Расшифровка номеров по каталогу Kingston

Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.

Kingston FURY™ DDR5

The following information is designed to help you identify Kingston FURY Memory Modules by Specification.

Номер артикула: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = линейка продукции
  • KF – Kingston FURY
5 = технология
  • 5 – DDR5
56 = скорость (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
C = тип памяти DIMM
  • C – UDIMM (Небуферизовані модулі без ECC)
  • S – SODIMM (Небуферизовані модулі без ECC)
38 = CAS-латентность
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = серия
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = теплоотвод
  • B – ??
  • S – срібло
E = Тип Профіль
  • Blank - Intel XMP / Plug and Play
  • E - AMD EXPO
2 = перегляд
  • Blank - 1st Revision
  • 2 - 2nd Revision
  • 3 - 3rd Revision
A = RGB
  • Blank – Non-RGB
  • A – RGB
K2 = комплект + кол-во модулей в
  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из четырех модулей
16 = общая емкость
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 32GB

DDR5 ValueRAM

Part Number: KVR48U40BS8LK2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • L
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = Speed (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
U = DIMM Type
  • U – DIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S – SO-DIMM (Non-ECC Unbuffered)
40B = CAS Latency
  • 40 – 40-40-40
  • 40B – 40-39-39
  • 42 – 42-42-42
  • 46 – 46-46-46
S = Ranks
  • S – Single Rank
  • D – Dual Rank
8 = DRAM Type
  • 8 – x8 DRAM chip
  • 6 – x16 DRAM chip
L = Profile
  • Blank – Standard
  • L – Very Low Profile (VLP)
K2 = Kit + Number of pieces
  • Blank – Single Module
  • K2 – Kit of 2 Modules
  • K4 – Kit of 4 Modules
32 = Capacity
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
X = Customization
  • Blank – Standard Pack
  • BK – Bulk Pack

Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Part Number: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = Product Line
  • KF - Kingston FURY
4 = Technology
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = Speed (MT/s*)
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = DIMM Type
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
16 = CAS Latency
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = Series
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = Heat Spreader
  • Blank - Blue
  • B - Black
  • R - Red
  • W - White
1 = Revision
  • Blank - 1st Revision
  • 1 - 16GB module(s) with 1Gx8 (8Gbit) components
  • 2 - 2nd Revision
  • 3 - 3rd Revision
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • Blank - Non-RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + no. in kit
  • Blank – Single module
  • K2 - Kit of 2 modules
  • K4 - Kit of 4 modules
  • K8 - Kit of 8 modules
64 = Total Capacity
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

HyperX® Part Number Decoder

The following information is designed to help you identify Kingston HyperX Memory Modules by Specification.

Part Number: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = Product Line
  • HX - HyperX (Legacy)
4 = Technology
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = Speed (MT/s*)
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = DIMM Type
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = CAS Latency
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = Series
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = Heat Spreader
  • Blank - Blue
  • B - Black
  • R - Red
  • W - White
3 = Revision
  • 2 - 2nd Revision
  • 3 - 3rd Revision
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • Blank - Non-RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + no. in kit
  • Blank – Single module
  • K2 - Kit of 2 modules
  • K4 - Kit of 4 modules
  • K8 - Kit of 8 modules
32 = Total Capacity
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = Kingston Server Premier
  • KSM: Kingston Server Premier
26 = Скорость (MT/s*)
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
R = Тип модуля
  • E: модуль DIMM без буфера (ECC)
  • R: зарегистрированный модуль DIMM
  • L: модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
  • SE: модуль SO-DIMM без буфера (ECC)
D = Ранки
  • S: одинарный
  • D: двойной
  • Q: Четырех
4 = Тип DRAM
  • 4: x4
  • 8: x8
L = Профиль печатной платы
  • L: очень низкопрофильный модуль DIMM
32 = хранения
  • 8 Гб
  • 16 Гб
  • 32 Гб
  • 64 Гб
  • 128 Гб
  • 256 Гб
H = Изготовитель DRAM
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
A = Новая версия кристалла DRAM
  • A кристалла
  • B кристалла
  • E кристалла
I = Зарегистрировать изготовителя
  • I: IDT
  • M: Montage
  • R: Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR : Kingston ValueRAM
21 = Скорость (MT/s*)
  • 21 : 2133
  • 24 : 2400
  • 26 : 2666
  • 29 : 2933
  • 32 : 3200
L = Низковольтный
  • Без обозначения: 1,2V
  • L: TBD
R = Тип модуля
  • E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)
15 = Латентность (CAS)
  • 15 : Латентность (CAS)
D = Ранки
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
  • O: восьмиранковый
8 = Тип DRAM
  • 4: x4 микросхема DRAM
  • 8: x8 микросхема DRAM
  • 6: x16 микросхема DRAM
L = Профиль
  • Без обозначения: любая высота
  • H: 31,25mm
  • L: 18,75mm (VLP)
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
4 = хранения
  • 4 : хранения (Гб)
H = Изготовитель DRAM
  • H : SK Hynix
  • K : Kingston
  • M : Micron
  • S : Samsung
B = Версия
  • B : Версия
I = Сертификация Intel
  • I : Сертификация Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM

Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = Скорость (MT/s*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = Низковольтный
  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
R = Тип модуля
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = Латентность (CAS)
  • 11: Латентность (CAS)
D = Ранки
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
8 = Тип DRAM
  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8
L = Профиль
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • K4: комплект из четырех модулей
4 = хранения
  • 4: 4Гб
  • 8: 8Гб
  • 12: 12Гб
  • 16: 16Гб
  • 24: 24Гб
  • 32: 32Гб
  • 48: 48Гб
  • 64: 64Гб
H = DRAM MFGR/Сертификация
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Сертификация Intel
B = Версия кристалла
  • B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Скорость (MT/s*)
  • 1066: Скорость
D3 = Technology
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = Низковольтный
  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
D = Технология
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
8 = DRAM
  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8
R = Тип модуля
  • P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = Латентность (CAS)
  • 7: Латентность (CAS)
S = термодатчиком
  • Без обозначения: без термодатчика
  • S: с термодатчиком
L = Профиль
  • Без обозначения:Без обозначения
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
4G = хранения
  • 4G: хранения (Гб)
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = Версия
  • B: Версия

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = Скорость (MT/s*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = регистровая
  • R: регистровая
C3 = Латентность (CAS)
  • C3: Латентность (CAS)
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Комплект + количество единиц продукции
  • K2: комплект из двух модулей
1G = хранения
  • 1G: хранения (Гб)

Глоссарий

Емкость

Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.

CAS-латентность

Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.

DDR4

Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

DDR5

Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

Тип памяти DIMM

UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.

Гигабит (Гбит)

Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.

Гигабайт (ГБ)

Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.

Комплект

Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.

Скорость (так же называемая частотой)

Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.

Ранг

Ранг обозначает адресуемый блок данных в модуле памяти. В модулях DDR2, DDR3 и DDR4 эти блоки данных имеют ширину 64 бита (x64), а в модулях с функцией ECC используется еще 8 бит (x72). Модули DDR5 также имеют 64 бита на ранг, однако при наличии в них функции ECC ширина блока данных составляет 80 бит на ранг (x80). Модули могут быть одноранговыми (1R), двухранговыми (2R), четырехранговыми (4R) или восьмиранговыми (8R). Как правило, чем больше количество рангов, тем выше емкость каждого модуля.

Канал памяти

Канал памяти — это путь передачи данных между модулем памяти и контроллером памяти (обычно находящимся внутри процессора). Большинство вычислительных систем (ПК, ноутбуки, серверы) имеют многоканальную архитектуру памяти, в которой каналы объединяются для увеличения производительности памяти. Двухканальная архитектура памяти означает, что при установке пары одинаковых модулей эффективная пропускная способность контроллера памяти удваивается.

Латентность (тайминг)

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.

Пример

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Заявление об ограничении ответственности. Вся продукция компании Kingston проходит тестирование на соответствие опубликованным техническим характеристикам. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти Kingston скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston не рекомендует пользователям пытаться разгонять свои компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора или изменение синхронизации системы может привести к повреждению компонентов компьютера.