面向设备制造商的嵌入式 DRAM 组件

金士顿 DRAM 组件旨在满足嵌入式设备的需求，并提供低电压型号，减少功耗。

标准产品型号和规格

DDR3/DDR3L 内存光纤光栅商用温度

产品型号	存储容量	描述	封装尺寸	VDD, VDDQ	工作温度
D1216ECMDXGJD	2Gb	96 球 128Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x13.5x1.2	1.35V¹	0°C ~ +95°C
D2568ECMDPGJD	2Gb	78 球 256Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x10.6x1.2	1.35V¹	0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJD	4Gb	96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x13.5x1.2	1.35V¹	0°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJD	4Gb	78 球 512Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x10.6x1.2	1.35V¹	0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGME	4Gb	96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 2133Mbps	7.5x13.5x1.2	1.35V¹	0°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJD	8Gb	96 球 512Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps	9x13.5x1.2	1.35V¹	0°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L 内存光纤光栅工业温度

产品型号	存储容量	描述	封装尺寸	VDD, VDDQ	工作温度
D1216ECMDXGJDI	2Gb	96 球 128Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x13.5x1.2	1.35V¹	-40°C ~ +95°C
D2568ECMDPGJDI	2Gb	78 球 256Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x10.6x1.2	1.35V¹	-40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJDI	4Gb	96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x13.5x1.2	1.35V¹	-40°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJDI	4Gb	78 球 512Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps	7.5x10.6x1.2	1.35V¹	-40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGMEI	4Gb	96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 2133Mbps	7.5x13.5x1.2	1.35V¹	-40°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJDI	8Gb	96 球 512Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps	9x13.5x1.2	1.35V¹	-40°C ~ +95°C

DDR4 光纤光栅商用温度

产品型号	存储容量	描述	封装尺寸	VDD, VDDQ	工作温度
D5116AN9CXGRK	8Gb	96 球 FBGA DDR4 C 型温度	7.5x13x1.2	1.2V	0°C ~ +95°C
D5116AN9CXGXN	8Gb	96 球 FBGA DDR4 C 型温度	7.5x13x1.2	1.2V	0°C ~ +95°C
D2516ACXGXGRK	4Gb	96 球 FBGA DDR4 C 型温度	7.5x13x1.2	1.2V	0°C ~ +95°C

DDR4 工业温度

产品型号	存储容量	描述	封装尺寸	VDD, VDDQ	工作温度
D5116AN9CXGXNI	8Gb	96 球光纤光栅 DDR4 I 型温度 x16	7.5x13x1.2	1.2V	-40°C ~ +95°C
D1028AN9CPGXNI	8Gb	96 球光纤光栅 DDR4 I 型温度 x8	7.5x13x1.2	1.2V	-40°C ~ +95°C