Memoria per server - Supporto

No. Le RAM registrate e quelle non bufferizzate non possono coesistere sullo stesso sistema. Le RAM registrate e quelle non bufferizzate sono caratterizzate da due tecnologie completamente differenti. L'installazione del tipo di memoria non corretto, oppure l'uso contemporaneo di queste due tecnologie incompatibili sullo stesso sistema, può causare il danneggiamento della scheda madre e/o dei moduli di memoria.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

I moduli di memoria possono essere realizzati secondo metodi differenti, per consentire il supporto di funzionalità aggiuntive. Queste funzioni richiedono l'uso di componenti aggiuntivi.

Le memorie registrate dispongono di registri e buffer integrati sul modulo, per garantire un migliore flusso dei dati, con un conseguente incremento dell'affidabilità dei dati. I moduli di questo tipo offrono anche una maggiore scalabilità della memoria, consentendo l'installazione di quantità maggiori di RAM. Per questo motivo, le memorie registrate vengono usate principalmente sulle piattaforme server. Alcuni tipi di memorie DIMM registrate sono dotate di funzione di parità. Questa funzione è utilizzata per eseguire una verifica aggiuntiva degli errori. Per poter sfruttare questa funzione, la scheda madre del computer in uso deve essere in grado di supportare la funzione di parità. Tuttavia, possono essere utilizzate esclusivamente su sistemi compatibili con le memorie registrate. La funzione di parità non viene utilizzata. Le memorie registrate includono anche funzionalità ECC, ma non tutte le memorie dotate di funzionalità ECC sono di tipo registrato.

Le memorie con buffer completo sono in grado di eseguire alcune delle funzioni normalmente eseguite dal controller di memoria (un chip che controlla il flusso dei dati scambiati con la RAM), trasferendole sul modulo di memoria. Ciò consente di incrementare ulteriormente la scalabilità delle memorie. Le memorie con buffer completo non possono essere utilizzate su computer che supportano le memorie registrate, e viceversa. Le memorie con buffer completo includono anche funzionalità ECC, ma non tutte le memorie dotate di funzionalità ECC sono del tipo a buffer completo.

Le memorie senza buffer sono quelle prive di buffer e registro. Si tratta di un tipo di memoria normalmente utilizzato su computer desktop e notebook. I computer compatibili con le memorie senza buffer non sono in grado di supportare le memorie registrate e quelle con buffer completo.

Le memorie ECC (Error Correcting Code) integrano un chip di memoria aggiuntivo, che consente alla scheda madre di rilevare e correggere gli errori generati da bit singoli. Questa funzionalità accresce l'affidabilità dei dati e contribuisce a identificare i moduli di memoria difettosi. Tutti i moduli di memoria di tipo registrato e con buffer completo includono anche funzionalità ECC. Ma esiste anche un modello di memoria ECC senza buffer normalmente utilizzata sulle workstation di alto livello e ad alte prestazioni. In alcuni casi, le memorie ECC senza buffer possono essere utilizzate su computer compatibili con le memorie senza buffer ma che non supportano le funzionalità ECC. L'unico problema in questo caso e che tale funzionalità della memoria non verrà utilizzata dal computer.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

I componenti venduti in kit (identificati dalla presenza dei codici "K2" o "K3" nel numero di parte, come KVR400X64C3AK2/2G ad esempio), sono specificamente predisposti per l'impiego su schede madri Dual e Triple channel. Sebbene la tecnologia Dual e Triple Channel sia integrata nella scheda madre (all'interno del chipset), i moduli di memoria destinati alle schede madri Dual e Triple Channel devono essere installati in coppia oppure in set di tre per poter funzionare correttamente. Gli stessi moduli contenuti in un dato kit funzionano meglio perché la scheda madre effettuerà l'accesso alla memoria interpretandola come un singolo slot caratterizzato da una maggiore larghezza di banda. Pertanto, Kingston raccomanda di utilizzare sempre i moduli venduti in kit per l'installazione su schede madri dotate di tecnologia Dual e Triple channel.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Un rank di memoria può essere definito come un'area o blocco composto da 64-bit (72-bit per le versioni ECC), generato, o che utilizza alcuni o tutti i chip DRAM su un DIMM. Un singolo rank di memoria ECC DIMM (x4 o x8), utilizza tutti i chip DRAM disponibili per creare un blocco da 72 bit, in cui tutti i chip sono attivati da un segnale di selezione dei chip proveniente dal chipset del controller di memoria. Un doppio rank di memoria ECC DIMM genera due blocchi da 72-bit ciascuno, utilizzando due set di chip DRAM sulla DIMM, che richiedono due segnali di selezione dei chip. I segnali di selezione dei chip avvengono in tempi differenti, in modo che i due set di chip DRAM non debbano mai utilizzare il bus di memoria nello stesso momento.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

L'acronimo ESD significa "Electro-Static Discharge" e indica semplicemente il fenomeno dell'accumulo di scariche elettrostatiche. Il fenomeno dell'ESD non deve essere preso alla leggera, in quanto rappresenta uno dei fattori in grado di danneggiare o distruggere un computer o i componenti hardware. Le scariche elettrostatiche sono come quelle che si verificano quando si strofina un piede su un tappeto e poi si tocca un oggetto metallico. L'ESD può verificarsi senza che l'utente riscontri alcuna forma di shock elettrico, e avviene esclusivamente quando si opera sui componenti interni di un computer o durante la manipolazione di componenti hardware.

Come è possibile evitare il fenomeno dell'ESD?
Il metodo migliore per evitare i fenomeni di ESD consiste nell'utilizzare un apposito braccialetto antistatico, oppure un tavolo o una stuoia antistatici. Tuttavia, dato che la maggior parte degli utenti non dispone di un accesso a questi oggetti, abbiamo incluso le raccomandazioni indicate sotto al fine di minimizzare il rischio di scariche elettrostatiche.

• Operare stando in piedi: è consigliabile restare in piedi quando si opera su un computer. Stando seduti su una sedia si possono generare quantità maggiori di energia elettrostatica.
• Cavi: assicurarsi che sul retro del computer non sia presente alcun cavo collegato, (cavo di alimentazione, cavo mouse, tastiera, ecc.).
• Indumenti: assicurarsi di non indossare alcun tipo di indumento in grado di condurre cariche elettriche di potenza elevata, come i maglioni in lana.
• Accessori: al fine di minimizzare il rischio di scariche elettrostatiche e per evitare altri problemi, è vivamente consigliabile rimuovere qualunque tipo di gioiello o altri oggetti simili.
• Eventi climatici: le tempeste elettriche possono accrescere il rischio di scariche elettrostatiche; pertanto, se non strettamente necessario, è consigliabile non operare su un computer durante una tempesta elettrica. In zone con climi particolarmente secchi, l'aria diventa un elemento del meccanismo che favorisce l'accumulo di energia elettrostatica, in qualunque occasione in cui sono presenti flussi d'aria (vento, aria condizionata, ventilatori) che attraversano una superficie isolata. Non lasciarsi ingannare dal fatto che l'area in cui si opera è esposta ad alti livelli di umidità, e prestare sempre attenzione ai problemi di corrosione tra connettori e altre interfacce elettriche.

Fare riferimento al link del sito riportato sotto per ulteriori informazioni sul fenomeno dell'ESD e sui metodi per proteggere gli apparati elettronici.

ESD Association
https://www.esda.org

FAQ: KTC-Gen-ESD

Il termine "non binario" si riferisce ai moduli di memoria prodotti con DRAM di densità di 24Gbit (12GB, 24GB, 48GB, 96GB). La densità dei chip DRAM aumenta ciclicamente per tenere il passo del crescente bisogno di memoria dei sistemi computerizzati. Da sempre la densità cresce raddoppiandosi (ad esempio, da 4Gbit a 8Gbit, da 8Gbit a 16Gbit), ma con l'avvento delle DDR5 si è creata una densità intermedia, da 24Gbit, che fornisce un aumento della capacità, mentre il settore punta alla creazione di DRAM a 32Gbit. Il termine "non binario" esprime la divergenza dalla consuetudine di raddoppiare la densità.

Per aumentare la densità, i produttori di semiconduttori DRAM devono migliorare continuamente la progettazione e ridurre il taglio del wafer di silicio (misurato in nanometri o nm), così da aumentare il numero di celle di memoria, generalmente presenti all'interno dello stesso pacchetto (chip) della generazione precedente. In questo modo, è possibile utilizzare gli stessi modelli di schede a circuiti stampati JEDEC per i moduli di memoria.

FAQ: KTF-001002-001

32Gbit DRAM refers to memory chips with a density of 32 gigabits (Gb). These are planar (non-stacked) chips, that enable high-capacity modules without the use of 3D stacking technologies like Through-Silicon Via (TSV) or Dual-Die Package (DDP). Instead, DRAM semiconductor manufacturers use advanced lithography techniques to fit more memory cells into the same physical chip area. Compared to earlier 16Gbit or 24Gbit DDR5 chips, 32Gbit DRAM significantly increases the capacity of memory modules such as (C)UDIMMs, and (C)SODIMMs, RDIMMs and MRDIMMs. This allows systems to support higher memory capacities using the same form factor, helping reduce reliance on more complex and expensive stacked DRAM solutions.

FAQ: KTF-001002-006

La velocità della memoria in un server dipende da numerosi fattori, quali la CPU, la tipologia di memoria installata ed il voltaggio.

La CPU potrebbe essere in grado di utilizzare solo una certa parte della velocità di memoria - a prescindere da quanta memoria risulti effettivamente installata. Ad esempio, nonostante nel sistema risulti presente una memoria capace di raggiungere 1600MT/s, la CPU potrebbe non essere in grado di superare la velocità di 1333MT/s.

La tipologia di memoria potrebbe influire sulla velocità della memoria, anche al crescere dei moduli installati. Ad esempio, se in un sistema di tipo “triple channel” viene installato un set di 3 moduli, la velocità sarà di 1333MT/s nel caso i moduli siano di tipo “dual/single channel”. Nel caso in cui venga però installato un secondo set di moduli, la velocità verrà ridotta a 1066MT/s. Se il primo set installato è di tipo “quad-channel”, la velocità potrebbe non superare 1066MT/s e ridursi a 800MT/s nel caso di installazione di un secondo set. I moduli “quad-channel” vengono in genere utilizzati perché in genere si tratta di moduli caratterizzati da maggiore capacità. Alcuni sistemi sono compatibili con i moduli DIMM a bassa tensione (LRDIMM). Questo tipo di moduli consente di ottenere velocità e capacità maggiori.

I moduli DIMM a basso voltaggio potrebbero tuttavia funzionare a velocità inferiori rispetto allo stesso numero di moduli DIMM a voltaggio standard. Ad esempio, il sistema potrebbe consentire l’installazione di moduli di memoria da 1,5V con velocità da 1333MT/s. Tuttavia, con i moduli di memoria da 1,35V, la velocità sarebbe di 1066MT/s.

Fare riferimento al manuale della scheda madre o del sistema per informazioni dettagliate relative alla configurazione della memoria.

KTM-060415-SVR-01

FAQ: KTM-060415-SVR-01