เรียนรู้วิธีการอ่านหมายเลขชิ้นส่วนหน่วยความจำจาก Kingston® รวมทั้งผลิตภัณฑ์หน่วยความจำในกลุ่ม Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 และ DDR เพื่อให้คุณสามารถระบุรายละเอียดได้ตามข้อมูลจำเพาะ
ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston FURY ตามข้อมูลจำเพาะ
หมายเลขชิ้นส่วน: KF556C38BBE2AK2-32
หมายเลขชิ้นส่วน: KVR48U40BS8LK2-32X
ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston FURY ตามข้อมูลจำเพาะ
หมายเลขชิ้นส่วน: KF432C16BB1AK4/64
ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston HyperX ตามข้อมูลจำเพาะ
หมายเลขชิ้นส่วน: HX429C15PB3AK4/32
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
เลขชิ้นส่วน: KSM26RD4L/32HAI
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
เลขชิ้นส่วน: KVR21LR15D8LK2/4HBI
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
จะอ่านเลขชิ้นส่วน อย่างไร
ตัวอย่าง
รหัสใหม่สำหรับชิ้นส่วน: KVR 16 R11 D4 / 8
รหัสเดิมสำหรับชิ้นส่วน: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
รหัสชิ้นส่วนใหม่จะมีผลกับชิ้นส่วนที่เปิดตัวหลังจากวันที่ 1 พ.ค. 2555
เลขชิ้นส่วน: KVR16LR11D8LK2/4HB
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
เลขชิ้นส่วน: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB
(PC2100, PC2700, PC3200)
เลขชิ้นส่วน: KVR400X72RC3AK2/1G
จำนวนเซลล์หน่วยความจำข้อมูลที่มีในโมดูลแสดงเป็นกิกะไบต์ (GB) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่จำหน่ายเป็นชุด ความจุที่แจ้งเป็นความจุรวมของโมดูลทั้งหมดที่จัดจำหน่ายในชุดเดียวกัน
เลขมาตรฐานกำหนดสำเร็จระบุจำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาสำหรับอ่าน/เขียนข้อมูลไปกลับจากหน่วยความจำและชุดควบคุมหน่วยความจำ หลังจากมีการโหลดคำสั่งอ่าน/เขียนข้อมูลและที่อยู่ของแถว/คอลัมน์ ค่าหน่วงเวลา CAS ใช้ระบุเวลารอจนกว่าข้อมูลจะพร้อมใช้งาน
DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) เทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นที่สี่ มักเรียกเป็น “DDR4” โมดูลหน่วยความจำ DDR4 ไม่รองรับ DDR SDRAM ก่อนหน้าเนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า (1.2V) จำนวนขาต่อไม่เท่ากันและเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน
DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) เทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นที่ห้า มักเรียกเป็น “DDR5” โมดูลหน่วยความจำ DDR5 ไม่รองรับ DDR SDRAM รุ่นก่อนหน้าเนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า (1.1V), มีจำนวนขาต่อไม่เท่ากัน และใช้เทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน
UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) หน่วยความจำแบบยาวที่ช่วงความกว้างข้อมูล x64 ส่วนใหญ่ใช้กับเครื่องเดสก์ทอปที่ไม่ต้องอาศัยระบบแก้ไขข้อผิดพลาด และมีข้อจำกัดความจุของ DIMM
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) หน่วยความจำลดขนาดสำหรับคอมพิวเตอร์ขนาดเล็ก เช่น โน้ตบุ๊ก ไมโครเซิร์ฟเวอร์ เครื่องพิมพ์หรือเราเตอร์
บิตคือหน่วยข้อมูลที่เล็กที่สุดในการประมวลผลและแสดงค่าเป็น 1 หรือ 0 (เปิด/ปิด) กิกะบิต (Gb) คือ 1 พันล้านบิต (หรือ 109) ตามระบบของ International System of Units (SI) สำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ Gb (หรือ Gbit) โดยปกติใช้เพื่อแสดงความหนาแน่นของส่วนประกอบ DRAM หนึ่งตัว
หนึ่งไบต์ประกอบด้วย 8 บิต กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1 พันล้านไบต์ (หรือ 109) ตามระบบของ International System of Units (SI) สำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ GB จะใช้เพื่อแสดงความจุของข้อมูลทั้งหมดของโมดูลหน่วยความจำ หรือกลุ่มโมดูลหน่วยความจำที่ติดตั้งเข้าไว้ด้วยกันเป็นหน่วยความจำรวมของเครื่อง
เลขชิ้นส่วนที่ประกอบไปด้วยหน่วยความจำหลายแถว โดยปกติเป็นแบบคู่ สามแถวหรือสี่แถว เช่น K2 = 2 DIMM ซึ่งจำหน่ายเป็นชุดและระบุความจุเป็นความจุรวมกัน
อัตราข้อมูลหรือความเร็วสัญญาณนาฬิกาใช้งานที่หน่วยความจำรองรับ วัดเป็น Mhz (เมกะเฮิร์ตซ์) หรือ Mt/s (เมกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที) ยิ่งความเร็วสูงเท่าไร ยิ่งถ่ายโอนข้อมูลต่อวินาทีได้มากเท่านั้น
Rank หมายถึงบล็อกข้อมูลที่สามารถเข้าถึงได้บนโมดูลหน่วยความจำ สำหรับ DDR2, DDR3 และ DDR4 บล็อคข้อมูลเหล่านี้จะมีความกว้าง 64 บิต (x64) และ 8 บิตสำหรับ ECC (x72) และโมดูล DDR5 ก็มีความกว้าง 64 บิตต่อ Rank เช่นกัน แต่หากมีฟีเจอร์ ECC บล็อกข้อมูลจะกว้าง 80 บิตต่อ Rank (x80) สามารถสร้างโมดูลเป็น Single Rank (1R), Dual Rank (2R), Quad Rank (4R) หรือ Octal Rank (8R) ได้ ซึ่งโดยปกติจำนวน Rank จะเพิ่มขึ้นเพื่อให้สามารถรองรับความจุของโมดูลที่สูงขึ้นได้
ช่องสัญญาณของหน่วยความจำคือเส้นทางการถ่ายโอนข้อมูลระหว่างโมดูลหน่วยความจำและตัวควบคุมหน่วยความจำ (โดยทั่วไปจะพบภายในโปรเซสเซอร์) ระบบประมวลผลส่วนใหญ่ (พีซี แล็ปท็อป เซิร์ฟเวอร์) มีสถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบหลายช่องสัญญาณ ซึ่งจะรวมช่องสัญญาณเข้าด้วยกันเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงานของหน่วยความจำ สถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบ Dual Channel หมายความว่าหากมีการติดตั้งโมดูลที่เหมือนกันเป็นคู่ จำนวนแบนด์วิดท์ที่มีประสิทธิภาพสำหรับตัวควบคุมหน่วยความจำก็จะเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าด้วย
ข้อมูลด้านล่างสามารถใช้เพื่อศึกษาการตั้งค่าต่าง ๆ ที่สามารถปรับแต่งขณะกำหนดค่าหน่วงเวลาของหน่วยความจำที่ BIOS ของเมนบอร์ดเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงสุด ทั้งนี้ค่าเหล่านี้อาจแตกต่างกันไปตามยี่ห้อและรุ่นของเมนบอร์ดหรือเวอร์ชั่นเฟิร์มแวร์ BIOS
ค่าหน่วงเวลา CAS (CL): ระยะหน่วงระหว่างการสั่งการแถวและการอ่านแถวหน่วยความจำ
RAS to CAS หรือ RAS to Column Delay (tRCD): สั่งงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว
Row Precharge Delay หรือ RAS Precharge Delay (tRP/tRCP): ปิดการทำงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว
Row Active Delay หรือ RAS Active Delay หรือเวลาก่อนพร้อมทำงาน (tRA/tRD/tRAS) : จำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาและระหว่างการเปิด/ปิดใช้งานแถวหน่วยความจำ
ข้อสงวนสิทธิ์: ลิตภัณฑ์จาก Kingston ทั้งหมดได้รับการทดสอบว่ามีคุณสมบัติทางเทคนิคที่แจ้งไว้ เครื่องหรือเมนบอร์ดบางตัวอาจไม่สามารถรองรับการทำงานตามความเร็วและการตั้งค่าที่กำหนดสำหรับ Kingston ที่มีแจ้งไว้ Kingston ไม่แนะนำให้ผู้ใช้ปรับการทำงานของคอมพิวเตอร์ให้เร็วกว่าความเร็วที่แจ้งไว้ การโอเวอร์คล็อคหรือปรับแต่งค่าเวลาการทำงานของระบบอาจทำให้ส่วนประกอบของคอมพิวเตอร์เกิดความเสียหาย
