Wbudowana autonomiczna pamięć DRAM dla producentów urządzeń
Wbudowana autonomiczna pamięć DRAM Kingston została zaprojektowana z myślą o wymaganiach urządzeń wbudowanych i jest także dostępna w wersjach niskonapięciowych, które zapewniają mniejsze zużycie energii. Wbudowana autonomiczna pamięć DRAM Kingston umożliwia działanie wielu nowoczesnych infrastruktur elektronicznych, takich jak inteligentne miasta (ogrzewanie i klimatyzacja, oświetlenie, monitorowanie zasilania i liczniki parkometrów), systemy przemysłowe (robotyka, IoT, automatyka produkcyjna, komputery jednopłytowe), systemy telekomunikacyjne (sieci 5G, systemy przetwarzania brzegowego, modele komunikacyjne, routery Wi-Fi i urządzenia typu mesh) oraz takich rozwiązań, jak inteligentne urządzenia domowe (soundbary, termostaty, urządzenia treningowe, odkurzacze, łóżka i baterie łazienkowe) czy urządzenia nasobne (inteligentne zegarki, monitory zdrowia, urządzenia do monitorowania kondycji, AR, VR itp.).
Zapytaj o dodatkowe informacje
NAJWAŻNIEJSZE CECHY
- Architektura Double Data Rate (DDR) – dwa transfery danych na cykl zegara
- Szybki transfer danych jest realizowany przez 8-bitową architekturę potokową pobierania wstępnego
- Przesyłany/odbierany jest dwukierunkowy różnicowy sygnał synchronizujący danych (DOS i /DQS)
- Sygnał DOS jest wyrównany względem zbocza z danymi do odczytu oraz wyśrodkowany z danymi do zapisu
- Różnicowe wejścia zegara (CK i /CK)
- DLL wyrównuje przejścia DQ i DOS z przejściami CK
- Polecenia są wprowadzane na każdym dodatnim zboczu CK; dane i maska danych są synchronizowane
- Maska danych (DM) do zapisu danych
- Przesyłanie /CAS z programowalnym opóźnieniem addytywnym dla lepszej wydajności magistrali poleceń i danych
- Układy terminujące wewnątrz pamięci (ODD dla lepszej jakości sygnału)
- Synchroniczne ODT
- Dynamiczne CDT
- Asynchroniczne ODT
- Rejestr wielofunkcyjny (MPR) do odczytu predefiniowanego wzorca
- Kalibracja ZQ dla sterowania DO i ODT
- Programowalne samoczynne częściowe odświeżanie macierzy (PASR)
- Styk RESET do sekwencji uruchamiania i funkcji resetowania
- Zakres SRT: normalny/rozszerzony
- Programowalne sterowanie impedancją sterownika wyjściowego
Numery katalogowe i dane techniczne
DDR3/DDR3L FBGA Commercial Temp
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D1216ECMDXGJD | 2Gb | 96 styków zaokrąglone 128Mx16 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGJD | 4Gb | 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| D5128ECMDPGJD | 4Gb | 78 styków zaokrąglone 512Mx8 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x10,6x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGME | 4Gb | 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps | 7,5x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
| B5116ECMDXGJD | 8Gb | 96 styków zaokrąglone 512Mx16 DDR3/3L 1866Mbps | 9x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | 0°C ~ +95°C |
DDR3/DDR3L FBGA Industrial Temp
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D1216ECMDXGJDI | 2Gb | 96 styków zaokrąglone 128Mx16 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D2568ECMDPGJDI | 2Gb | 78 styków zaokrąglone 256Mx8 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x10,6x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGJDI | 4Gb | 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D5128ECMDPGJDI | 4Gb | 78 styków zaokrąglone 512Mx8 DDR3/3L 1866Mbps | 7,5x10,6x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| D2516ECMDXGMEI | 4Gb | 96 styków zaokrąglone 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps | 7,5x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
| B5116ECMDXGJDI | 8Gb | 96 styków zaokrąglone 512Mx16 DDR3/3L 1866Mbps | 9x13,5x1,2 | 1,35 V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +95°C |
DDR3/DDR3L FBGA Automotive Temp
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D1216ECMDXGMEY | 2Gb | DDR3/3L 128Mx16 2133Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 13,5 x 7,5 x 1,2 | 1,35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +105°C |
| D2516ECMDXGMEY | 4Gb | DDR3/3L 256Mx16 2133Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 13,5 x 7,5 x 1,2 | 1,35V{{Footnote.N64253}} | -40°C ~ +105°C |
DDR4 FBGA Commercial Temp
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D5116AN9CXGRK | 8Gb | DDR4 512Mx16, 2666Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | 0°C ~ +95°C |
| D5116AN9CXGXN | 8Gb | DDR4 512Mx16, 3200Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | 0°C ~ +95°C |
| D2516ACXGXGRK | 4Gb | DDR4 256Mx16, 2666Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | 0°C ~ +95°C |
DDR4 FBGA (klasa temp. do zast. przemysłowych i motoryzacyjnych)
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D2516AN9EXGXNI-U | 4Gb | DDR4 256Mx16, 3200Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | -40°C ~ +95°C |
| D5116AN9CXGXNI | 8Gb | DDR4 512Mx16, 3200Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | -40°C ~ +95°C |
| D1028AN9CPGXNI | 8Gb | DDR4 512Mx8, 3200Mb/s, 78 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | -40°C ~ +95°C |
| D5116AN9CXGXNY-U | 8Gb | DDR4 512Mx16, 3200Mb/s, 96 styków (zaokrąglone) | 7,5x13x1,1 | 1,2 V | -40°C ~ +95°C |
LPDDR4 FBGA Commercial Temp
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D1621PM4CDGUI-U | 16Gb | LPDDR4 512Mx32, 3733Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -25°C ~ +85°C |
| D1611PM3BDGUI-U | 16Gb | LPDDR4 1Gx16, 3733Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -25°C ~ +85°C |
| C3222PM4CDGUI-U | 32Gb | LPDDR4 1Gx32, 3733Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -25°C ~ +85°C |
| B3221PM3BDGUI-U | 32Gb | LPDDR4 1Gx32, 3733Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -25°C ~ +85°C |
| Q6422PM3BDGVK-U | 64Gb | LPDDR4 2Gx32, 4266Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x1,0 | 1,1 V | -25°C ~ +85°C |
LPDDR4 FBGA Industrial Temp
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D1621PM4CDGUIW-U | 16Gb | LPDDR4 512Mx32, 3733Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -40°C ~ +95°C |
| D1611PM3BDGVIW-U | 16Gb | LPDDR4 1Gx16, 4266Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -40°C ~ +95°C |
| C3222PM4CDGUIW-U | 32Gb | LPDDR4 1Gx32, 3733Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -40°C ~ +95°C |
| B3221PM3BDGVIW-U | 32Gb | LPDDR4 1Gx32, 4266Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 1,1 V | -40°C ~ +95°C |
LPDDR4x FBGA (klasa temp. do zast. komercyjnych)
| Numer katalogowy | Pojemność | Opis | Wymiary | VDD, VDDQ | Temperatura pracy |
|---|---|---|---|---|---|
| D1621XM4CDGVI-U | 16Gb | LPDDR4x 512Mx32, 4266Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 0,6 V | -25°C ~ +85°C |
| B3221XM3BDGVI-U | 32Gb | LPDDR4x 1Gx32, 4266Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x0,8 | 0,6 V | -25°C ~ +85°C |
| Q6422XM3BDGVK-U | 64Gb | LPDDR4x 2Gx32, 4266Mb/s, 200 styków (zaokrąglone) | 10x14,5x1,0 | 0,6 V | -25°C ~ +85°C |