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Artikelnummer-Schlüssel

Die folgenden Informationen sollen Ihnen helfen, die Kingston® ValueRAM® Speichermodule nach ihrer Spezifikation zu ermitteln.

Wie Sie ValueRAM Teilenummern lesen

Beispiel:
Neues Teil-Schema: KVR 16 R11 D4 / 8
Bisheriges Teil-Schema: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Neues Teil-Schema für die Teile, die nach dem 1. Mai 2012 herausgegeben werden.

DDR4 Server Premier (PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L/
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • 2

KSM = Kingston Server Premier

KSM = Kingston Server Premier

26 = Geschwindigkeit (MT/s)

24 = 2400 MT/s
26 = 2666 MT/s
29 = 2933 MT/s
32 = 3200 MT/s

R = Modultyp

E ist Unbuffered DIMM (ECC)
R ist Registered DIMM
L ist Load Reduced DIMM
SE ist Unbuffered SODIMM (ECC)

D = Ranking

S ist Einzel
D ist Doppel
Q ist Quad

4 = DRAM-Typ

4 = x4
8 = x8

L = PCB-Profile

L ist Very Low Profile DIMM

32 = Kapazität

8 GB
16 GB
32 GB
64 GB
128 GB
256 GB

H = DRAM-Hersteller

H = SK Hynix
M = Micron

A = DRAM-Element-Revision

A Die
B Die
E Die

I = Hersteller registrieren

I = IDT
M = Montage
R = Rambus

2 = Revisionsnummer (optional)

2 = Revisionsnummer (optional)

DDR4 ValueRAM (PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2/
  • 4
  • H
  • B
  • I

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

21 = Geschwindigkeit

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = Low Voltage

Leer - 1.2V
L – TBD

R = Modultyp

E: Ungepuffertes DIMM (ECC) m. Temperatursensor
L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
N: Ungepuffertes DIMM(ohne ECC)
R: Registered DIMM mit Adress-/Befehl-Paritätsfunktion m. Temperatursensor
S: SO-DIMM, ungepuffert (ohne Ecc)

11 = CAS-Latenzen

15 – CAS-Latenzen

D = Ranks

S – Single Rank
D – Dual Rank
Q – Quad-Rank
O – Octal-Rank

8 = DRAM-Typ

4 – x4 DRAM-Chip
8 – x8 DRAM-Chip
6 – x16 DRAM-Chip

L = Profil

Leer: Jede Höhe
H – 31,25 mm
L – 18,75 mm (VLP)

K2 = Kit + Teileanzahl

Leer - Einzelmodul
K – Kit + Teileanzahl
K2 – Kit mit zwei Modulen
K3 – Kit mit drei Modulen
K4 – Kit mit vier Modulen

4 = Speicherkapazität

4 – Speicherkapazität

H = DRAM MFGR

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = Die-Revision

B – Die-Revision

I = Intel-zertifiziert

I – Intel-zertifiziert

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2/
  • 4
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

16 = Geschwindigkeit

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = Low Voltage

Leer – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

R = Modultyp

E – Ungepuffertes DIMM (ECC)
N – Ungepuffertes DIMM(ohne ECC)
R – Registered DIMM mit Adress-/Befehl- Paritätsfunktion
L – Load-Reduced DIMM
S – SO-DIMM

11 = CAS-Latenzen

11 – CAS-Latenzen

D = Ranks

S – Single Rank
D – Dual Rank
Q – Quad-Rank

8 = DRAM-Typ

4 – x4 DRAM-chip
8 – x8 DRAM-chip

L = Profil

L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Kit + Teileanzahl

K2 – Kit of Two Modules
K3 – Kit mit drei Modulen
K4 – Kit mit vier Modulen

4 = Speicherkapazität

4 – Speicherkapazität

H = DRAM MFGR/Zertifizierung

H – Hynix
E – Elpida
I – Intel-zertifiziert

B = Die-Revision

B – Die-Revision

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2/
  • 4G
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

1066 = Geschwindigkeit

1066 – Geschwindigkeit

D3 = Technologie

D2 – DDR2
D3 – DDR3

L = Low Voltage

Leer – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

D = Ranks

S – Single Rank
D – Dual Rank
Q – Quad-Rank

8 = DRAM-Typ

4 – x4 DRAM chip
8 – x8 DRAM chip

R = Modultyp

P – Parität im Register(nur bei registered Modulen)
E – Ungepuffertes DIMM (ECC)
F – FB DIMM
M – Mini-DIMM
N – Unbuffered DIMM (non-ECC)
R – Registered DIMM mit Adress-/Befehl-
S – SO-DIMM
U – Micro-DIMM

7 = CAS-Latenzen

7 – CAS-Latenzen

S = Temperatursensor

Leer – Ohne Temperatursensor
S – Mit Temperatursensor

L = Profil

Leer – Jede Höhe
L – 18,75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Kit + Teileanzahl

Leer – Einzelmodul
K2 – Kit mit zwei Modulen
K3 – Kit mit drei Modulen

4G = Speicherkapazität

4G – Speicherkapazität

H = DRAM MFGR

H – DRAM MFGR

B = Die-Revision

B – Die-Revision

DDR (PC2100, PC2700, PC3200)

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2/
  • 1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

400 = Geschwindigkeit

266
333
400

X72 = X72 ECC

X72 – ECC

R = Registered

R – Registered

C3 = CAS-Latenzen

C3 – CAS-Latenzen

A = DDR400 3-3-3

A – DDR400 3-3-3

K2 = Kit + Teileanzahl

K2 – Kit mit zwei Modulen

1G = Speicherkapazität

1G – Speicherkapazität
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