Memória de Servidor - Suporte

Não. RAM Registrada e sem Buffer não são compatíveis. Registrada e sem Buffer são duas tecnologias diferentes de memória. Instalar a memória incorreta ou misturar estas duas tecnologias pode causar danos na placa-mãe e/ou no(s) módulo(s) de memória.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Os módulos de memória podem ser feitos de formas diferentes para permitir funções adicionais. Estas funções requerem componentes adicionais.

A memória registrada tem registros ou buffers incluídos no módulo para um melhor fluxo de dados o que aumenta a confiabilidade dos dados. Também permite uma maior escalabilidade da memória (podem ser instaladas maiores quantidades de RAM). Devido a isto, a memória registrada é usada maioritariamente em servidores. Alguns DIMMs registrados possuem uma função de paridade. Isto é usado para a verificação adicional de erros. A placa-mãe do seu computador teria que suportar paridade para que esta função fosse usada. No entanto a memória registrada com paridade pode ser utilizada em sistemas compatíveis apenas com memória registrada. A função de paridade simplesmente não será utilizada. A memória registrada inclui a funcionalidade ECC mas nem todo o ECC é registrado.

A memória completamente agrupada realiza algumas das funções do controlador de memória (um chip que controla o fluxo de dados da RAM) e as coloca no módulo de memória. Isto aumenta, ainda mais, a escalabilidade da memória. Memória completamente com buffer não pode ser usada em um computador que use memória registrada e vise versa. Memória completamente com buffer inclui a funcionalidade ECC mas nem todo o ECC é completamente com buffer.

Memória sem buffer é memória que não inclui quaisquer buffers ou registros. É a memória mais usada geralmente em computadores desktop e notebooks. Não é possível usar memória registrada ou completamente com buffer em um computador que tenha memória sem buffer.

A memória ECC (Código de Correção de Erros) inclui um chip de memória adicional que permite a placa-mãe detectar e corrigir erros isolados. Isto aumenta a confiabilidade dos dados e pode ajudar a identificar um módulo de memória que esteja falhando. Todos os módulos de memória registrados e completamente com buffer incluem também a funcionalidade ECC. No entanto existe também memória sem buffer ECC que é geralmente usada em computadores de estação de trabalho mais avançados. Em alguns casos, é possível usar memória sem buffer ECC em um computador que tenha memória sem buffer mas não possua a funcionalidade ECC. Simplesmente não usará esta funcionalidade da memória.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Peças vendidas em kits (marcadas com "K2" ou "K3" no número de peça, por ex. - KVR400X64C3AK2/2G) são embaladas especificamente para utilização em placas-mãe de Canal Duplo ou Triplo. Apesar da tecnologia de Canal Duplo e Triplo residir na placa-mãe em si (dentro do chipset), os módulos da memória precisam ser instalados aos pares ou conjuntos de três para o modo de Canal Duplo ou Triplo funcionar corretamente. Módulos idênticos embalados em um kit funcionam melhor uma vez que a placa-mãe irá acessar a todos os módulos de memória como uma única localização de memória com uma largura de banda maior. A Kingston sugere a utilização de módulos vendidos em kits para placas-mãe com Canal Duplo ou Triplo ativado.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Um rank de memória é definido como uma área ou bloco de 64 bits (72 bits para CCE) criado usando alguns ou todos os chips de DRAM em uma DIMM. Uma ECC DIMM single-rank (x4 ou x8) usa todos os seus chips DRAM para criar um único bloco de 72 bits, e todos os chips são ativados por um sinal do chip-select do chipset do controlador da memória. Uma ECC DIMM dual-rank gera dois blocos de 72 bit a partir de dois conjuntos de chips DRAM na DIMM, sendo necessários dois sinais do chip-select. Os sinais de chip-select são escalonados de modo que ambos os conjuntos de chips DRAM não tenham que competir pelo barramento da memória ao mesmo tempo.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

Descarga eletrostática (ElectroStatic Discharge, ESD) é simplesmente a descarga da energia estática acumulada. A descarga eletrostática não deve desconsiderada por ser essa uma das poucas coisas que um indivíduo pode fazer para danificar ou destruir seu computador ou componente de hardware. É como esfregar o pé no tapete e tocar em algo de metal. A ESD pode ocorrer sem o usuário sentir um choque e irá ocorrer quando trabalhar somente no interior do computador ou manusear um equipamento.

Como ajudar a evitar a ESD
O melhor método de evitar a ESD é usar uma pulseira ESD ou um tapete ou mesa aterrada. Entretanto, como a maioria dos usuários não têm acesso a esses itens, incluímos os passos abaixo para ajudar a reduzir a eventualidade de ESD o máximo possível.

• Em pé –Recomendamos que você esteja sempre de pé ao trabalhar no computador. Sentar-se em uma cadeira pode gerar mais eletrostática.
• Fios - Certifique-se de que tudo seja removido da parte traseira do computador (fio de energia, mouse, teclado, etc.)
• Roupas - Assegure-se de não usar roupas que conduzem muita Carga Elétrica, como um suéter de lã.
• Acessórios - Para ajudar a reduzir a ESD e ainda evitar outros problemas, também é uma boa ideia remover todas as joias.
• Tempo - Tempestades elétricas podem aumentar o risco de ESD; salvo se absolutamente necessário, tente não trabalhar em um computador durante uma tempestade elétrica. Em áreas muito secas, o próprio ar torna-se parte do mecanismo de acúmulo de eletrostática todas as vezes em que há um fluxo de ar (vento, ar condicionado, soprador de neve) passando sobre uma superfície isolada. Não permita que os níveis de umidade criem uma falsa confiança e cuidado com problemas de corrosão em interconexões e outras interfaces elétricas.

Para saber mais sobre ESD e como proteger seus aparelhos eletrônicos, por favor, consulte o site abaixo.

Associação ESD
https://www.esda.org

FAQ: KTC-Gen-ESD

A memória não binária refere-se a módulos de memória desenvolvidos com DRAM de densidade de 24 Gbit (12 GB, 24 GB, 48 GB, 96 GB). A densidade de chips DRAM aumenta periodicamente para acompanhar a demanda de capacidade de memória para sistemas de computador. Historicamente, a densidade duplica (por exemplo, 4Gbit para 8Gbit, 8Gbit para 16Gbit), no entanto, com a DDR5 há uma densidade intermédia chamada 24Gbit que fornece um aumento de capacidade enquanto a indústria trabalha para criar a DRAM de 32 Gbit. O termo "não binário" vem da divergência de duplicar a densidade.

Para aumentar a densidade, os fabricantes de semicondutores de DRAM devem melhorar continuamente o design e encolher o processo de placas de silício (medido em nanômetros ou nm) para aumentar o número de células de memória, geralmente dentro da mesma embalagem (chip) que a geração anterior. Ao fazer isso, podem ser utilizados os mesmos designs de PCB JEDEC (placa de circuito impresso) para módulos de memória.

FAQ: KTF-001002-001

32Gbit DRAM refers to memory chips with a density of 32 gigabits (Gb). These are planar (non-stacked) chips, that enable high-capacity modules without the use of 3D stacking technologies like Through-Silicon Via (TSV) or Dual-Die Package (DDP). Instead, DRAM semiconductor manufacturers use advanced lithography techniques to fit more memory cells into the same physical chip area. Compared to earlier 16Gbit or 24Gbit DDR5 chips, 32Gbit DRAM significantly increases the capacity of memory modules such as (C)UDIMMs, and (C)SODIMMs, RDIMMs and MRDIMMs. This allows systems to support higher memory capacities using the same form factor, helping reduce reliance on more complex and expensive stacked DRAM solutions.

FAQ: KTF-001002-006

A velocidade de memória em um servidor vai depender de diversos fatores:CPU, o número de ranks de memória instalados e da voltagem.

Sua CPU talvez possa apenas executar memória até uma determinada velocidade, independente da memória que você instalou.Por exemplo, você pode ter 1600MT/s de memória instalada, mas a CPU só é capaz de executar memória a 1333MT/s.

Os ranks de memória podem afetar a velocidade com os módulos adicionais que você instalou.Por exemplo, se você tiver um sistema onde a memória é executada em canal triplo e instalar um conjunto de 3 módulos, ele pode operar a 1333MT/s se eles forem de rank único ou duplo.Mas ao ser instalado um segundo conjunto de módulos, a velocidade é reduzida para 1066MT/s. Se o primeiro conjunto era de rank quádruplo, ele pode operar a 1066MT/s e fazer down-clock para 800MT/s com um segundo conjunto.Módulos de rank quádruplo seriam usados porque normalmente são de maior capacidade.Alguns sistemas são compatíveis com DIMMs de carga reduzida (LRDIMMs). Esses módulos permitem módulos de maior capacidade a velocidades mais altas.

Se você instalar DIMMs de baixa voltagem, eles podem operar a uma velocidade mais baixa do que o mesmo número de DIMMs de voltagem padrão.Por exemplo, é possível instalar dois conjuntos de memória de 1,5V a 1333MT/s. Mas com memória de 1,35V, os módulos irão operar a 1066MT/s.

Consulte o manual do seu sistema ou da placa-mãe para configurações específicas de memória.

KTM-060415-SVR-01

FAQ: KTM-060415-SVR-01