Kingston 메모리 부품 번호 디코더

사양별로 모듈을 식별하는 데 도움이 되는 Kingston^® 메모리 부품 번호 Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^®, DDR5, DDR4 및 DDR3 메모리 제품 라인 포함)를 읽는 방법을 알아보십시오.

부품 번호: KF560C36BBE2AK2-32

KF = 제품군

KF – Kingston FURY

5 = 기술

5 – DDR5

60 = 속도 (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400
88 – 8800

C = 모듈 유형

C – UDIMM (비 ECC 언버퍼)
S – SODIMM (비 ECC 언버퍼)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (비 ECC 클럭 언버퍼)

36 = CAS 지연 시간

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40
42 – CL42

B = 시리즈

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = 히트 스프레더

B – 검정색
S – 검은색 및 은색
W – 흰색 또는 흰색 및 은색

E = 프로파일 유형

공백 - Intel XMP / 플러그 앤 플레이 / AMD EXPO & Intel XMP
E - AMD EXPO & Intel XMP

2 = 차 수정

공백 – 1차 수정
2 – 2차 수정
3 – 3차 수정

A = RGB

공백 - 비 RGB
A – RGB

K2 = 키트 + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 – 2개 모듈의 키트
K4 - 모듈 4개의 키트
K8 - 모듈 8개의 키트

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = 제품군

KSM - Kingston Server Premier

56 = 속도 (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = 모듈 유형

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
T – EC4 CSODIMM (x72)

46B = CAS 지연 시간

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = 등급

S – 싱글
D – 듀얼
Q – 쿼드

4 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8

P = PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
공백 – 잠금 해제됨

M = SPD 허브

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
공백 – 잠금 해제됨

I = 열 센서

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
공백 – 잠금 해제됨

64 = 총 용량

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = DRAM 제조업체

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
C – C 다이
D – D 다이
E – E 다이
M – M 다이

I = 레지스터

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
공백 – 잠금 해제됨

부품 번호: KVR56U46BD8-32

KVR = 제품군

KVR – Kingston ValueRAM

56 = 속도 (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

U = 모듈 유형

U – DIMM (비ECC 언버퍼)
S – SODIMM (비ECC 언버퍼)
A – CUDIMM (비 ECC 클럭 언버퍼)
V – CSODIMM (비 ECC 클럭 언버퍼)

46B = CAS 지연 시간

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크

8 = DRAM 유형

8 – x8
6 – x16

K2 = 키트 + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 – 2개 모듈의 키트
K4 – 4개 모듈의 키트

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB

X = 사용자 정의

공백 – 표준 팩
BK – 벌크 팩

부품 번호: KF432C16BB12AK2/32

KF = 제품군

KF - Kingston FURY

4 = 기술

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = 속도 (MT/s)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = 모듈 유형

C – UDIMM(비 ECC 언버퍼)
S – SODIMM(비 ECC 언버퍼)

16 = CAS 지연 시간

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = 시리즈

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = 히트 스프레더

공백 - 파란색
B - 검정색
R - 빨간색
W – 흰색

1 = 16GB 모듈 구성

공백 – 2Gx8
영형의 1 – 1Gx8

2 = 수정

공백 - 1차 수정
2 - 2차 수정
3 - 3차 수정
4 – 4차 개정

A = RGB

공백 - 비 RGB
A - RGB

K2 = 키트 + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 - 모듈 2개의 키트
K4 - 모듈 4개의 키트
K8 - 모듈 8개의 키트

32 = 총 용량

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

부품 번호: KSM32RD4/32HDR

KSM = 제품군

KSM: Kingston Server Premier

32 = 속도 (MT/s)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = 모듈 유형

E – UDIMM (ECC 언버퍼)
SE – SODIMM (ECC 언버퍼)
R – RDIMM (ECC 레지스터드 DIMM)
L – LRDIMM (부하 절감 DIMM)

D = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크
Q – 쿼드 랭크

4 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8

L = 프로파일

L – 초저 프로파일(VLP)

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = DRAM 제조업체

H – SK 하이닉스
M – Micron
S – 삼성

D = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
C – C 다이
D – D 다이
E – E 다이

R = 제조업체 등록

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
공백 – 잠금 해제됨

부품 번호: KVR32N22D8/32

KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

21 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = 모듈 유형

N – DIMM (비ECC 언버퍼)
S – SODIMM (비ECC 언버퍼)
E – UDIMM (ECC 언버퍼)
S – SODIMM(ECC 언버퍼)
R – RDIMM (ECC 레지스터드 DIMM)
L – LRDIMM (부하 절감 DIMM)

22 = CAS 지연 시간

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크
Q – 쿼드 랭크

8 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = 프로파일

공백 – 모든 높이
L – 18.75mm (VLP)

K2 = Kit + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 – 2개 모듈 키트
K3 – 3개 모듈 키트

32 = 용량

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = DRAM 제조업체

H – SK 하이닉스
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = 수정

B – 수정

I = Intel 인증

I – Intel 인증

부품 번호: CBD56S46BD8HA-32

CBD = 제품군

CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈

56 = 속도(MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = 모듈 유형

U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)
A – CUDIMM(비 ECC 클럭 언버퍼)
V – CSODIMM(비 ECC 클럭 언버퍼)

46B = CAS 지연 시간

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = 등급

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크

8 = DRAM 유형

8 – x8
6 – x16

H = DRAM 제조업체

H – SK 하이닉스
M – Micron
S – 삼성

A = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
M – M 다이

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB

부품 번호: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = 제품군

CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈

32 = 속도(MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = 기술

D4 – DDR4

U = 모듈 유형

U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)

2 = CAS 지연 시간

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = 등급

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크

8 = DRAM 제조업체

8 – x8
1 – x16

H = 記憶體製造商

H – SK 하이닉스
M – Micron
S – 삼성
N – Nanya
K – Kingston

D = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
C – C 다이
D – D 다이
E – E 다이
F – F 다이
H – H 다이
J – J 다이
R – R 다이

V = PCB 유형

Black – 플래시 골드
H – 하드 골드
V – 초저 프로파일

16 = 총 용량

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

부품 번호: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = 제품군

CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈

16 = 속도 (MT/s)

16 – 1600

D3L = 기술

D3 – DDR3 (1.5V)
D3L – DDR3L(1.35V/1.5V)

F = DRAM 유형

Blank – x8
F – x16

U = 모듈 유형

U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)

1 = CAS 지연 시간

1 – CL11-11-11

K = DRAM 제조업체

S – 삼성
K – Kingston

B = DRAM 다이 수정

B – B 다이
D – D 다이
E – E 다이

G = PCB 유형

L – 초저 프로파일
G – 그린(RoHS 컴플라이언트)
H – 하드 골드

2G = 총 용량

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

부품 번호: KVR16LN11/8

KVR = 제품군

KVR – Kingston ValueRAM

16 = 속도 (MT/s)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = 저전압

공백 – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

N = 모듈 유형

N – DIMM(비ECC 언버퍼)
S – SODIMM(비ECC 언버퍼)
E – ECC UDIMM(ECC 언버퍼)
SE – SODIMM(ECC 언버퍼)
R – RDIMM(ECC 레지스터드 DIMM)
L – LRDIMM(부하 절감 DIMM)

11 = CAS 지연 시간

11 – CL11-11-11

S = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크
Q – 쿼드 랭크

8 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8

L = 프로파일

블랭크 - 18.75mm 또는 30mm
L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = 키트 + 개수

블랭크 - 단일 모듈
K2 – 2개 모듈 키트
K3 – 3개 모듈 키트
K4 – 4개 모듈 키트

8 = 용량

4 – 4GB
8 – 8GB
12 – 12GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB

H = DRAM 제조업체/인증

H – SK 하이닉스
E – Elpida
I – Intel 인증

B = 다이 수정

B – 다이 수정

지연 시간

아래의 정보는 최적의 성능을 위해 마더보드 BIOS에서 메모리 타이밍을 설정할 때 조정할 수 있는 다양한 설정을 적절하게 설명합니다. 이러한 설정은 마더보드 제조업체/모델 또는 BIOS 펌웨어 버전에 따라 다를 수 있습니다.

샘플

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

CAS 지연 시간(CL): 행 활성화 후 행을 읽을 때까지의 지연.

RAS to CAS(RAS 대 CAS) 또는 RAS to Column Delay(RAS 대 열 간 지연)(tRCD): 행을 활성화합니다

Row Precharge Delay(행 프리차지 지연) 또는 RAS Precharge Delay(RAS 프리차지 지연)(tRP/tRCP): 행을 비활성화합니다

Row Active Delay(행 활성 지연) 또는 RAS Active Delay(RAS 활성 지연) 또는 준비 시간 (tRA/tRD/tRAS): 행 활성화/비활성화 사이의 클럭 사이클 수입니다.

책임 부인: 모든 Kingston 제품은 발표한 사양을 충족하도록 테스트를 거칩니다. 일부 시스템 또는 마더보드 구성은 발표된 Kingston 메모리 속도와 타이밍 설정으로 작동하지 않을 수 있습니다. Kingston은 사용자가 발표한 속도 이상으로 컴퓨터 실행을 시도하는 것을 권장하지 않습니다. 오버클로킹하거나 시스템 타이밍을 수정하면 컴퓨터 구성부품이 손상될 수 있습니다.

Kingston 메모리 부품 번호 디코더

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 부품 번호 디코더

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR5

Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR4

Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR3

DDR3

지연 시간

샘플

리소스