Memoria para servidores - Soporte

No. Los módulos de memoria registrada y de memoria unbuffered no pueden coexistir. La memoria registrada y la memoria unbuffered son dos tipos distintos de tecnología de memoria. La instalación de módulos del tipo incorrecto y la mezcla de tecnologías puede causar daños a la tarjeta madre y/o a los módulos de memoria.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Los módulos de memoria se pueden fabricar de distintas maneras a fin de ofrecer funciones adicionales. Dichas funciones requieren de componentes adicionales.

Las memorias registradas cuentan con registros o búferes que mejoran el flujo de los datos, lo que les da mayor confiabilidad. También permiten una mayor escalabilidad de la memoria (se puede instalar una mayor cantidad de RAM). Debido a lo anterior, los módulos de memoria registrada se utilizan principalmente en servidores. Algunos módulos DIMM de memoria registrada incluyen la función de paridad. Dicha función se utiliza para comprobaciones adicionales contra errores. Para poder utilizar dichos módulos, la tarjeta madre de la computadora tiene que ser compatible con la función de paridad. Pero los módulos de memoria registrada con paridad se pueden utilizar en computadoras que acepten memoria registrada. Sencillamente la función de paridad no estará activa. La memoria registrada incluye la función ECC (código de corrección de errores), pero no toda memoria ECC es del tipo registrada.

La memoria totalmente buffered le quita algunas funciones al controlador (un chip que controla el flujo de datos de la memoria RAM) y las ejecuta en el módulo mismo. Eso aumenta aun más la escalabilidad de la memoria. Los módulos de memoria totalmente buffered no se pueden utilizar en computadoras diseñadas para memoria registrada, y viceversa. La memoria totalmente buffered incluye la función ECC, pero no toda memoria ECC es del tipo totalmente buffered.

La memoria del tipo unbuffered no incluye búferes ni registros. Es la memoria de uso más frecuente en las computadoras de escritorio y portátiles. Los módulos de memoria registrada o totalmente buffered no se pueden utilizar en computadoras diseñadas para memoria unbuffered.

Los módulos de memoria ECC incluyen un chip adicional que permite que la tarjeta madre pueda detectar y corregir errores de un bit. Eso mejora la confiabilidad de los datos y puede contribuir a identificar módulos defectuosos. Todos los módulos de memoria registrada y totalmente buffered incluyen la función ECC. Pero también existen módulos ECC del tipo unbuffered que se utilizan por lo general en estaciones de trabajo de alto nivel. En algunos casos se puede utilizar módulos ECC de memoria unbuffered en computadoras diseñadas para módulos de memoria unbuffered, que no tengan la función ECC. Sencillamente no se utilizará esa capacidad de los módulos.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Los módulos vendidos en kits (identificados por las siglas "K2" y "K3" en el número de pieza, p.ej., – KVR400X64C3AK2/2G) se emparejan específicamente para su uso en tarjetas madre de doble y de triple canal. Aunque las tecnologías de doble y de triple canal residen en la tarjeta madre misma (forman parte del conjunto de chips), se debe instalar los módulos de memoria en parejas o en tríos para el correcto funcionamiento de la función de doble y de triple canal. Los mejores resultados se obtienen si se utilizan módulos idénticos suministrados en forma de kit, ya que la tarjeta madre tendrá acceso a todos los módulos de memoria en forma de una única ubicación, de un mayor ancho de banda. Kingston sugiere el uso de módulos vendidos en kits en las tarjetas madre que cuenten con las funciones de doble y de triple canal.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Se define como cadena de memoria una zona o bloque de 64 bits (de 72 bits en el caso de memoria ECC) creada con el uso de algunos o todos los chips de DRAM de un módulo DIMM. Los módulos DIMM ECC (x4 or x8) de cadena única utilizan todos sus chips de DRAM para crear bloques únicos de 72 bits, y se activan todos los chips mediante una señal de selección de chips enviada por el conjunto de chips del controlador de la memoria. Los módulos DIMM ECC de doble cadena producen dos bloques de 72 bits a partir de dos conjuntos de chips de DRAM del módulo DIMM, y requieren de dos señales de selección de chips. Las señales de selección de chips están desfasadas, para que ambos conjuntos de chips de DRAM no compitan simultáneamente por el bus de memoria.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

Descarga electroestática, ESD, es simplemente el descarga de electricidad estática acumulada. La ESD no debería ser tomada a la ligera, ya que es una de las pocas cosas que un individuo puede hacer para dañar o destruir los componentes de su equipo o hardware. Es como cuando frota los pies sobre la alfombra y toca algo metálico. La ESD puede ocurrir sin que el usuario sienta un choque, y se producirá sólo cuando se trabaje en el interior de la computadora o se manipule hardware.

Cómo ayudar a prevenir la ESD
El mejor método de prevención de la ESD es usar una pulsera para ESD o una estera o mesa de puesta a tierra.Sin embargo, como la mayoría de los usuarios no tienen acceso a estos artículos se han incluido los siguientes pasos para ayudar a reducir el riesgo de la ESD tanto como sea posible.

• Estar de pie – Recomendemos que permanezca de pie en todo momento al trabajar sobre la computadora. El sentarse en una silla puede generar más electrostática.
• Ropa - Asegúrese de no usar ropa que conduzca una gran cantidad de carga eléctrica, tal como un jersey de lana.
• Clothes - Make sure not to wear any clothing that conducts a lot of Electrical Charge, such as a wool sweater.
• Accesorios - Para ayudar a reducir la ESD y a prevenir otros problemas, también es una buena idea el quitarse todas las joyas.
• Clima - Las tormentas eléctricas pueden aumentar el riesgo de la ESD; a menos que sea absolutamente necesario, trate de no trabajar sobre un equipo durante una tormenta eléctrica. En zonas muy secas, el propio aire se convierte en parte del mecanismo de acumulación electrostática cada vez que se presenta un flujo de aire (viento, aire acondicionado, ventilador) que pasa sobre una superficie aislada. No deje que los altos niveles de humedad le infundan una falsa confianza, y tenga cuidado con los problemas de corrosión con las interconexiones y otras interfaces eléctricas.

Para obtener más información acerca de ESD y cómo para proteger sus equipos electrónicos, por favor refiérase al siguiente sitio.

Asociación para ESD
https://www.esda.org

FAQ: KTC-Gen-ESD

La memoria "no binaria" se refiere a los módulos de memoria construidos con DRAM de densidad de 24Gbit (12GB, 24GB, 48GB, 96GB). La densidad de los chips DRAM aumenta periódicamente para mantenerse al día con la demanda de capacidad de memoria para los sistemas informáticos. Históricamente, la densidad se duplica (por ejemplo, 4Gbit a 8Gbit, 8Gbit a 16Gbit), sin embargo, con DDR5 hay una densidad intermedia llamada 24Gbit que proporciona un aumento de capacidad mientras la industria trabaja para crear DRAM de 32Gbit. El término "no binario" proviene de la divergencia de duplicar la densidad.

Para aumentar la densidad, los fabricantes de semiconductores DRAM deben mejorar continuamente el diseño y reducir el proceso de la oblea de silicio (medido en nanómetros o nm) para aumentar el número de celdas de memoria, generalmente dentro del mismo paquete (chip) que la generación anterior. Al hacer esto, se pueden utilizar los mismos diseños de PCB (placa de circuito impreso) JEDEC para los módulos de memoria.

FAQ: KTF-001002-001

32Gbit DRAM refers to memory chips with a density of 32 gigabits (Gb). These are planar (non-stacked) chips, that enable high-capacity modules without the use of 3D stacking technologies like Through-Silicon Via (TSV) or Dual-Die Package (DDP). Instead, DRAM semiconductor manufacturers use advanced lithography techniques to fit more memory cells into the same physical chip area. Compared to earlier 16Gbit or 24Gbit DDR5 chips, 32Gbit DRAM significantly increases the capacity of memory modules such as (C)UDIMMs, and (C)SODIMMs, RDIMMs and MRDIMMs. This allows systems to support higher memory capacities using the same form factor, helping reduce reliance on more complex and expensive stacked DRAM solutions.

FAQ: KTF-001002-006

La velocidad de la memoria en el servidor dependerá de varios factores: CPU, el número de rangos de memoria instalados, y el voltaje.

Su CPU podría ser capaz de solamente ejecutar memoria hasta una cierta capacidad, independiente de la memoria tenga instalada. Por ejemplo, usted puede tener instalada una memoria de 1600MT/s, pero la CPU solo es capaz de ejecutar memorias de hasta 1333MT/s.

Los rangos de memoria pueden afectar la velocidad a medida que instale más módulos de memoria. Por ejemplo, si usted tiene un sistema que ejecuta memoria en canal triple e instala un set de 3 módulos, éste podría funcionar a 1333MT/s, si están calificados como sencillos o dobles. Pero una vez se instala un segundo set de módulos, la velocidad se reduce a 1066MT/s. Si el primer set es de calificación cuádruple, podría funcionar solo a 1066MT/s y reducirse a 800MT/s con un segundo set. Los módulos de calificación cuádruple se usarán porque son normalmente de más alta capacidad. Algunos sistemas son compatibles con DIMMs de carga reducida. Estos módulos permiten módulos de mayor capacidad a más altas velocidades.

Si instala DIMMs de bajo voltaje, estos podrían funcionar a velocidades más bajas que para el mismo número de DIMMs de voltaje estándar. Por ejemplo, usted podría ser capaz de instalar dos sets de memoria de 1.5V a 1333MT/s. Pero con una memoria de 1.35V, los módulos funcionarán a 1066MT/s.

Por favor consulte el manual de sus sistema o placa madre para configuraciones de memoria específicas.

KTM-060415-SVR-01

FAQ: KTM-060415-SVR-01