Memória de Servidor - Suporte

Não. Não é suportada a mistura de diferentes tipos de módulos. Apenas tecnologias de memória, tipos de módulos, velocidades e capacidades idênticas devem ser instaladas. Tecnologia de memória legada, por exemplo, DIMMs registrados e sem buffer DDR4 ECC são compatíveis com o soquete, no entanto, misturar diferentes tipos de DIMM provavelmente resultará em falha na inicialização. DIMMs registrados DDR5 e DIMMs ECC sem buffer não são intercambiáveis. Diferente do DDR4, esses tipos de módulo possuem diferentes chaves de módulo, ou fendas, tornando fisicamente impossível instalar DIMMs registrados em uma placa-mãe projetada para DIMMs sem buffer ou vice-versa.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Todas as plataformas DDR5 da Intel e da AMD foram habilitadas para suportar memória com base em 24 Gbit, no entanto, caberá ao fabricante do sistema/placa-mãe fornecer uma atualização da BIOS para plataformas de última geração DDR5. Verifique com o configurador da Kingston quais sistemas são compatíveis confirmados.

FAQ: KTF-001002-002

Para módulos de memória com especificações JEDEC (padrão de fábrica) (ValueRAM, Server Premier, sem overclock), não tem problema misturar bancos, mas a Kingston não recomenda misturar memórias dentro do mesmo grupo do banco. Fazer isso em PCs/laptops desativa a otimização da arquitetura de canais, forçando a memória a funcionar com a metade da largura de banda em potencial. Em alguns sistemas, a mistura dentro de um banco pode até ser proibida pelo fabricante.

Nos servidores, misturar dentro de um grupo do banco multicanal não é permitido. Se adicionar memória ao segundo grupo do banco, é sempre recomendável colocar a memória de maior capacidade no primeiro banco.

Misturar módulos de memória ou kits em um PC/laptop usando memória com possibilidade de overclock (Kingston FURY) nunca é suportado.

FAQ: KTF-001002-003

DIMMs registrados (RDIMMs) são um tipo específico de memória usado pela maioria dos servidores e workstations. Ter um componente Register, também conhecido como Registered Clock Driver (RCD), é essencial para servidores e plataformas desktop de alto desempenho alcançarem altas velocidades e capacidades. Ele é usado como um buffer para gerenciar adequadamente os dados sendo processados entre a DRAM e a CPU. RDIMMs possuem mais chips DRAM equipados por módulo para suportar ECC, necessário para garantir estabilidade do sistema e alto desempenho durante cargas de trabalho pesadas.

ECC (Código de Correção de Erro) refere-se a um algoritmo que pode detectar e corrigir o corrompimento de dados de bit único ou múltiplo na computação. Para memória (RAM), o ECC é apresentado no controlador de memória de processadores classe de servidor ou estação de trabalho. Módulos de memória ECC apresentam componentes DRAM adicionais para fornecer largura de dados extra necessária para que o controlador de memória execute a detecção e correção de erros. Para DDR3 e DDR4, os módulos de 72 bits (x72) suportam ECC, enquanto para DDR5 ambos os módulos de 72 bits (x72 ou EC4) e 80 bits (x80 ou EC8) suportam ECC.

Módulos de memória sem buffer não possuem buffers ou registros adicionais e são usados principalmente em desktops e sistemas móveis. Para DDR5, DDR4 e DDR3, esses módulos têm 64 bits de largura, o que indica que são não-ECC, ou não possuem a DRAM extra para suportar a função ECC. No entanto, módulos sem buffer podem ser construídos com DRAM extra (72 bits) para suportar a função ECC e seriam chamados de DIMMs sem buffer ECC ou ECC SODIMMs.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Peças vendidas em kits (indicados por "K2", "K4" ou "K8" no número de peça, ex: KF572RH38RBK8-256) são embaladas para uso em configurações de dois, quatro ou oito canais. Os desktops, workstations e laptops que suportam essas configurações são projetados para acessar múltiplos módulos de memória idênticos, agregando sua largura de banda para maior desempenho. A Kingston garante que apenas módulos com componentes compatíveis sejam embalados em kits de dois (K2), quatro (K4) e oito (K8) canais. Módulos individuais comprados em momentos diferentes podem ter componentes diferentes. Embora seja improvável causar qualquer problema de desempenho ou compatibilidade, é recomendado sempre comprar kits para sistemas multicanal para que todos os componentes sejam iguais.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Um rank de memória é um bloco de dados de 64 bits de largura em um módulo de memória. Módulos de rank único, duplo, quádruplo e óctuplo são módulos físicos únicos com um ou múltiplos blocos de dados de 64 bits de largura. Eles são indicados como 1R, 2R, 4R e 8R.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

DRAM 32Gbit refere-se aos chips de memória com uma densidade de 32 gigabits (Gb). Estes são chips planares (não empilhados), que permitem módulos de alta capacidade sem o uso de tecnologias de empilhamento 3D como Through-Silicon Via (TSV) ou Dual-Die Package (DDP). Em vez disso, os fabricantes de semicondutores DRAM utilizam técnicas de litografia avançada para acomodar mais células de memória na mesma área física do chip. Em comparação com os chips DDR5 anteriores de 16Gbit ou 24Gbit, a DRAM de 32Gbit aumenta significativamente a capacidade de módulos de memória. Isso permite que os sistemas suportem capacidades de memória maiores utilizando o mesmo fator de forma, ajudando a reduzir a dependência de soluções DRAM empilhadas mais complexas e caras. Módulos de memória baseados em 32 Gbit são compatíveis com a maioria dos sistemas Intel e AMD, mas uma atualização de BIOS pode ser necessária. Verifique com o configurador da Kingston quais sistemas são compatíveis confirmados.

FAQ: KTF-001002-006

Descarga Eletrostática (ESD) é a descarga da eletricidade estática acumulada. A ESD não deve ser subestimada, pois é uma das poucas coisas que um indivíduo pode fazer para danificar ou destruir seus componentes eletrônicos.

A eletricidade estática ocorre naturalmente devido ao atrito, como ao andar descalço no carpete em um dia seco. Quando o acúmulo de estática ocorre em um corpo, ele será descarregado ao entrar em contato com uma superfície condutora, como metal. Isso inclui componentes elétricos condutores, como módulos de memória. Uma descarga de ESD em um módulo de memória pode passar despercebida ao ser instalada em um PC, mas a carga introduzida pode causar sérios danos aos circuitos. O dano pode ser imediato ou se manifestar com o tempo.

Como evitar a ESD

O melhor método para prevenir ESD é aterrar-se antes de manusear componentes eletrônicos. Você também pode usar equipamentos de proteção contra ESD, como uma pulseira de aterramento ou uma esteira de aterramento para reduzir as chances de ESD. As etapas a seguir também ajudarão a reduzir a chance de ESD:

Posição de pé – Recomenda-se ficar em pé ao trabalhar com componentes internos de um computador. Ao sentar em uma cadeira, é comum que as pessoas levantem os pés do chão, o que remove o caminho de aterramento para ESD.

Cabos - Certifique-se de que todos os cabos sejam removidos da parte traseira do computador (cabo de energia, mouse, teclado, etc.).

Roupas – Não use tecidos que tenham maior probabilidade de acumular ESD, como suéter de lã.

Acessórios - Para ajudar a reduzir ESD e evitar outros problemas, também é recomendado remover todas as joias.

Clima - Tempestades elétricas podem aumentar o risco de ESD; a menos que seja necessário, tente não trabalhar em um computador durante uma tempestade elétrica. Áreas muito secas e com vento também contribuem para o acúmulo eletrostático.

Para saber mais sobre ESD e como proteger seus componentes eletrônicos, consulte o site abaixo. ESD Association

FAQ: KTC-Gen-ESD

A memória não binária refere-se a módulos de memória desenvolvidos com DRAM de densidade de 24 Gbit, que é usado para capacidades de 12 GB, 24 GB, 48 GB e 96 GB. A densidade de chips DRAM aumenta periodicamente para acompanhar a demanda de capacidade de memória para sistemas de computador. Historicamente, a densidade duplica (por ex., 4Gbit para 8Gbit, 8Gbit para 16Gbit), entanto na DDR5 há uma densidade intermediária chamada 24Gbit. O termo "não-binário" vem da divergência de duplicar a densidade.

Para aumentar a densidade, os fabricantes de semicondutores de DRAM devem melhorar continuamente o design e encolher o processo de placas de silício (medido em nanômetros ou nm) para aumentar o número de células de memória, geralmente dentro da mesma pegada de embalagem (chip) que a geração anterior. Ao fazer isso, podem ser utilizados os mesmos designs de PCB JEDEC (placa de circuito impresso) para módulos de memória.

FAQ: KTF-001002-001

A velocidade da memória em servidores e workstations depende principalmente do modelo do processador (CPU) configurado, do chipset e do número de módulos de memória instalados por canal. A Intel e a AMD criam diretrizes específicas para cada um de seus chipsets e processadores; portanto, é importante seguir suas regras de ocupação de memória para maximizar a largura de banda e o desempenho.

Uma CPU pode ser capaz de operar a memória apenas até uma determinada velocidade. Por exemplo, instalar módulos DDR5 6400MT/s RDIMMs em combinação com processadores que só conseguem operar a memória a 5600MT/s fará com que a memória reduza a frequência para 5600MT/s. Às vezes, os módulos serão forçados a operar em velocidades ainda mais baixas, dependendo das regras de ocupação estabelecidas pelo fabricante da CPU.

Tão importante quanto o modelo do processador, o tipo de placa-mãe e chipset determinará a velocidade com que os módulos de memória instalados irão operar. Um chipset gerencia os dados compartilhados entre CPU, memória, armazenamento, gráficos e outros componentes integrais. Cada chipset é projetado para operar a memória em velocidades padrão da indústria específicas. Ocasionalmente, a Intel e a AMD introduzem novas gerações de processadores que podem ser instalados em chipsets de geração anterior. Devido a limitações do chipset, isso pode significar que a velocidade da memória fica limitada a operar em velocidades mais baixas. Consulte o fabricante do sistema ou o manual da placa-mãe para obter ajuda com a configuração adequada das memórias.

FAQ: KTM-060415-SVR-01

Ao inicializar um sistema DDR5 pela primeira vez, quando a configuração da memória foi alterada ou quando a BIOS/firmware foi atualizada, um processo chamado treinamento de memória é iniciado durante o POST (Power-On Self-Test).  Alguns PCs com DDR5 podem levar de 3 a 5 minutos para concluir o treinamento, enquanto alguns sistemas workstation/servidor com DDR5 podem levar até 15 minutos.  Isso muitas vezes é confundido com uma falha ou travamento do sistema, especialmente se a tela permanecer em branco.  Se houver um erro de memória ou outro problema, eles geralmente são indicados por luzes LED ou códigos na placa-mãe, ou por uma mensagem de erro na tela.  Se não houver nenhum erro desse tipo, é importante deixar o sistema concluir o treinamento de memória.

O treinamento de memória é uma etapa crucial para o DDR5, que requer otimização entre o controlador de memória, a BIOS e os componentes DRAM.  A falha nesse processo pode causar instabilidade ou problemas de desempenho.  Uma vez concluído o treinamento, todas as inicializações subsequentes serão significativamente mais rápidas.  Não recomendamos alterar configurações para ignorar o treinamento de qualquer forma.  O tempo de treinamento pode variar dependendo da quantidade de RAM instalada.  Quanto maior a capacidade de RAM instalada, geralmente maior será o período de treinamento de memória.

Quando o treinamento de memória for concluído, o sistema reiniciará ou prosseguirá para o sistema operacional.

FAQ: KTM-012711-GEN-20