Decodificatore dei numeri di parte di Kingston

Scoprite come leggere i numeri di parte delle memorie Kingston®, incluse le linee di prodotto DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 e DDR di Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM® e HyperX®, per imparare a riconoscere i moduli in base alle loro specifiche tecniche.

Kingston FURY™ DDR5

Le seguenti informazioni sono state concepite appositamente per aiutare gli utenti a identificare i vari moduli di memoria Kingston FURY in base alle caratteristiche tecniche.

Numero di parte: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = Linea di prodotto
  • KF – Kingston FURY
5 = Tecnologia
  • 5 – DDR5
56 = Velocità (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
C = Tipo DIMM
  • C – UDIMM (Non-ECC senza buffer)
  • S – SODIMM (Non-ECC senza buffer)
38 = Latenza CAS
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = Serie
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = Dissipatore di calore
  • B – Nero
  • S – Argento
E = Tipo di Profilo
  • Vuoto - Intel XMP / Plug N Play
  • E - AMD EXPO
2 = Versione
  • Vuoto – 1° versione
  • 2 – 2° versione
  • 3 – 3° versione
A = RGB
  • Vuoto - No RGB
  • A – RGB
K2 = Kit + n. in kit
  • Vuoto – Modulo singolo
  • K2 – Kit da 2 moduli
  • K4 - Kit da 4 moduli
16 = Capacità totale
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 32GB

DDR5 ValueRAM

Numero di parte: KVR48U40BS8LK2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • L
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = Velocità (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
U = Tipo DIMM
  • U – DIMM (Non-ECC senza buffer)
  • S – SO-DIMM (Non-ECC senza buffer)
40B = Latenza CAS
  • 40 – 40-40-40
  • 40B – 40-39-39
  • 42 – 42-42-42
  • 46 – 46-46-46
S = Rank
  • S – Single Rank
  • D – Dual Rank
8 = Tipo DRAM
  • 8 – Chip DRAM x8
  • 6 – Chip DRAM x16
L = Profilo
  • Vuoto – Standard
  • L – Profilo estremamente ridotto (VLP)
K2 = Kit + numero di componenti
  • Vuoto – Modulo singolo
  • K2 – Kit da 2 moduli
  • K4 – Kit da 2 moduli
32 = Capacità totale
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
X = Personalizzazione
  • Vuoto – Standard pack
  • BK – Bulk Pack

Decodificatore dei numeri di parte di Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Le seguenti informazioni sono state concepite appositamente per aiutare gli utenti a identificare i vari moduli di memoria Kingston FURY in base alle caratteristiche tecniche.

Numero di parte: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = Linea di prodotto
  • KF - Kingston FURY
4 = Tecnologia
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = Velocità (MT/s*)
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = Tipo DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
16 = Latenza CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = Serie
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = Dissipatore di calore
  • Vuoto - Blu
  • B - Nero
  • R - Rosso
  • W - White
1 = Versione
  • Vuoto - 1° versione
  • 1 - moduli da 16GB con componenti 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - 2° versione
  • 3 - 3° versione
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • Vuoto - Non-RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + n. in kit
  • Vuoto – Modulo singolo
  • K2 - kit da 2 moduli
  • K4 - kit da 4 moduli
  • K8 - kit da 8 moduli
64 = Capacità totale
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

Decodificatore numeri di parte HyperX®

Le seguenti informazioni sono state concepite appositamente per aiutare gli utenti a identificare i vari tipi di moduli di memoria Kingston HyperX in base alle caratteristiche tecniche.

Numero di parte: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = Linea di prodotto
  • HX - HyperX (vecchie serie)
4 = Tecnologia
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = Velocità (MT/s*)
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = Tipo DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = Latenza CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = Serie
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = Dissipatore di calore
  • Vuoto - Blu
  • B - Nero
  • R - Rosso
  • W - Bianco
3 = Versione
  • 2 - 2° versione
  • 3 - 3° versione
  • 4 - 4° versione
A = RGB
  • Vuoto - Non-RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + n. in kit
  • Vuoto – Modulo singolo
  • K2 - Kit da 2 moduli
  • K4 - Kit da 4 moduli
  • K8 - Kit da 8 moduli
32 = Capacità totale
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Numeri di parte: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = Kingston Server Premier
  • KSM: Kingston Server Premier
26 = Velocità (MT/s*)
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
R = Tipo di modulo
  • E: DIMM senza buffer (ECC)
  • R: DIMM registrate
  • L: DIMM a carico ridotto (LRDIMM)
  • SE: SO-DIMM senza buffer (ECC)
D = Classificazioni
  • S: Rank Singolo
  • D: Rank Doppia
  • Q: Rank Quadruplo
4 = Tipo di DRAM
  • 4: x4
  • 8: x8
L = PCB Profilo
  • L: profilo DIMM estremamente ridotto
32 = Capacità
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
H = Produttore DRAM
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
A = Revisione matrice DRAM
  • Matrice A
  • Matrice B
  • Matrice E
I = Registrazione produttore
  • I: IDT
  • M: Montage
  • R: Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Numeri di parte: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
21 = Velocità (MT/s*)
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
L = Basso voltaggio
  • Vuota: 1,2V
  • L: TBD
R = Tipo di modulo
  • E: DIMM senza buffer (ECC) con sensore termico
  • L: DIMM a carico ridotto (LRDIMM)
  • N: DIMM senza buffer (non ECC)
  • R: DIMM registrate con parità Indirizzo/Comando
  • S: SO-DIMM senza buffer (Non-ECC)
15 = Latenza CAS
  • 15: Latenza CAS
D = Classificazioni
  • S: Rank Singolo
  • D: Rank Doppia
  • Q: Rank Quadruplo
  • O: Octal Rank
8 = Tipo di DRAM
  • 4: chip DRAM x4
  • 8: chip DRAM x6
  • 6: chip DRAM x6
L = Profilo
  • Vuota: Qualsiasi altezza
  • H: 31,25mm
  • L: 18,75mm (VLP)
K2 = Kit + numero di componenti
  • Vuota: Modulo singolo
  • K2: Kit di 2 moduli
  • K3: Kit di 3 moduli
4 = Capacità
  • 4: Capacità
H = Produttore DRAM
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
B = Revisione
  • B: Revisione
I = Certificati Intel
  • I: Certificati Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Come leggere i numeri di parte delle memorie ValueRAM

Esempio:
Numero di parte di nuovo tipo: KVR 16 R11 D4 / 8
Numero di parte di vecchio tipo: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Il nuovo tipo di numero di parte viene utilizzato per tutti i componenti distribuiti a partire dal 1° maggio 2012.

Numeri di parte: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = Velocità (MT/s*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = Basso voltaggio
  • Vuota: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
R = Tipo di modulo
  • E: DIMM senza buffer (ECC)
  • N: DIMM senza buffer (non ECC)
  • R: DIMM registrate con
  • L: DIMM a carico ridotto (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = Latenza CAS
  • 11: Latenza CAS
D = Classificazioni
  • S: Rank Singolo
  • D: Rank Doppia
  • Q: Rank Quadruplo
8 = Tipo di DRAM
  • 4: chip DRAM x4
  • 8: chip DRAM x8
L = Profilo
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Kit + numero di componenti
  • K2: Kit di 2 moduli
  • K3: Kit di 3 moduli
  • K4: Kit di 4 moduli
4 = Capacità
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
H = Produttore DRAM/Certificazione
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Certificati Intel
B = Revisione
  • B: Revisione

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Numeri di parte: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Velocità (MT/s*)
  • 1066 - Velocità
D3 = Tecnologia
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = Basso voltaggio
  • Vuota: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
D = Classificazioni
  • S: Rank Singolo
  • D: Rank Doppia
  • Q: Rank Quadruplo
8 = DRAM
  • 4: chip DRAM x4
  • 8: chip DRAM x8
R = Tipo di modulo
  • P: Parità su registro (solo moduliregistrati)
  • E: DIMM senza buffer (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: DIMM senza buffer (non ECC)
  • R: DIMM registrate con parità Indirizzo/Comando
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = Latenza CAS
  • 7: Latenza CAS
S = Sensore termico
  • Vuota: Senza sensore termico
  • S: Con sensore termico
L = Profilo
  • Vuota: Qualsiasi altezza
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Kit + numero di componenti
  • Vuota: Modulo singolo
  • K2: Kit di 2 moduli
  • K3: Kit di 3 moduli
4G = Capacità
  • 4G: Capacità
H = Produttore DRAM
  • H: Produttore DRAM
B = Revisione
  • B: Revisione

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Numeri di parte: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = Velocità (MT/s*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = Registrata
  • R: Registrata
C3 = Latenza CAS
  • C3: Latenza CAS
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Kit + numero di componenti
  • K2: Kit di 2 moduli
1G = Capacità
  • 1G: Capacità

Glossario

Capacità

Indica il numero complessivo delle celle di memoria disponibili per i dati presenti in un modulo espresso in Gigabyte (GB). Nel caso dei kit, il valore indicato rappresenta la capacità combinata di tutti i moduli presenti nel kit.

Latenza CAS

Un numero standard predeterminato di cicli di clock necessari alla lettura/scrittura dei dati da e verso i moduli di memoria e il controller di memoria. Una volta eseguito il caricamento del comando di lettura o scrittura dati, oppure dopo il caricamento degli indirizzi di riga/colonna, la latenza CAS rappresenta il tempo di attesa richiesto affinché i dati siano pronti.

DDR4

Tecnologia di memoria SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) DDR (Double Data Rate) di quarta generazione, più comunemente nota come "DDR4". I moduli di memoria DDR4 non sono retrocompatibili con le precedenti generazioni di SDRAM DDR a causa del voltaggio inferiore (1,2V), delle differenti configurazioni dei pin, e di altre incompatibilità in termini di tecnologia utilizzata dai chip di memoria.

DDR5

Tecnologia di memoria SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) DDR (Double Data Rate) di quinta generazione, più comunemente nota come "DDR5". I moduli di memoria DDR5 non sono retrocompatibili con le precedenti generazioni di SDRAM DDR a causa del voltaggio inferiore (1,1V), delle differenti configurazioni dei pin e di altre incompatibilità in termini di tecnologia utilizzata dai chip di memoria.

Tipo DIMM

L'UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) è un modulo di memoria di formato esteso con ampiezza dei dati x64 comunemente impiegato nei sistemi desktop in cui non è necessaria la correzione degli errori e la capacità DIMM è limitata.

Il SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) è un modulo di memoria di formato ridotto, in genere utilizzato in sistemi di elaborazione compatti quali laptop, micro server, stampanti o router.

Gigabit (Gb)

Un bit è la più piccola unità di dati ed è rappresentata da un 1 o uno 0 (on/off). Un Gigabit (Gb) è costituito da 1 miliardo di bit (o 109), così come previsto dal Sistema internazionale delle unità di misura (SI). Con riferimento alle memorie dei computer, i Gb (o Gbit) vengono comunemente usati per indicare la densità di un singolo componente DRAM.

Gigabyte (GB)

Un byte è composto da 8 bit. Un Gigabyte (GB) corrisponde a 1 miliardo di byte (o 109), così come previsto dal Sistema internazionale delle unità di misura (SI). Con riferimento alle memorie dei computer, i GB vengono comunemente usati per indicare la capacità totale dei dati che è possibile ospitare in un singolo modulo di memoria o in un kit di moduli di memoria combinati e in questo modo si esprime la memoria complessiva del sistema.

Kit

Un numero di parte che include più moduli di memoria, generalmente adatto ad architetture di memoria a due, tre o quattro canali. Ad esempio, K2 indica 2 moduli DIMM inclusi nella confezione che insieme offrono la capacità di memoria totale.

Velocità (detta anche frequenza)

Indica la velocità di trasmissione dei dati o la velocità di clock effettiva supportata da un dato modulo di memoria misurata in MHz (MegaHertz) o MT/s (Megatransfer al secondo). Tanto maggiore è la velocità, quanto maggiore sarà la quantità di dati che viene trasferita in un secondo.

Rank

Un rank è costituito da un blocco di dati indirizzabile in un modulo di memoria. Nei moduli DDR2, DDR3 e DDR4, i blocchi di dati sono costituiti da 64 bit (x64), più 8 bit per ECC (x72). Anche nei moduli DDR5 i rank sono a 64 bit, che diventano 80 bit (x80) con la funzionalità ECC integrata. Un modulo può essere realizzato come Single Rank (1R), Dual Rank (2R), Quad Rank (4R) o Octal Rank (8R). Il numero di rank, in genere, viene aumentato per consentire una maggiore capacità del modulo.

Canale di memoria

Un canale di memoria è rappresentato dal percorso di trasferimento dei dati tra un modulo di memoria e un controller di memoria (generalmente integrato nel processore). La maggior parte dei sistemi di elaborazione (PC, notebook, server) presenta un'architettura di memoria multicanale, in cui i canali vengono combinati per aumentare le prestazioni della memoria. In un'architettura di memoria Dual Channel, ad esempio, se due moduli identici vengono installati in coppia, la larghezza di banda effettiva per il controller di memoria viene raddoppiata.

Tempi di latenza

Le informazioni seguenti hanno lo scopo di aiutare l'utente a identificare le diverse configurazioni che possono essere scelte durante l'impostazione dei timing di memoria nel BIOS della scheda madre, al fine di ottenere prestazioni ottimali. Si noti che queste impostazioni possono variare in base ai modelli di scheda madre o alla versione firmware del BIOS utilizzata.

Campione

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latenza CAS (CL): controllo del ritardo tra attivazione di una riga e la lettura di quella riga.

RAS a CAS,detto anche ritardo da RAS a Colonna (tRCD): attiva la riga

Ritardo di Precarica Riga,o Ritardo di Precarica RAS (tRP/tRCP): disattiva la riga

Ritardo Attivo di Riga o Ritardo Attivo RAS o tempo di preparazione (tRA/tRD/tRAS): numero di cicli di clock tra l'attivazione e la disattivazione della riga.

Clausola di esonero della responsabilità: Tutti i prodotti Kingston sono accuratamente testati per garantirne la conformità alle specifiche tecniche indicate. Alcuni sistemi o schede madre potrebbero non essere in grado di funzionare alle velocità e secondo i parametri di timing specificati per le memorie Kingston. Kingston non raccomanda in alcun modo agli utenti di eseguire operazioni finalizzate a incrementare la velocità di funzionamento dei loro computer oltre i limiti di specifica indicati. L'overclocking e la modifica dei parametri di timing dei sistemi possono causare danni ai componenti.