Mémoire serveur - Assistance technique

Non. Il n’est pas possible de combiner différents types de modules. Il convient d’installer uniquement des modules de mémoire présentant une technologie, un type, une vitesse et une capacité identiques. Bien que les technologies de mémoire plus anciennes, comme les barrettes DIMM DDR4 ECC sans tampon et à registres, soient compatibles au niveau des connecteurs, le fait de combiner différents types de barrettes DIMM risque d’empêcher le démarrage du système. Les barrettes DIMM DDR5 à registres et les barrettes DIMM ECC sans tampon ne sont pas interchangeables. Contrairement à la DDR4, ces types de modules présentent des rainures différentes, ce qui rend physiquement impossible l’installation de modules DIMM à registres sur une carte mère conçue pour des modules DIMM sans tampon, et inversement.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Toutes les plateformes DDR5 d’Intel et d’AMD sont compatibles avec la mémoire 24 Gbits. Toutefois, il incombe au fabricant du système/de la carte mère de fournir une mise à jour du BIOS pour les plateformes DDR5 de première génération. Consultez le Configurateur Kingston pour connaître les systèmes dont la compatibilité est confirmée.

FAQ: KTF-001002-002

Pour les modules de mémoire conformes aux normes JEDEC (ValueRAM, Server Premier, non-overclock), il est possible de combiner les banques, mais Kingston déconseille de le faire au sein d’un même groupe de banques. Sur les PC/ordinateurs portables, cette opération désactive l’optimisation de l’architecture des canaux, ce qui oblige la mémoire à fonctionner à la moitié de sa bande passante potentielle. Sur certains systèmes, cette combinaison au sein d’une même banque peut même être interdite par le fabricant.

Sur les serveurs, la combinaison au sein d’un groupe de banques multicanaux n’est pas autorisée. Si vous ajoutez de la mémoire au deuxième groupe de banques, il est toujours recommandé de placer la mémoire de plus grande capacité dans la première banque.

La combinaison de modules ou de kits de mémoire dans un PC/ordinateur portable utilisant de la mémoire overclockable (Kingston FURY) n’est jamais prise en charge.

FAQ: KTF-001002-003

Les modules DIMM à registres (RDIMM) sont un type spécifique de mémoire utilisé par la plupart des serveurs et des stations de travail. La présence d’un composant de registre, également appelé RDC (Registered Clock Driver, pilote d’horloge à registre), est indispensable pour que les serveurs et les plateformes de bureau haut de gamme puissent atteindre des vitesses et des capacités élevées. Il sert de tampon pour assurer la bonne gestion des données traitées entre la DRAM et le processeur. Les modules RDIMM intègrent davantage de puces DRAM par module afin de prendre en charge la correction ECC, indispensable pour garantir la stabilité du système et des performances élevées lors de charges de travail intensives.

L’ECC (Error Correction Code, code de correction d’erreur) est un algorithme qui peut corriger une corruption de données d’un ou plusieurs bits en informatique. Pour la mémoire (RAM), l’ECC est présent dans le contrôleur de mémoire de processeurs de classe serveur ou station de travail. Les modules de mémoire ECC intègrent des composants DRAM supplémentaires afin d’offrir la largeur de données supplémentaire nécessaire au contrôleur de mémoire pour effectuer la détection et la correction des erreurs. Pour les DDR3 et DDR4, ce sont les modules 72 bits (x72) prennent en charge l’ECC, tandis que pour la DDR5, ce sont à la fois les modules 72 bits (x72 ou EC4) et 80 bits (x80 ou EC8).

Les modules de mémoire sans tampon ne comportent ni tampon ni registre supplémentaire, et sont principalement utilisés dans les ordinateurs de bureau et les systèmes mobiles. Pour les DDR5, DDR4 et DDR3, ces modules ont une largeur de 64 bits, ce qui signifie qu’ils ne sont pas ECC, c’est-à-dire qu’ils ne disposent pas de la mémoire DRAM supplémentaire nécessaire pour prendre en charge la fonction ECC. Cependant, les modules sans tampon peuvent être équipés de mémoire DRAM supplémentaire (72 bits) pour prendre en charge la fonction ECC ; on les appelle alors modules DIMM ECC sans tampon ou modules SODIMM ECC.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Les composants vendus en kits (identifiés par « K2 », « K4 » ou « K8 » dans la référence du composant, par ex. KF572RH38RBK8-256) sont spécifiquement préparés pour être utilisés dans des configurations à deux, quatre ou huit canaux. Les stations de travail de bureau et les ordinateurs portables prenant en charge ces configurations sont conçus pour accéder à plusieurs modules de mémoire identiques, afin de cumuler leur bande passante et d’améliorer ainsi les performances. Kingston veille à ce que seuls les modules dotés de composants compatibles soient assemblés dans les kits à deux (K2), quatre (K4) et huit (K8) canaux. Les modules individuels achetés à des moments différents peuvent comporter des composants différents. Même s’il est peu probable que cela pose des problèmes de performances ou de compatibilité, il est recommandé d’acheter systématiquement des kits pour les systèmes multicanaux afin que tous les composants soient identiques.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Un rang de mémoire est un bloc de données de 64 bits situé sur un module de mémoire. Les modules à un, deux, quatre et huit rangs sont des modules physiques uniques comportant un ou plusieurs blocs de données de 64 bits. On les désigne par 1R, 2R, 4R et 8R.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

La DRAM 32 Gbit désigne les puces mémoire d’une densité de 32 gigabits (Gb). Il s’agit de puces planes (non empilées) qui permettent de créer des modules haute capacité sans avoir recours à des technologies d’empilement 3D telles que les interconnexions TSV (Through-Silicon Via) ou les boîtiers DDP (Dual-Die Package). Au lieu de cela, les fabricants de semi-conducteurs DRAM utilisent des techniques de lithographie avancées pour intégrer davantage de cellules mémoire dans la même surface physique de la puce. Par rapport aux puces DDR5 16 Gbit ou 24 Gbit précédentes, la DRAM 32 Gbit augmente considérablement la capacité des modules de mémoire. Cela permet aux systèmes de prendre en charge des capacités mémoire plus élevées tout en conservant le même format, ce qui contribue à réduire la dépendance à l’égard de solutions DRAM empilées plus complexes et plus coûteuses. Les modules de mémoire 32 Gbit sont compatibles avec la plupart des systèmes Intel et AMD, mais une mise à jour du BIOS peut s’avérer nécessaire. Consulte le Configurateur Kingston pour connaître les systèmes dont la compatibilité est confirmée.

FAQ: KTF-001002-006

Une décharge électrostatique (ESD) est la libération de l’électricité statique accumulée. Les précautions liées aux décharges électrostatiques doivent être appliquées avec rigueur. En effet, c’est l’un des risques majeurs de détérioration ou de destruction des composants électroniques ou informatiques.

L’électricité statique se produit naturellement sous l’effet du frottement, par exemple lorsque l’on marche pieds nus sur de la moquette par une journée sèche et venteuse. Lorsque de l’électricité statique s’accumule sur le corps, elle se décharge au contact d’une surface conductrice, comme le métal. Cela comprend les composants électriques conducteurs, tels que les modules de mémoire. Une décharge électrostatique sur un module de mémoire peut passer inaperçue lors de son installation dans un PC, mais elle peut causer de graves dommages aux circuits. Ces dommages peuvent être immédiats ou apparaître au fil du temps.

Prévenir les décharges électrostatiques

La meilleure façon de prévenir les décharges électrostatiques est de se connecter à la terre avant de manipuler des appareils électroniques. On peut également utiliser des équipements de protection ESD, tels qu’un bracelet ESD ou un tapis de mise à la terre, afin de réduire les risques. Les mesures suivantes permettent également de réduire le risque de décharge électrostatique :

Rester debout : il est recommandé de rester debout lorsqu’on manipule des composants à l’intérieur d’un ordinateur. Lorsqu’on est assis sur une chaise, il est fréquent de décoller les pieds du sol, ce qui interrompt le circuit de mise à la terre pour les décharges électrostatiques.

Cordons : tous les cordons et câbles à l’arrière de l’ordinateur (alimentation, souris, claviers, etc.) doivent être débranchés.

Vêtements : il faut éviter de porter de vêtements susceptibles d’accumuler de l’électricité statique, comme un pull en laine.

Accessoires : mieux vaut retirer tous les bijoux, montre, etc. pour réduire les possibilités de décharge électrique ainsi que d’autres risques (pincement, coincement).

Météo : un orage augmente les risques de décharge électrostatique. Sauf en cas de nécessité, mieux vaut éviter de travailler sur un ordinateur pendant un orage. Les environnements très secs et le vent contribuent également à l’accumulation d’électricité statique.

Pour en savoir plus sur les décharges électrostatiques (ESD) et sur la manière de protéger les appareils électroniques, voir le site ci-dessous. Association ESD

FAQ: KTC-Gen-ESD

La mémoire « non binaire » fait référence aux modules de mémoire construits avec de la DRAM de densité 24 Gbits, utilisés pour offrir des capacités de 12 Go, 24 Go, 48 Go et 96 Go. La densité des puces DRAM augmente périodiquement afin de répondre à la demande de capacité de mémoire des systèmes informatiques. Historiquement, la densité double (par ex., de 4 Gbits à 8 Gbits, de 8 Gbits à 16 Gbits), mais avec la DDR5, il existe une densité intermédiaire appelée 24 Gbits. Le terme « non binaire » provient de la divergence de doublement de la densité.

La mémoire « non binaire » fait référence aux modules de mémoire construits avec de la DRAM de densité 24 Gbits, utilisés pour offrir des capacités de 12 Go, 24 Go, 48 Go et 96 Go. La densité des puces DRAM augmente périodiquement afin de répondre à la demande de capacité de mémoire des systèmes informatiques. Historiquement, la densité double (par ex., de 4 Gbits à 8 Gbits, de 8 Gbits à 16 Gbits), mais avec la DDR5, il existe une densité intermédiaire appelée 24 Gbits. Le terme « non binaire » provient de la divergence de doublement de la densité.

FAQ: KTF-001002-001

La vitesse de la mémoire dans les serveurs et les stations de travail dépend principalement du modèle de processeur (CPU) configuré, du chipset et du nombre de modules de mémoire installés par canal. Intel et AMD établissent des directives spécifiques pour chacun de leurs chipsets et processeurs ; il est donc important de respecter leurs règles de chargement de mémoire afin d’optimiser la bande passante et les performances.

Il se peut qu’un processeur ne puisse prendre en charge que des mémoires fonctionnant à une certaine vitesse. Par exemple, si on installe des modules RDIMM DDR5 à 6 400 MT/s avec un ou plusieurs processeurs ne pouvant prendre en charge que des vitesses de mémoire allant jusqu’à 5 600 MT/s, la fréquence de la mémoire sera réduite à 5 600 MT/s. Il arrive parfois que les modules soient contraints de fonctionner à des vitesses encore plus faibles, en fonction des règles de gestion de la charge définies par le fabricant du processeur.

Tout aussi importants que le modèle de processeur, le type de carte mère et le chipset déterminent la vitesse à laquelle fonctionneront les modules de mémoire installés. Un chipset gère les données échangées entre le processeur, la mémoire, le stockage, la carte graphique et d’autres composants intégrés. Chaque chipset est conçu pour faire fonctionner la mémoire à des vitesses spécifiques conformes aux normes de l’industrie. Il arrive parfois qu’Intel et AMD lancent de nouvelles générations de processeurs compatibles avec les chipsets de la génération précédente. En raison des limitations du chipset, cela peut limiter la vitesse de la mémoire, la contraignant à fonctionner à des vitesses inférieures. Pour obtenir de l’aide concernant la configuration de la mémoire, merci de consulter le fabricant du système ou le manuel de la carte mère.

FAQ: KTM-060415-SVR-01

Lors du premier démarrage d’un système DDR5, lorsque la configuration de la mémoire a été modifiée ou lorsque le BIOS/firmware a été mis à jour, un processus appelé « apprentissage de la mémoire » est lancé pendant le POST (Power-On Self-Test).  La formation peut durer de 3 à 5 minutes pour certains PC DDR5, et jusqu'à 15 minutes pour certains serveurs/stations de travail DDR5.  On confond souvent ce phénomène avec un blocage ou un problème du système, en particulier si l’écran reste noir.  En cas d’erreur de mémoire ou de tout autre problème, celui-ci est généralement signalé par des voyants LED ou des codes sur la carte mère, ou par un message d’erreur s’affichant à l’écran.  Si aucune erreur de ce type ne se produit, il est important de laisser le système terminer le processus d’apprentissage de la mémoire.

L’apprentissage de la mémoire est une étape cruciale pour la DDR5, qui nécessite une optimisation entre le contrôleur de mémoire, le BIOS et les composants DRAM.  À défaut, cela pourrait entraîner une instabilité ou des problèmes de performances.  Une fois cet apprentissage terminé, tous les démarrages ultérieurs sont considérablement plus courts.  Nous déconseillons de modifier les paramètres afin de contourner ce processus d’apprentissage.  La durée d’apprentissage peut varier en fonction de la quantité de RAM installée.  Une capacité de mémoire vive (RAM) plus importante implique généralement une période d’apprentissage plus longue.

Une fois l’apprentissage de la mémoire terminé, le système redémarre ou passe au système d’exploitation.

FAQ: KTM-012711-GEN-20