Розшифровка номерів за каталогом Kingston

Дізнайтесь, як читати номери за каталогом модулів пам’яті Kingston®, включно з Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 та лінійками модулів пам’яті. Це допоможе вам ідентифікувати модулі пам’яті за специфікацією.

Kingston FURY™ DDR5

За нижченаведеною інформацією ви зможете визначити основні параметри модулю пам’яті Kingston FURY™, не зазираючи в його спеціфікацію.

Артикул: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = лінійка продукції
  • KF – Kingston FURY
5 = Покоління
  • 5 – DDR5
56 = швидкість (МТ/с*)
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
  • 68 – 6800
  • 72 – 7200
C = тип модуля
  • C – UDIMM
  • S – SODIMM
  • R – EC8 RDIMM (x80)
38 = Затримка CAS
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = серія
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = Колір тепловідводу
  • B – чорний
  • S – срібло
  • W – білий
E = Тип Профіль
  • не зазначено - Intel XMP / Plug and Play
  • E - AMD EXPO
2 = ревізія
  • не зазначено – початкова ревізія
  • 2 – друга ревізія
  • 3 – третя ревізія
A = RGB
  • не зазначено – без RGB-підсвітлення
  • А – RGB-підсвітлення
K2 = комплект + кількість одиниць
  • не зазначено – одиночний модуль
  • К2 – комплект із 2 модулів
  • K4 - комплект із 4 модулів
  • K8 - комплект із 8 модулів
16 = загальна ємність комплекту
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
  • 256 – 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR5

Наступна інформація призначена для того, щоб допомогти вам ідентифікувати модулі пам’яті Kingston Server Premier по специфікації.

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

  • KSM
  • 48
  • R
  • 40B
  • D
  • 4
  • T
  • M
  • P
  • -
  • 64
  • H
  • M
  • R
KSM = лінійка продукції
  • KSM - Kingston Server Premier
48 = швидкість (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
R = тип модуля
  • E – EC4 UDIMM (x72)
  • L – EC8 LRDIMM (x80)
  • P – EC4 RDIMM (x72)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
  • T – EC4 SODIMM (x72)
40B = затримка CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = ренки
  • S – одноренковий
  • D – дворенковий
  • Q – чотириренковий
4 = організація чіпів пам’яті
  • 4 – x4
  • 8 – x8
T = виробник PMIC
  • I – Renesas
  • K – RichTek
  • M – Montage
  • P – MPS
  • T – TI
M = виробник SPD хабу
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
P = виробник датчику температури
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • P – MPS
  • R – Rambus
64 = загальна ємність
  • 16 – 16ГБ
  • 32 – 32ГБ
  • 64 – 64ГБ
  • 128 – 128ГБ
H = виробник чіпів пам'яті
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
M = ревізія кристалу чіпів пам'яті
  • A – A Die
  • C – C Die
  • E – E Die
  • M – M Die
R = виробник регістру
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

Артикул: KVR48U40BS8K2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = лінійка продукції
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = швидкість (МТ/с*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
U = тип модуля
  • U – DIMM (небуферизований, без ЕСС)
  • S – SO-DIMM (небуферизований, без ЕСС)
40B = затримка CAS
  • 40B – CL40
  • 42B – CL42
  • 46B – CL46
S = ренки
  • S – 1-ренковий
  • D – 2-ренковий
8 = організація чіпів пам'яті
  • 8 – x8
  • 6 – x16
K2 = комплект + кількість одиниць
  • не зазначено – одиночний модуль
  • K2 – комплект з 2 модулів
  • K4 – комплект з 4 модулів
32 = загальна ємність комплекту
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
  • 256 – 256 ГБ
X = пакування
  • не зазначено – стандартне пакування
  • ВК – групове пакування

Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Артикул: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = лінійка продукції
  • KF - Kingston FURY
4 = покоління
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = швидкість (MT/c*)
  • 16 - 1600 (1,5 B)
  • 16L - 1600 (1,35 B)
  • 18 - 1866 (1,5 B)
  • 18L - 1866 (1,35 B)
  • 26 - 2666
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = тип модуля
  • C - UDIMM (небуферизований, без ЕСС)
  • S - SODIMM (небуферизований, без ЕСС)
16 = затримка CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = серія
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = колір теплорозподільника
  • не зазначено – синій
  • В – чорний
  • R - червоний
  • W - білий
1 = ревізія
  • не зазначено – початкова ревізія
  • 1 – модулі 16 ГБ з чипами 1Gx8 (8 Гбіт)
  • 2 – 2 ревізія
  • 3 – 3 ревізія
  • 4 – 4 ревізія
A = RGB
  • не зазначено – без RGB-підсвітлення
  • А – RGB-підсвітлення
K4 = комплект + кількість одиниць
  • не зазначено – одиночний модуль
  • К2 – комплект із 2 модулів
  • К4 – комплект із 4 модулів
  • К8 – комплект із 8 модулів
64 = загальна ємність комплекту
  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 12 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Артикул: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = лінійка продукції
  • KSM – Kingston Server Premier
26 = швидкість (MT/c*)
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
R = тип модуля
  • E – DIMM (ECC) без буферизації
  • L – DIMM зі зниженим навантаженням
  • R – регістровий DIMM
  • SE – SODIMM (ECC) без буферизації
D = ренки
  • S – один
  • D – два
  • Q – чотири
4 = організація чіпів пам’яті
  • 4 – x4
  • 8 – x8
L = профіль
  • L – дуже низький профіль (VLP)
32 = загальна ємність
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
  • 256 – 256 ГБ
H = виробник чіпів пам'яті
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
A = ревізія кристалу чіпів пам'яті
  • A – A-Die
  • B – B-Die
  • E – E-Die
I = виробник регістру
  • I – IDT
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Артикул: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Product Line
  • KVR – Kingston ValueRAM
21 = швидкість (MT/c*)
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
L = напруга живлення
  • не зазначено – 1,2 В
  • L – знижена
R = тип модуля
  • E – небуферований ECC DIMM з термодатчиком
  • L – регістровий DIMM зі зменшеним навантаженням (LRDIMM)
  • N – небуферований DIMM без ECC
  • R – регістровий DIMM (RDIMM)
  • S – небуферований SODIMM без ECC
15 = затримка CAS
  • 15 – CL15
  • 19 – CL19
  • 22 – CL22
D = ренки
  • S – 1-ренковий
  • D – 2-ренковий
  • Q – 4-ренковий
  • О – 8-ренковий
8 = організація чипів пам'яті
  • 4 – x4
  • 8 – x8
  • 6 – x16
L = висота модулю
  • не зазначено – будь-яка висота
  • H – 31,25 мм
  • L – 18,75 мм (VLP)
K2 = комплект + кількість модулів у комплекті
  • не зазначено – одиночний модуль
  • К2 – комплект із 2 модулів
  • К3 – комплект із 3 модулів
4 = загальна ємність комплекту
  • 4 – 4GB
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
H = виробник чипів пам'яті
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • S – Samsung
B = ревізія
  • B – ревізія В
I = сертифікація Intel
  • I – сертифікація Intel

Модулі пам'яті Kingston Design-In DDR5

Артикул: CBD48S40BD8MA-32

  • CBD
  • 48
  • S
  • 40B
  • D
  • 8
  • M
  • A
  • -
  • 32
CBD = лінійка продукції
  • CBD – модуль пам'яті Kingston Design-in
48 = швидкість (МТ/с*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
S = тип модуля
  • U – DIMM без буферизації (non-ECC)
  • S – SODIMM без буферизації (non-ECC)
40B = затримка CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = ренки
  • S – одноренковий
  • D – дворенковий
8 = організація чипів пам’яті
  • 8 – x8
  • 6 – x16
M = виробник чипів пам’яті
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
A = ревізія кристалу чипів пам’яті
  • A – A Die
  • B – B Die
  • M – M Die
32 = загальна ємність
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ

Модулі пам'яті Kingston Design-In DDR4

Артикул: CBD26D4U9D8HJV-16

  • CBD
  • 26
  • D4
  • U
  • 9
  • D
  • 8
  • H
  • J
  • V
  • -
  • 16
CBD = лінійка продукції
  • CBD – модуль пам'яті Kingston Design-in
26 = швидкість (МТ/с*)
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 32 – 3200
D4 = технологія
  • D4 – DDR4
U = технологія
  • U – DIMM без буферизації (non-ECC)
  • S – SODIMM без буферизації (non-ECC)
9 = затримка CAS
  • 5 – CL15-15-15
  • 7 – CL17-17-17
  • 9 – CL19-19-19
  • 2 – CL22-22-22
D = ренки
  • S – одноренковий
  • D – дворенковий
8 = організація чипів пам’яті
  • 8 – x8
  • 1 – x16
H = виробник чипів пам'яті
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • N – Nanya
  • S – Samsung
J = ревізія кристалу чипів пам’яті
  • A – A Die
  • B – B Die
  • C – C Die
  • D – D Die
  • E – E Die
  • F – F Die
  • H – H Die
  • J – J Die
  • R – R Die
V = тип друкованої плати
  • Чорний – Flash Gold
  • H – Hard Gold
  • V – низькопрофільна
16 = загальна ємність
  • 4 – 4 ГБ
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ

Модулі пам'яті Kingston Design-In DDR3

Артикул: CBD16D3LFU1KBG/2G

  • CBD
  • 16
  • D3L
  • F
  • U
  • 1
  • K
  • B
  • G
  • –
  • 2G
CBD = лінійка продукції
  • CBD – модуль пам'яті Kingston Design-in
16 = швидкість (МТ/с*)
  • 16 – 1600
D3L = технологія
  • D3 – DDR3 (1,5 В)
  • D3L – DDR3L (1,35 В / 1,5 В)
F = організація чипів пам’яті
  • Пропущений – x8
  • F – x16
U = тип модуля
  • U – DIMM без буферизації (non-ECC)
  • S – SODIMM без буферизації (non-ECC)
1 = затримка CAS
  • 1 – CL11-11-11
K = виробник чипів пам’яті
  • K – Kingston
  • S – Samsung
B = ревізія кристалу чипів пам’яті
  • B – B Die
  • D – D Die
  • E – E Die
G = тип друкованої плати
  • L – низькопрофільна
  • G – зелена (відповідає вимогам RoHS)
  • H – Hard Gold
2G = загальна ємність
  • 2G – 2 ГБ
  • 4G – 4 ГБ
  • 8G – 8 ГБ

Розшифровка артикулів HyperX®

За нижченаведеною інформацією ви зможете визначити основні параметри модулю пам’яті Kingston HyperX®, не зазираючи в його спеціфікацію.

Артикул: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = лінійка продукції
  • HX - HyperX (попередні модулі)
4 = покоління
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = швидкість (MT/c*)
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = форм-фактор модулю пам'яті
  • C - UDIMM (небуферизований, без ЕСС)
  • S - SODIMM (небуферизований, без ЕСС)
15 = затримка CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = серія
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = Колір тепловідводу
  • не зазначено – синій
  • B - чорний
  • R - червоний
  • W - білий
3 = ревізія
  • 2 - друга ревізія
  • 3 - третя ревізія
  • 4 - четверта ревізія
A = RGB
  • не зазначено – без RGB-підсвітлення
  • А – підсвітлення RGB
K4 = комплект + кількість модулів у комплекті
  • не зазначено – одиночний модуль
  • K2 - комплект із 2 модулів
  • K4 - комплект із 4 модулів
  • K8 - комплект із 8 модулів
32 = загальна ємність комплекту
  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 128 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Розшифровка артикулів модулів пам’яті ValueRAM

Приклад:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Нова схема номерів застосована для продукції, виробленої після 1 травня 2012 року.

Артикул: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR - Kingston ValueRAM
16 = швидкість (MT/c*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = напруга живлення
  • не зазначено: 1,5 В
  • L: 1,35 В
  • U: 1,25 В
R = тип модуля
  • N: небуферований DIMM без ECC
  • E: небуферований ECC DIMM
  • R: регістровий DIMM (RDIMM)
  • L: регістровий DIMM зі зменшеним навантаженням (LRDIMM)
  • S: небуферований SODIMM без ECC
11 = затримка CAS
  • 11: CL11
D = ренки
  • S: 1-ренковий
  • D: 2-ренковий
  • Q: 4-ренковий
8 = організація чипів пам'яті
  • 4: чипи x4
  • 8: чипи x8
L = висота модулю
  • L: 18,75 мм (VLP)
  • H: 30 мм
K2 = комплект + кількість модулів у комплекті
  • К2: комплект із 2 модулів
  • К3: комплект із 3 модулів
  • К4: комплект із 4 модулів
4 = загальна ємність комплекту
  • 4: 4 ГБ
  • 8: 8 ГБ
  • 12: 12 ГБ
  • 16: 16 ГБ
  • 24: 24 ГБ
  • 32: 32 ГБ
  • 48: 48 ГБ
  • 64: 64 ГБ
H = виробник чипів пам'яті та сертифікація
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: сертифікація Intel
B = ревізія чіпів пам'яті
  • B: B-Die

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Артикул: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR - Kingston ValueRAM
1066 = швидкість (MT/c*)
  • 1066: швидкість
D3 = покоління
  • D2 - DDR2
  • D3 - DDR3
L = напруга живлення
  • не зазначено: 1,5 В
  • L: 1,35 В
  • U: 1,25 В
D = ренки
  • S: 1-ренковий
  • D: 2-ренковий
  • Q: 4-ренковий
8 = Артикул
  • 4: чипи x4
  • 8: чипи x8
R = тип модуля
  • N: небуферований DIMM без ECC
  • E: небуферований ECC DIMM
  • P: регістровий DIMM (RDIMM) з контролем парності в регістрі
  • R: регістровий DIMM (RDIMM) з контролем парності адрес та команд
  • F: FBDIMM
  • S: SODIMM
  • M: Mini-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = затримка CAS
  • 7: CL7
S = наявність термодатчика
  • не зазначено: без термодатчика
  • S: з термодатчиком
L = висота модулю
  • не зазначено: може бути різною
  • L: 18,75 мм(VLP)
  • H: 30 мм
K2 = комплект + кількість модулів у комплекті
  • не зазначено: одиночний модуль
  • К2: комплект із 2 модулів
  • К3: комплект із 3 модулів
4G = загальна ємність комплекту
  • 4G: 4 ГБ
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = ревізія
  • B: ревізія

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Артикул: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = швидкість (MT/c*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = регістрова
  • R: регістрова
C3 = затримка CAS
  • С3: CL3
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = комплект + кількість модулів у комплекті
  • К2: комплект із 2 модулів
1G = загальна ємність комплекту
  • 1G: 1 ГБ

Латентність (таймінги)

Нижченаведена інформація допоможе проілюструвати різні налаштування, які можна регулювати під час встановлення оптимальних за продуктивністю таймінгів оперативної пам’яті в BIOS системної плати. Зверніть увагу, що ці налаштування можуть відрізнятися залежно від виробника та моделі системної плати, а також від версії мікропрограми

Приклад

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS-латентність (CL): затримка між активацією та читанням рядка.

Затримка RAS-CAS (tRCD): затримка перед активацією рядка

Затримка передзаряду рядка або затримка передзаряду RAS (tRP/tRCP): затримка, протягом якої рядок не доступний

Активна затримка рядка або активна затримка RAS, або час до готовності (tRA/tRD/tRAS): кількість тактових циклів між активацією/деактивацією рядка.

Заява про обмеження відповідальності. : Уся продукція компанії Kingston проходить тестування на відповідність опублікованим технічним характеристикам. Деякі конфігурації систем або материнських плат можуть не працювати на опублікованих для модулів пам’яті Kingston швидкостях або можна видалити опублікованих налаштуваннях таймінгів. Компанія Kingston не рекомендує користувачам намагатися розганяти свої комп’ютери до швидкостей, що перевищують опубліковані. Завищення тактової частоти процесора або зміна таймінгів системи можуть призвести до пошкодження компонентів комп’ютера.