Мы заметили, что в настоящее время вы посещаете сайт для Великобритании. Хотели бы вы вместо этого посетить наш основной сайт?

Да, пожалуйста

Расшифровка номеров по каталогу модулей памяти Kingston

Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.

Kingston FURY™ DDR5

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.

Номер артикула: KF560C36BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 60
  • C
  • 36
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 32
KF = линейка продукции
  • KF – Kingston FURY
5 = технология
  • 5 – DDR5
60 = скорость(MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
  • 68 – 6800
  • 72 – 7200
  • 76 – 7600
  • 80 – 8000
  • 84 – 8400
C = тип модуля
  • C – UDIMM (небуферизованный, без ECC)
  • CU – CUDIMM (Неблокированный без ECC Небуферизованный)
  • S – SODIMM (небуферизованный, без ECC)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
36 = CAS-латентность
  • 30 – CL30
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = серия
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = теплоотвод
  • B – черный
  • S – Серебристый
  • W – белый
E = Тип Профиль
  • не указано - Intel XMP / Plug and Play
  • E - AMD EXPO
2 = версия
  • не указано - 1ᴙ версия
  • 2 - 2ᴙ версия
  • 3 - 3ᴙ версия
A = RGB
  • не указано - Без RGB-подсветки
  • A – RGB
K2 = комплект + количество модулей
  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из 4 модулей
  • K8 - комплект из 8 модулей
32 = общая емкость
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 24 – 24 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 48 – 48 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 96 – 96 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
  • 192 – 192 ГБ
  • 256 – 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR5

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston Server Premier по спецификации.

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

  • KSM
  • 48
  • R
  • 40B
  • D
  • 4
  • T
  • M
  • P
  • -
  • 64
  • H
  • M
  • R
KSM = линейка продукции
  • KSM - Kingston Server Premier
48 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
R = тип модуля
  • E – EC4 UDIMM (x72)
  • P – EC4 RDIMM (x72)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
  • T – EC4 SODIMM (x72)
40B = CAS-латентность
  • 40B – CL40-39-39
  • 42B – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = ранки
  • S — одноранковый
  • D — двухранковый
  • Q — четырехранковый
4 = тип памяти DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
T = PMIC
  • I – Renesas
  • K – RichTek
  • M – Montage
  • P – MPS
  • T – TI
  • Не указано — разблокированный
M = концентратор SPD
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
  • Не указано — разблокированный
P = термодатчик
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • P – MPS
  • R – Rambus
  • Не указано — разблокированный
64 = общая емкость
  • 16 – 16 ГБ
  • 24 – 24 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 48 – 48 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 96 – 96 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
H = производитель DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
M = версия кристалла DRAM
  • A – A Die
  • B – B Die
  • C – C Die
  • D – D Die
  • E – E Die
  • M – M Die
R = регистр
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
  • Не указано — разблокированный

Kingston ValueRAM DDR5

Номер артикула: KVR48U40BS8K2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = линейка продукции
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
U = тип модуля
  • U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
  • S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)
40B = CAS-латентность
  • 40B – CL40
  • 42B – CL42
  • 46B – CL46
S = ранги
  • S – одноранговый
  • D – двухранговый
8 = тип памяти DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
K2 = комплект + количество модулей
  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей
  • K4 – комплект из 4 модулей
32 = общая емкость
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 48 – 48 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 96 – 96GB
  • 128 – 128 ГБ
  • 192 – 192 ГБ
  • 256 – 256 ГБ
X = адаптация
  • не указано – стандартный пакет
  • BK – большой пакет

Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.

Номер артикула: KF432C16BB12AK2/32

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • 2
  • A
  • K2
  • /
  • 32
KF = линейка продукции
  • KF - Kingston FURY
4 = технология
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = тип модуля
  • C — UDIMM (небуферизованный, без ECC)
  • S — SODIMM (небуферизованный, без ECC)
16 = CAS-латентность
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = серия
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = теплоотвод
  • не указано — синий
  • B - черный
  • R - красный
  • W - белый
1 = конфигурация модуля 16 ГБ
  • Бланк – 2Gx8
  • 1 – 1Gx8
2 = версия
  • не указано - 1я версия
  • 2 - 2я версия
  • 3 - 3я версия
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • не указано - Без RGB-подсветки
  • A - RGB-подсветка
K2 = комплект + количество модулей
  • Пусто – отдельный модуль
  • K2 - комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из 4 модулей
  • K8 - комплект из 8 модулей
32 = общая емкость
  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 128 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = линейка продукции
  • KSM – Kingston Server Premier
26 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
R = Тип модуля
  • E – модуль DIMM без буфера (ECC)
  • R – зарегистрированный модуль DIMM
  • L – модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
  • SE – модуль SO-DIMM без буфера (ECC)
D = Ранки
  • S – одинарный
  • D – двойной
  • Q – Четырех
4 = Тип DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
L = Профиль печатной платы
  • L – очень низкопрофильный модуль DIMM
32 = общая емкость
  • 8 – 8 Гб
  • 16 – 16 Гб
  • 32 – 32 Гб
  • 64 – 64 Гб
  • 128 – 128 Гб
  • 256 – 256 Гб
H = Изготовитель DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S — Samsung
A = Новая версия кристалла DRAM
  • A – A кристалла
  • B – B кристалла
  • C — Ревизия C
  • E – E кристалла
I = Зарегистрировать изготовителя
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
  • Не указано — разблокированный

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = линейка продукции
  • KVR — Kingston ValueRAM
21 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 21 — 2133
  • 24 — 2400
  • 26 — 2666
  • 29 — 2933
  • 32 — 3200
L = Низковольтный
  • Не указано — 1,2 В
R = тип модуля
  • E – Небуферизованный модуль DIMM (ECC)
  • L – модуль DIMM со сниженной нагрузкой
  • N – DIMM (без ECC без буферизации)
  • R – регистровый модуль DIMM
  • S – SODIMM (без ECC без буферизации)
15 = CAS-латентность
  • 15 – CL15
  • 19 – CL19
  • 22 – CL22
D = Ранки
  • S — одноранковый
  • D — двухранковый
  • Q — четырехранковый
  • O — восьмиранковый
8 = тип памяти DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
  • 6 – x16
L = профиль
  • Не указано — любая высота
  • H — 31,25 мм
  • L — 18,75 мм (VLP)
K2 = комплект + количество модулей
  • Не указано — отдельный модуль
  • K2 — комплект из 2 модулей
  • K3 — комплект из 3 модулей
4 = общая емкость
  • 4 – 4 ГБ
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
H = производитель DRAM
  • H — SK Hynix
  • K — Kingston
  • M — Micron
  • S — Samsung
B = Версия
  • B — Версия
I = Сертификация Intel
  • I — Сертификация Intel

Модули памяти Kingston Design-In DDR5

Номер по каталогу: CBD48S40BD8MA-32

  • CBD
  • 48
  • S
  • 40B
  • D
  • 8
  • M
  • A
  • -
  • 32
CBD = линейка продукции
  • CBD – модуль Kingston Design-In DRAM
48 = Скорость (МТ/с{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
S = тип модуля
  • U – DIMM (без ECC без буферизации)
  • S – SODIMM (без ECC без буферизации)
40B = CAS-латентность
  • 40B – CL40-39-39
  • 42B – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = ранки
  • S – одноранковый
  • D – двухранковый
8 = тип памяти DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
M = производитель DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
A = Ревизия чипа DRAM
  • A – Ревизия A
  • B – Ревизия B
  • M – Ревизия M
32 = общая емкость
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ

Модули памяти Kingston Design-In DDR4

Номер по каталогу: CBD26D4U9D8HJV-16

  • CBD
  • 26
  • D4
  • U
  • 9
  • D
  • 8
  • H
  • J
  • V
  • -
  • 16
CBD = линейка продукции
  • CBD – модуль Kingston Design-In DRAM
26 = Скорость (МТ/с*)
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 32 – 3200
D4 = технология
  • D4 – DDR4
U = тип модуля
  • U – DIMM (без ECC без буферизации)
  • S – SODIMM (без ECC без буферизации)
9 = CAS-латентность
  • 5 – CL15-15-15
  • 7 – CL17-17-17
  • 9 – CL19-19-19
  • 2 – CL22-22-22
D = ранки
  • S – одноранковый
  • D – двухранковый
8 = тип памяти DRAM
  • 8 – x8
  • 1 – x16
H = производитель DRAM
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • N – Nanya
  • S – Samsung
J = Ревизия чипа DRAM
  • A – Ревизия A
  • B – Ревизия B
  • C – Ревизия C
  • D – Ревизия D
  • E – Ревизия E
  • F – Ревизия F
  • H – Ревизия H
  • J – Ревизия J
  • R – Ревизия R
V = тип печатной платы
  • черный — с покрытием Flash Gold
  • H – с покрытием Hard Gold
  • V – очень низкий профиль
16 = общая емкость
  • 4 – 4 ГБ
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ

Модули памяти Kingston Design-In DDR3

Номер по каталогу: CBD16D3LFU1KBG/2G

  • CBD
  • 16
  • D3L
  • F
  • U
  • 1
  • K
  • B
  • G
  • -
  • 2G
CBD = линейка продукции
  • CBD - модуль Kingston Design-In DRAM
16 = Скорость (МТ/с{{Footnote.A65242}})
  • 16 – 1600
D3L = технология
  • D3 – DDR3 (1,5 В)
  • D3L – DDR3L (1,35 В / 1,5 В)
F = тип памяти DRAM
  • не указано – x8
  • F – x16
U = тип модуля
  • U – DIMM (без ECC без буферизации)
  • S – SODIMM (без ECC без буферизации)
1 = CAS-латентность
  • 1 – CL11-11-11
K = производитель DRAM
  • K – Kingston
  • S – Samsung
B = Ревизия чипа DRAM
  • B – Ревизия B
  • D – Ревизия D
  • E – Ревизия E
G = тип печатной платы
  • L – очень низкий профиль
  • G — экологичный (соответствует требованиям RoHS)
  • H – с покрытием Hard Gold
2G = общая емкость
  • 2G – 2 ГБ
  • 4G– 4 ГБ
  • 8G – 8 ГБ

Расшифровка номеров по каталогу HyperX®

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston HyperX по спецификации.

Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = Линейка продукции
  • HX - HyperX (прежние модули)
4 = технология
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = тип памяти DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = CAS-латентность
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = серия
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = теплоотвод
  • не указано- синий
  • B - черный
  • R - красный
  • W - белый
3 = версия
  • 2 - 2я версия
  • 3 - 3я версия
  • 4 - 4я версия
A = RGB
  • не указано - без RGB-подсветки
  • A - RGB-подсветка
K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте
  • не указано - отдельный модуль
  • K2 - комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из 4 модулей
  • K8 - комплект из 8 модулей
32 = общая емкость
  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 128 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM

Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = Низковольтный
  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
R = Тип модуля
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = Латентность (CAS)
  • 11: Латентность (CAS)
D = Ранки
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
8 = Тип DRAM
  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8
L = Профиль
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • K4: комплект из четырех модулей
4 = хранения
  • 4: 4Гб
  • 8: 8Гб
  • 12: 12Гб
  • 16: 16Гб
  • 24: 24Гб
  • 32: 32Гб
  • 48: 48Гб
  • 64: 64Гб
H = DRAM MFGR/Сертификация
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Сертификация Intel
B = Версия кристалла
  • B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 1066: Скорость
D3 = Technology
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = Низковольтный
  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
D = Технология
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
8 = DRAM
  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8
R = Тип модуля
  • P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = Латентность (CAS)
  • 7: Латентность (CAS)
S = термодатчиком
  • Без обозначения: без термодатчика
  • S: с термодатчиком
L = Профиль
  • Без обозначения:Без обозначения
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
4G = хранения
  • 4G: хранения (Гб)
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = Версия
  • B: Версия

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = Скорость (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = регистровая
  • R: регистровая
C3 = Латентность (CAS)
  • C3: Латентность (CAS)
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • K2: комплект из двух модулей
1G = хранения
  • 1G: хранения (Гб)

Латентность (тайминг)

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.

Пример

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Заявление об ограничении ответственности. Вся продукция компании Kingston проходит тестирование на соответствие опубликованным техническим характеристикам. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти Kingston скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston не рекомендует пользователям пытаться разгонять свои компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора или изменение синхронизации системы может привести к повреждению компонентов компьютера.