ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วนของ Kingston

เรียนรู้วิธีการอ่านหมายเลขชิ้นส่วนหน่วยความจำจาก Kingston® รวมทั้งผลิตภัณฑ์หน่วยความจำในกลุ่ม Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 และ DDR เพื่อให้คุณสามารถระบุรายละเอียดได้ตามข้อมูลจำเพาะ

Kingston FURY™ DDR5

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston FURY ตามข้อมูลจำเพาะ

หมายเลขชิ้นส่วน: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • KF – Kingston FURY
5 = เทคโนโลยี
  • 5 – DDR5
56 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 52 – 5.200
  • 56 – 5.600
  • 60 – 6.000
  • 64 – 6.400
  • 68 – 6.800
  • 72 – 7.200
C = ประเภทโมดูล
  • C – UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S – SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
38 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = Series
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = ชุดกระจายความร้อน
  • B – ดำ
  • S – เงิน
  • W – ขาว
E = ประเภทโพรไฟล์
  • เว้นว่าง - Intel XMP / Plug N Play
  • E - AMD EXPO
2 = การปรับปรุง
  • เว้นว่าง – การปรับปรุงครั้งที่ 1
  • 2 – การปรับปรุงครั้งที่ 2
  • 3 – การปรับปรุงครั้งที่ 3
A = RGB
  • เว้นว่าง - Non-RGB
  • A – RGB
K2 = ชุดผลิตภัณฑ์ + จำนวนชิ้น
  • เว้นว่าง – โมดูลเดียว
  • K2 - ชุด 2 โมดูล
  • K4 - ชุด 4 โมดูล
  • K8 - ชุด 8 โมดูล
16 = ความจุทั้งหมด
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB

Kingston Server Premier DDR5

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการตรวจสอบโมดูลหน่วยความจำ Kingston Server Premier ตามส่วนประกอบทางเทคนิค

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

  • KSM
  • 48
  • R
  • 40B
  • D
  • 4
  • T
  • M
  • P
  • -
  • 64
  • H
  • M
  • R
KSM = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • KSM - Kingston Server Premier
48 = Speed (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
R = ประเภทโมดูล
  • E – EC4 UDIMM (x72)
  • L – EC8 LRDIMM (x80)
  • P – EC4 RDIMM (x72)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
  • T – EC4 SODIMM (x72)
40B = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = Ranks
  • S – rank เดียว
  • D – สอง rank
  • Q – สี่ rank
4 = ประเภท DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
T = PMIC
  • I – Renesas
  • K – RichTek
  • M – Montage
  • P – MPS
  • T – TI
M = SPD Hub
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
P = เซ็นเซอร์ความร้อน
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • P – MPS
  • R – Rambus
64 = ความจุทั้งหมด
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
H = ผู้ผลิต DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
M = DRAM Die Revision
  • A – A Die
  • C – C Die
  • E – E Die
  • M – M Die
R = Register
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

AC

หมายเลขชิ้นส่วน: KVR48U40BS8K2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 48 – 4,800
  • 52 – 5,200
  • 56 – 5,600
  • 60 – 6,000
U = ประเภทโมดูล
  • U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S – SO-DIMM (Non-ECC Unbuffered)
40B = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 40B – CL40
  • 42B – CL42
  • 46B – CL46
S = หน้า
  • S – rank เดียว
  • D – สอง Rank
8 = ประเภท DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
K2 = ชุด + จำนวนชิ้นส่วน
  • เว้นว่าง – โมดูลเดียว
  • K2 – ชุด 2 แถว
  • K4 – ชุด 4 โมดูล
32 = ความจุทั้งหมด
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
X = การปรับแต่ง
  • เว้นว่าง – ชุดมาตรฐาน
  • BK – บรรจุรวม

ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วน™ Kingston FURY DDR4/DDR3

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston FURY ตามข้อมูลจำเพาะ

หมายเลขชิ้นส่วน: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • KF - Kingston FURY
4 = เทคโนโลยี
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2,666
  • 32 - 3,200
  • 36 - 3,600
  • 37 - 3,733
  • 40 - 4,000
  • 42 - 4,266
  • 46 - 4,600
  • 48 - 4,800
  • 50 - 5,000
  • 51 - 5,133
  • 53 - 5,333
C = ประเภทโมดูล
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
16 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = Series
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = ชุดกระจายความร้อน
  • เว้นว่าง - น้ำเงิน
  • B - ดำ
  • R - แดง
  • W - White
1 = การปรับปรุง
  • เว้นว่าง - การปรับปรุงครั้งที่ 1
  • 1 - โมดูล 16GB พร้อมส่วนประกอบ 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - การปรับปรุงครั้งที่ 2
  • 3 - การปรับปรุงครั้งที่ 3
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • เว้นว่าง - Non-RGB
  • A - RGB
K4 = ชุด + จำนวนที่อยู่ในชุด
  • ปล่อยว่าง - โมดูลเดียว
  • K2 - ชุด 2 โมดูล
  • K4 - ชุด 4 โมดูล
  • K8 - ชุด 8 โมดูล
64 = ความจุรวม
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

เลขชิ้นส่วน: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • KSM – Kingston Server Premier
26 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
R = ประเภทหน่วยความจำ
  • E – Unbuffered DIMM (ECC)
  • R – Registered DIMM
  • L – Load Reduced DIMM
  • SE – Unbuffered SO-DIMM (ECC)
D = อันดับ
  • S – แถวเดี่ยว
  • D – แถวคู่
  • Q – และสี่แถว
4 = ประเภท DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
L = โพรไฟล์
  • L – Very Low Profile DIMM
32 = ความจุรวม
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
H = ผู้ผลิต DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
A = DRAM การปรับปรุงแม่แบบ
  • A – A Die
  • B – B Die
  • E – E Die
I = ลงทะเบียนผู้ผลิต
  • I – IDT
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

เลขชิ้นส่วน: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • KVR – Kingston ValueRAM
21 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
L = แรงดันไฟฟ้าต่ำ
  • เปล่า – 1.2V
R = ประเภทโมดูล
  • E – Unbuffered DIMM (ECC) พร้อมเซ็นเซอร์ความร้อน
  • L – Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
  • N – Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R – Registered DIMM พร้อมฟังก์ชั่น Address/Command Parity และเซ็นเซอร์วัดความร้อน
  • S – SODIMM, Unbuffered (Non-ECC)
15 = หน่วงเวลา CAS
  • 15 – CL15
  • 19 – CL19
  • 22 – CL22
D = อันดับ
  • S – rank เดียว
  • D – สอง rank
  • Q – สี่ Rank
  • O – แปด Rank
8 = ประเภท DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
  • 6 – x16
L = โพรไฟล์
  • ปล่อยว่าง – ทุกระดับความสูง
  • H – 31.25 มม.
  • L – 18.75 มม. (VLP)
K2 = ชุด + จำนวนชิ้นส่วน
  • ปล่อยว่าง – แถวเดียว
  • K2 – ชุดหน่วยความจำ 2 แถว
  • K3 – ชุดหน่วยความจำ 3 แถว
4 = ความจุรวม
  • 4 – 4GB
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
H = ผู้ผลิต DRAM
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • S – Samsung
B = การปรับปรุงแม่แบบ
  • B – การปรับปรุงแม่แบบ
I = รับรองโดย Intel
  • I – รับรองโดย Intel

หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston DDR5

เลขชิ้นส่วน: CBD48S40BD8MA-32

  • CBD
  • 48
  • S
  • 40B
  • D
  • 8
  • M
  • A
  • -
  • 32
CBD = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • CBD – หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston
48 = Speed (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
S = ประเภทหน่วยความจำ
  • U – Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • S – SODIMM, Unbuffered (Non-ECC)
40B = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = Ranks
  • S – rank เดียว
  • D – สอง rank
8 = ประเภท DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
M = ผู้ผลิต DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
A = DRAM Die Revision
  • A – A Die
  • B – B Die
  • M – M Die
32 = ความจุทั้งหมด
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB

หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston DDR4

เลขชิ้นส่วน: CBD26D4U9D8HJV-16

  • CBD
  • 26
  • D4
  • U
  • 9
  • D
  • 8
  • H
  • J
  • V
  • -
  • 16
CBD = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • CBD – หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston
26 = Speed (MT/s*)
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 32 – 3200
D4 = เทคโนโลยี
  • D4 – DDR4
U = ประเภทโมดูล
  • U – Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • S – SODIMM, Unbuffered (Non-ECC)
9 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 5 – CL15-15-15
  • 7 – CL17-17-17
  • 9 – CL19-19-19
  • 2 – CL22-22-22
D = Ranks
  • S – rank เดียว
  • D – สอง rank
8 = ประเภท DRAM
  • 8 – x8
  • 1 – x16
H = ผู้ผลิต DRAM
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • N – Nanya
  • S – Samsung
J = รุ่นของ DRAM Die
  • A – A Die
  • B – B Die
  • C – C Die
  • D – D Die
  • E – E Die
  • F – F Die
  • H – H Die
  • J – J Die
  • R – R Die
V = ประเภท PCB
  • ดำ – แฟลชโกลด์
  • H – ฮาร์ดโกลด์
  • V – ทรงต่ำพิเศษ
16 = ความจุทั้งหมด
  • 4 – 4GB
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB

หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston DDR3

เลขชิ้นส่วน: CBD16D3LFU1KBG/2G

  • CBD
  • 16
  • D3L
  • F
  • U
  • 1
  • K
  • B
  • G
  • –
  • 2G
CBD = กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • CBD – หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston
16 = Speed (MT/s*)
  • 16 – 1600
D3L = เทคโนโลยี
  • D3 – DDR3 (1.5V)
  • D3L – DDR3L (1.35V / 1.5V)
F = ประเภท DRAM
  • ปล่อยว่าง – x8
  • F – x16
U = ประเภทโมดูล
  • U – Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • S – SODIMM, Unbuffered (Non-ECC)
1 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 1 – CL11-11-11
K = ผู้ผลิต DRAM
  • K – Kingston
  • S – Samsung
B = รุ่นของ DRAM Die
  • B – B Die
  • D – D Die
  • E – E Die
G = ประเภท PCB
  • L – ทรงต่ำพิเศษ
  • G – เขียว (รองรับ RoHS)
  • H – ฮาร์ดโกลด์
2G = ความจุรวม
  • 2G – 2GB
  • 4G – 4GB
  • 8G – 8GB

ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วน HyperX®

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston HyperX ตามข้อมูลจำเพาะ

หมายเลขชิ้นส่วน: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX - กลุ่มผลิตภัณฑ์
  • HX - HyperX (เดิม)
4 = เทคโนโลยี
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = เทคโนโลยี (MT/s*)
  • 13 - 1,333
  • 16 - 1,600
  • 18 - 1,866
  • 21 - 2,133
  • 24 - 2,400
  • 26 - 2,666
  • 28 - 2,800
  • 29 - 2,933
  • 30 - 3,000
  • 32 - 3,200
  • 33 - 3,333
  • 34 - 3,466
  • 36 - 3,600
  • 37 - 3,733
  • 40 - 4,000
  • 41 - 4,133
  • 42 - 4,266
  • 46 - 4,600
  • 48 - 4,800
  • 50 - 5,000
  • 51 - 5,133
  • 53 - 5,333
C = ประเภท DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = Series
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = ชุดกระจายความร้อน
  • เว้นว่าง - น้ำเงิน
  • B - ดำ
  • R - แดง
  • W - ขาว
3 = การปรับปรุง
  • 2 - การปรับปรุงครั้งที่ 2
  • 3 - การปรับปรุงครั้งที่ 3
  • 4 - การปรับปรุงครั้งที่ 4
A = RGB
  • เว้นว่าง - Non-RGB
  • A - RGB
K4 = ชุด + จำนวนที่อยู่ใน
  • เว้นว่าง - โมดูลเดียว
  • K2 - ชุด 2 โมดูล
  • K4 - ชุด 4 โมดูล
  • K8 - ชุด 8 โมดูล
32 = ความจุทั้งหมด
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

จะอ่านเลขชิ้นส่วน อย่างไร

ตัวอย่าง
รหัสใหม่สำหรับชิ้นส่วน: KVR 16 R11 D4 / 8
รหัสเดิมสำหรับชิ้นส่วน: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

รหัสชิ้นส่วนใหม่จะมีผลกับชิ้นส่วนที่เปิดตัวหลังจากวันที่ 1 พ.ค. 2555

เลขชิ้นส่วน: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = แรงดันไฟฟ้าต่ำ
  • เปล่า: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
R = ประเภทหน่วยความจำ
  • E: DIMM ไม่มีบัฟเฟอร์ (ECC)
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R: Registered DIMM
  • L: Load-Reduced DIMM
  • S: SO-DIMM
11 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 11: ค่าหน่วงเวลา CAS
D = อันดับ
  • S: แถวเดี่ยว
  • D: แถวคู่
  • Q: และสี่แถว
8 = ประเภท DRAM
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
L = โพรไฟล์
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = ชุดอุปกรณ์ + จำนวนชิ้น
  • K2: ชุดละสองตัว
  • K3: ชุดละสามตัว
  • K4: ชุดละสี่ตัว
4 = ความจุ
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
H = DRAM MFGR/การรับรอง
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: รับรองโดย Intel
B = การปรับปรุงแม่แบบ
  • B: การปรับปรุงแม่แบบ

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

เลขชิ้นส่วน: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 1066: ความเร็ว
D3 = เทคโนโลยี
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = แรงดันไฟฟ้าต่ำ
  • เปล่า: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
D = อันดับ
  • S: แถวเดี่ยว
  • D: แถวคู่
  • Q: และสี่แถว
8 = ประเภท DRAM
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
R = ประเภทหน่วยความจำ
  • P: Parity on Register (for registered modules only)
  • E: DIMM ไม่มีบัฟเฟอร์ (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R: Registered DIMM พร้อมที่อยู่/คำสั่ง ฟังก์ชั่นพาริตี้
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • 7: ค่าหน่วงเวลา CAS
S = เซ็นเซอร ระบายความร้อน
  • เปล่า : Without เซ็นเซอร ระบายความร้อน
  • S: มีเซ็นเซอร์ระบายความร้อน
L = โพรไฟล์
  • เปล่า: ทุกความสูง
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = ชุดอุปกรณ์ + จำนวนชิ้น
  • เปล่า : แถวเดียว
  • K2: ชุดละสองตัว
  • K3: ชุดละสามตัว
4G = ความจุ
  • 4G: ความจุ
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = การปรับปรุงแม่แบบ
  • B: การปรับปรุงแม่แบบ

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

เลขชิ้นส่วน: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = ความเร็ว (MT/s*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = ชิปลงทะเบียน
  • R: ชิปลงทะเบียน
C3 = ค่าหน่วงเวลา CAS
  • C3: ค่าหน่วงเวลา CAS
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = ชุดอุปกรณ์ + จำนวนชิ้น
  • K2: ชุดอุปกรณ์ ชุดละสองตัว
1G = ความจุ
  • 1G: ความจุ

เวลาเรียกค้นข้อมูล

ข้อมูลด้านล่างสามารถใช้เพื่อศึกษาการตั้งค่าต่าง ๆ ที่สามารถปรับแต่งขณะกำหนดค่าหน่วงเวลาของหน่วยความจำที่ BIOS ของเมนบอร์ดเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงสุด ทั้งนี้ค่าเหล่านี้อาจแตกต่างกันไปตามยี่ห้อและรุ่นของเมนบอร์ดหรือเวอร์ชั่นเฟิร์มแวร์ BIOS

ตัวอย่าง

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

ค่าหน่วงเวลา CAS (CL): ระยะหน่วงระหว่างการสั่งการแถวและการอ่านแถวหน่วยความจำ

RAS to CAS หรือ RAS to Column Delay (tRCD): สั่งงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว

Row Precharge Delay หรือ RAS Precharge Delay (tRP/tRCP): ปิดการทำงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว

Row Active Delay หรือ RAS Active Delay หรือเวลาก่อนพร้อมทำงาน (tRA/tRD/tRAS) : จำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาและระหว่างการเปิด/ปิดใช้งานแถวหน่วยความจำ

ข้อสงวนสิทธิ์: ลิตภัณฑ์จาก Kingston ทั้งหมดได้รับการทดสอบว่ามีคุณสมบัติทางเทคนิคที่แจ้งไว้ เครื่องหรือเมนบอร์ดบางตัวอาจไม่สามารถรองรับการทำงานตามความเร็วและการตั้งค่าที่กำหนดสำหรับ Kingston ที่มีแจ้งไว้ Kingston ไม่แนะนำให้ผู้ใช้ปรับการทำงานของคอมพิวเตอร์ให้เร็วกว่าความเร็วที่แจ้งไว้ การโอเวอร์คล็อคหรือปรับแต่งค่าเวลาการทำงานของระบบอาจทำให้ส่วนประกอบของคอมพิวเตอร์เกิดความเสียหาย