伺服器記憶體 - 技術支援

不行。暫存器型 RAM 與無緩衝 RAM 不能同時存在。 「暫存器型」與「無緩衝」是兩種不同的記憶體技術。 若安裝錯誤的記憶體或將這些技術混合使用，可能會對主機板和/或記憶體模組造成損害。

FAQ: KTM-021011-GEN-15

為了獲得額外的功能，可透過不同的方式來製造記憶體模組。 而這些功能需要額外的元件。

暫存器型記憶體在模組中含有暫存器或緩衝器，以讓資料的流動性更佳，增加資料的可靠性。 也會實現更大的記憶體擴充能力 (能安裝更大量的 RAM)。 因此，暫存器型記憶體主要用於伺服器中。 一些暫存式 DIMM 隨附了同位功能。 此功能是用來進行額外的錯誤檢查。 如果要使用此功能，電腦主機板將必須支援同位功能。 不過同位暫存器型記憶體，可用於僅接受暫存器型記憶體的系統， 只是無法使用同位功能罷了。 暫存器型記憶體內含 ECC 功能，但不是所有的 ECC 皆為暫存式。

全緩衝記憶體會取用記憶體控制器 (控制 RAM 資料流動的晶片) 的一些功能，並在記憶體模組上使用此控制器。 如此能進一步增加記憶體的擴充能力。 全緩衝記憶體無法用於接受暫存器型記憶體的電腦，反之亦然。 全緩衝記憶體內含 ECC 功能，但不是所有的 ECC 皆為全緩衝式。

無緩衝記憶體是不包含任何緩衝器或暫存器的記憶體， 這種記憶體最普遍用於桌上型電腦和筆記型電腦。 無法在接受無緩衝記憶體的電腦中，使用暫存器型記憶體或全緩衝記憶體。

ECC (錯誤校正碼) 記憶體包含一片額外的記憶體晶片，能讓主機板偵測並修正一位元錯誤。 如此能增加資料可靠性，並協助辨別故障的記憶體模組。 所有的暫存器型和全緩衝記憶體模組也都包含 ECC 功能。 不過還有 ECC 無緩衝記憶體，它通常用於較高階的工作站電腦中。 在一些情況下，可在接受無緩衝記憶體但無 ECC 功能的電腦中，使用 ECC 無緩衝記憶體， 只是無法使用此 ECC 記憶體功能罷了。

FAQ: KTM-012711-GEN-03

套件中所銷售的零件 (在零件號碼中以「K2」或「K3」表示，例如 KVR400X64C3AK2/2G)，是特別為了用於雙通道或三通道主機板而包裝於套件中的。 雖然雙通道及三通道技術存在於主機板本身 (在晶片組內)，但要讓雙通道或三通道模式正常作用，必須以成對或三個一組的方式來安裝記憶體模組。 包裝於同一個套件中的相同模組，能發揮最佳的效用，因為主機板會在一個頻寬較大的記憶體位置，存取所有的記憶體模組。 Kingston 建議您替啟用雙通道或三通道功能的主機板，採用在套件中銷售的模組。

FAQ: KTM-020911-GEN-19

記憶體顆粒分區可定義為 64 位元 (ECC 為 72 位元) 的一個區域或區塊，是利用 DIMM 上部分或所有的 DRAM 晶片建立而成的。 單面 ECC DIMM (x4 或 x8) 會使用所有的 DRAM 晶片來建立 72 位元的單一區塊，而所有晶片是由記憶體控制器晶片組的晶片選擇訊號來啟動的。 雙面 ECC DIMM 會從 DIMM 上的兩組 DRAM 晶片產生兩個 72 位元的區塊，並需要兩個晶片選擇訊號。 晶片選擇訊號會錯開，讓這兩組 DRAM 晶片不會同時爭奪記憶體匯流排。

FAQ: KTM-021011-KVR-02

靜電放電 (ESD) 簡單來說就是放出已積蓄的靜電荷。 不可輕忽靜電放電，因為它是電腦或硬體零件遭到個人損壞的少數原因之一。 它的效果就好像您用腳摩擦地毯，再以腳碰金屬物一樣。 發生靜電放電時，使用者不一定會感受到觸電，而且只會在處理電腦內部或硬體時才會發生。

如何有助於防止靜電放電
預防靜電放電最好的方法，就是使用防靜電放電腕帶或接地墊或接地桌。 然而，由於許多使用者並沒辦法取得這些東西，我們另外附以下步驟，以有助於盡量減少靜電放電發生的機會。

• 站立 - 我們建議您在處理電腦時隨時保持站姿。坐在椅子上會積蓄更多靜電荷。
• 電線 - 確保電腦後所有東西已清空 (電源線、滑鼠、鍵盤等)。
• 衣服 - 確保身上不穿著能夠傳導大量電荷的衣物，如毛線衣。
• 裝飾物 - 取下所有珠寶、首飾，也可有助於減少靜電放電並預防其他問題。
• 天氣 - 電風暴會增加靜電放電的風險；除非絕對必要，否則避免在電風暴發生時操作電腦。 在非常乾燥的環境中，每當絕緣表面上有空氣流過 (風、空調、吹風機)，空氣本身就成為電荷積蓄之機制的一部份。 別因為高濕度就以為會沒事，並留意互聯接頭與其他電氣介面的腐蝕問題。

如欲更了解靜電放電詳情，以及如何保護您的電子產品，請參考以下網站。

靜電放電協會
https://www.esda.org

FAQ: KTC-Gen-ESD

「非二進制」記憶體是指採用 24Gbit 密度 DRAM (12GB、24GB、48GB、96GB) 建構的記憶體模組。每隔一段時間 DRAM 晶片的密度就會提升，以滿足電腦系統的記憶體容量需求。從歷史上看，密度會翻倍 (例如，4Gbit 到 8Gbit、8Gbit 到 16Gbit)，但對於 DDR5，有一種稱為 24Gbit 的中間密度，可以在業界致力於做出 32Gbit DRAM 的同時，提供增加容量。「非二進制」一詞是指密度翻倍的另一條岔路。

為了提高密度，DRAM 半導體製造商必須不斷改良設計，通常是在與前一代產品具有相同的封裝晶片所佔用的空間內，縮小以奈米 (nm) 為衡量單位的矽晶圓製程，以增加儲存單元的數量。這樣一來，就能將相同的 JEDEC PCB (印刷電路板) 設計用於記憶體模組中。

FAQ: KTF-001002-001

32Gbit DRAM refers to memory chips with a density of 32 gigabits (Gb). These are planar (non-stacked) chips, that enable high-capacity modules without the use of 3D stacking technologies like Through-Silicon Via (TSV) or Dual-Die Package (DDP). Instead, DRAM semiconductor manufacturers use advanced lithography techniques to fit more memory cells into the same physical chip area. Compared to earlier 16Gbit or 24Gbit DDR5 chips, 32Gbit DRAM significantly increases the capacity of memory modules such as (C)UDIMMs, and (C)SODIMMs, RDIMMs and MRDIMMs. This allows systems to support higher memory capacities using the same form factor, helping reduce reliance on more complex and expensive stacked DRAM solutions.

FAQ: KTF-001002-006

伺服器中的記憶體速度取決於數個因素：CPU、安裝的記憶體 Rank 數和電壓。

您的 CPU 都只能讓記憶體執行到特定速度，無論安裝的記憶體為何。舉例來說，您可能安裝了 1600MT/s 記憶體，但 CPU 只能以 1333MT/s 的速度執行記憶體。

記憶體 Rank 會利用您已經安裝的更多模組數量來影響速度。例如，如果您的系統能以三通道執行且安裝一組 3 個模組，則如果是單一或雙重 Rank，就能以 1333MT/s 的速度執行。但如果安裝第二組的模組，速度便會降低為 1066MT/s。如果第一組是 Quad-Rank，則只會以 1066MT/s 速度執行並利用第二組將速度強迫向下調整至 800MT/s。可能會使用 Quad-Rank 模組，因為這會使用較高容量。某些系統與 Load-Reduced DIMM (LRDIMM) 相容。這些模組可讓較高容量模組以較高速度執行。

如果您安裝的是低電壓 DIMM，則能以低於相同數量之標準 DIMM 的速度執行。例如，您能以 1333MT/s 的速度執行兩組 1.5V 記憶體。但搭配 1.35V 記憶體，模組則會以 1066MT/s 的速度執行。

請參閱系統或主機板手冊以瞭解特定記憶體設定。

KTM-060415-SVR-01

FAQ: KTM-060415-SVR-01