Server Memory - Підтримка

Ні. Поєднання різних типів модулів не підтримується. Необхідно встановлювати лише модулі однієї технології, одного типу, з однаковою швидкістю та ємністю. Модулі старих технологій, наприклад, небуферизовані та регістрові DIMM-модулі DDR4 ECC, є сумісними за роз’ємами, однак поєднання різних типів DIMM-модулів, ймовірно, призведе до збою завантаження. Регістрові DDR5 DIMM та небуферизовані ECC DIMM не є взаємозамінними. На відміну від DDR4, ці типи модулів мають різні ключі або виїмки, що робить фізично неможливим встановлення регістрових DIMM на материнську плату, призначену для буферизованих DIMM, або навпаки.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Усі платформи DDR5 від Intel та AMD підтримують пам'ять на базі 24 Гбіт однак надання оновлення BIOS для платформ DDR5 першого покоління залежатиме від виробника системи або материнської плати. Скористайтеся конфігуратором Kingston, щоб дізнатися, які системи підтверджено як сумісні.

FAQ: KTF-001002-002

Для модулів пам’яті, що відповідають вимогам промислового стандарту JEDEC (ValueRAM, Server Premier, без потенціалу для розгону), допускається змішування між банками, але Kingston не рекомендує змішувати пам’ять у межах однієї групи банків. Це призведе до вимкнення оптимізації канальної архітектури у ПК/ноутбуках, через що пам’ять забезпечуватиме вдвічі нижчу пропускну здатність. У деяких системах змішування в межах банку може бути навіть заборонене виробником.

На серверах змішування в межах багатоканальної групи банків не допускається. У разі додавання пам’яті в другу групу банків завжди рекомендується встановлювати пам’ять більшої ємності в перший банк.

Змішування модулів пам’яті або комплектів у ПК/ноутбуку з використанням пам’яті, призначеної для розгону (Kingston FURY), не підтримується.

FAQ: KTF-001002-003

Регістрові модулі DIMM (RDIMM) — це особливий тип пам'яті, який використовується в більшості серверів та робочих станцій. Наявність регістрового компонента, також відомого як регістровий драйвер тактової частоти (RCD), є необхідною передумовою для забезпечення високої швидкості та продуктивності серверів і високопродуктивних настільних платформ. Він використовується як буфер для належного управління даними, що обробляються між DRAM і процесором. Модулі RDIMM мають більше чіпів DRAM на модуль для підтримки ECC, необхідного для забезпечення стабільності системи та високої продуктивності під час інтенсивних навантажень.

ECC (Error Correction Code, код виправлення помилок) – це алгоритм, здатний виявляти та виправляти пошкодження даних на рівні одного або декількох бітів під час обчислень. Для пам'яті (RAM) ECC реалізовано в контролері пам'яті процесорів серверного або робочого класу. Модулі пам'яті ECC містять додаткові компоненти DRAM, що забезпечують додаткову ширину даних, необхідну контролеру пам'яті для виявлення та виправлення помилок. У випадку DDR3 та DDR4 72-бітні (x72) модулі підтримують ECC, тоді як у випадку DDR5 ECC підтримують як 72-бітні (x72 або EC4), так і 80-бітні (x80 або EC8) модулі.

Небуферизовані модулі пам’яті не мають додаткових буферів або регістрів і переважно використовуються в настільних ПК та мобільних системах. Для DDR5, DDR4 та DDR3 ці модулі мають ширину 64 біти, що вказує на те, що вони не підтримують ECC або не мають додаткової DRAM для підтримки функції ECC. Однак модулі без буферизації можуть бути побудовані з додатковою DRAM (72-біт) для підтримки функції ECC і їх називають небуферизованими модулями DIMM з ECC або SODIMM з ECC.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Деталі, що продаються в комплектах (позначені «K2», «K4» або «K8» в артикулі, наприклад, KF572RH38RBK8-256), упаковані для використання в дво-, чотири- або восьмиканальних конфігураціях. Настільні ПК, робочі станції та ноутбуки, що підтримують ці конфігурації, розроблені для доступу до декількох однакових модулів пам'яті, об'єднуючи їхню пропускну здатність для підвищення продуктивності. Kingston гарантує, що в комплекти з двома (K2), чотирма (K4) та вісьмома (K8) каналами входять лише модулі з однаковими компонентами. Окремі модулі, придбані в різний час, можуть мати різні компоненти. Хоча малоймовірно, що це спричинить проблеми з продуктивністю або сумісністю, рекомендується завжди купувати комплекти для багатоканальних систем, щоб усі компоненти були однаковими.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Ранг пам'яті – це 64-бітний блок даних на модулі пам'яті. Модулі з одним, двома, чотирма та вісьмома рангами – це окремі фізичні модулі, що містять один або декілька 64-бітних блоків даних. Вони позначаються як 1R, 2R, 4R та 8R.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

DRAM 32Gbit означає чіпи пам'яті щільністю 32 гігабіти (Гбіт). Це пласкі (нештабельовані) чіпи, які забезпечують високу ємність модулів без використання технологій 3D-штабелювання, таких як Through-Silicon Via (TSV) або Dual-Die Package (DDP). Натомість виробники напівпровідників DRAM використовують передові літографічні технології для розміщення большої кількості комірок пам'яті на одній фізичній площі чіпа. У порівнянні з попередніми чіпами DDR5 на 16 Гбіт або 24 Гбіт, DRAM на 32 Гбіт значно збільшує ємність модулів пам'яті. Це дозволяє системам підтримувати більшу ємність пам'яті, використовуючи той самий форм-фактор, що допомагає зменшити залежність від більш складних та дорогих рішень штабелювання DRAM. Модулі пам'яті на базі 32 Гбіт є сумісними з більшістю систем Intel та AMD, але може знадобитися оновлення BIOS. Скористайтеся конфігуратором Kingston, щоб дізнатися, які системи підтверджено як сумісні.

FAQ: KTF-001002-006

Електростатичний розряд (ESD) – це вивільнення накопиченої статичної електрики. Не слід легковажно ставитися до цього явища, оскільки це одна з небагатьох причин, через які людина може пошкодити або знищити електронні компоненти.

Статична електрика виникає природним чином внаслідок тертя (наприклад, під час ходіння босоніж по килиму в сухий вітряний день). Коли на тілі накопичується статична електрика, вона розряджається при контакті з провідною поверхнею, наприклад, з металом. До таких поверхонь належать провідні електричні компоненти, такі як модулі пам'яті. Електростатичний розряд на модуль пам'яті може залишитися непоміченим під час встановлення в ПК, але він може завдати серйозної шкоди схемам. Пошкодження може проявитися як миттєво, так і з часом.

Як запобігти електростатичному розряду

Найкращий спосіб профілактики електростатичного розряду — заземлити себе перед роботою з електронікою. Можна також використовувати засоби захисту, такі як заземлюючий браслет або заземлюючий килимок, щоб зменшити ймовірність розряду. Наведені нижче кроки також допоможуть зменшити ймовірність виникнення електростатичного розряду:

Робота стоячи – під час роботи з компонентами всередині комп’ютера рекомендується стояти. Сидячи на стільці, люди зазвичай піднімають ноги над підлогою, що перериває шлях заземлення для електростатичного розряду.

Шнури – перевірте, чи всі шнури від'єднані від задньої панелі комп'ютера (шнур живлення, миша, клавіатура тощо).

Одяг – не носіть тканини, схильні до накопичення електростатичного заряду, наприклад, вовняні светри.

Аксесуари – щоб зменшити ризик виникнення електростатичного розряду та запобігти іншим проблемам, також рекомендується зняти всі прикраси.

Погода – грози можуть збільшити ризик виникнення електростатичного розряду; без необхідності намагайтеся не працювати за комп'ютером під час грози. Дуже сухі приміщення та вітер також сприяють накопиченню електростатичного заряду.

Щоб дізнатися більше про електростатичний розряд та способи захисту електронних пристроїв, перейдіть за посиланням нижче. ESD Association

FAQ: KTC-Gen-ESD

«Небінарна» пам'ять – це модулі пам'яті, виготовлені на базі DRAM-чіпів щільності 24 Гбіт, які використовуються для створення модулів ємністю 12 ГБ, 24 ГБ, 48 ГБ та 96 ГБ. Щільність DRAM-чіпів періодично збільшується для задоволення потреб у пам'яті для комп'ютерних систем. Історично щільність подвоювалася (наприклад, з 4 Гбіт до 8 Гбіт, з 8 Гбіт до 16 Гбіт), однак у DDR5 з’явилася проміжна щільність, яка називається 24 Гбіт. Термін «небінарна» походить від відхилення від подвоєння щільності.

Аби збільшити щільність, виробники напівпровідників DRAM повинні постійно вдосконалювати конструкцію та зменшувати розміри кремнієвих пластин (вимірювані в нанометрах, або нм), щоби збільшити кількість комірок пам’яті, як правило, не змінюючи розмірів корпусу (чіпа) порівняно з попереднім поколінням. Завдяки цьому можна використовувати ті самі конструкції друкованих плат стандарту JEDEC для модулів пам’яті.

FAQ: KTF-001002-001

Швидкість роботи пам'яті в серверах та робочих станціях насамперед залежить від моделі центрального процесора, чіпсету та кількості модулів пам'яті, встановлених на кожен канал. Intel та AMD розробляють конкретні рекомендації для кожного зі своїх чіпсетів та процесорів, тому важливо дотримуватися їхніх правил щодо комплектації пам'яті, щоб забезпечити максимальну пропускну здатність та продуктивність.

Центральний процесор може підтримувати роботу пам'яті лише до певної швидкості. Наприклад, встановлення модулів DDR5 RDIMM 6400 МТ/с у поєднанні з процесором або процесорами, які можуть підтримувати роботу пам'яті лише на швидкості 5600 МТ/с, призведе до зниження тактової частоти пам'яті до 5600 МТ/с. Іноді модулі мусять працювати на ще нижчих частотах, залежно від правил заповнення, визначених виробником процесора.

Не менш важливими, ніж модель процесора, є тип материнської плати та чіпсет, які визначають, з якою швидкістю працюватимуть встановлені модулі пам’яті. Чіпсет керує даними, що передаються між процесором, пам'яттю, накопичувачем, графічною картою та іншими інтегрованими компонентами. Кожен чіпсет розроблений для роботи з пам'яттю на певних стандартних для галузі швидкостях. Іноді Intel та AMD випускають нові покоління процесорів, які можна встановлювати на чіпсети попереднього покоління. Через обмеження чіпсету це може означати, що швидкість пам'яті буде обмежена і працюватиме на нижчих швидкостях. Зверніться до виробника системи або до посібника з експлуатації материнської плати, щоб отримати допомогу щодо налаштування правильних конфігурацій пам'яті.

FAQ: KTM-060415-SVR-01

Під час першого запуску DDR5, у разі зміни конфігурації пам'яті або оновлення BIOS/прошивки, під час POST (самотестування при ввімкненні) запускається процес, званий тренуванням підсистеми пам'яті.  Деяким ПК з пам'яттю DDR5 може знадобитися 3-5 хвилин для завершення тренування, в той час як на деяких DDR5 серверах і робочих станціях процес може займати до 15 хвилин до завершення.  Це часто помилково сприймають як зависання системи або проблему, особливо якщо екран залишається порожнім.  Якщо виникає помилка пам'яті або інша проблема, вона зазвичай відображається світлодіодними індикаторами, кодами на материнській платі або повідомленням про помилку на екрані.  Якщо таких повідомлень немає, важливо дати системі завершити тренування.

Тренування підсистеми пам'яті — критично важливий крок для DDR5 системи, яка вимагає оптимізації взаємодії між контролером пам'яті, BIOS і чіпами пам'яті за будь-якої зміни конфігурації пам'яті.  Якщо цього не зробити, можуть виникнути проблеми з нестабільністю або продуктивністю.  Після завершення тренування всі наступні завантаження будуть значно швидшими.  Ми не рекомендуємо змінювати налаштування для обходу тренування.  Час тренування залежить від кількості встановленої оперативної пам'яті.  Більша кількість оперативної пам'яті зазвичай означає довше тренування підсистеми пам'яті.

Після завершення тренування система перезавантажиться або перейде до завантаження операційної системи.

FAQ: KTM-012711-GEN-20