Kingston Decodificatore dei numeri di parte della memoria

Scoprite come leggere i numeri di parte delle memorie Kingston^®, incluse le linee di prodotto DDR5, DDR4, DDR3 e DDR di Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^®DDR5, DDR4 e DDR3 per imparare a riconoscere i moduli in base alle loro specifiche tecniche.

Numero di parte: KF560C36BBE2AK2-32

KF = Linea di prodotto

KF – Kingston FURY

5 = Tecnologia

5 – DDR5

60 = Velocità (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400
88 – 8800

C = Tipo di modulo

C – UDIMM (Non-ECC senza buffer)
S – SODIMM (Non-ECC senza buffer)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (Non ECC con clock senza buffer)

36 = Latenza CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40
42 – CL42

B = Serie

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = Dissipatore di calore

B – Nero
S – Nero e argento
W – Bianco or Bianco e argento

E = Tipo di Profilo

Vuoto - Intel XMP / Plug N Play / AMD EXPO & Intel XMP
E - AMD EXPO & Intel XMP

2 = Versione

Vuoto – 1° versione
2 – 2° versione
3 – 3° versione

A = RGB

Vuoto - No RGB
A – RGB

K2 = Kit + Numero di componenti

Vuoto – Modulo singolo
K2 – Kit da 2 moduli
K4 - Kit da 4 moduli
K8 - Kit da 8 moduli

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = Linea di prodotto

KSM - Kingston Server Premier

56 = Velocità (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = Tipo di modulo

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
W – EC4 CSODIMM (x72)

46B = Latenza CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Rank

S – Singolo
D – Dual
Q – Quad

4 = Tipo DRAM

4 – x4
8 – x8

P = PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
Vuoto – Sbloccato

M = Hub SPD

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Vuoto – Sbloccato

I = Sensore termico

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
Vuoto – Sbloccato

64 = Capacità totale

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisione matrice DRAM

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

I = Registro

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Vuoto – Sbloccato

Numero di parte: KVR56U46BD8-32

KVR = Linea di prodotto

KVR – Kingston ValueRAM

56 = Velocità (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

U = Tipo di modulo

U – DIMM (Non-ECC senza buffer)
S – SO-DIMM (Non-ECC senza buffer)
A – CUDIMM (Non-ECC con clock senza buffer)
V – CSO-DIMM (Non-ECC con clock senza buffer)

46B = Latenza CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = Rank

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 = Tipo DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = Kit + numero di componenti

Vuoto – Modulo singolo
K2 – Kit da 2 moduli
K4 – Kit da 2 moduli

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB

X = Personalizzazione

Vuoto – Standard pack
BK – Bulk Pack

Numero di parte: KF432C16BB12AK2/32

KF = Linea di prodotto

KF - Kingston FURY

4 = Tecnologia

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = Velocità (MT/s)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = Tipo di modulo

C – UDIMM – (Non-ECC senza buffer)
S – SODIMM-DIMM (Non-ECC senza buffer)

16 = Latenza CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = Serie

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = Dissipatore di calore

Vuoto - Blu
B - Nero
R - Rosso
W - Bianco

1 = Configurazione del modulo da 16 GB

Vuoto – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = Versione

Vuoto - 1° versione
2 - 2° versione
3 - 3° versione
4 - 4th Revision

A = RGB

Vuoto - Non-RGB
A - RGB

K2 = Kit + Numero di componenti

Vuoto – Modulo singolo
K2 - kit da 2 moduli
K4 - kit da 4 moduli
K8 - kit da 8 moduli

32 = Capacità totale

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

Numeri di parte: KSM32RD4/32HDR

KSM = Linea di prodotto

KSM – Kingston Server Premier

32 = Velocità (MT/s)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = Tipo di modulo

E – UDIMM (ECC senza buffer)
SE – SODIMM (ECC senza buffer)
L – RDIMM (ECC DIMM registrata)
R – LRDIMM (DIMM a carico ridotto)

D = Classificazioni

S – Rank Singolo
D – Rank Doppia
Q – Rank Quadruplo

4 = Tipo DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Profilo

L – profilo DIMM estremamente ridotto

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

D = Revisione matrice DRAM

A – Matrice A
B – Matrice B
C – Matrice C
D – Matrice D
E – Matrice E

R = Registrazione produttore

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
Vuoto – Sbloccato

Numeri di parte: KVR32N22D8/32

KVR = KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

32 = Velocità (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

N = Tipo di modulo

N – DIMM (non-ECC senza buffer)
S – SODIMM (non-ECC senza buffer)
E – UDIMM (ECC senza buffer)
SE – SODIMM (ECC senza buffer)
R – RDIMM (ECC DIMM registrata)
L – LRDIMM (DIMM a carico ridotto)

22 = Latenza CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = Classificazioni

S – Rank Singolo
D – Rank Doppia
Q – Rank Quadruplo

8 = Tipo di DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = Profilo

Vuota – Qualsiasi altezza
L – 18,75mm (VLP)

K2 = Kit + numero di componenti

Vuota – Modulo singolo
K2 – Kit di 2 moduli
K3 – Kit di 3 moduli

32 = Capacità

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
K – Kingston

B = Revisione

B – Revisione

I = Certificati Intel

I – Certificati Intel

Numero di parte: CBD56S46BD8HA-32

CBD = Linea di prodotto

CBD – Moduli DRAM Design-in Kingston

56 = Velocità (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = Tipo di modulo

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (non ECC senza buffer)
A – CUDIMM (Non-ECC con clock senza buffer)
V – CSODIMM (Non-ECC con clock senza buffer)

46B = Latenza CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Rank

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 = Tipo DRAM

8 – x8
6 – x16

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = Revisione matrice DRAM

A – Matrice A
B – Matrice B
M – Matrice M

32 = Capacità totale

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB

Numero di parte: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = Linea di prodotto

CBD – Moduli DRAM Design-in Kingston

32 = Velocità (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = Tecnologia

D4 – DDR4

U = Tipo di modulo

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (non ECC senza buffer)

2 = Latenza CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = Rank

S – Single Rank
D – Dual Rank

8 = Tipo DRAM

8 – x8
1 – x16

H = Produttore DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
N – Nanya
K – Kingston

D = Revisione matrice DRAM

A – Matrice A
B – Matrice B
C – Matrice C
D – Matrice D
E – Matrice E
F – Matrice F
H – Matrice H
J – Matrice J
R – Matrice R

V = Tipo PCB

Nero – Flash Gold
H – Hard Gold
V – Profilo estremamente ridotto

16 = Capacità totale

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

Numero di parte: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = Linea di prodotto

CBD – Moduli DRAM Design-in Kingston

16 = Velocità (MT/s)

16 – 1600

D3L = Tecnologia

D3 – DDR3 (1,5 V)
D3L – DDR3L (1,35 V / 1,5 V)

F = Tipo di DRAM

Vuoto – x8
F – x16

U = Tipo di modulo

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (non ECC senza buffer)

1 = Latenza CAS

1 – CL11-11-11

K = Produttore DRAM

S – Samsung
K – Kingston

B = Revisione matrice DRAM

B – Matrice B
D – Matrice D
E – Matrice E

G = Tipo PCB

L – Profilo estremamente ridotto
G – Verde (conforme a standard RoHS)
H – Hard Gold

2G = Capacità totale

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

Numeri di parte: KVR16LN11/8

KVR = Linea di prodotto

KVR – Kingston ValueRAM

16 = Velocità (MT/s)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = Basso voltaggio

Vuota – 1,5V
L – 1,35V
U – 1,25V

N = Tipo di modulo

N – DIMM (Non-ECC senza buffer)
S – SODIMM-DIMM (Non-ECC senza buffer)
E – ECC UDIMM (ECC senza buffer)
SE – SODIMM (ECC senza buffer)
R – RDIMM (ECC DIMM registrata)
L – LRDIMM (DIMM a carico ridotto)

11 = Latenza CAS

11 – CL11-11-11

S = Classificazioni

S – Rank Singolo
D – Rank Doppia
Q – Rank Quadruplo

8 = Tipo di DRAM

4 – x4
8 – x8

L = Profilo

Grezzo - 18,75 mm o 30 mm
L – 18,75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Kit + numero di componenti

Blank - Modulo singolo
K2 – Kit da 2 moduli
K3 – Kit da 3 moduli
K4 – Kit da 4 moduli

8 = Capacità

4 – 4GB
8 – 8GB
12 – 12GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB

H = Produttore DRAM/Certificazione

H – SK Hynix
E – Elpida
I – Certificati Intel

B = Revisione

B – Revisione

Tempi di latenza

Le informazioni seguenti hanno lo scopo di aiutare l'utente a identificare le diverse configurazioni che possono essere scelte durante l'impostazione dei timing di memoria nel BIOS della scheda madre, al fine di ottenere prestazioni ottimali. Si noti che queste impostazioni possono variare in base ai modelli di scheda madre o alla versione firmware del BIOS utilizzata.

Campione

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

Latenza CAS (CL): controllo del ritardo tra attivazione di una riga e la lettura di quella riga.

RAS a CAS,detto anche ritardo da RAS a Colonna (tRCD): attiva la riga

Ritardo di Precarica Riga,o Ritardo di Precarica RAS (tRP/tRCP): disattiva la riga

Ritardo Attivo di Riga o Ritardo Attivo RAS o tempo di preparazione (tRA/tRD/tRAS): numero di cicli di clock tra l'attivazione e la disattivazione della riga.

Clausola di esonero della responsabilità: Tutti i prodotti Kingston sono accuratamente testati per garantirne la conformità alle specifiche tecniche indicate. Alcuni sistemi o schede madre potrebbero non essere in grado di funzionare alle velocità e secondo i parametri di timing specificati per le memorie Kingston. Kingston non raccomanda in alcun modo agli utenti di eseguire operazioni finalizzate a incrementare la velocità di funzionamento dei loro computer oltre i limiti di specifica indicati. L'overclocking e la modifica dei parametri di timing dei sistemi possono causare danni ai componenti.

Kingston Decodificatore dei numeri di parte della memoria

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

DDR5 Kingston ValueRAM

Decodificatore dei numeri di parte di Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Moduli DRAM Design-in Kingston DDR5

Moduli DRAM Design-in Kingston DDR4

Moduli DRAM Design-in Kingston DDR3

DDR3

Tempi di latenza

Campione

Risorse