Kingston 產品型號解碼器
瞭解如何讀懂 Kingston® 記憶體產品型號,包括 Kingston FURY™、Server Premier™、ValueRAM®、HyperX®、DDR5、DDR4、DDR3、DDR2 和 DDR 記憶體產品系列,幫助您依照規格識別模組。
瞭解如何讀懂 Kingston® 記憶體產品型號,包括 Kingston FURY™、Server Premier™、ValueRAM®、HyperX®、DDR5、DDR4、DDR3、DDR2 和 DDR 記憶體產品系列,幫助您依照規格識別模組。
下列資訊將協助您按規格識別 Kingston FURY 記憶體模組。
範例產品編號: KF556C38BBE2AK2-32
範例產品編號: KVR48U40BS8LK2-32X
下列資訊旨在於協助您按規格識別 Kingston FURY DDR4/DDR3 記憶體模組。
範例產品編號: KF432C16BB1AK4/64
下列資訊旨在於協助您按規格識別 Kingston HyperX 記憶體模組。
範例產品編號: HX429C15PB3AK4/32
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
產品型號: KSM26RD4L/32HAI
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
產品型號 :KVR21LR15D8LK2/4HBI
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
如何判讀 ValueRAM 產品型號
範例:
新產品型號:KVR 16 R11 D4 / 8
舊產品型號:KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
新產品型號適用於 2012 年 5 月 1 日之後發行的產品。
產品型號: KVR16LR11D8LK2/4HB
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
產品型號:KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB
(PC2100, PC2700, PC3200)
產品型號: KVR400X72RC3AK2/1G
模組上的記憶體單元可用總數以 GB 表示。關於套件,所列的容量是該套件中所有模組的合計容量。
對記憶體模組和記憶體控制器讀取/寫入資料的標準預設時脈數CAS 延遲表示載入資料讀取/寫入指令及行/列位址後,資料準備就緒之前的等待時間。
第四代 DDR (雙倍資料速率) 同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM) 記憶體技術,一般稱為「DDR4」。DDR4 記憶體模組由於電壓較低 (1.2V)、針腳配置不同以及記憶體晶片技術不相容,因此無法向下相容前幾代的 DDR SDRAM。
第五代 DDR (雙倍資料速率) 同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM) 記憶體技術,一般稱為「DDR5」。DDR5 記憶體模組由於電壓較低 (1.1V)、針腳配置不同以及記憶體晶片技術不相容,因此無法向下相容前幾代的 DDR SDRAM。
UDIMM (非 ECC 無緩衝雙列直插式記憶體模組) 是一個長尺寸的記憶體模組,為 64-bit 寬度,一般用於無需偵錯且 DIMM 容量受限制的桌上型主機系統中。
SODIMM (小型雙列直插式記憶體模組) 是一種尺寸較小的記憶體模組,適用於較小型的電腦系統,如筆記型電腦、微型伺服器、印表機或路由器。
位元是運算的最小資料單位,以 1 或 0 (開/關) 表示。根據國際單位制 (SI) 的定義,一個 Gigabit (Gb) 是十億位元 (或 109)。在電腦記憶體方面,Gb (或 Gbit) 一般是用於表示單一 DRAM 零組件的密度。
一個位元組由 8 個位元組成。根據國際單位制 (SI) 的定義,一個 Gigabyte (GB) 是十億位元組 (或 109)。在電腦記憶體方面,GB 是用於表示記憶體模組的資料總容量,或是合併後相當於系統總計記憶體的記憶體模組群組。
具備多個記憶體模組的零件編號,通常支援雙通道、三通道或四通道記憶體架構。例如,K2 = 總容量等於封裝中的 2 個 DIMM。
記憶體模組支援的資料速率或有效時脈,以 MHz (百萬赫) 或 MT/s (每秒可傳輸次數) 為單位。速度越高,每秒可傳輸的資料量就越多。
「列」(Rank) 是指記憶體模組上的可定址資料區塊。在 DDR2、DDR3 和 DDR4 上,這些資料區塊的寬度為 64 位元 (x64),再加上 ECC (x72) 的 8 位元。DDR5 模組同樣是每列 64 位元,但是當採用 ECC 時,每列資料區塊的寬度為 80 位元 (x80)。模組建構形式包括單列 (1R)、雙列 (2R)、四列 (4R) 或八列 (8R)。列數通常可以增加,以提供更大的模組儲存容量。
記憶體通道是記憶體模組和記憶體控制器 (通常位於處理器內部) 之間的資料傳輸路徑。大部分的運算系統 (個人電腦、筆記型電腦、伺服器) 皆採用多通道記憶體架構,並會合併使用通道以提高記憶體效能。「雙通道記憶體架構」代表成對安裝相同的模組,藉此讓記憶體控制器的有效頻寬加倍。
當您在主機板 BIOS 中設定記憶體時序以獲得最佳效能時,下方資訊將有助於說明各種可調整的設定。請注意,這些設定會依據主機板品牌/型號或 BIOS 韌體版本而有所不同。
CAS 延遲 (CL):啟動列與讀取列之間的延遲時間。
RAS至CAS延遲(RAS to CAS),又稱列控制器至行控制器傳輸延遲時間(tRCD):啟動列
列預充電延遲時間(Row Precharge Delay),又稱列位址控制器預充電延遲時間(RAS Precharge Delay)(tRP/tRCP):停用列
列動態延遲時間(Row Active Delay),又稱列位址控制器動態延遲時間(RAS Active Delay),或就緒時間(time to ready)(tRA/tRD/tRAS):啟動列與停用列之間的時脈週期數。
免責聲明:所有 Kingston 產品都經過測試,符合公告的規格。某些系統或主機板配置可能無法在 Kingston 記憶體額定速度和時序下運作。Kingston 不建議任何使用者嘗試以超過額定速度的速度使用電腦。進行超頻或修改系統時序可能會導致電腦元件損壞。