ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วนหน่วยความจำจาก Kingston

เรียนรู้วิธีการอ่านหมายเลขชิ้นส่วนหน่วยความจำจาก Kingston^® รวมทั้งผลิตภัณฑ์หน่วยความจำในกลุ่ม Kingston FURY^™, Server Premier^™, ValueRAM^®, DDR5, DDR4 และ DDR3 เพื่อให้คุณสามารถระบุรายละเอียดได้ตามข้อมูลจำเพาะ

หมายเลขชิ้นส่วน: KF560C36BBE2AK2-32

KF = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KF – Kingston FURY

5 = เทคโนโลยี

5 – DDR5

60 = ความเร็ว (MT/s)

52 – 5.200
56 – 5.600
60 – 6.000
64 – 6.400
68 – 6.800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000
84 – 8400
88 – 8800

C = ประเภทโมดูล

C – UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
R – EC8 RDIMM (x80)
CU – CUDIMM (Non-ECC Clocked Unbuffered)

36 = ค่าหน่วงเวลา CAS

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40
42 – CL42

B = Series

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = ชุดกระจายความร้อน

B – ดำ
S – ดำและเงิน
W – ขาวหรือขาวและเงิน

E = ประเภทโพรไฟล์

เว้นว่าง - Intel XMP / Plug N Play / AMD EXPO & Intel XMP
E - AMD EXPO & Intel XMP

2 = การปรับปรุง

เว้นว่าง – การปรับปรุงครั้งที่ 1
2 – การปรับปรุงครั้งที่ 2
3 – การปรับปรุงครั้งที่ 3

A = RGB

เว้นว่าง - Non-RGB
A – RGB

K2 = ชุดผลิตภัณฑ์ + จำนวนชิ้น

เว้นว่าง – โมดูลเดียว
K2 - ชุด 2 โมดูล
K4 - ชุด 4 โมดูล
K8 - ชุด 8 โมดูล

32 = ความจุทั้งหมด

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
256 – 256GB

Part Number: KSM56R46BD4PMI-64HAI

KSM = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KSM - Kingston Server Premier

56 = Speed (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

R = ประเภทโมดูล

E – EC4 UDIMM (x72)
T – EC4 SODIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
B – EC4 CUDIMM (x72)
W – EC4 CSODIMM (x72)

46B = ค่าหน่วงเวลา CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Ranks

S – rank เดียว
D – สอง rank
Q – สี่ rank

4 = ประเภท DRAM

4 – x4
8 – x8

P = PMIC

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
K – RichTek
T – TI
ปล่อยว่าง – ปลดล็อก

M = SPD Hub

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
ปล่อยว่าง – ปลดล็อก

I = เซ็นเซอร์ความร้อน

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus
ปล่อยว่าง – ปลดล็อก

64 = ความจุทั้งหมด

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = ผู้ผลิต DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = DRAM Die Revision

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
M – M Die

I = Register

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
ปล่อยว่าง – ปลดล็อก

หมายเลขชิ้นส่วน: KVR56U46BD8-32

KVR = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KVR – Kingston ValueRAM

56 = ความเร็ว (MT/s)

48 – 4,800
52 – 5,200
56 – 5,600
64 – 6400

U = ประเภทโมดูล

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SO-DIMM (Non-ECC Unbuffered)
A – CUDIMM (Non-ECC Clocked Unbuffered)
V – CSO-DIMM (Non-ECC Clocked Unbuffered)

46B = ค่าหน่วงเวลา CAS

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46
52B – CL52

D = หน้า

S – rank เดียว
D – สอง Rank

8 = ประเภท DRAM

8 – x8
6 – x16

K2 = ชุด + จำนวนชิ้นส่วน

เว้นว่าง – โมดูลเดียว
K2 – ชุด 2 แถว
K4 – ชุด 4 โมดูล

32 = ความจุทั้งหมด

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB

X = การปรับแต่ง

เว้นว่าง – ชุดมาตรฐาน
BK – บรรจุรวม

หมายเลขชิ้นส่วน: KF432C16BB12AK2/32

KF = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KF - Kingston FURY

4 = เทคโนโลยี

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = ความเร็ว (MT/s)

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2,666
32 - 3,200
36 - 3,600
37 - 3,733
40 - 4,000
42 - 4,266
46 - 4,600
48 - 4,800
50 - 5,000
51 - 5,133
53 - 5,333

C = ประเภทโมดูล

C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

16 = ค่าหน่วงเวลา CAS

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = Series

B - Beast
I - Impact
R - Renegade

B = ชุดกระจายความร้อน

เว้นว่าง - น้ำเงิน
B - ดำ
R - แดง
W - White

1 = การกําหนดค่าโมดูล 16GB

ว่างเปล่า – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = การปรับปรุง

เว้นว่าง - การปรับปรุงครั้งที่ 1
2 - การปรับปรุงครั้งที่ 2
3 - การปรับปรุงครั้งที่ 3
4 - 4th Revision

A = RGB

เว้นว่าง - Non-RGB
A - RGB

K2 = ชุด + จำนวนที่อยู่ในชุด

ปล่อยว่าง - โมดูลเดียว
K2 - ชุด 2 โมดูล
K4 - ชุด 4 โมดูล
K8 - ชุด 8 โมดูล

32 = ความจุรวม

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

เลขชิ้นส่วน: KSM32RD4/32HDR

KSM = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KSM – Kingston Server Premier

32 = ความเร็ว (MT/s)

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = ประเภทหน่วยความจำ

E – UDIMM (ECC Unbuffered)
SE – SODIMM (ECC Unbuffered)
R – RDIMM (ECC Registered DIMM)
L – LRDIMM (Load Reduced DIMM)

D = อันดับ

S – แถวเดี่ยว
D – แถวคู่
Q – และสี่แถว

4 = ประเภท DRAM

4 – x4
8 – x8

L = โพรไฟล์

L – Very Low Profile DIMM

32 = ความจุรวม

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB

H = ผู้ผลิต DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

D = DRAM การปรับปรุงแม่แบบ

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die

R = ลงทะเบียนผู้ผลิต

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus
ปล่อยว่าง – ปลดล็อก

เลขชิ้นส่วน: KVR32N22D8/32

KVR = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KVR – Kingston ValueRAM

32 = ความเร็ว (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = ประเภทโมดูล

N – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
E - UDIMM (ECC Unbuffered)
SE – SODIMM (ไม่มีบัฟเฟอร์ ECC)
R – RDIMM (ECC Registered DIMM)
L – LRDIMM (Load Reduced DIMM)

22 = หน่วงเวลา CAS

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = อันดับ

S – rank เดียว
D – สอง rank
Q – สี่ Rank

8 = ประเภท DRAM

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = โพรไฟล์

ปล่อยว่าง – ทุกระดับความสูง
L – 18.75 มม. (VLP)

K2 = ชุด + จำนวนชิ้นส่วน

ปล่อยว่าง – แถวเดียว
K2 – ชุดหน่วยความจำ 2 แถว
K3 – ชุดหน่วยความจำ 3 แถว

32 = ความจุรวม

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = ผู้ผลิต DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
K – Kingston

B = การปรับปรุงแม่แบบ

B – การปรับปรุงแม่แบบ

I = รับรองโดย Intel

I – รับรองโดย Intel

เลขชิ้นส่วน: CBD56S46BD8HA-32

CBD = กลุ่มผลิตภัณฑ์

CBD – หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston

56 = Speed (MT/s)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
64 – 6400

S = ประเภทหน่วยความจำ

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (ไม่มีบัฟเฟอร์ Non-ECC)
A – CUDIMM (Non-ECC Clocked Unbuffered)
V – CSODIMM (Non-ECC Clocked Unbuffered)

46B = ค่าหน่วงเวลา CAS

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45
52B – CL52-52-52

D = Ranks

S – rank เดียว
D – สอง rank

8 = ประเภท DRAM

8 – x8
6 – x16

H = ผู้ผลิต DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = DRAM Die Revision

A – A Die
B – B Die
M – M Die

32 = ความจุทั้งหมด

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB

เลขชิ้นส่วน: CBD32D4U2D8HD-16

CBD = กลุ่มผลิตภัณฑ์

CBD – หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston

32 = Speed (MT/s)

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = เทคโนโลยี

D4 – DDR4

U = ประเภทโมดูล

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (ไม่มีบัฟเฟอร์ Non-ECC)

2 = ค่าหน่วงเวลา CAS

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = Ranks

S – rank เดียว
D – สอง rank

8 = ประเภท DRAM

8 – x8
1 – x16

H = ผู้ผลิต DRAM

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung
N – Nanya
K – Kingston

D = รุ่นของ DRAM Die

A – A Die
B – B Die
C – C Die
D – D Die
E – E Die
F – F Die
H – H Die
J – J Die
R – R Die

V = ประเภท PCB

ดำ – แฟลชโกลด์
H – ฮาร์ดโกลด์
V – ทรงต่ำพิเศษ

16 = ความจุทั้งหมด

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

เลขชิ้นส่วน: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = กลุ่มผลิตภัณฑ์

CBD – หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston

16 = Speed (MT/s)

16 – 1600

D3L = เทคโนโลยี

D3 – DDR3 (1.5V)
D3L – DDR3L (1.35V / 1.5V)

F = ประเภท DRAM

ปล่อยว่าง – x8
F – x16

U = ประเภทโมดูล

U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (ไม่มีบัฟเฟอร์ Non-ECC)

1 = ค่าหน่วงเวลา CAS

1 – CL11-11-11

K = ผู้ผลิต DRAM

S – Samsung
K – Kingston

B = รุ่นของ DRAM Die

B – B Die
D – D Die
E – E Die

G = ประเภท PCB

L – ทรงต่ำพิเศษ
G – เขียว (รองรับ RoHS)
H – ฮาร์ดโกลด์

2G = ความจุรวม

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

จะอ่านเลขชิ้นส่วน อย่างไร

ตัวอย่าง
รหัสใหม่สำหรับชิ้นส่วน: KVR16LN11/8
รหัสเดิมสำหรับชิ้นส่วน: KVR 16 N 11 S8 K2 / 8

รหัสชิ้นส่วนใหม่จะมีผลกับชิ้นส่วนที่เปิดตัวหลังจากวันที่ 1 พ.ค. 2556

เลขชิ้นส่วน: KVR16LN11/8

KVR = กลุ่มผลิตภัณฑ์

KVR – Kingston ValueRAM

16 = ความเร็ว (MT/s)

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = แรงดันไฟฟ้าต่ำ

เปล่า – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

N = ประเภทหน่วยความจำ

N – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
E – ECC UDIMM (ECC Unbuffered)
SE – SODIMM (ECC Unbuffered)
R – RDIMM (ECC Registered DIMM)
L – LRDIMM (Load Reduced DIMM)

11 = ค่าหน่วงเวลา CAS

11 – CL11-11-11

S = อันดับ

S – แถวเดี่ยว
D – แถวคู่
Q – และสี่แถว

8 = ประเภท DRAM

4 – x4
8 – x8

L = โพรไฟล์

ว่างเปล่า - 18.75 มม. หรือ 30 มม
L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = ชุดอุปกรณ์ + จำนวนชิ้น

ว่างเปล่า - โมดูลเดียว
K2 – ชุด 2 แถว
K3 – ชุด 3 แถว
K4 – ชุด 4 โมดูล

8 = ความจุ

4 – 4GB
8 – 8GB
12 – 12GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB

H = DRAM MFGR/การรับรอง

H – SK Hynix
E – Elpida
I – รับรองโดย Intel

B = การปรับปรุงแม่แบบ

B – การปรับปรุงแม่แบบ

เวลาเรียกค้นข้อมูล

ข้อมูลด้านล่างสามารถใช้เพื่อศึกษาการตั้งค่าต่าง ๆ ที่สามารถปรับแต่งขณะกำหนดค่าหน่วงเวลาของหน่วยความจำที่ BIOS ของเมนบอร์ดเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงสุด ทั้งนี้ค่าเหล่านี้อาจแตกต่างกันไปตามยี่ห้อและรุ่นของเมนบอร์ดหรือเวอร์ชั่นเฟิร์มแวร์ BIOS

ตัวอย่าง

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

ค่าหน่วงเวลา CAS (CL): ระยะหน่วงระหว่างการสั่งการแถวและการอ่านแถวหน่วยความจำ

RAS to CAS หรือ RAS to Column Delay (tRCD): สั่งงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว

Row Precharge Delay หรือ RAS Precharge Delay (tRP/tRCP): ปิดการทำงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว

Row Active Delay หรือ RAS Active Delay หรือเวลาก่อนพร้อมทำงาน (tRA/tRD/tRAS) : จำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาและระหว่างการเปิด/ปิดใช้งานแถวหน่วยความจำ

ข้อสงวนสิทธิ์: ลิตภัณฑ์จาก Kingston ทั้งหมดได้รับการทดสอบว่ามีคุณสมบัติทางเทคนิคที่แจ้งไว้ เครื่องหรือเมนบอร์ดบางตัวอาจไม่สามารถรองรับการทำงานตามความเร็วและการตั้งค่าที่กำหนดสำหรับ Kingston ที่มีแจ้งไว้ Kingston ไม่แนะนำให้ผู้ใช้ปรับการทำงานของคอมพิวเตอร์ให้เร็วกว่าความเร็วที่แจ้งไว้ การโอเวอร์คล็อคหรือปรับแต่งค่าเวลาการทำงานของระบบอาจทำให้ส่วนประกอบของคอมพิวเตอร์เกิดความเสียหาย

ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วนหน่วยความจำจาก Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วน™ Kingston FURY DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston DDR5

หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston DDR4

หน่วยความจำ Design-in DRAM จาก Kingston DDR3

DDR3

เวลาเรียกค้นข้อมูล

ตัวอย่าง

ข้อมูลอ้างอิง