服务器内存 - 技术支持
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常见问题
服务器中的内存速度取决于多种因素：CPU、安装的内存区块数量和电压。
无论您安装何种内存，您的 CPU 可能最高只能以特定的速度运行。例如，您可能安装了 1600MT/s 的内存，但 CPU 仅支持 1333MT/s 的内存。
安装的模块越多，内存区块可能影响速度。例如，如果您的系统以三通道模式运行内存，并安装了一组 3 个模块，如果该系统是单列或双列，它可能运行在 1333MT/s。不过，一旦安装第二组模组，速度将降低至 1066MT/s。如果第一组是四列，它可能只能运行在 1066MT/s，并将第二组时钟降低至 800MT/s。由于四列模塑通常容量更高，因而得到使用。一些系统兼容降载 DIMM (LRDIMM)。这些模组支持更高速度、更高容量的模组。
如果您安装低压 DIMM，运行速度可能低于相同数量的标准电压 DIMM。例如，您可能安装两组 1333MT/s 的 1.5V 内存。但使用 1.35V 内存时，该模组运行速度为 1066MT/s。
请参阅您的系统或主板手册，了解详细的内存配置。
KTM-060415-SVR-01
FAQ: KTM-060415-SVR-01
这有用吗？
FAQ: KTM-012711-GEN-03
这有用吗？
不能。带寄存器的内存与无缓冲内存不能并存。 带寄存器的内存和无缓冲内存是两种不同的内存技术。 安装不正确的内存或者混用这些技术可能会导致主板和/或内存模组损坏。
FAQ: KTM-021011-GEN-15
这有用吗？
以套装（在部件编号中标注为 "K2" 或 "K3"，例如 KVR400X64C3AK2/2G）销售的部件是为了在双通道和三通道主板中使用而专门封装的。 尽管双通道和三通道技术位于主板自身中（芯片组内），但是需要将内存模组成对或以三个为一组安装，双通道和三通道模式才能正常工作。 套装中包含的完全相同的模组配合使用效果最好，因为主板能够以更高的带宽像访问单个内存位置一样访问所有的内存模组。 金士顿建议为支持双通道或三通道的主板使用以套装销售的内存模组。
FAQ: KTM-020911-GEN-19
这有用吗？
内存区块 (Rank) 被定义为使用 DIMM 上的部分或全部 DRAM 芯片创建的一个 64 位（ECC 为 72 位）的区域或块。 单区块 ECC DIMM（x4 或 x8）使用其所有的 DRAM 芯片创建单个 72 位的块，并且所有芯片被来自内存控制器芯片组的一个芯片选择信号所激活。 双区块 ECC DIMM 从 DIMM 上的两组 DRAM 芯片中产生两个 72 位的块，需要两个芯片选择信号。 芯片选择信号交错发出，这样两组 DRAM 芯片便不会同时争夺内存总线。
FAQ: KTM-021011-KVR-02
这有用吗？
静电放电 (ESD) 就是指积聚的静电放电的过程。 不应忽视静电放电，因为这是会导致计算机或硬件组件被人为损坏或毁坏的为数不多的几种方式之一。 就像脚在地毯上摩擦之后，再触摸金属物质时有可能会出现静电放电。 静电放电发生时，用户不一定会感受到触电，并且只有在计算机内部操作或移动硬件时才会发生。
如何防止静电放电
防止静电放电的最佳方法是使用静电放电腕带、接地垫或接地工作台。 但是，由于大多数用户都没有这些装置，我们罗列了以下步骤来尽可能降低发生静电放电的几率。
- 站立 – 我们建议您在计算机上工作时保持站立。 坐在椅子上会产生更多静电。
- 线缆 - 确保计算机背面的所有线缆都已被拔下（电源线、鼠标、键盘等）。
- 衣服 - 确保不要穿着会产生大量静电的衣物，如毛衣。
- 配饰 - 为了减少静电放电和防止其他问题，最好取下所有的首饰。
- 天气 - 雷暴天气会增加静电放电的风险；除非绝对必要，否则不要在雷暴天气时，在计算机上工作。 在十分干燥的地区，每次有气流（风、空调、鼓风机）经过绝缘表面时，空气本身就会成为静电积聚机制的一部分。 不要被高湿度所误导，并注意连接处以及其他电气接口的腐蚀问题。
若要了解更多有关静电放电以及如何保护电子元件的信息，请参见以下网站。
静电放电协会
https://www.esda.org
FAQ: KTC-Gen-ESD
这有用吗？
不能。带寄存器的内存与无缓冲内存不能并存。 带寄存器的内存和无缓冲内存是两种不同的内存技术。 安装不正确的内存或者混用这些技术可能会导致主板和/或内存模组损坏。
FAQ: KTM-021011-GEN-15
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FAQ: KTF-001002-002
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在服务器上，不允许在多通道条组中混合。如果向第二个条组添加内存，始终建议将容量更高的内存放入第一个条组中。
永不支持在使用超频内存 (Kingston FURY) 的 PC/笔记本电脑中混合内存模块或套件。
FAQ: KTF-001002-003
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FAQ: KTM-012711-GEN-03
这有用吗？
以套装（在部件编号中标注为 "K2" 或 "K3"，例如 KVR400X64C3AK2/2G）销售的部件是为了在双通道和三通道主板中使用而专门封装的。 尽管双通道和三通道技术位于主板自身中（芯片组内），但是需要将内存模组成对或以三个为一组安装，双通道和三通道模式才能正常工作。 套装中包含的完全相同的模组配合使用效果最好，因为主板能够以更高的带宽像访问单个内存位置一样访问所有的内存模组。 金士顿建议为支持双通道或三通道的主板使用以套装销售的内存模组。
FAQ: KTM-020911-GEN-19
这有用吗？
内存区块 (Rank) 被定义为使用 DIMM 上的部分或全部 DRAM 芯片创建的一个 64 位（ECC 为 72 位）的区域或块。 单区块 ECC DIMM（x4 或 x8）使用其所有的 DRAM 芯片创建单个 72 位的块，并且所有芯片被来自内存控制器芯片组的一个芯片选择信号所激活。 双区块 ECC DIMM 从 DIMM 上的两组 DRAM 芯片中产生两个 72 位的块，需要两个芯片选择信号。 芯片选择信号交错发出，这样两组 DRAM 芯片便不会同时争夺内存总线。
FAQ: KTM-021011-KVR-02
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32Gbit DRAM 指的是存储密度为 32 吉比特 (Gb) 的内存芯片。这些芯片是平面型（非堆叠式）芯片，无需采用三维堆叠技术，如硅通孔（Through-Silicon Via，TSV）技术或双芯封装（Dual-Die Package，DDP）技术，即可实现高容量内存模组。相反，DRAM 半导体制造商采用先进的光刻技术，在相同的物理芯片面积内容纳更多存储单元。与早期的 16Gbit 或 24Gbit DDR5 芯片相比，32Gbit DRAM 显著提高了 (C)UDIMM、(C)SODIMM、RDIMM 和 MRDIMM 等内存模组的容量。这使得系统能够在保持相同外形尺寸的情况下支持更高的内存容量，有助于减少对更复杂且昂贵的堆叠式 DRAM 解决方案的依赖。
FAQ: KTF-001002-006
这有用吗？
静电放电 (ESD) 就是指积聚的静电放电的过程。 不应忽视静电放电，因为这是会导致计算机或硬件组件被人为损坏或毁坏的为数不多的几种方式之一。 就像脚在地毯上摩擦之后，再触摸金属物质时有可能会出现静电放电。 静电放电发生时，用户不一定会感受到触电，并且只有在计算机内部操作或移动硬件时才会发生。
如何防止静电放电
防止静电放电的最佳方法是使用静电放电腕带、接地垫或接地工作台。 但是，由于大多数用户都没有这些装置，我们罗列了以下步骤来尽可能降低发生静电放电的几率。
- 站立 – 我们建议您在计算机上工作时保持站立。 坐在椅子上会产生更多静电。
- 线缆 - 确保计算机背面的所有线缆都已被拔下（电源线、鼠标、键盘等）。
- 衣服 - 确保不要穿着会产生大量静电的衣物，如毛衣。
- 配饰 - 为了减少静电放电和防止其他问题，最好取下所有的首饰。
- 天气 - 雷暴天气会增加静电放电的风险；除非绝对必要，否则不要在雷暴天气时，在计算机上工作。 在十分干燥的地区，每次有气流（风、空调、鼓风机）经过绝缘表面时，空气本身就会成为静电积聚机制的一部分。 不要被高湿度所误导，并注意连接处以及其他电气接口的腐蚀问题。
若要了解更多有关静电放电以及如何保护电子元件的信息，请参见以下网站。
静电放电协会
https://www.esda.org
FAQ: KTC-Gen-ESD
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要增加密度，DRAM 半导体制造商必须不断改进设计，缩小硅片工艺（以纳米或 nm 为单位），以增加与上一代相同封装（芯片）尺寸内的存储单元数量。这样便可以使用用于内存模块的相同 JEDEC PCB（印刷电路板）设计。
FAQ: KTF-001002-001
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服务器中的内存速度取决于多种因素：CPU、安装的内存区块数量和电压。
无论您安装何种内存，您的 CPU 可能最高只能以特定的速度运行。例如，您可能安装了 1600MT/s 的内存，但 CPU 仅支持 1333MT/s 的内存。
安装的模块越多，内存区块可能影响速度。例如，如果您的系统以三通道模式运行内存，并安装了一组 3 个模块，如果该系统是单列或双列，它可能运行在 1333MT/s。不过，一旦安装第二组模组，速度将降低至 1066MT/s。如果第一组是四列，它可能只能运行在 1066MT/s，并将第二组时钟降低至 800MT/s。由于四列模塑通常容量更高，因而得到使用。一些系统兼容降载 DIMM (LRDIMM)。这些模组支持更高速度、更高容量的模组。
如果您安装低压 DIMM，运行速度可能低于相同数量的标准电压 DIMM。例如，您可能安装两组 1333MT/s 的 1.5V 内存。但使用 1.35V 内存时，该模组运行速度为 1066MT/s。
请参阅您的系统或主板手册，了解详细的内存配置。
KTM-060415-SVR-01
FAQ: KTM-060415-SVR-01
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在首次启动 DDR5 系统、内存配置发生更改或更新 BIOS/固件时，在开机自检（POST，Power-On Self-Test）过程中会启动一个名为内存训练的过程。 一些 DDR5 个人电脑可能需要 3 - 5 分钟才能完成训练，而一些 DDR5 服务器/工作站系统可能需要长达 15 分钟才能完成。 如果屏幕一直处于空白状态，这通常会被误认为是系统死机或出现问题。 如果出现内存错误或其他问题，主板上通常会通过 LED 指示灯或代码来指示，或者屏幕上会显示错误信息。 如果没有此类错误，让系统完成内存训练是很重要的。
对于 DDR5 而言，内存训练是一个至关重要的步骤，它需要在内存控制器、BIOS 和 DRAM 组件之间进行优化。 如果不进行内存训练，可能会导致系统不稳定或出现性能问题。 一旦训练完成，后续所有启动时间都会显著缩短。 我们不建议通过更改设置来以任何方式绕过内存训练。 训练时间会因安装的内存容量不同而有所差异。 安装的 RAM 容量越大，通常意味着内存训练时间越长。
内存训练完成后，系统会重新启动或进入操作系统。
FAQ: KTM-012711-GEN-20
这有用吗？