Apprenez à décoder les références mémoire Kingston® dont celles de Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX® ainsi que les mémoires DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 et DDR afin de pouvoir identifier les modules selon les spécifications.
Les informations suivantes ont pour but de vous aider à identifier les mémoires Kingston FURY par spécification.
Exemple de référence: KF556C38BBE2AK2-32
Exemple de référence: KVR48U40BS8LK2-32X
Les informations suivantes ont pour but de vous aider à identifier les modules Kingston FURY par spécification.
Exemple de référence: KF432C16BB1AK4/64
Les informations suivantes ont pour but de vous aider à identifier les modules Kingston HyperX par spécification.
Exemple de référence: HX429C15PB3AK4/32
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Référence produit: KSM26RD4L/32HAI
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Référence produit: KVR21LR15D8LK2/4HBI
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
Comment lire les références ValueRAM
Exemple :
Nouveau système de référence : KVR 16 R11 D4 / 8
Ancien système de référence : KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
Le nouveau système de référence s'applique aux produits commercialisés après le 1er mai 2012.
Référence produit: KVR16LR11D8LK2/4HB
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Référence produit: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB
(PC2100, PC2700, PC3200)
Référence produit: KVR400X72RC3AK2/1G
Nombre total de cellules mémoire de données disponibles sur un module, exprimé en giga-octets (Go). Pour les kits, la capacité affichée correspond à la capacité combinée de tous les modules du kit.
Nombre prédéterminé standard de cycles de lecture/d'écriture de données depuis ou vers les modules et le contrôleur de mémoire. Une fois que la commande d'écriture/de lecture des données et/ou les adresses des colonnes/lignes ont été chargées, la latence CAS représente le délai qui s'écoule avant que les données ne soient prêtes.
La mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) DDR (à débit de données double) est une mémoire de données de 4e génération. Plus souvent référencée sous le nom DDR4. Les modules de mémoire DDR4 ne sont rétrocompatibles avec aucune des générations antérieures de mémoire DRAM DDR en raison d'une tension inférieure(1,2V), de différences au niveau de la configuration des broches et d'une technologie de puce mémoire incompatible.
La mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) DDR (à débit de données double) est une mémoire de données de 5e génération. Plus souvent référencée sous le nom DDR5. Les modules de mémoire DDR5 ne sont rétrocompatibles avec aucune des générations antérieures de mémoire DRAM DDR en raison d'une tension inférieure(1,1V) de différences au niveau de la configuration des broches et d'une technologie de puce mémoire incompatible.
Un module UDIMM (Unbuffered Dual In-Line Memory Module, module de mémoire non-ECC sans registre à deux canaux d'entrée) est un module de mémoire à long facteur de forme avec une largeur de registre de x64 utilisé principalement dans les ordinateurs de bureau où la correction d'erreur n'est pas requise et la capacité DIMM est limitée.
Un module SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module, module mémoire de petit format à double rangée) est un module de mémoire à facteur de forme réduit prévu pour les petits systèmes informatiques comme les pc portables, les microserveurs, les imprimantes ou les routeurs.
Un bit est la plus petite unité de données en informatique. Elle est représentée par 1 ou 0 (on/off). Un Gigabit (Gb) représente 1 milliard de bits (ou 109) selon la définition du Système d’international d’unités (SI). S’agissant de la mémoire pour ordinateur, le Gb (ou Gbit) est souvent employé pour exprimer la densité d’un seul composant DRAM.
Un octet contient 8 bits. Un Gigaoctet (Go) représente 1 milliard d’octets (ou 109) selon la définition du Système international d’unités (SI). S’agissant de la mémoire pour ordinateur, le Go est employé pour représenter la capacité de données totale d’un module ou d’un groupe de modules combinés pour donner la mémoire système totale.
Une référence qui inclut plusieurs modules, en général pour une architecture de mémoire à 2, 3 ou 4 canaux. Par exemple, K2 = 2 DIMM dans le kit pour atteindre la capacité totale.
Le débit ou la fréquence qu'un module peut prendre en charge, mesuré en MHz (MegaHertz) ou MT/s (mégatransfert par seconde). Plus la vitesse est élevée, plus le volume de données transféré par seconde est important.
Une rangée fait référence à un bloc de données adressable sur une mémoire. Pour DDR2, DDR3 et DDR4, ces blocs de données ont une largeur de 64 bits (x64), plus 8 bits pour l'ECC (x72). Les mémoires DDR5 sont également de 64 bits par rangée, mais lorsque l'ECC est présent, le bloc de données a une largeur de 80 bits par rangée (x80). Une mémoire peut être construite en tant que Single Rank (1R), Dual Rank (2R), Quad Rank (4R) ou Octal Rank (8R). Le nombre de rangées augmente généralement pour permettre d'atteindre des capacités de mémoire plus élevées.
Un canal mémoire est le chemin de transfert de données entre une mémoire et un contrôleur mémoire (généralement présent dans le processeur). La plupart des systèmes de calcul (PC, ordinateurs portables, serveurs) disposent d'une architecture de mémoire multicanal dans laquelle les canaux sont combinés pour augmenter les performances de la mémoire. Une architecture de mémoire à double canal indiquerait que lorsque des mémoires identiques sont installées par paire, la bande passante effective pour le contrôleur mémoire est doublée.
Les informations ci-après vous aideront à mieux comprendre les paramètres à adopter lorsque vous modifiez les valeurs de synchronisation de la mémoire dans le BIOS de la carte mère pour optimiser les performances. Sachez que ces paramètres peuvent varier selon le modèle ou la marque de la carte mère, ainsi que selon la version du BIOS.
Latence CAS (CL) : Délai entre l'activation d'une rangé et la lecture de cette rangée.
RAS to CAS ou RAS to Column (tRCD) : Active la rangée
Row Precharge Delay ou RAS Precharge Delay ou (délai de préchargement de rangée) (tRP/tRCP) Désactive la rangée
Row Active Delay ou RAS Active Delay ou délai de disponibilité (tRA/tRD/tRAS) : Nombre de cycles d'horloge entre l'activation et la désactivation d'une rangée.
Avis de décharge : tous les produits Kingston sont testés en vue de satisfaire nos spécifications publiées. Il est possible que certaines configurations de la carte mère ou du système ne fonctionnent pas avec les vitesses et les paramètres de synchronisation publiés pour la mémoire Kingston. Kingston ne vous conseille pas de faire tourner votre ordinateur à une vitesse supérieure à celle publiée. Le surcadençage et la modification des paramètres de mémoire de votre système peuvent endommager les composants de votre ordinateur.
