s. Ulteriori informazioni.
Video Speed Class (V10, V30, V60, V90)
La classe di velocità video è stata creata dalla SD Association per categorizzare le schede che possono funzionare con risoluzioni video e di registrazioni elevate. Questa velocità offre prestazioni minime elevate per la registrazione di video. Le classi disponibili includono le versioni V6, V10, V30, V60 e V90. La classe di velocità V90 indica che la velocità di scrittura minima della scheda di memoria deve essere pari a 90 MB/s, la scheda V30 ha velocità pari a 30 MB/s e così via. Ulteriori informazioni.
ValueRAM
Linea Kingston di prodotti di memoria standard del settore per DIMM e SODIMM di classe non-ECC, tradizionalmente utilizzati nei desktop e nei laptop white-box.
VLP / Very Low Profile (profilo estremamente ridotto)
L'acronimo VLP si riferisce a una classificazione JEDEC relativa all'altezza dei moduli di memoria, che vengono utilizzati nei sistemi a profilo sottile. Nel caso di DDR3 e DDR4, le UDIMM VLP e le RDIMM VLP hanno un'altezza specifica di 18,75 mm. I moduli di profilo standard DIMM DDR3 (30,00 mm) e DDR4/DDR5 (31,25 mm) sono considerati a profilo "basso".
Livellamento dell’usura
I dispositivi di storage Flash Kingston incorporano controller che utilizzano una tecnologia avanzata di livellamento dell’usura che distribuisce uniformemente il numero di cicli P/E (Program/Erase) in tutta la memoria Flash. Pertanto, il livellamento dell'usura consente di prolungare il ciclo di vita utile di una scheda di memoria flash.
x16
Nell'ambito delle memorie, x16 indica l'ampiezza dei dati di un chip DRAM (x16 significa larghezza di 16 bit). Le DRAM x16 sono presenti in UDIMM e SODIMM e vengono installate solo in computer desktop e portatili con processori che supportano questo tipo di DRAM.
x4
Nell'ambito delle memorie, x4 indica l'ampiezza dei dati di un chip DRAM (x4 significa larghezza di 4 bit). Le DRAM x4 sono presenti in RDIMM e LRDIMM e i moduli che li contengono possono supportare il rilevamento e la correzione degli errori ECC a più bit.
x64
Nell'ambito delle memorie, x64 significa 64 bit, ovvero la quantità totale di ampiezza necessaria a ottenere un rank.
x72
Nell'ambito delle memorie, x72 significa 72 bit. Si tratta di un modulo con 64 bit più altri 8 bit aggiuntivi a supporto della funzione ECC. x72 è l'ampiezza dei moduli RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM, e LRDIMM per DDR3, DDR4 e alcuni moduli DDR5. I moduli DDR5 x72 vengono anche definiti EC4.
x8
Nell'ambito delle memorie, x8 indica l'ampiezza dei dati di un chip DRAM (x8 significa larghezza di 8 bit). Le DRAM x8 sono presenti in tutti i tipi di moduli di memoria, inclusi i moduli RDIMM.
x80
Nell'ambito delle memorie, x80 significa 80 bit, un'ampiezza di dati tipica dei soli moduli DDR5 EC8. I moduli DDR5 si caratterizzano per la presenza di due sotto-canali indipendenti da 32 bit, che possono avere un ulteriore ampiezza aggiunta di 8 bit ciascuno a supporto dell'algoritmo ECC, per un totale di 40 bit. L'insieme dei due sotto-canali fornisce un'ampiezza totale di 80 bit per rank.
XMP
Intel Extreme Memory Profile. Timing preprogrammati sui moduli di overlocking. Ulteriori informazioni.
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard. La funzionalità indica una modalità di cifratura a blocchi per unità dati pari a 128 bit o superiori, che utilizza la cifratura a blocchi AES come subroutine. Si tratta di un sistema crittografico altamente sicuro utilizzato da numerose organizzazioni in ambito amministrativo e aziendale.