Dekoder numerów katalogowych Kingston

Dowiedz się, w jaki sposób odczytywać numery katalogowe pamięci Kingston®, w tym produktów pamięci z linii Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 i DDR. Ułatwi Ci to rozpoznanie modułów pamięci na podstawie ich specyfikacji.

Kingston FURY™ DDR5

Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston FURY na podstawie ich specyfikacji.

katalogowy: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = linia produktów
  • KF – Kingston FURY
5 = technologia
  • 5 – DDR5
56 = szybkość (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
  • 68 – 6800
  • 72 – 7200
C = typ modułu
  • C – UDIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
  • S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
38 = opóźnienie CAS
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = seria
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = radiator
  • B – czarny
  • S – Srebrny
E = Typ Profilu
  • Puste - Intel XMP / Plug N Play
  • E - AMD EXPO
2 = Wersja
  • Puste – wersja 1
  • 2 – wersja 2
  • 3 – wersja 3
A = RGB
  • Puste - nie RGB
  • A – RGB
K2 = zestaw + liczba elementów
  • Puste – pojedynczy moduł
  • K2 – zestaw 2 modułów
  • K4 - zestaw 4 modułów
16 = łączna pojemność
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 32GB

Kingston Server Premier DDR5

Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston Server Premier na podstawie ich specyfikacji.

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

  • KSM
  • 48
  • R
  • 40B
  • D
  • 4
  • T
  • M
  • P
  • -
  • 64
  • H
  • M
  • R
KSM = linia produktów
  • KSM - Kingston Server Premier
48 = szybkość (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
R = typ modułu
  • E – EC4 UDIMM (x72)
  • L – EC8 LRDIMM (x80)
  • P – EC4 RDIMM (x72)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
  • T – EC4 SODIMM (x72)
40B = opóźnienie CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = Ranki
  • S – jednorankowa
  • D – dwurankowa
  • Q – czterorankowa
4 = typ pamięci DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
T = PMIC
  • I – Renesas
  • K – RichTek
  • M – Montage
  • P – MPS
  • T – TI
M = koncentrator SPD
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
P = czujnik termiczny
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • P – MPS
  • R – Rambus
64 = pojemność
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
H = producent układu DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
M = wersja płytki układu DRAM
  • A – A Die
  • C – C Die
  • E – E Die
  • M – M Die
R = rejestr
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

Numer katalogowy: KVR48U40BS8K2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = linia produktów
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = szybkość (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
U = typ modułu
  • U – DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
  • S – SO-DIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
40B = opóźnienie CAS
  • 40B – CL40
  • 42B – CL42
  • 46B – CL46
S = szeregi
  • S – jednoszeregowa
  • D – dwuszeregowa
8 = typ pamięci DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
K2 = zestaw + liczba elementów
  • Puste – pojedynczy moduł
  • K2 – zestaw 2 modułów
  • K4 – zestaw 4 modułów
32 = łączna pojemność
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
X = personalizacja
  • Puste – opakowanie standardowe
  • BK – opakowanie zbiorcze

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 – dekoder numerów katalogowych

Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston FURY na podstawie ich specyfikacji.

Numer katalogowy: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = linia produktów
  • KF - Kingston FURY
4 = technologia
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = szybkość (MT/s*)
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = typ modułu
  • C – UDIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
  • S – SODIMM (bez korekcji ECC i buforowania)
16 = opóźnienie CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = seria
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = radiator
  • Puste - niebieski
  • B - czarny
  • R - czerwony
  • W - White
1 = wersja
  • Puste - wersja 1
  • 1 - 16GB module(s) with 1Gx8 (8Gbit) components
  • 2 - wersja 2
  • 3 - wersja 3
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • Puste - nie RGB
  • A - RGB
K4 = zestaw + liczba elementów
  • Puste – pojedynczy moduł
  • K2 - zestaw 2 modułów
  • K4 - zestaw 4 modułów
  • K8 - zestaw 8 modułów
64 = łączna pojemność
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Numer katalogowy: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = linia produktów
  • KSM: Kingston Server Premier
26 = Szybkość (MT/s*)
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
R = Typ modułu
  • E – pamięć DIMM niebuforowana (ECC)
  • L – pamięć DIMM o zmniejszonym obciążeniu
  • R – pamięć DIMM rejestrowa
  • SE – pamięć SODIMM niebuforowana (ECC)
D = Szeregi
  • S – Jednoszeregowa
  • D – Dwuszeregowa
  • Q – Czteroszeregowa
4 = Typ pamięci DRAM
  • 4 – układ DRAM x4
  • 8 – układ DRAM x8
L = profil płytki
  • L – niskoprofilowe moduły DIMM
32 = łączna pojemność
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
H = Producent DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
A = Wersja kości DRAM
  • A – płytka A
  • B – płytka B
  • E – płytka E
I = Producent
  • I – IDT
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Numer katalogowy: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
21 = Szybkość (MT/s*)
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
L = Niskie napięcie
  • Puste – 1.2V
  • L – TBD
R = Typ modułu
  • E – Niebuforowana pamięć DIMM (ECC) z czujnikiem termicznym
  • L – Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
  • N – Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
  • R – Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
  • S – SO-DIMM, niebuforowana (bez ECC)
15 = Opóźnienie CAS
  • 15 – CL15
  • 19 – CL19
  • 22 – CL22
D = Szeregi
  • S – Jednoszeregowa
  • D – Dwuszeregowa
  • Q – Czteroszeregowa
  • O – Ośmioszeregowa
8 = Typ pamięci DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
  • 6 – x16
L = Profil
  • Puste – Dowolna wysokość
  • H – 31,25mm
  • L – 18,75mm (VLP)
K2 = Zestaw + liczba elementów
  • Puste – Dowolna wysokość
  • K2 – Zestaw dwóch modułów
  • K3 – Zestaw trzech modułów
4 = Pojemność
  • 4 – 4GB
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
H = DRAM Manufacturer
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • S – Samsung
B = Wersja matrycy
  • B – Wersja matrycy
I = Certyfikat firmy Intel
  • I - Certyfikat firmy Intel

HyperX® – dekoder numerów katalogowych

Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston HyperX na podstawie ich specyfikacji.

Numer katalogowy: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = Linia produktów
  • HX - HyperX (starsze wersje)
4 = technologia
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = szybkość (MT/s*)
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = typ pamięci DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = opóźnienie CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = seria
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = radiator
  • Puste - niebieski
  • B - czarny
  • R - czerwony
  • W - biały
3 = wersja
  • 2 - wersja 2
  • 3 - wersja 3
  • 4 - wersja 4
A = RGB
  • Puste - nie RGB
  • A - RGB
K4 = zestaw + liczba w zestawie
  • Puste – pojedynczy moduł
  • K2 - zestaw 2 modułów
  • K4 - zestaw 4 modułów
  • K8 - zestaw 8 modułów
32 = łączna pojemność
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Jak interpretować numery katalogowe pamięci ValueRAM

Przykład:
Nowy system: KVR 16 R11 D4 / 8
Poprzedni system: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Nowy system obejmuje części wyprodukowane po 1 maja 2012.

Numer katalogowy: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = Szybkość (MT/s*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = Niskie napięcie
  • Puste: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
R = Typ modułu
  • E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
  • N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
  • R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
  • L: Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = Opóźnienie CAS
  • 11: Opóźnienie CAS
D = Szeregi
  • S: Jednoszeregowa
  • D: Dwuszeregowa
  • Q: Czteroszeregowa
8 = Typ pamięci DRAM
  • 4: układ DRAM x4
  • 8: układ DRAM x8
L = Profil
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Zestaw + liczba elementów
  • K2: Zestaw dwóch modułów
  • K3: Zestaw trzech modułów
  • K4: Zestaw czterech modułów
4 = Pojemność
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
H = DRAM MFGR/Certyfikaty
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Certyfikat firmy Intel
B = Wersja matrycy
  • B: Wersja matrycy

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Numer katalogowy: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Szybkość (MT/s*)
  • 1066 - Szybkość
D3 = Technologie
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = Niskie napięcie
  • Puste: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
D = Szeregi
  • S: Jednoszeregowa
  • D: Dwuszeregowa
  • Q: Czteroszeregowa
8 = DRAM
  • 4: układ DRAM x4
  • 8: układ DRAM x8
R = Typ modułu
  • P: Rejestrowanie z parzystością (tylko w przypadku modułów rejestrowanych)
  • E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
  • R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = Opóźnienie CAS
  • 7: CAS Latency
S = Czujnikiem termicznym
  • Puste: Bez czujnika termicznego
  • S: Z czujnikiem termicznym
L = Profil
  • Puste: Dowolna wysokość
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Zestaw + liczba elementów
  • Puste: Pojedynczy moduł
  • K2: Zestaw dwóch modułów
  • K3: Zestaw trzech modułów
4G = Pojemność
  • 4G: Pojemność
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = Wersja matrycy
  • B: Wersja matrycy

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Numer katalogowy: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = Szybkość (MT/s*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = Rejestrowana
  • R: Rejestrowana
C3 = Opóźnienie CAS
  • C3: Opóźnienie CAS
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Zestaw + liczba elementów
  • K2: Zestaw dwóch modułów
1G = Pojemność
  • 1G: Pojemność

Czas oczekiwania (timing)

Poniższe informacje opisują różne ustawienia, które można zmienić, modyfikując timingi pamięci w BIOS-ie płyty głównej w celu uzyskania optymalnej wydajności. Ustawienia te mogą się różnić w zależności od marki/modelu płyty głównej lub wersji BIOS-u.

Przykład

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Opóźnienie CAS (CL): opóźnienie między aktywacją wiersza a odczytaniem z niego danych.

Opóźnienie RAS do CAS lub RAS do kolumny (tRCD): aktywuje wiersz.

Opóźnienie wstępnego zainicjowania wiersza lub opóźnienie wstępnego zainicjowania RAS (tRP/tRCP): dezaktywuje wiersz.

Opóźnienie aktywnego wiersza lub opóźnienie aktywnego RAS albo czas do gotowości (tRA/tRD/tRAS): liczba cykli zegara między aktywacją/dezaktywacją wiersza.

Zastrzeżenie: wszystkie produkty firmy Kingston są testowane pod kątem podanych specyfikacji. Niektóre konfiguracje systemu lub płyty głównej mogą nie obsługiwać podanych przez firmę Kingston parametrów szybkości pamięci i ustawień timingu. Firma Kingston odradza użytkownikom podejmowanie prób uruchamiania komputera z ustawieniem wyższej szybkości niż podana. Przetaktowanie systemu lub zmodyfikowanie timingu może spowodować uszkodzenie podzespołów komputera..