Pamięci serwerowe - Pomoc

Nie. Modułów rejestrowanych i niebuforowanych nie można instalować jednocześnie. W przypadku pamięci rejestrowanej i pamięci niebuforowanej są wykorzystywane różne technologie. Zainstalowanie niewłaściwej pamięci lub połączenie tych technologii może spowodować uszkodzenie płyty głównej i/lub modułów pamięci.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Moduły pamięci różnią się konstrukcją, co umożliwia obsługę dodatkowych funkcji. Funkcje takie wymagają zastosowania określonych komponentów.

Moduł pamięci rejestrowanej obejmuje rejestry lub bufory zapewniające lepszy przepływ danych, co zwiększa niezawodność ich przesyłania. Charakteryzują się one również szerszą skalowalnością (można zainstalować większą ilość pamięci RAM). Ze względu na te cechy pamięć rejestrowana jest używana głównie w serwerach. Niektóre rejestrowane moduły DIMM obejmują funkcję kontroli parzystości. Służy ona jako dodatkowy mechanizm sprawdzania błędów. Aby można było korzystać z funkcji kontroli parzystości, musi ona być obsługiwana przez płytę główną komputera. Pamięć rejestrowaną z kontrolą parzystości można jednak instalować w systemach obsługujących tylko pamięć rejestrowaną. Funkcja kontroli parzystości po prostu nie zostanie użyta. Pamięć rejestrowana obejmuje funkcję ECC, lecz nie wszystkie moduły ECC są rejestrowane.

Pamięć w pełni buforowana przejmuje niektóre funkcje kontrolera pamięci (układu nadzorującego przepływ danych w pamięci RAM), wykonując je na poziomie modułu. Pozwala to jeszcze bardziej zwiększyć jej skalowalność. Pamięci w pełni buforowanej nie można używać na komputerach obsługujących pamięć rejestrowaną (ani odwrotnie). Pamięć w pełni buforowana obejmuje funkcję ECC, lecz nie wszystkie moduły ECC są w pełni buforowane.

Pamięć niebuforowana to pamięć nieobejmująca jakichkolwiek buforów ani rejestrów. Jest to pamięć najpowszechniej używana w komputerach stacjonarnych i przenośnych. W komputerze obsługującym pamięć niebuforowaną nie można zastosować pamięci rejestrowanej lub w pełni buforowanej.

Pamięć ECC (z kodem korekcji błędów, Error Correcting Code) zawiera dodatkowy układ pamięci pozwalający płycie głównej na wykrywanie i korygowanie jednobitowych błędów. Zwiększa to niezawodność przesyłania danych i umożliwia identyfikowanie modułów ulegających awarii. Wszystkie moduły pamięci rejestrowanej i w pełni buforowanej obsługują funkcję ECC. Istnieje również niebuforowana pamięć ECC używana zazwyczaj w wysokiej klasy stacjach roboczych. W niektórych przypadkach można używać niebuforowanej pamięci ECC w komputerze obsługującym pamięć niebuforowaną bez obsługi funkcji ECC. Funkcja ta nie będzie wtedy używana.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Układy sprzedawane w zestawach (wskazywanymi oznaczeniem "K2" lub "K3" w numerze katalogowym, np. KVR400X64C3AK2/2G) są przeznaczone do zastosowania w płytach głównych obsługujących dwa lub trzy kanały pamięci. Mimo że obsługa technologii Dual i Triple Channel spoczywa na płycie głównej (chipsecie), aby funkcja ta działała prawidłowo, moduły pamięci należy instalować parami lub trójkami. Najlepsze wyniki można uzyskać dzięki zastosowaniu identycznych modułów dostarczanych w zestawie, ponieważ płyta główna będzie uzyskiwać dostęp do wszystkich modułów w ramach pojedynczej lokalizacji pamięci o szerszej przepustowości. W przypadku płyt głównych obsługujących technologię Dual lub Triple Channel firma Kingston zaleca instalację modułów sprzedawanych w zestawach.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Rząd pamięci to zdefiniowany obszar lub blok 64 bitów (72 bitów w przypadku układów ECC) utworzony przez określone lub wszystkie układy DRAM pamięci DIMM. Jednorzędowy moduł DIMM ECC (x4 lub x8) korzysta z kompletu układów DRAM w celu utworzenia pojedynczego bloku 72 bitów, a wszystkie układy są uaktywniane sygnałem wyboru jednego układu z poziomu chipsetu kontrolera pamięci. Dwurzędowy moduł DIMM ECC pozwala uzyskać dwa bloki 72-bitowe z dwóch zestawów układów DRAM modułu DIMM, wymagając sygnałów wyboru dwóch układów. Sygnały wyboru układu są odpowiednio rozkładane, aby dwa zestawy układów DRAM nie rywalizowały o użycie magistrali pamięci w tym samym czasie.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

Wyładowanie elektrostatyczne (ElectroStatic Discharge – ESD) jest to wyładowanie nagromadzonych ładunków elektrostatycznych. Wyładowania elektrostatyczne nie powinny być lekceważone, ponieważ jest to jedno z kilku zjawisk mogących skutkować uszkodzeniem lub zniszczeniem posiadanego komputera lub komponentów sprzętowych. Podobna sytuacja ma miejsce w przypadku potarcia stopami o dywan i dotknięcia jakiegoś metalowego przedmiotu. Wyładowanie elektrostatyczne może nastąpić w sposób nieodczuwalny dla użytkownika i będzie mieć miejsce wyłącznie podczas pracy wewnątrz komputera lub podczas manipulowania sprzętem.

Sposoby zapobiegania wyładowaniom elektrostatycznym
Najlepszą metodą zapobiegania wyładowaniom elektrostatycznym jest stosowanie antystatycznej opaski nadgarstkowej albo stolika/maty uziemiającej. Jednakże, ze względu na brak dostępu do tych akcesoriów w przypadku większości użytkowników, zalecamy podjęcie poniższych kroków w celu maksymalnego ograniczenia ryzyka wystąpienia wyładowań elektrostatycznych.

• Pozycja stojąca – zalecamy zachowanie pozycji stojącej przez cały okres wykonywania pracy nad komputerem. Pozycja siedząca może powodować wytwarzanie większej liczby ładunków elektrostatycznych.
• Przewody – należy upewnić się, że wszystkie przewody zostały usunięte z tylnej części komputera (przewód zasilania, myszki, klawiatury itd.).
• Ubiór – nie należy ubierać odzieży o zwiększonej przewodności ładunków elektrostatycznych, np. wełniany sweter.
• Dodatki – w celu zmniejszenia ryzyka wyładowań elektrostatycznych i zapobiegnięcia innym problemom należy zdjąć całą biżuterię.
• Pogoda – burze mogą zwiększać ryzyko wyładowań elektrostatycznych; jeżeli nie jest to absolutnie niezbędne, to należy unikać korzystania z komputera podczas burzy. W bardzo suchych miejscach samo powietrze staje się częścią mechanizmu nagromadzania ładunków elektrostatycznych poprzez przepływ powietrza nad powierzchnią izolowaną (wiatr, klimatyzator, dmuchawa). Nie należy polegać na pomiarze wilgotności powietrza, a ponadto należy zachować ostrożność względem problemów z korozją w połączeniach sprzęgających i innych złączach elektrycznych.

Informacje szczegółowe o wyładowaniach elektrostatycznych i sposobach zabezpieczania sprzętu elektronicznego są dostępne w poniższej witrynie.

ESD Association
https://www.esda.org

FAQ: KTC-Gen-ESD

Określenie „pamięć niebinarna” odnosi się do modułów pamięci zbudowanych z układów pamięci DRAM o gęstości 24Gbit (12GB, 24GB, 48GB, 96GB). Gęstość układów DRAM jest zwiększana okresowo, aby nadążać za zapotrzebowaniem systemów komputerowych na pojemność pamięci. Dotychczas gęstość podwajała się (np. z 4Gbit do 8Gbit, z 8Gbit do 16Gbit), jednak w przypadku pamięci DDR5 powstała gęstość pośrednia 24Gbit, która zapewnia wzrost pojemności, podczas gdy branża pracuje nad stworzeniem pamięci DRAM o gęstości 32Gbit. Termin „niebinarny” jest związany z odstępstwem od praktyki podwajania gęstości.

W celu zwiększenia gęstości producenci półprzewodników do modułów pamięci DRAM muszą stale ulepszać proces wytwarzania płytek krzemowych (o grubości mierzonej w nanometrach), aby zwiększyć liczbę komórek pamięci upakowanych w chipach tej samej wielkości co chipy poprzedniej generacji. Pozwala to wykorzystać do produkcji modułów pamięci płytki PCB (płytki drukowane) o takiej samej konstrukcji, zgodnej ze standardem JEDEC.

FAQ: KTF-001002-001

32Gbit DRAM refers to memory chips with a density of 32 gigabits (Gb). These are planar (non-stacked) chips, that enable high-capacity modules without the use of 3D stacking technologies like Through-Silicon Via (TSV) or Dual-Die Package (DDP). Instead, DRAM semiconductor manufacturers use advanced lithography techniques to fit more memory cells into the same physical chip area. Compared to earlier 16Gbit or 24Gbit DDR5 chips, 32Gbit DRAM significantly increases the capacity of memory modules such as (C)UDIMMs, and (C)SODIMMs, RDIMMs and MRDIMMs. This allows systems to support higher memory capacities using the same form factor, helping reduce reliance on more complex and expensive stacked DRAM solutions.

FAQ: KTF-001002-006

Prędkość pracy pamięci serwera zależy od kilku czynników: procesora, liczby szeregów zainstalowanej pamięci oraz napięcia.

Procesor serwera może obsługiwać pamięć tylko z określoną prędkością, niezależnie od parametrów zainstalowanej pamięci. Na przykład prędkość zainstalowanej pamięci może wynosić 1600MT/s, ale procesor potrafi współpracować wyłącznie z pamięcią 1333MT/s.

Szeregi pamięci mogą wpływać na prędkość wraz ze wzrostem liczby zainstalowanych modułów. Jeśli na przykład system pracuje z pamięcią w trzech kanałach, po instalacji zestawu 3 modułów prędkość może być równa 1333MT/s, jeśli są to moduły jedno- lub dwu- szeregowe. Jednak po zainstalowaniu kolejnego zestawu modułów prędkość spada do 1066MT/s. Jeśli pierwszy zestaw jest czteroszeregowy, może pracować wyłącznie z prędkością 1066MT/s, która zostaje obniżona do 800MT/s po zainstalowaniu drugiego zestawu. Moduły czteroszeregowe stosuje się zazwyczaj ze względu na ich wyższą pojemność. Niektóre systemy obsługują moduły DIMM o obniżonym obciążeniu (Load-Reduced DIMM – LRDIMM). Takie moduły oferują wyższe pojemności i prędkość pracy.

Niskonapięciowe moduły DIMM mogą pracować z niższą prędkością niż ta sama liczba modułów DIMM wymagających standardowego napięcia. Na przykład może być możliwa instalacja dwóch zestawów pamięci 1333MT/s wymagających napięcia 1,5 V. Jednak moduły pobierające prąd o napięciu 1,35 V pracować będą z prędkością 1066MT/s.

Szczegółowe informacje na temat konfiguracji pamięci zawiera podręcznik użytkownika systemu lub płyty głównej.

KTM-060415-SVR-01

FAQ: KTM-060415-SVR-01