Guía de números de referencia de Kingston

Aprenda a entender los números de referencia de las memorias de Kingston®, incluyendo las líneas de productos Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 y DDR. De este modo podrá identificar los módulos por especificación.

Kingston FURY™ DDR5

La información a continuación está diseñada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston FURY, por especificación.

Número de parte: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = Línea de productos
  • KF – Kingston FURY
5 = Tecnología
  • 5 – DDR5
56 = Velocidad (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
C = Tipo de DIMM
  • C – UDIMM (No-ECC sin búfer)
  • S – SODIMM (No-ECC sin búfer)
38 = Latencia CAS
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = Serie
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = Disipador térmico
  • B – Negro
  • S – Plata
E = Tipo de Perfil
  • En blanco - Intel XMP / Plug N Play
  • E - AMD EXPO
2 = Revisión
  • En blanco – 1ra revisión
  • 2da revisión
  • 3ra revisión
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A – RGB
K2 = Kit + cantidad en kit
  • En blanco – Módulo único
  • K2 – Kit de 2 módulos
  • K4 - Kit de 4 Módulos
16 = Capacidad total
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 32GB

DDR5 ValueRAM

Número de referencia: KVR48U40BS8LK2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • L
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = Velocidad (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
U = Tipo de DIMM
  • U – DIMM, sin búfer (no ECC)
  • S – SO-DIMM (no ECC, sin búfer)
40B = Latencia CAS
  • 40 – 40-40-40
  • 40B – 40-39-39
  • 42 – 42-42-42
  • 46 – 46-46-46
S = Rangos
  • S – Rango único
  • D – Doble rango
8 = Tipo de DRAM
  • 8 – Chip DRAM x8
  • 6 – Chip DRAM x16
L = Perfil
  • En blanco – Estándar
  • L – Perfil muy bajo (VLP)
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco – Módulo individual
  • K2 – Kit de 2 Módulos
  • K4 – Kit de 4 Módulos
32 = Capacidad total
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
X = Personalización
  • En blanco – Paquete estándar
  • BK – Paquete a granel

Guía de números de referencia de Kingston FURY™ DDR4/DDR3

La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston FURY según sus especificaciones.

Número de referencia: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = Línea de productos
  • KF - Kingston FURY
4 = Tecnología
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = Velocidad (MT/s*)
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = Tipo de DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
16 = Latencia CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = Serie
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = Disipador térmico
  • En blanco - Azul
  • B - Negro
  • R - Rojo
  • W - White
1 = Revisión
  • En blanco - 1ra revisión
  • 1 - Módulo(s) de 16GB con componentes 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - 2da revisión
  • 3 - 3ra revisión
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + cantidad en kit
  • En blanco – Módulo único
  • K2 - kit de 2 módulos
  • K4 - kit de 4 módulos
  • K8 - kit de 8 módulos
64 = Capacidad total
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

Guía de números de referencia de HyperX®

La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston HyperX según sus especificaciones.

Número de referencia: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = Línea de productos
  • HX - HyperX (antiguos)
4 = Tecnología
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = Velocidad (MT/s*)
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = Tipo de DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = Latencia CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = Serie
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = Disipador térmico
  • En blanco - Azul
  • B - Negro
  • R - Rojo
  • W - Blanco
3 = Revisión
  • 2 - 2da revisión
  • 3 - 3ra revisión
  • 4 - 4ta revisión
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + cantidad en kit
  • En blanco - Módulo individual
  • K2 - Kit de 2 módulos
  • K4 - Kit de 4 módulos
  • K8 - Kit de 8 módulos
32 = Capacidad total
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Número de referencia: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = Kingston Server Premier
  • KSM: Kingston Server Premier
26 = Velocidad (MT/s*)
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
R = Tipo de módulo
  • E: DIMM sin búfer (ECC)
  • R: DIMM sin registrar
  • L: DIMM de carga reducida
  • SE: SO-DIMM sin búfer (ECC)
D = Categorías
  • S: Cadena única
  • D: Cadena doble
  • Q: Cadena cuádruple
4 = Tipo de memoria DRAM
  • 4: chip DRAM X4
  • 8: chip DRAM X8
L = PCB Perfil
  • L: DIMM de muy bajo perfil
32 = Capacidad
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
H = Fabricante de DRAM
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
A = DRAM Revisión final
  • Versión A
  • Versión B
  • Versión E
I = Registrar fabricante
  • I: IDT
  • M: Montage
  • R: Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Número de referencia: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
21 = Velocidad (MT/s*)
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
L = Bajo voltaje
  • En blanco: 1.2V
  • L: TBD
R = Tipo de módulo
  • E: Módulo DIMM sin búfer (ECC) Con Sensor térmico
  • L: DIMM de carga reducida (LRDIMM)
  • N: módulos DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM registrado con dirección/comando función de paridad Con sensor térmico
  • S: SO-DIMM, módulos sin búfer (no ECC)
15 = Latencia CAS
  • 15: Latencia CAS
D = Categorías
  • S: Cadena única
  • D: Cadena doble
  • Q: Cadena cuádruple
  • Q: Cadena óctuple
8 = Tipo de memoria DRAM
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
  • 6: x16 DRAM chip
L = Perfil
  • En blanco: Cualquier altura
  • H: 31.25mm
  • L: 18.75mm (VLP)
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco: Módulo individual
  • K2: Kit de dos módulos
  • K3: Kit de tres módulos
4 = Capacidad
  • 4: Capacidad
H = DRAM MFGR
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
B = Revisión
  • B: Revisión
I = Certificadas por Intel
  • I: Certificadas por Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Cómo leer los códigos de artículo de ValueRAM

Ejemplo:
Nuevo esquema de artículos: KVR 16 R11 D4 / 8
Esquema anterior: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

El nuevo esquema de artículos se aplica a los artículos introducidos después del 1 de mayo de 2012.

Número de referencia: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = Velocidad (MT/s*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = Bajo voltaje
  • En blanco: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
R = Tipo de módulo
  • E: Módulo DIMM sin buffer (ECC)
  • N: módulos DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM registrado
  • L: DIMM de carga reducida (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = Latencia CAS
  • 11: Latencia CAS
D = Categorías
  • S: Cadena única
  • D: Cadena doble
  • Q: Cadena cuádruple
8 = Tipo de memoria DRAM
  • 4: chip DRAM X4
  • 8: chip DRAM X8
L = Perfil
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Kit + número de piezas
  • K2: Kit de dos módulos
  • K3: Kit de tres módulos
  • K4: Kit de cuatro módulos
4 = Capacidad
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
H = DRAM MFGR/Certificación
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Validado por Intel
B = Revisión final
  • B: Revisión final

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Número de referencia: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Velocidad (MT/s*)
  • 1066 - Velocidad
D3 = Tecnología
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = Bajo voltaje
  • En blanco: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
D = Categorías
  • S: Cadena única
  • D: Cadena doble
  • Q: Cadena cuádruple
8 = Tipo de memoria DRAM
  • 4: chip DRAM X4
  • 8: chip DRAM X8
R = Tipo de módulo
  • P: Paridad en registro (Solo módulos DIMM registrados)
  • E: Módulo DIMM sin buffer (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: módulos DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM registrado con dirección/comando función de paridad Con sensor térmico
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = Latencia CAS
  • 7: Latencia CAS
S = Sensor térmico
  • En blanco: Sin Sensor térmico
  • S: Con Sensor térmico
L = Perfil
  • En blanco: Cualquier altura
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco: Módulo individual
  • K2: Kit de dos módulos
  • K3: Kit de tres módulos
4G = Capacidad
  • 4G: Capacidad
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = Revisión
  • B: Revisión

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Número de referencia: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = Velocidad (MT/s*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = Registrada
  • R: Registrada
C3 = Latencia CAS
  • C3: Latencia CAS
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Kit + número de piezas
  • K2: Kit de dos módulos
1G = Capacidad
  • 1G: Capacidad

Glosario

Capacidad

Número total de celdas de memoria de datos disponibles en un módulo, expresado en Gigabytes (GB). En el caso de los kits, la capacidad indicada indica la capacidad combinada de todos los módulos del kit.

Latencia de CAS

Un número estándar predeterminado de ciclos de reloj de lecturas/escrituras de datos en, o de, módulos de memoria y el controlador de memoria. Una vez cargados el comando de leer o escribir datos y las direcciones de la fila/columna, la latencia CAS representa el tiempo de espera hasta que los datos estén listos.

DDR4

La Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de doble velocidad de datos (DDR) es la tecnología de memoria de cuarta generación, denominada normalmente “DDR4”. Los módulos de memoria DDR4 no son retrocompatibles con las generaciones anteriores de SDRAM DDR debido a la menor tensión (1,2 V), las diferentes configuraciones de las patillas y la tecnología incompatible de los chips de memoria.

DDR5

La Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de doble velocidad de datos (DDR) es la tecnología de memoria de quinta generación, denominada normalmente “DDR5”. Los módulos de memoria DDR5 no son retrocompatibles con las generaciones anteriores de SDRAM DDR debido a la menor tensión (1,1 V), las diferentes configuraciones de las patillas y la tecnología incompatible de los chips de memoria.

Tipo DIMM

Los UDIMM (módulos de memoria en línea doble sin memoria intermedia) sin ECC, son módulos de memoria de factor de forma largo con una anchura de datos de x64. Son los más habituales de los sistemas de sobremesa, donde no se requiere corrección de errores y en los que la capacidad de los DIMM es restringida.

Los SODIMM (módulo de memoria doble en línea de contorno pequeño) son módulos de memoria de factor de forma reducido, diseñados para sistemas informáticos más pequeños, como portátiles, microservidores, impresoras o enrutadores.

Gigabit (Gb)

Un bit es la unidad de datos más pequeña en informática, y se representa como 1 o 0 (on/off). Un gigabit (Gb) equivale a 1.000 millones de bits (o 109), como lo define el Sistema Internacional (SI) de Unidades. En una memoria informática, Gb (o Gbit) suele emplearse para expresar la densidad de un único componente DRAM.

Gigabyte (GB)

Un bit es la unidad de datos más pequeña en informática, y se representa como 1 o 0 (on/off). Un gigabit (Gb) equivale a 1.000 millones de bits (o 109), como lo define el Sistema Internacional (SI) de Unidades. En una memoria informática, Gb (o Gbit) suele emplearse para expresar la densidad de un único componente DRAM.

Kit

Un numero de referencia que incluye múltiples módulos de memoria, normalmente como parte de una arquitectura de memoria de doble, triple o cuádruple canal. Por ejemplo, K2 significa 2 DIMM ene el paquete, equivalentes a la capacidad total.

Velocidad (también denominada frecuencia)

La velocidad de datos, o velocidad de reloj efectiva, que admite un módulo de memoria, medida en MHz (megahercios) o MT/s (megatransferencias por segundo). Cuanto mayor la velocidad, más datos podrán transferirse por segundo.

Rango

Un rango es un bloque de datos direccionable en un módulo de memoria. En el caso de DDR2, DDR3 y DDR4, estos bloques de datos tienen un ancho de 64 bits (x64), además de 8 bits para ECC (x72). Los módulos DDR5 también son de 64 bits por rango, aunque, cuando ECC está incluido, el bloque de datos tiene de ancho de 80 bits por rango (x80). Un módulo se puede integrar como rango único (1R), rango doble (2R), rango cuádruple (4R) o rango octal (8R). Normalmente, el número de rangos se suele aumentar para que se lleguen a capacidades de módulo más altas.

Canal de memoria

Un canal de memoria es la ruta de transferencia de datos entre un módulo de memoria y un controlador de memoria (se suele encontrar dentro del procesador). La mayoría de los sistemas informáticos (PC, portátiles, servidores) cuentan con una arquitectura de memoria de varios canales, donde estos se combinan para aumentar el rendimiento de la memoria. Una arquitectura de memoria de doble canal implica que cuando se instalan módulos idénticos de dos en dos, el ancho de banda efectivo del controlador de memoria se duplica.

Tiempo de latencia

La información que se presenta a continuación contribuye a ilustrar los diversos parámetros que pueden ajustarse al configurar los tiempos de la memoria en el BIOS de la placa base para conseguir un óptimo rendimiento. Tenga en cuenta que estos ajustes pueden variar dependiendo de la marca/modelo de la placa base o de la actualización del BIOS.

Ejemplo

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latencia CAS (CL): Retraso entre la activación de una fila y su lectura.

Retraso de RAS a CAS o de RAS a columna (tRCD): Activa la fila

Retraso de precarga de fila o retraso de precarga de RAS (tRP/tRCP): Desactiva la fila

Retraso de activación de fila, o retraso de activación de RAS, o tiempo para estar listo (tRA/tRD/tRAS): Número de ciclos de reloj entre la activación y la desactivación de una fila.

Limitación de responsabilidad:todos los productos Kingston son sometidos a pruebas para alcanzar nuestras especificaciones publicadas. Es posible que algunos sistemas o configuraciones de placas base no admitan los ajustes de tiempo y las velocidades de memoria publicados por Kingston. Kingston no recomienda a los usuarios que intenten hacer funcionar sus ordenadores con mayor rapidez de lo estipulado por las velocidades publicadas. El overclocking, o modificación de la temporización del sistema, puede resultar perjudicial para los componentes del ordenador.