Zauważyliśmy, że obecnie odwiedzasz witrynę w Wielkiej Brytanii. Czy zamiast tego chcesz odwiedzić naszą główną stronę?

Rozwiązania wbudowane/przemysłowe

Wbudowana autonomiczna pamięć DRAM dla producentów urządzeń

Wbudowana autonomiczna pamięć DRAM Kingston została zaprojektowana z myślą o wymaganiach urządzeń wbudowanych i jest także dostępna w wersjach niskonapięciowych, które zapewniają mniejsze zużycie energii. Wbudowana autonomiczna pamięć DRAM Kingston umożliwia działanie wielu nowoczesnych infrastruktur elektronicznych, takich jak inteligentne miasta (ogrzewanie i klimatyzacja, oświetlenie, monitorowanie zasilania i liczniki parkometrów), systemy przemysłowe (robotyka, IoT, automatyka produkcyjna, komputery jednopłytowe), systemy telekomunikacyjne (sieci 5G, systemy przetwarzania brzegowego, modele komunikacyjne, routery Wi-Fi i urządzenia typu mesh) oraz takich rozwiązań, jak inteligentne urządzenia domowe (soundbary, termostaty, urządzenia treningowe, odkurzacze, łóżka i baterie łazienkowe) czy urządzenia nasobne (inteligentne zegarki, monitory zdrowia, urządzenia do monitorowania kondycji, AR, VR itp.).

Zapytaj o dodatkowe informacje

NAJWAŻNIEJSZE CECHY

  • Architektura Double Data Rate (DDR) – dwa transfery danych na cykl zegara
  • Szybki transfer danych jest realizowany przez 8-bitową architekturę potokową pobierania wstępnego
  • Przesyłany/odbierany jest dwukierunkowy różnicowy sygnał synchronizujący danych (DOS i /DQS)
  • Sygnał DOS jest wyrównany względem zbocza z danymi do odczytu oraz wyśrodkowany z danymi do zapisu
  • Różnicowe wejścia zegara (CK i /CK)
  • DLL wyrównuje przejścia DQ i DOS z przejściami CK
  • Polecenia są wprowadzane na każdym dodatnim zboczu CK; dane i maska danych są synchronizowane
  • Maska danych (DM) do zapisu danych
  • Przesyłanie /CAS z programowalnym opóźnieniem addytywnym dla lepszej wydajności magistrali poleceń i danych
  • Układy terminujące wewnątrz pamięci (ODD dla lepszej jakości sygnału)
    • Synchroniczne ODT
    • Dynamiczne CDT
    • Asynchroniczne ODT
  • Rejestr wielofunkcyjny (MPR) do odczytu predefiniowanego wzorca
  • Kalibracja ZQ dla sterowania DO i ODT
  • Programowalne samoczynne częściowe odświeżanie macierzy (PASR)
  • Styk RESET do sekwencji uruchamiania i funkcji resetowania
  • Zakres SRT: normalny/rozszerzony
  • Programowalne sterowanie impedancją sterownika wyjściowego

Numery katalogowe i dane techniczne

DDR3/DDR3L FBGA Commercial Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D1216ECMDXGJD 2Gb 96 styków zaokrąglone 128Mx16 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x13,5x1,2 1,35 V1 0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJD 4Gb 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x13,5x1,2 1,35 V1 0°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJD 4Gb 78 styków zaokrąglone 512Mx8 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x10,6x1,2 1,35 V1 0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGME 4Gb 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps 7,5x13,5x1,2 1,35 V1 0°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJD 8Gb 96 styków zaokrąglone 512Mx16 DDR3/3L 1866Mbps 9x13,5x1,2 1,35 V1 0°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L FBGA Industrial Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D1216ECMDXGJDI 2Gb 96 styków zaokrąglone 128Mx16 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x13,5x1,2 1,35 V1 -40°C ~ +95°C
D2568ECMDPGJDI 2Gb 78 styków zaokrąglone 256Mx8 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x10,6x1,2 1,35 V1 -40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJDI 4Gb 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x13,5x1,2 1,35 V1 -40°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJDI 4Gb 78 styków zaokrąglone 512Mx8 DDR3/3L 1866Mbps 7,5x10,6x1,2 1,35 V1 -40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGMEI 4Gb 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps 7,5x13,5x1,2 1,35 V1 -40°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJDI 8Gb 96 styków zaokrąglone 512Mx16 DDR3/3L 1866Mbps 9x13,5x1,2 1,35 V1 -40°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L FBGA Automotive Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D1216ECMDXGMEY 2Gb DDR3/3L 128Mx16 2133Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) 13,5 x 7,5 x 1,2 1,35V1 -40°C ~ +105°C
D2516ECMDXGMEY 4Gb DDR3/3L 256Mx16 2133Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) 13,5 x 7,5 x 1,2 1,35V1 -40°C ~ +105°C

DDR4 FBGA Commercial Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D5116AN9CXGRK 8Gb Temperatura 96 styków zaokrąglone FBGA DDR4 C 7,5x13x1,2 1,2 V 0°C ~ +95°C
D5116AN9CXGXN 8Gb Temperatura 96 styków zaokrąglone FBGA DDR4 C 7,5x13x1,2 1,2 V 0°C ~ +95°C
D2516ACXGXGRK 4Gb Temperatura 96 styków zaokrąglone FBGA DDR4 C 7,5x13x1,2 1,2 V 0°C ~ +95°C

DDR4 FBGA Industrial Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D5116AN9CXGXNI 8Gb 96 barwena FBGA DDR4 I-Temperature x16 7,5x13x1,2 1,2 V -40°C ~ +95°C
D1028AN9CPGXNI 8Gb 78 barwena FBGA DDR4 I-Temperature x8 7,5x13x1,2 1,2 V -40°C ~ +95°C

LPDDR4 FBGA Commercial Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D0811PM2FDGUK 8Gb Temperatura 200 styków zaokrąglone FBGA LPDDR4 C 10x14,5x1,0 1,1 V -25°C ~ +85°C
B1621PM2FDGUK 16Gb Temperatura 200 styków zaokrąglone FBGA LPDDR4 C 10x14,5x1,0 1,1 V -25°C ~ +85°C

LPDDR4 FBGA Industrial Temp

Numer katalogowyPojemnośćOpisWymiaryVDD,
VDDQ
Temperatura pracy
D0811PM2FDGUKW 8Gb 200 styków zaokrąglone FBGA LPDDR4 I-Temperature 10x14,5x1,0 1,1 V -40°C ~ +95°C
B1621PM2FDGUKW 16Gb 200 styków zaokrąglone FBGA LPDDR4 I-Temperature 10x14,5x1,0 1,1 V -40°C ~ +95°C