Decodificatore dei numeri di parte di Kingston

Scoprite come leggere i numeri di parte delle memorie Kingston®, incluse le linee di prodotto DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 e DDR di Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM® e HyperX®, per imparare a riconoscere i moduli in base alle loro specifiche tecniche.

Numero di parte: KF556C38BBE2AK2-32

KF = Linea di prodotto

KF – Kingston FURY

5 = Tecnologia

5 – DDR5

56 = Velocità (MT/s^*)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200

C = Tipo di modulo

C – UDIMM (Non-ECC senza buffer)
S – SODIMM (Non-ECC senza buffer)
R – EC8 RDIMM (x80)

38 = Latenza CAS

32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = Serie

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = Dissipatore di calore

B – Nero
S – Argento
W – Bianco

E = Tipo di Profilo

Vuoto - Intel XMP / Plug N Play
E - AMD EXPO

2 = Versione

Vuoto – 1° versione
2 – 2° versione
3 – 3° versione

A = RGB

Vuoto - No RGB
A – RGB

K2 = Kit + Numero di componenti

Vuoto – Modulo singolo
K2 – Kit da 2 moduli
K4 - Kit da 4 moduli
K8 - Kit da 8 moduli

16 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM = Linea di prodotto

KSM - Kingston Server Premier

48 = Velocità (MT/s^*)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

R = Tipo di modulo

E – EC4 UDIMM (x72)
L – EC8 LRDIMM (x80)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
T – EC4 SODIMM (x72)

40B = Latenza CAS

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = Rank

S – Singolo
D – Dual
Q – Quad

4 = Tipo DRAM

4 – x4
8 – x8

T = PMIC

I – Renesas
K – RichTek
M – Montage
P – MPS
T – TI

M = Hub SPD

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

P = Sensore termico

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus

64 = Capacità totale

16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

M = Revisione matrice DRAM

A – A Die
C – C Die
E – E Die
M – M Die

R = Registro

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

Numero di parte: KVR48U40BS8K2-32X

KVR = Linea di prodotto

KVR – Kingston ValueRAM

48 = Velocità (MT/s^*)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000

U = Tipo di modulo

U – DIMM (Non-ECC senza buffer)
S – SO-DIMM (Non-ECC senza buffer)

40B = Latenza CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46

S = Rank

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 = Tipo DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = Kit + numero di componenti

Vuoto – Modulo singolo
K2 – Kit da 2 moduli
K4 – Kit da 2 moduli

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

X = Personalizzazione

Vuoto – Standard pack
BK – Bulk Pack

Numero di parte: KF432C16BB1AK4/64

KF = Linea di prodotto

KF - Kingston FURY

4 = Tecnologia

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = Velocità (MT/s^*)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = Tipo di modulo

C – UDIMM – (Non-ECC senza buffer)
S – SODIMM-DIMM (Non-ECC senza buffer)

16 = Latenza CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = Serie

B - Beast
R - Renegade
I - Impact

B = Dissipatore di calore

Vuoto - Blu
B - Nero
R - Rosso
W - Bianco

1 = Versione

Vuoto - 1° versione
1 - moduli da 16GB con componenti 1Gx8 (8Gbit)
2 - 2° versione
3 - 3° versione
4 - 4th Revision

A = RGB

Vuoto - Non-RGB
A - RGB

K4 = Kit + Numero di componenti

Vuoto – Modulo singolo
K2 - kit da 2 moduli
K4 - kit da 4 moduli
K8 - kit da 8 moduli

64 = Capacità totale

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Numeri di parte: KSM26RD4L/32HAI

KSM = Linea di prodotto

KSM – Kingston Server Premier

26 = Velocità (MT/s^*)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Tipo di modulo

E – DIMM senza buffer (ECC)
L – DIMM a carico ridotto
R – DIMM registrata
SE – SODIMM senza buffer (ECC)

D = Classificazioni

S – Rank Singolo
D – Rank Doppia
Q – Rank Quadruplo

4 = Tipo DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Profilo

L – profilo DIMM estremamente ridotto

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron

A = Revisione matrice DRAM

A – Matrice A
B – Matrice B
E – Matrice E

I = Registrazione produttore

I – IDT
M – Montage
R – Rambus

Numeri di parte: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR = KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

21 = Velocità (MT/s^*)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = Basso voltaggio

Vuota – 1,2V
L – TBD

R = Tipo di modulo

E – DIMM senza buffer (ECC) con sensore termico
L – DIMM a carico ridotto (LRDIMM)
N – DIMM senza buffer (non ECC)
R – DIMM registrate con parità Indirizzo/Comando
S – SO-DIMM senza buffer (Non-ECC)

15 = Latenza CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = Classificazioni

S – Rank Singolo
D – Rank Doppia
Q – Rank Quadruplo
O – Octal Rank

8 = Tipo di DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = Profilo

Vuota – Qualsiasi altezza
H – 31,25mm
L – 18,75mm (VLP)

K2 = Kit + numero di componenti

Vuota – Modulo singolo
K2 – Kit di 2 moduli
K3 – Kit di 3 moduli

4 = Capacità

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = Revisione

B – Revisione

I = Certificati Intel

I – Certificati Intel

Numero di parte: CBD48S40BD8MA-32

CBD = Linea di prodotto

CBD – Moduli DRAM Design-in Kingston

48 = Velocità (MT/s*^*)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

S = Tipo di modulo

U – DIMM senza buffer (non ECC)
S – SODIMM senza buffer (Non-ECC)

40B = Latenza CAS

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = Rank

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 = Tipo DRAM

8 – x8
6 – x16

M = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisione matrice DRAM

A – Matrice A
B – Matrice B
M – Matrice M

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Numero di parte: CBD26D4U9D8HJV-16

CBD = Linea di prodotto

CBD – Moduli DRAM Design-in Kingston

26 = Velocità (MT/s*^*)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = Tecnologia

D4 – DDR4

U = Tipo di modulo

U – DIMM senza buffer (non ECC)
S – SODIMM senza buffer (Non-ECC)

9 = Latenza CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = Rank

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 = Tipo DRAM

8 – x8
1 – x16

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
N – Nanya
S – Samsung

J = Revisione matrice DRAM

A – Matrice A
B – Matrice B
C – Matrice C
D – Matrice D
E – Matrice E
F – Matrice F
H – Matrice H
J – Matrice J
R – Matrice R

V = Tipo PCB

Nero – Flash Gold
H – Hard Gold
V – Profilo estremamente ridotto

16 = Capacità totale

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Numero di parte: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = Linea di prodotto

CBD – Moduli DRAM Design-in Kingston

16 = Velocità (MT/s*^*)

16 – 1600

D3L = Tecnologia

D3 – DDR3 (1,5 V)
D3L – DDR3L (1,35 V / 1,5 V)

F = Tipo di DRAM

Vuoto – x8
F – x16

U = Tipo di modulo

U – DIMM senza buffer (non ECC)
S – SODIMM senza buffer (Non-ECC)

1 = Latenza CAS

1 – CL11-11-11

K = Produttore DRAM

K – Kingston
S – Samsung

B = Revisione matrice DRAM

B – Matrice B
D – Matrice D
E – Matrice E

G = Tipo PCB

L – Profilo estremamente ridotto
G – Verde (conforme a standard RoHS)
H – Hard Gold

2G = Capacità totale

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

Numero di parte: HX429C15PB3AK4/32

HX = Linea di prodotto

HX - HyperX (vecchie serie)

4 = Tecnologia

3 - DDR3
4 - DDR4

29 = Velocità (MT/s^*)

13 - 1333
16 - 1600
18 - 1866
21 - 2133
24 - 2400
26 - 2666
28 - 2800
29 - 2933
30 - 3000
32 - 3200
33 - 3333
34 - 3466
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
41 - 4133
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = Tipo DIMM

C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

15 = Latenza CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
12 - CL12
13 - CL13
14 - CL14
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

P = Serie

F - FURY
B - Beast
S - Savage
P - Predator
I - Impact

B = Dissipatore di calore

Vuoto - Blu
B - Nero
R - Rosso
W - Bianco

3 = Versione

2 - 2° versione
3 - 3° versione
4 - 4° versione

A = RGB

Vuoto - Non-RGB
A - RGB

K4 = Kit + n. in kit

Vuoto – Modulo singolo
K2 - Kit da 2 moduli
K4 - Kit da 4 moduli
K8 - Kit da 8 moduli

32 = Capacità totale

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Numeri di parte: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

16 = Velocità (MT/s^*)

16: 1600
13: 1333
10: 1066

L = Basso voltaggio

Vuota: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

R = Tipo di modulo

E: DIMM senza buffer (ECC)
N: DIMM senza buffer (non ECC)
R: DIMM registrate con
L: DIMM a carico ridotto (LRDIMM)
S: SO-DIMM

11 = Latenza CAS

11: Latenza CAS

D = Classificazioni

S: Rank Singolo
D: Rank Doppia
Q: Rank Quadruplo

8 = Tipo di DRAM

4: chip DRAM x4
8: chip DRAM x8

L = Profilo

L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Kit + numero di componenti

K2: Kit di 2 moduli
K3: Kit di 3 moduli
K4: Kit di 4 moduli

4 = Capacità

4: 4GB
8: 8GB
12: 12GB
16: 16GB
24: 24GB
32: 32GB
48: 48GB
64: 64GB

H = Produttore DRAM/Certificazione

H: Hynix
E: Elpida
I: Certificati Intel

B = Revisione

B: Revisione

Numeri di parte: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Velocità (MT/s^*)

1066 - Velocità

D3 = Tecnologia

D2: DDR2
D3: DDR3

L = Basso voltaggio

Vuota: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

D = Classificazioni

S: Rank Singolo
D: Rank Doppia
Q: Rank Quadruplo

8 = DRAM

4: chip DRAM x4
8: chip DRAM x8

R = Tipo di modulo

P: Parità su registro (solo moduliregistrati)
E: DIMM senza buffer (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: DIMM senza buffer (non ECC)
R: DIMM registrate con parità Indirizzo/Comando
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = Latenza CAS

7: Latenza CAS

S = Sensore termico

Vuota: Senza sensore termico
S: Con sensore termico

L = Profilo

Vuota: Qualsiasi altezza
L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Kit + numero di componenti

Vuota: Modulo singolo
K2: Kit di 2 moduli
K3: Kit di 3 moduli

4G = Capacità

4G: Capacità

H = Produttore DRAM

H: Produttore DRAM

B = Revisione

B: Revisione

Numeri di parte: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

400 = Velocità (MT/s^*)

X72 = X72 ECC

X72: X72 ECC

R = Registrata

R: Registrata

C3 = Latenza CAS

C3: Latenza CAS

A = DDR400 3-3-3

A: DDR400 3-3-3

K2 = Kit + numero di componenti

K2: Kit di 2 moduli

1G = Capacità

1G: Capacità

Tempi di latenza

Le informazioni seguenti hanno lo scopo di aiutare l'utente a identificare le diverse configurazioni che possono essere scelte durante l'impostazione dei timing di memoria nel BIOS della scheda madre, al fine di ottenere prestazioni ottimali. Si noti che queste impostazioni possono variare in base ai modelli di scheda madre o alla versione firmware del BIOS utilizzata.

Campione

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

Latenza CAS (CL): controllo del ritardo tra attivazione di una riga e la lettura di quella riga.

RAS a CAS,detto anche ritardo da RAS a Colonna (tRCD): attiva la riga

Ritardo di Precarica Riga,o Ritardo di Precarica RAS (tRP/tRCP): disattiva la riga

Ritardo Attivo di Riga o Ritardo Attivo RAS o tempo di preparazione (tRA/tRD/tRAS): numero di cicli di clock tra l'attivazione e la disattivazione della riga.

Clausola di esonero della responsabilità: Tutti i prodotti Kingston sono accuratamente testati per garantirne la conformità alle specifiche tecniche indicate. Alcuni sistemi o schede madre potrebbero non essere in grado di funzionare alle velocità e secondo i parametri di timing specificati per le memorie Kingston. Kingston non raccomanda in alcun modo agli utenti di eseguire operazioni finalizzate a incrementare la velocità di funzionamento dei loro computer oltre i limiti di specifica indicati. L'overclocking e la modifica dei parametri di timing dei sistemi possono causare danni ai componenti.

Decodificatore dei numeri di parte di Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

DDR5 Kingston ValueRAM

Decodificatore dei numeri di parte di Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Moduli DRAM Design-in Kingston DDR5

Moduli DRAM Design-in Kingston DDR4

Moduli DRAM Design-in Kingston DDR3

Decodificatore numeri di parte HyperX®

DDR3

DDR3 & DDR2

DDR

Tempi di latenza

Campione