Вбудовані/промислові рішення

Вбудована дискретна DRAM-пам’ять для виробників пристроїв

Пам’ять Kingston Embedded Discrete DRAM розроблена під потреби вбудованих пристроїв, а також представлена у низьковольтних варіантах виконання, щоб знизити рівень енергоспоживання. Вона використовується в сучасній електронній інфраструктурі, зокрема в інфраструктурі розумних міст (системи вентиляції та кондиціонування повітря, освітлення, моніторингу енергоспоживання та паркувальні лічильники), промисловому обладнанні (робототехніка, ІоТ, промислова автоматизація, одноплатні комп’ютери), телекомунікаційних системах (5G-мережі, периферійні обчислювання, комунікаційні моделі, WiFi-роутери та Mesh-системи), а також в інфраструктурі розумних будинків (звукові панелі, термостати, фітнес-обладнання, пилососи, ліжка та змішувачі) та натільних гаджетах (смарт-годинники, фітнес-браслети, пристрої з елементами віртуальної та доповненої реальності).

Запитувана інформація

ОСНОВНІ ОСОБЛИВОСТІ

Архітектура DDR з подвоєним темпом передачі даних: дві передачі на такт
Високошвидкісна передача даних забезпечується 8-бітною конвеєрною архітектурою попередньої вибірки
Двонаправлений диференціальний строб даних (DQS та /DQS)
DOS вирівнюється по фронту для операцій читання; по центру — для операцій запису
Диференціальні тактові входи (CK та /CK)
DLL вирівнює фронти сигналів DQ та DOS із фронтами сигналів CK
Команди вводяться по кожному позитивному фронту CK; дані та маска даних
Маска даних (DM) для запису даних
Відкладений /CAS за допомогою програмованої додаткової затримки для підвищення ефективності команд та даних
Термінування на кристалі (ODD для кращої якості сигналу)
- Синхронне ODT
- Динамічне CDT
- Асинхронне ODT
Багатоцільовий регістр (MPR) для читання попередньо визначеного шаблону
Калібрування ZQ для DO та ODT
Програмоване часткове самооновлення масиву (PASR)
Вивід RESET для послідовності ввімкнення та функції скидання
Діапазон SRT: нормальний/розширений
Програмоване керування вихідним опором драйвера

Стандартні номери деталей і технічні характеристики

DDR3/DDR3L FBGA Комерційний темп

Номер частини	Потужність	Опис	Пакунок	VDD, VDDQ	Робоча температура
D1216ECMDXGJD	2 ГБ	96 Бора 128Mx16 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x13,5x1,2	1,35 В¹	0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJD	4 ГБ	96 Бора 256Mx16 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x13,5x1,2	1,35 В¹	0°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJD	4 ГБ	78 Бора 512Mx8 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x10,6x1,2	1,35 В¹	0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGME	4 ГБ	96 Бора 256Mx16 DDR3/3L 2133 Мбіт/с	7,5x13,5x1,2	1,35 В¹	0°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJD	8 ГБ	96 Бора 512Mx16 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	9x13,5x1,2	1,35 В¹	0°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L FBGA Промисловий темп

Номер частини	Потужність	Опис	Пакунок	VDD, VDDQ	Робоча температура
D1216ECMDXGJDI	2 ГБ	96 Бора 128Mx16 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x13,5x1,2	1,35 В¹	-40°C ~ +95°C
D2568ECMDPGJDI	2 ГБ	78 Бора 256Mx8 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x10,6x1,2	1,35 В¹	-40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJDI	4 ГБ	96 Бора 256Mx16 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x13,5x1,2	1,35 В¹	-40°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJDI	4 ГБ	78 Бора 512Mx8 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	7,5x10,6x1,2	1,35 В¹	-40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGMEI	4 ГБ	96 Бора 256Mx16 DDR3/3L 2133 Мбіт/с	7,5x13,5x1,2	1,35 В¹	-40°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJDI	8 ГБ	96 Бора 512Mx16 DDR3/3L 1866 Мбіт/с	9x13,5x1,2	1,35 В¹	-40°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L FBGA (автомобільний температурний діапазон)

Артикул	Ємність	Опис	Корпус	VDD, VDDQ	Робоча температура
D1216ECMDXGMEY	2 ГБ	96 кулькових контактів 128Mx16 DDR3/3L 2133 Мбіт/с	13,5 x 7,5 x 1,2	1,35 В¹	Від –40 до +105 °C
D2516ECMDXGMEY	4 ГБ	96 кулькових контактів 256Mx16 DDR3/3L 2133 Мбіт/с	13,5 x 7,5 x 1,2	1,35 В¹	Від –40 до +105 °C

DDR4 FBGA Комерційний темп

Номер частини	Потужність	Опис	Пакунок	VDD, VDDQ	Робоча температура
D5116AN9CXGRK	8 ГБ	Температура 96 лампочок FBGA DDR4C	7,5x13x1,2	1,2 В	0°C ~ +95°C
D5116AN9CXGXN	8 ГБ	Температура 96 лампочок FBGA DDR4C	7,5x13x1,2	1,2 В	0°C ~ +95°C
D2516ACXGXGRK	4 ГБ	Температура 96 лампочок FBGA DDR4C	7,5x13x1,2	1,2 В	0°C ~ +95°C

DDR4 FBGA Промисловий темп

Номер частини	Потужність	Опис	Пакунок	VDD, VDDQ	Робоча температура
D5116AN9CXGXNI	8 ГБ	96 тон FBGA DDR4 I температура x16	7,5x13x1,2	1,2 В	-40°C ~ +95°C
D1028AN9CPGXNI	8 ГБ	78 тон FBGA DDR4 I температура x8	7,5x13x1,2	1,2 В	-40°C ~ +95°C

LPDDR4 FBGA Комерційний темп

Номер частини	Потужність	Опис	Пакунок	VDD, VDDQ	Робоча температура
D0811PM2FDGUK	8 ГБ	температура 200 тон FBGA LPDDR4 C	10x14,5x1,0	1,1 В	-25°C ~ +85°C
B1621PM2FDGUK	16 ГБ	температура 200 тон FBGA LPDDR4 C	10x14,5x1,0	1,1 В	-25°C ~ +85°C

LPDDR4 FBGA Промисловий темп

Номер частини	Потужність	Опис	Пакунок	VDD, VDDQ	Робоча температура
D0811PM2FDGUKW	8 ГБ	200 тон FBGA LPDDR4 I температура	10x14,5x1,0	1,1 В	-40°C ~ +95°C
B1621PM2FDGUKW	16 ГБ	200 тон FBGA LPDDR4 I температура	10x14,5x1,0	1,1 В	-40°C ~ +95°C