伺服器記憶體 - 技術支援

不可以。不支援混用不同類型的記憶體模組。只能安裝相同的記憶體技術、模組類型、速度和儲存容量。例如 DDR4 ECC Unbuffered 記憶體和 Registered DIMM 等傳統記憶體技術，雖然插槽相容，但混用不同 DIMM 類型很可能導致無法開機。DDR5 Registered DIMM 與 ECC Unbuffered DIMM 不能互換使用。與 DDR4 不同，這些模組具有不同的防呆缺口，因此實際上無法將 Registered DIMM 插入只支援 Unbuffered DIMM 的主機板，反之亦然。

FAQ: KTM-021011-GEN-15

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Intel 和 AMD 的所有 DDR5 平台均已支援 24Gbit 記憶體， 但是，是否在第一代 DDR5 平台上提供 BIOS 更新，則根據系統/主機板製造商而有所不同。使用 Kingston 產品搜尋器檢查哪些系統已確認相容。

FAQ: KTF-001002-002

對於 JEDEC 規範的 (產業標準) 記憶體模組 (ValueRAM、Server Premier、非超頻)，可以混用這些規格的記憶體，但 Kingston 不建議在同一 bank 群組中混用記憶體。在電腦/筆記型電腦中混用記憶體會停用通道架構最佳化，迫使記憶體可能僅以一半的頻寬執行作業。在某些系統上，製造商甚至不允許在同一 bank 中混用。

在伺服器上，也不允許在多通道 bank 中混用。如果在第二組 bank 群組中新增記憶體，建議務必將容量較高的記憶體放入第一組 bank。

此外並不支援在 PC/筆記型電腦中使用可超頻記憶體 (Kingston FURY) 混用記憶體模組或套件。

FAQ: KTF-001002-003

Registered DIMMs (RDIMM) 是一種記憶體類型，多數伺服器與工作站都會使用。擁有暫存器元件 (也稱為 Registered Clock Driver，RCD) 對伺服器和高階桌上型平台達到高速度和大儲存容量來說十分重要。它是作為緩衝區，用來正確管理 DRAM 與 CPU 之間的資料傳輸。RDIMM 每個模組通常配備更多 DRAM 晶片來支援 ECC，確保系統在高負載下仍維持穩定性和高效能。

錯誤更正碼 (ECC) 是指一種演算法，能校正運算中單位元和多位元資料損壞。對於記憶體 (RAM) 而言，這種記憶體控制器的 ECC 功能用於伺服器或工作站等級的處理器。ECC 記憶體模組具有額外的 DRAM 元件，以提供記憶體控制器需要執行錯誤檢測和校正用的額外資料頻寬。對於 DDR3 和 DDR4，72 位元 (x72) 模組支援 ECC；而對於 DDR5，72 位元 (x72 或 EC4) 和 80 位元 (x80 或 EC8) 模組都支援 ECC。

Unbuffered 記憶體模組不具有額外的緩衝區或暫存器，主要用於桌上型電腦和行動裝置系統。在 DDR5、DDR4 與 DDR3 中，這類模組是 64 位元寬，表示通常為非 ECC，或未配置支援 ECC 的額外 DRAM。但 Unbuffered 模組也可以加入額外的 DRAM (72 位元) 來支援 ECC，這類稱為 ECC Unbuffered DIMM 或 ECC SODIMM。

FAQ: KTM-012711-GEN-03

以套組形式出售的零件 (型號中標示「K2」、「K4」或「K8」，例如 KF572RH38RBK8-256) 採用雙通道、四通道或八通道配置封裝。支援這些配置的桌上型工作站和筆記型電腦，會同時使用多條相同記憶體，以整合頻寬提升效能。Kingston 會確保 K2、K4、K8 套組內的模組皆為相同零件配置。在不同時間單獨購買的單一模組可能使用不同的零件。雖然通常不會造成效能或相容性問題，但仍建議多通道系統直接購買套裝，以確保所有零件一致。

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Rank 是記憶體模組中 64 位元寬的資料區塊。單 Rank、雙 Rank、四 Rank 和八 Rank 模組是單一實體模組內具有一個或多個 64 位元寬資料區塊。它們分別標示為 1R、2R、4R、8R。

FAQ: KTM-021011-KVR-02

32Gbit DRAM 是指密度為 32 Gigabit (Gb) 的記憶體晶片。這些是平面設計 (非堆疊設計) 晶片，可在不使用矽穿孔 (TSV) 或雙晶粒封裝 (DDP) 等 3D 堆疊技術的情況下實現高容量模組。相反地，DRAM 半導體製造商採用先進的微影技術，在相同的實際晶片面積內容納更多記憶體單元。與早期的 16Gbit 或 24Gbit DDR5 晶片相比，32Gbit DRAM 可大幅增加記憶體模組的容量。這可讓系統在維持相同外觀尺寸的前提下支援更高記憶體儲存容量，有助於減少對更複雜昂貴之堆疊式 DRAM 解決方案的依賴。32Gbit 記憶體模組與大多數 Intel 和 AMD 系統相容，但可能需要升級 BIOS。使用 Kingston 產品搜尋器檢查哪些系統已確認相容。

FAQ: KTF-001002-006

靜電放電 (ESD) 是累積靜電釋放的現象。ESD 不可輕忽，因為這是少數可能直接損壞或毀壞電子元件的原因之一。

靜電會因摩擦自然產生，例如在乾燥有風的天氣踩在地毯上行走時。當人體累積靜電並接觸金屬等導電物時，就會放電。這也包含記憶體模組等導電電子元件。ESD 放電到記憶體時，在安裝到 PC 的過程中可能無明顯感覺，但仍可能對電路造成嚴重損害。損害可能立即發生，也可能在之後逐漸顯現。

如何預防 ESD

預防 ESD 最佳方法是在接觸電子產品前先讓自己接地。您也可以使用防靜電設備，例如防靜電手環或接地墊，以減少 ESD 發生的機會。以下步驟也助於減少發生 ESD 的機會：

站立 - 建議在處理電腦內部零件時站著。當坐在椅子上時，人們通常會抬腳，這會中斷接地路徑。

線材 - 確保拔除電腦後方所有線材 (電源線、滑鼠、鍵盤等)。

衣服 - 避免穿著容易產生靜電的衣物，例如羊毛毛衣。

配件 - 另一個最佳作法是摘下所有珠寶配件，有助於降低靜電與其他可能風險。

天氣 - 雷雨天會增加靜電風險，非必要不要在雷雨時處理電腦組裝。非常乾燥與有風的環境也會增加靜電積聚。

若要了解更多 ESD 與電子保護方式，請參考以下網站。 ESD 協會

FAQ: KTC-Gen-ESD

「非二進制」記憶體是指採用 24Gbit 密度 DRAM 製作的記憶體模組，可組成 12GB、24GB、48GB 和 96GB 儲存容量。每隔一段時間 DRAM 晶片的密度就會提升，以滿足電腦系統的記憶體容量需求。從歷史上看，密度至今是翻倍的 (例如 4Gbit 到 8Gbit、8Gbit 到 16Gbit)，但在 DDR5 中出現了中間規格密度 24Gbit。「非二進制」一詞來自於不再僅遵循倍增密度的發展方式。

為了提高密度，DRAM 半導體製造商必須不斷改良設計，通常是在與前一代產品具有相同的封裝晶片所佔用的空間內，縮小以奈米 (nm) 為衡量單位的矽晶圓製程，以增加儲存單元的數量。這樣一來，就能將相同的 JEDEC PCB (印刷電路板) 設計用於記憶體模組中。

FAQ: KTF-001002-001

伺服器和工作站中的記憶體速度主要取決於配置的處理器 (CPU) 型號、晶片組以及每個通道安裝的記憶體模組數量。Intel 和 AMD 針對其每個不同晶片組與處理器都有記憶體配置規則，必須遵守規則才能最大化頻寬與效能。

CPU 可能只支援到某個記憶體速度上限。例如，將 DDR5 6400MT/s RDIMM 與僅能支援 5600MT/s 記憶體速度的處理器搭配安裝，記憶體將降頻至 5600MT/s。有時，模組甚至會因 CPU 記憶體配置規則而降到更低速度執行。

與處理器型號同樣重要的是，主機板與晶片組的類型同樣決定記憶體執行速度。晶片組管理 CPU、記憶體、儲存裝置、圖形顯示和其他整合元件之間的資料。每個晶片組都有其設計的標準記憶體執行速度。有時 Intel 與 AMD 新一代 CPU 可以安裝在上一代晶片組上。但因晶片組限制，記憶體速度可能被限制以較低的速度執行。請參閱系統製造商或主機板手冊，以取得設定正確記憶體配置的協助。

FAQ: KTM-060415-SVR-01

當 DDR5 系統第一次開機、變更記憶體組態或更新 BIOS/韌體時，將在開機自我檢測 (POST) 期間啟動名為「記憶體訓練」的流程。  有些 DDR5 電腦可能需要 3 到 5 分鐘來完成訓練，有些 DDR5 伺服器/工作站系統可能需要長達 15 分鐘才能完成。  這個流程常被誤認為系統當機或故障，特別是螢幕一直顯示空白畫面時。  如果記憶體出現錯誤或其他問題，通常可從主機板上的 LED 燈或錯誤碼看出，或者在螢幕上顯示錯誤訊息。  若未出現這類錯誤，請務必讓系統完成記憶體訓練。

記憶體訓練對 DDR5 而言是相當重要的步驟，目的是最佳化記憶體控制器、BIOS 和 DRAM 元件之間的運作情況。  未完成訓練可能導致系統不穩定或效能問題。  一旦訓練完成，之後每次開機時間將會大幅縮短。  我們不建議以任何方式變更設定來跳過訓練。  訓練時間可能因系統內安裝的 RAM 容量而有所不同。  安裝的 RAM 容量越大，記憶體訓練所需時間通常也越長。

在記憶體訓練完成後，系統將重新開機或直接進入作業系統。

FAQ: KTM-012711-GEN-20