1R(1 랭크, 싱글 랭크)
메모리 모듈에서 1개의 64비트 데이터 폭.
2R(2 랭크, 듀얼 랭크)
메모리 모듈에서 2개의 64비트 데이터 폭.
4R(4 랭크, 쿼드 랭크)
메모리 모듈에서 4개의 64비트 데이터 폭.
8R(8 랭크, 옥탈 랭크)
메모리 모듈에서 8개의 64비트 데이터 폭.
AMD
Advanced Micro Devices, 프로세서, 칩셋, 그래픽 프로세서 및 관련 제품을 개발하는 회사입니다.
AMD EPYC™
AMD의 서버 프로세서 브랜드입니다.
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking. AMD EXPO 프로파일을 갖춘 메모리 모듈은 AMD 시스템에 최적화된 특정 속도, 타이밍 및 전압을 특징으로 합니다.
AMD Ryzen™
AMD의 데스크톱 및 노트북 CPU 브랜드입니다.
AES (Advanced Encryption Standard)
FIPS를 참조하세요. 2002년부터 미국 정부가 FIPS 197라는 이름으로 사용한 민감한 전자 데이터를 암호화하는 블록 사이퍼.
자동 새로 고침 읽기 배포 보호
자동 새로 고침 기능은 데이터가 드물게 읽히는 메모리를 포함한 플래시 메모리에서 데이터를 읽고, 읽기 장애 오류, 데이터 보존 오류 및 기타 오류에 의해 발생하는 데이터 손실을 방지하기 위해 필요에 따라 자동 오류 수정을 수행합니다. 자동 새로 고침 기능은 백그라운드에서 수행되므로 수정 프로세스 중에도 명령에 대한 응답 지연이 거의 발생하지 않습니다.
불량 블록 관리
불량 블록에는 신뢰성을 잃은 하나 이상의 비트가 포함됩니다. 불량 블록은 제조 공정 동안(조기 불량 블록) 또는 카드의 사용 수명 전체에 걸쳐(후기 불량 블록) 나타납니다. 두 유형의 불량 블록은 모두 불가피하게 발생하므로, 불량 블록 관리는 NAND 플래시 장치에서 오류를 관리하는 데 필수적입니다. 불량 블록 관리는 불량 블록을 식별하고 플래그를 지정한 다음, 여분의 용량을 사용하여 잘못된 블록을 교체합니다. 이를 통해 불량 블록에 데이터를 쓰는 것이 중지되며 제품의 신뢰성이 향상됩니다. 불량 블록에 데이터가 있는 경우, 데이터를 유효한 블록으로 옮겨 데이터 손실을 방지합니다.
뱅크
메모리 뱅크는 컴퓨팅에서 여러 가지를 지칭할 수 있습니다. 첫째, 가장 일반적으로는 정보가 임시로 저장되는 DRAM 칩 내의 독립적인 데이터 라인 배열을 의미합니다. 메모리 컨트롤러가 뱅크에 액세스할 때는 같은 등급의 모든 칩에 걸쳐 같은 위치에서 동시에 액세스합니다. 뱅크의 두 번째 의미는 마더보드의 멀티채널 메모리 소켓 그룹을 의미합니다.
비트
"2진 숫자"의 줄임말로 컴퓨팅에서 가장 기본적인 데이터 측정값이며, 0 또는 1 / 켜짐 또는 꺼짐으로 표시됩니다.
바이트
1바이트는 8비트에 해당합니다. 텍스트 한 문자와 같은 정보를 저장하는 측정 단위입니다. 비트와 바이트의 조합은 컴퓨팅의 기본 언어를 형성합니다.
무차별 공격
모든 가능한 솔류션을 시도하여 비밀번호 또는 암호화 키를 해독하려는 단순한 사이버공격.
용량
기가바이트(GB)로 표현되는 모듈에 있는 가용 데이터 메모리 셀의 총 수. 키트의 경우, 표시된 용량은 키트에 있는 모든 모듈의 용량을 합한 것입니다.
CAS 지연 시간 / CL
CAS는 Column Address Strobe(열 주소 스트로브)의 약자이며, CAS 지연 시간(CL)은 액세스하는 데 필요한 열린 메모리 행을 찾는 데 클록 사이클 단위로 걸리는 시간입니다. (즉, CL32, CL40).
채널
채널이란 컨트롤러가 동시에 대화할 수 있는 플래시 칩의 개수를 말합니다. 엔트리급/주류 SSD는 일반적으로 2개 또는 4개의 채널이 있고 고성능 SSD에는 일반적으로 8개의 채널이 있으며, 데이터센터 SSD의 경우 최대 16개의 채널이 있습니다.
암호화칩
보호가 가능한 장치에서 암호화 키 관리를 유지하여 USB 드라이브의 데이터를 보호하는 하드웨어 도구입니다. 플래시 드라이브 IronKey 시리즈는 암호화칩을 사용합니다.
데이터 전송률
클록 사이클당 전송할 수 있는 데이터의 양을 정의하는 메모리 속도(MT/s)에 사용되는 용어입니다.
DDR / 더블 데이터 전송률 / DDR SDRAM
"DDR"은 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(더블 데이터 전송률 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리)의 줄임말입니다. 동기식 DRAM은 시스템 클럭에 따라 데이터를 전송하는 반면, DDR SDRAM은 클럭의 상승 및 하강 에지 모두에서 데이터를 전송하거나 클럭 사이클당 두 번 전송하여 주파수에 비해 전송 속도가 두 배로 증가합니다. "DDR"은 또한 1998년에 출시된 1세대 DDR SDRAM 메모리 모듈을 의미하며, 모듈당 2.5V만을 사용하여 수명 기간 동안 200, 266, 333 및 400MT/s의 전송 속도를 지원했습니다.
DDR2
DDR2는 2세대 DDR SDRAM입니다. 모듈당 1.8V로 전력 사용량이 적고 데이터 전송 속도는 2003년에 400MT/s로 시작하여 수명 기간 동안 533, 667, 800, 1,066MT/s로 속도가 증가했습니다.
DDR3
DDR3는 3세대 DDR SDRAM으로 2007년에 처음 등장했습니다. 모듈당 1.5V로 DDR2보다 적은 전력을 사용하는 DDR3는 800MT/s에서 시작하여 1,066, 1,333, 1,600, 1,866 및 2,133MT/s로 발전했습니다.
DDR3L
DDR3L은 DDR3 JEDEC 표준의 하위 사양으로 등장했습니다. DDR3와 동일한 속도와 타이밍을 제공하는 DDR3L은 전압을 1.35V까지 낮춰 노트북의 배터리 수명을 절약하고 서버의 발열을 줄였습니다. DDR3L 메모리는 DDR3와 역호환되며 레거시 시스템에서 또는 DDR3 표준 모듈과 혼합하여 사용할 경우 1.5V로 전환됩니다.
DDR4
DDR4는 4세대 DDR SDRAM으로 2014년에 처음 출시되었습니다. DDR4는 모듈당 1.2V로 1,600, 1,866, 2,133, 2,400, 2,666, 2,933 및 3,200MT/s의 속도 범위를 지원했습니다. DDR4는 DIMM 모듈의 모양부터 시작하여 DDR3에 비해 상당한 발전을 이루었습니다. 소켓 장착을 개선하고 잠재적으로 마이크로회로를 손상시킬 수 있는 삽입력에 대해 모듈을 강화하기 위해 DIMM의 하단 중앙에 곡선을 설계했습니다.
DDR5
DDR5는 5세대 DDR SDRAM으로 2020년에 출시되었습니다. DDR5는 3,200, 3,600, 4,000, 4,400, 4,800, 5,200, 5,600, 6,000, 6,400, 6,800 및 7,200MT/s의 속도 범위를 제공합니다. DDR5는 모듈당 전압을 1.1V로 낮춰 전력 소비를 크게 줄였으며, 모듈에 전력 관리 IC(PMIC)를 탑재하여 필요한 곳에 전력을 더 잘 분배할 수 있도록 했습니다. DDR5 모듈은 뱅크와 버스트 길이를 두 배로 늘려 동일한 뱅크 리프레시를 가능하게 하고 모듈을 독립적으로 주소 지정이 가능한 32비트 서브채널 2개로 분할함으로써 이전 세대보다 효율성이 크게 향상되었습니다. 또한 개별 DDR5 DRAM 구성 요소 내에서 비트 오류를 수정할 수 있는 온다이 ECC를 통합하여 데이터 무결성도 개선되었습니다.
내장
내장형(Design-in)은 키오스크, POS 시스템, 디지털 사이니지, 진단 장비 등과 같은 비전통적 PC/장치 범주를 말합니다. Kingston은 이 범주의 컴퓨팅을 위해 특별히 이산 부품, 모듈 및 드라이브를 제조합니다.
DIMM/듀얼 인라인 메모리 모듈
DIMM은 Dual In-line Memory Module의 약자로, 모듈의 각 면에 별도의 전기 접점이 있는 모듈 유형입니다. 이를 통해 각 측면의 모듈에서 데이터를 독립적으로 전송할 수 있습니다.
DRAM/동적 랜덤 액세스 메모리
DRAM은 Dynamic Random Access Memory의 약자로, 오늘날 컴퓨팅에 사용되는 가장 일반적인 유형의 RAM 기술입니다. DRAM 칩은 반도체로 만들어지며, 컴퓨팅 코드에서 1과 0을 나타내는 전하를 저장할 수 있는 커패시터와 트랜지스터가 데이터 라인 그리드에 배치되어 있습니다.
듀얼 채널
설치된 두 개의 동일한 메모리 모듈이 대역을 종합하여 시스템 성능을 높이는 메모리 소켓 아키텍처.
동적 데이터 새로 고침
동적 데이터 새로 고침은 읽기 전용 작업 중에 다수의 오류가 있는 블록이 제거되고 다음 사용을 위해 새로 고쳐질 수 있도록 하기 위해 채택됩니다. 각 읽기 명령 중에 컨트롤러는 대상 블록에 대해 세 단계의 점검을 수행합니다. 첫 단계는 “새로 고침 필요” 마크에 대한 점검입니다. 두 번째 단계는 현재 존재하는 오류 비트의 수에 대한 점검입니다. 세 번째 단계는 현재 존재하는 재시도 횟수에 대한 재시도 점검입니다.
ECC/오류 수정 코드
컴퓨팅에서 단일 또는 다중 비트 데이터 손상을 수정할 수 있는 알고리즘입니다. 메모리(RAM)의 경우 ECC는 일반적으로 서버 또는 워크스테이션급 프로세서의 메모리 컨트롤러에 탑재되어 있습니다. 메모리 컨트롤러가 오류 감지 및 수정을 수행하려면 추가 데이터 폭을 제공하는 추가 DRAM 구성 요소(ECC 언버퍼드, ECC 레지스터드, ;로드 감소)를 갖춘 ECC 지원 메모리 모듈이 필요합니다.
ECC UDIMM
ECC 언버퍼드 DIMM(UDIMM) 모듈은 ECC 알고리즘을 지원하기 위해 추가 DRAM 구성 요소를 갖추고 있습니다.
EEPROM
EEPROM은 Electrically Erasable Programmable Read-only Memory(전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리)를 의미하는 약어입니다. 이는 모듈 사양에 대한 중요한 정보를 저장하는 메모리 모듈의 주요 구성 요소입니다. SPD는 EEPROM으로 간주됩니다.
FAT
FAT(파일 할당 테이블)는 하드 드라이브용으로 개발된 파일 시스템입니다. 이 시스템은 운영 시스템(OS)에서 하드 드라이브 및 기타 컴퓨터 시스템의 파일을 관리하는 데 사용됩니다. 이 시스템은 일반적으로 플래시 메모리, 디지털 카메라 및 휴대용 장치에 사용됩니다. 또한 이를 사용하면 파일 정보를 저장하고 하드 드라이브의 수명을 연장할 수 있습니다. 파일 시스템에 대해 자세히 알아보기.
연방 정보 처리 표준(FIPS)
미국 국립표준기술연구소(NIST)가 연방정보보안관리법(FISMA)에 따라 개발하고 미국 상무부 장관이 승인한 미국 연방컴퓨터 시스템을 위한 표준 및 지침.
FIPS 197
벨기에에서 개발한 블록 사이퍼의 변형인 AES(Advanced Encryption Standard) (Rinjdael로도 알려짐). 이는 128비트, 192비트 또는 256비트 키를 사용합니다: AES-128은 무차별 공격에 절대로 해독되지 않고 충분히 보호되어 기밀 레벨 데이터와 함께 사용할 수 있도록 지워집니다. 이는 미국 국가안전국에서 최고 기밀 정보를 위해 최초로 유일하게 승인한 공공 접근이 가능한 사이퍼입니다(192비트 이상의 암호화).
FIPS 140-2 등급 3
2019년 설립된 정부컴퓨터보안을 위한 공통 기준. 역할 인증 및 물리적 변조 저항에 대한 생산용의 보안 및 충족 요건뿐만 아니라 이러한 기준을 충족하는 시스템은 "중요 보안 매개변수"를 모듈에 입력하고 삭제하는 인터페이스를 분리해야 합니다.
플래시 메모리
플래시 메모리는 비휘발성입니다(전원 공급이 없는 경우에도 데이터를 유지하는 메모리 종류). 플래시 메모리는 일반적으로 SSD(Solid-State Drive) 및 USB 플래시 드라이브과 같은 드라이브에 사용됩니다. 이는 일반적으로 개인용 컴퓨터와 기업용 스토리지 솔루션에 장착됩니다.
폼 팩터
하드 드라이브 또는 SSD와 같은 전자 구성품의 크기 및 형태.
주파수
일반적으로 속도, 데이터 전송률 또는 RAM의 클록 사이클로 불립니다.
가비지 컬렉션
가비지 컬렉션은 NAND 플래시가 내구성과 속도를 유지하기 위한 핵심입니다. NAND 플래시 기반 장치는 이미 있는 데이터를 덮어쓸 수 없습니다. 프로그램/지우기 주기를 거쳐야 하며, 이미 사용한 데이터 블록에 쓰려면 NAND 플래시 컨트롤러가 우선 모든 유효 데이터(아직 사용 중인)를 복사하여 다른 블록의 빈 페이지로 쓰고, 현재 블록에 있는 모든 셀(유효 데이터 및 유효하지 않은 데이터 모두)을 지운 다음, 새로운 데이터를 새롭게 지워진 블록으로 쓸 수 있습니다. 이 프로세스를 가비지 컬렉션이라 합니다. 자세히 알아보기.
Gbps/초당 기가비트
대역폭을 수십억 비트 단위로 측정합니다.
기가비트/Gb/Gbit
1,000³비트 또는 1,000Mb. 일반적으로 개별 DRAM 칩과 같은 구성 요소의 밀도를 설명하는 데 사용됩니다.
기가바이트 / GB / GByte
1,000³바이트 또는 1,000MB. 일반적으로 메모리 또는 SSD의 용량을 나타내는 데 사용됩니다.
GT/s
GT/s는 초당 기가 전송을 의미합니다.
히트 스프레더
열을 방출하기 위해 모듈에 부착된 금속 실드.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Kingston HyperX 및 FURY 메모리 모듈의 적외선 부품을 사용하여 RGB 패턴을 정렬하는 특허받은 동기화 기술입니다.
Intel®
Intel Corporation. CPU, 칩셋, GPU 등 다양한 기술을 담당하는 컴퓨팅 플랫폼 설계자 및 제조업체입니다.
Intel® Xeon®
ECC 메모리 지원, 높은 코어 수, 넓은 대역폭을 특징으로 하는 서버/하이엔드 데스크톱 CPU의 Intel® 라인은 많은 양의 RAM과 GPU를 지원합니다.
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles은 메모리 및 마더보드 공급업체가 최종 사용자가 쉽게 오버클로킹할 수 있도록 오버클럭 프로파일(DDR3 및 DDR4)을 설정할 수 있도록 하는 Intel 사양입니다.
Intel® XMP 3.0
DDR5용으로 제작된 최신 버전의 XMP는 최대 5개의 프로파일을 지원하며, 메모리 제조업체가 제공하는 3개와 최종 사용자가 수동 오버클로킹을 위해 사용자 지정할 수 있는 2개의 프로파일을 지원합니다.
Intel® XMP 3.0 인증
Intel의 자체 인증 프로그램을 통과하여 제출된 부품 또는 키트입니다.
Intel® XMP 3.0-지원
Intel® XMP 3.0 사양을 준수하는 부품 또는 키트.
Intel® XMP 2.0 인증
Intel의 자체 인증 프로그램을 통과하여 제출된 부품 또는 키트입니다.
Intel® XMP 2.0 지원
Intel® XMP 2.0 사양을 준수하는 부품 또는 키트.
JEDEC
JEDEC는 반도체 및 컴퓨터 관련 기술의 산업 표준 단체인 Joint Electron Device Engineering Council의 약자입니다. JEDEC는 표준을 설정하기 위해 협력하는 업계 플레이어들의 컨소시엄으로, 메모리도 그 중 하나입니다.
Kingston FURY™ Beast
Kingston의 엔트리 레벨 오버클럭 가능 UDIMM 제품 라인.
Kingston FURY™ Impact
Kingston의 오버클럭 가능 SODIMM 제품 라인.
Kingston FURY™ Renegade
Kingston의 고성능 오버클럭 가능 UDIMM 제품 라인.
키트
일반적으로 듀얼, 트리플 또는 쿼드 채널 메모리 아키텍처를 지원하는 여러 메모리 모듈이 포함된 부품 번호. 예를 들어 패키지에 있는 K2 = 2 DIMM은 총 용량과 동일합니다.
길이(mm) x 높이(mm) x 너비(mm)
모듈 측정치는 히트 스프레더를 포함하는 모듈의 밀리미터(mm)로 표시함.
부하 절감 DIMM/LRDIMM (Load Reduced DIMM)
레지스터드 DIMM(RDIMM)과 마찬가지로 LRDIMM에는 메모리 컨트롤러의 부하를 줄이기 위한 데이터 버퍼가 있으며, 이를 보상하기 위해 메모리 속도를 낮출 수 있습니다. LRDIMM 기술을 사용하면 성능 저하 없이 대용량 모듈을 사용할 수 있습니다.
M.2
내장된 컴퓨터 확장 카드용 폼 팩터. 이는 너비와 길이가 다른 모듈에 사용할 수 있습니다.
Mbps
초당 메가비트, 초당 수백만 비트로 측정되는 데이터 속도.
메가바이트 / MB
1,000²바이트 또는 1,000KB. 일반적으로 메모리, SSD 및 기타 플래시 장치의 데이터 용량을 나타내는 데 사용됩니다.
메가비트/Mb
1,000²비트 또는 1,000Kb. 일반적으로 DRAM과 같은 구성 요소의 밀도를 나타내는 데 사용됩니다.
메모리 채널
메모리 채널은 메모리 모듈과 메모리 컨트롤러 사이의 데이터 전송 경로입니다(일반적으로 프로세서 내부에 위치함). 대부분의 컴퓨터 시스템(PC, 랩톱, 서버)은 채널이 결합되어 메모리 성능을 높이는 다중 채널 메모리 아키텍처를 갖추고 있습니다. 듀얼 채널 메모리 아키텍처는 동일한 모듈이 한 쌍으로 설치되는 시점을 표시하고, 메모리 컨트롤러의 유효한 대역이 두 배 증가합니다.
메모리
컴퓨터 또는 기타 관련 하드웨어에서 사용하기 위해 필요한 데이터를 저장하는 장치(일반적으로 반도체)입니다.
메가헤르츠/MHz
메가헤르츠는 초당 백만 사이클의 표준 측정 단위입니다. 역사적으로 메모리 모듈의 주파수/데이터 속도를 설명하는 데 사용되었습니다.
메가트랜스퍼 / MT/s
메가트랜스퍼는 초당 백만 전송(MT/s)을 의미하며, 두 배의 주파수로 데이터를 전송하는 모든 DDR 메모리 모듈의 데이터 전송률(속도)을 설명하는 데 사용되는 올바른 용어입니다. 자세히 알아보기.
microSD 카드
일반적으로 휴대폰 및 기타 휴대용 장치에 사용되는 매우 작은 메모리 카드의 종류.
NAND
플래시 메모리의 한 종류로서, 전기적으로 제거되고 재프로그램이 가능한 전자적 비휘발성 저장 매체. NAND는 NOT AND의 약자이며, 이는 로직 게이트(디지털 전자기기의 특정 출력을 생성하는 수단)이다.
NAND 기기 스택
저장 용량을 증가시키려면, NAND 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리 장치는 다중 스택의 메모리 다이(예: 칩)를 포함하여 메모리 다이 패키지를 형성할 수 있습니다. 메모리 다이 패키지는 DDP(Double-Die Package), QDP(Quad-Die Package), ODP(Octo-Die Package), 심지어 HDP(16 다이 패키지)와 같은 여러 형태에 설치할 수 있습니다. 다이 스택 기술을 통해 USB 드라이브 또는 M.2 SSD와 같은 소형 폼 팩터의 용량을 높일 수 있습니다.
비 ECC
ECC 알고리즘을 지원할 수 있는 데이터 폭이 없는 모듈(추가 DRAM으로 활성화됨)입니다.
비휘발성 메모리
비휘발성 메모리는 일종의 컴퓨터 메모리로서 전원 공급이 차단된 경우에도 저장된 데이터를 유지할 수 있습니다.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express는 SSD와 같은 컴퓨터의 비휘발성 스토리지에 액세스하는 공개 인터페이스 사양입니다.
온다이 ECC/ODECC
ODECC로 약칭되는 온다이 ECC는 모듈로 전송되기 전에 비트 오류를 수정하기 위해 DRAM 칩 내에 통합된 ECC입니다. 메모리의 경우 이 기술이 DDR5에 도입되었습니다.
PCB/인쇄 회로 기판
PCB는 Printed Circuit Board의 줄임말입니다. PCB는 반도체 칩이 상호 연결되는 매체입니다. PCB 보드는 일반적으로 전도성 및 절연 층으로 구성된 다층 구조입니다. 각 레이어에는 구리와 같은 전도성 소재가 패턴으로 에칭되어 있어 외부 레이어에 표면 실장된 반도체 구성 요소를 연결하는 데 사용됩니다.
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express는 GPU 또는 SSD와 같은 고속 구성품에 대해 표준이 되는 인터페이스입니다.
PMIC
PMIC는 Power Management Integrated Circuit(전력 관리 집적 회로)을 뜻하는 약어입니다. PMIC는 일반적으로 장치의 특정 구성 요소에 대한 전원 공급을 관리하는 데 사용됩니다. DDR5의 경우 모든 모듈에 PMIC가 포함되어 있습니다.
Plug N Play/PnP
플러그 앤 플레이(PnP)는 작동에 특정 소프트웨어나 드라이버가 필요하지 않은 컴퓨팅의 여러 유형의 장치를 지칭할 수 있습니다. Kingston의 경우, "Plug N Play"라는 용어를 사용하여 프로파일을 활성화하지 않고도 오버클로킹할 수 있는 Kingston의 선구적인 방법을 설명합니다. PnP를 사용하는 Kingston FURY 모듈은 오버클럭 타이밍이 SPD의 기본 JEDEC 프로파일에 프로그래밍되어 있어 컴퓨터가 자동으로 더 높은 성능을 발휘하도록 합니다.
전원 장애 보호
전원 손실은 불가피하게 발생하며, 적절한 하드웨어를 사용하고 있지 않은 경우 작업 환경에 큰 혼란을 초래할 수 있습니다. 전원 장애 보호는 데이터 손실을 방지하기 위해 필요합니다. 전원 강하가 감지될 경우 지원되는 호스트 장치는 카드로 명령을 보내 일체의 작동을 중지할 수 있습니다. 이를 통해 카드가 전원 손실 시점에 쓰기 작업 중인 데이터를 저장할 시간이 확보됩니다.
쿼드 채널
설치된 네 개의 동일한 메모리 모듈이 대역을 종합하여 시스템 성능을 높이는 메모리 소켓 아키텍처.
쿼드 랭크
4 랭크 또는 쿼드 랭크, 64비트 데이터의 모듈당 로드 개수.
QVL/적격 공급업체 목록
QVL은 일반적으로 Qualified Vendor List를 나타내는 약어입니다. PC 및 마더보드 제조업체는 지원 사이트에서 메모리 및 SSD와 같은 구성 요소가 시스템에서 작동하는 것으로 테스트된 것을 보여주기 위해 종종 QVL을 나열합니다.
RAM/랜덤 액세스 메모리
RAM은 Random Access Memory를 나타내는 약어입니다. 컴퓨팅에서 RAM은 일반적으로 빠른 액세스를 가능하게 하는 스토리지(SSD/HDD)와 프로세서 사이의 단기 메모리를 의미합니다. 오늘날의 RAM은 주로 휘발성이므로 전원 없이는 정보를 저장할 수 없습니다.
순위
랭크는 64비트 폭의 데이터 블록입니다. 비트의 양은 DRAM 칩이 아닌 뱅크의 수에 따라 결정됩니다(즉, x8 칩 8개가 64비트를 구성하여 하나의 랭크를 구성합니다). 메모리 모듈은 여러 개의 랭크로 구성할 수 있지만 데이터는 한 번에 하나의 랭크에만 액세스할 수 있습니다.
RAS
RAS는 컴퓨팅에서 몇 가지를 의미할 수 있는 약어입니다. 첫째, RAS는 프로세서에서 RAM으로 보내는 행 활성화 요청을 나타내는 Row Address Strobe(행 주소 스트로브)의 약자입니다. RAS는 신뢰성, 가용성 및 서비스 가능성을 의미하기도 합니다. 이는 RAM에 향상된 중복성을 제공하는 ECC, DIMM 스페어링, 잠금 단계, 미러링 등과 같은 칩셋 기능입니다. RAS 기능은 워크스테이션 및 서버급 시스템에서 가장 일반적으로 사용됩니다.
레지스터드 DIMM / RDIMM (Registered DIMM)
레지스터드 DIMM(RDIMM)은 레지스터 컴포넌트를 특징으로 하는 ECC 지원 서버 클래스 메모리 모듈입니다. 대부분의 서버 칩셋은 RDIMM을 기본 시스템 메모리로 사용해야 합니다. DDR5의 경우, 호환되지 않는 시스템의 소켓에 설치되지 않도록 모듈 키(노치)의 위치가 언버퍼드 DIMM(UDIMM)과 다르게 배치되어 있습니다.
AMD Ryzen™ 을 지원
AMD Ryzen 기반 컴퓨터에 오버클로킹하는 AMD 자기 자격검증 프로그램.
레지스터
레지스터는 모듈의 DRAM 구성 요소와 메모리 컨트롤러 사이의 버퍼 역할을 하는 Registered Clock Driver(레지스터 클럭 드라이버, RCD)의 줄임말입니다. 레지스터를 사용하면 모듈에서 더 많은 DRAM 구성 요소를 사용하여 더 높은 용량을 달성할 수 있습니다. 레지스터는 추가 클록 사이클을 사용하여 데이터를 제시간에 동기화함으로써 모듈에 있는 DRAM의 명령 및 주소 신호를 관리합니다.
RGB
RGB는 빨강, 초록, 파랑을 의미하는 약어로 RGB LED는 조명 패턴을 만드는 데 사용됩니다. 메모리의 경우 RGB LED는 모듈에 통합된 부분으로, 미관을 위해 히트 스프레더의 광 확산기 아래에 배치됩니다.
SATA
Serial Advanced Technology Attachment의 약자인 SATA는 하드 드라이브 및 SSD와 같은 대용량 저장 장치에 연결되는 컴퓨터 버스 인터페이스입니다.
SD 카드
일반적으로 디지털 카메라 및 기타 휴대용 장치에 사용되는 메모리 카드의 한 종류.
SD 속도 클래스
SD협회는 회사들이 데이터를 메모리 카드에 기록 시 특정한 쓰기 속도가 요구되는 비디오 녹화 제품을 제작해야 하는 필요성에 따라 최소 데이터 전송을 평가하는 표준을 설립했습니다. SD 속도 클래스, UHS 속도 클래스 및 비디오 속도 클래스는 메모리 카드 및 장치의 쓰기 속도를 표준화하여 최소 쓰기 속도를 보장하고 최고의 성능을 달성합니다.
SDRAM/동기식 DRAM
SDRAM은 Synchronous DRAM을 의미하는 약어로, 오늘날 대부분의 컴퓨터에서 기본으로 사용되는 RAM 기술입니다. 이 메모리 기술은 1990년대 후반에 처음 등장했으며, 데이터 전송을 시스템 클럭과 동기화하여 성능을 크게 향상시켰습니다.
서버 프리미어
Server Premier는 일반적으로 서버 및 워크스테이션에 사용되는 ECC 모듈을 위한 Kingston의 업계 표준 메모리 제품 라인이며, 부품 번호는 "KSM"으로 시작합니다.
SIMM/단일 인라인 메모리 모듈
SIMM(싱글 인라인 메모리 모듈) (2000년대 초반에 단종됨).
싱글 랭크
1 랭크 또는 1R, 64비트 데이터의 모듈당 로드 개수.
패키지 내 시스템(SIP)
패키지 내 시스템(SiP)은 다중 집적회로(IC) 및 패시브 구성품을 단일의 패키지에 포함시켜서 패키지를 사용하여 패키지에 쌓을 수 있게 하는 데 사용되는 설계입니다. 이는 일반적으로 휴대폰 등의 내부에 있는 SSD, USB 드라이브, SD 카트에 사용됩니다.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM은 Small Outline DIMM의 약어입니다. DIMM과 마찬가지로 SODIMM은 크기가 더 작으며 주로 노트북과 소형 폼 팩터 PC에 사용됩니다.
SPD/직렬 프레즌스 검출
SPD는 Serial Presence Detection를 나타내는 약어입니다. SPD는 메모리 모듈에 있는 칩으로, 자체 사양에 대한 정보를 담고 있는 EEPROM입니다.
속도
메모리의 경우 속도는 일반적으로 모듈의 데이터 속도를 나타냅니다. 모든 DDR 세대는 초당 메가 전송(MT/s) 단위로 속도를 나타냅니다. 메모리 속도는 여러 가지 방식으로 표기할 수 있습니다: DDR5-4800, PC5-4800 또는 4800MT/s DDR5. 모듈의 속도에 8을 곱하여 모듈의 유효 대역폭을 결정하는 데에도 사용할 수 있습니다. 예를 들어, DDR5-4800의 유효 대역폭은 38,400MB/s 또는 38.4GB/s입니다. 이는 초당 모듈을 오가는 데이터의 최대 데이터 전송 속도입니다.
속도 클래스(클래스 4, 6, 10)
SD 협회는 여러 외장 스토리지 카드(SD, microSD)의 속도 등급을 표준화했습니다. 표준에서 '속도 클래스'의 특징을 규명하고 절대 최소 유지 쓰기 속도가 명시되어 있습니다. 카드 등급에는 클래스 4(4MB/s), 클래스 6(6MB/s) 또는 클래스 10(10MB/s)이 있을 수 있습니다.
SSD
Solid State Drive는 저장장치로서 플래시 NAND 칩의 컬렉션으로 구성되고, 이 칩을 통해서 하드 디스크 드라이브와 마찬가지로 기계적 액츄에이터 대신에 플래스 컨트롤러가 데이터를 읽고 쓸 수 있습니다. SSD는 기계적 부품의 개수가 적어서 HDD에 비해서 보다 원활하고 효율적으로 작동합니다. 또한 SSD는 HDD에 비해서 자기 간섭에 취약하지 않은 또다른 이점이 있습니다.
강력한 ECC 엔진
데이터는 플래시 컨트롤러를 통해 호스트 PC에서 NAND 스토리지로 이동하므로 NAND 플래시 메모리의 데이터 무결성이 유지되어야 합니다. 데이터가 NAND 플래시 스토리지에 실제로 쓰여지기 전에 발생하는 호스트에서 카드로의 데이터 전송은 대개 "이동 중 데이터" 또는 "전송 중 데이터"로 지칭됩니다. 플래시 컨트롤러에는 오류 수정 기술(오류 수정 코드의 약어인 ECC라 칭함)이 탑재되었기 때문에 지나온 경로를 따라 데이터에 영향을 줄 수 있는 대다수의 오류를 감지 및 수정할 수 있습니다. 플래시 메모리 칩에는 데이터가 쓰여지는 모든 블록을 포함한 추가 오류에 대한 수정 정보가 탑재되어 있습니다. 이러한 정보를 통해 SSD 컨트롤러에서 데이터 블록을 읽을 시에 다수의 오류를 동시 수정할 수 있습니다. 하드 디스크 드라이브와 마찬가지로, NAND 플래시 메모리에서 정상 작동 중 비트 오류가 발생하면, ECC 데이터를 활용해 이동 중에 해당 오류가 수정됩니다. NAND 장치의 데이터 블록에 심각한 오류가 발생하는 경우, 해당 블록은 불량 블록으로 표기되고 사용 중지되며 예비 블록 중 하나가 순환 배치되어 사용됩니다. 이런 과정 중 필요할 경우 UCC를 통해 데이터가 수정됩니다. 예비 블록을 사용함으로 인해 SSD 드라이브의 사용 수명과 내구성이 연장됩니다.
부속 채널
메모리의 경우 서브 채널은 64비트 주소를 두 개의 독립적인 32비트 세그먼트로 분할하여 효율성을 높이는 DDR5 메모리 모듈의 설계 기능을 말합니다.
UDIMM/언버퍼드 DIMM
레지스터 또는 버퍼가 없는 메모리 모듈입니다. 언버퍼드 모듈은 전통적으로 PC 데스크톱과 노트북에 사용됩니다.
UHS-I 비디오 속도 클래스
비디오 녹화가 가능한 속도 클래스. 해당 매체의 최소 쓰기 속도는 문자 그 다음 숫자로 측정합니다. V30 속도 클래스의 최소 쓰기 속도는 30MB/s입니다.
언버퍼
레지스터와 같은 모듈에는 그 어떤 데이터 버퍼도 장착되어 있지 않습니다.
U.2
기업 시장용으로 설계된 SSD 연결에 대한 컴퓨터 인터페이스 표준. 일반적으로 2.5인치 폼 팩터로 제공되고 성능이 M.2.보다 우수합니다.
UHS-I
초고속 – I (UHS-I)은 SDHC 및 SDXC 메모리 카드의 속도 클래스입니다. UHS-I의 버스 인터페이스 최대 속도는 104 MB/s입니다.
UHS-II
초고속 – II(UHS-II)는 SDHC 및 SDXC 메모리 카드의 속도 클래스입니다. UHS-I의 버스 인터페이스 최대 속도는 312 MB/s입니다. 제1버전(UHS-I)과의 차이점은 핀의 제2행이 추가되고 제2열 핀이 저전압 차등적 신호전달(LVDS) 기술을 사용하여 전송 속도를 높이는 것입니다.
UHS 속도 클래스(U1, U3)
초고속(UHS)은 비디오 녹화를 위해 유지되는 최소 쓰기 성능을 규정합니다. SD 협회에서 설립한 두 개의 UHS 속도 등급에는 UHS 속도 클래스 1 및 UHS 속도 클래스 3이 있습니다. UHS 속도 클래스 1은 10MB/s의 최소 쓰기 속도를 갖춘 반면 UHS 속도 클래스 3은 30MB/s의 최소 쓰기 속도를 갖추었습니다. UHS 속도 클래스는 일반적으로 U 기호 내에서 1 또는 3으로 인식됩니다.
USB
USB(Universal Serial Bus)는 장치와 개인용 컴퓨터(PC) 또는 스마트폰과 같은 호스트 컨트롤러의 연결을 허용하는 표준 인터페이스입니다. 이는 디지털 카메라, 마우스, 키보드, 프린터, 스캐너, 미디어 장치, 외장 하드 드라이브 및 플래시 드라이브와 같은 주변 장치와 연결됩니다.
USB 3.2 Gen 1(5Gbps)/USB 3.2 Gen 2(10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
USB 표준들 간의 차이점은 데이터 전송속도 용량입니다. USB 3.2 Gen 1은 5Gbit/s까지 속도를 지원하고, USB 3.2 Gen 2는 10Gbit/s까지 속도를 지원하고, USB 3.2 Gen 2x2는 20Gbit/s까지 속도를 지원하고, USB 4는 40Gbit/s까지 속도를 지원합니다. 자세히 알아보기.
비디오 속도 클래스(V10, V30, V60, V90)
SD 협회에서 더 높은 해상도에서 녹화 기능을 구현할 수 있는 카드를 분류하기 위해 비디오 속도 클래스를 설립했습니다. 이 속도 클래스는 비디오 녹화를 위한 최소 유지 성능을 보장합니다. 여기에는 V6, V10, V30, V60 및 V90이 포함됩니다. V90 속도 클래스는 메모리 카드의 최소 쓰기 속도가 90MB/s에서 수행되어야 하고 V30가 30MB/s임 등을 의미합니다. 자세한 정보를 원하시면 다음 웹사이트를 방문하세요: 자세히 알아보기.
ValueRAM
전통적으로 화이트박스 데스크톱 및 노트북에 사용되는 비-ECC 클래스 DIMM 및 SODIMM을 위한 Kingston’s 업계 표준 메모리 제품군.
VLP/초저 프로파일
VLP는 얇은 프로파일 시스템에서 사용하기 위한 메모리 모듈 높이의 JEDEC 분류를 의미합니다. DDR3 및 DDR4의 경우, VLP UDIMM 및 VLP RDIMM의 높이 사양은 18.75mm입니다. 표준 프로파일 DDR3(30.00mm) 및 DDR4/DDR5 DIMM(31.25mm)은 "낮은" 프로파일로 간주됩니다.
웨어 레벨링
킹스톤 플래시 저장 장치는 고급 마모도 평준화 기술을 활용하는 컨트롤러를 통합하여, P/E(프로그램/삭제)의 수를 플래시 메모리 전체에 균일하게 분배합니다. 따라서 웨어 레벨링은 플래시 메모리 카드의 사용 수명을 연장합니다.
x16
메모리의 경우 x16은 DRAM 칩의 데이터 폭을 나타냅니다(x16은 16비트 폭). x16 DRAM은 UDIMM 및 SODIMM에 사용되며 이 유형의 DRAM을 지원하는 프로세서가 있는 데스크톱 및 노트북으로 제한됩니다.
x4
메모리의 경우 x4는 DRAM 칩의 데이터 폭을 나타냅니다(x4는 4비트 폭). x4 DRAM 칩은 주로 RDIMM 및 LRDIMM에 사용되며, 이를 탑재한 모듈은 다중 비트 오류 감지 및 수정 ECC를 지원할 수 있습니다.
x64
메모리의 경우 x64는 64비트를 의미합니다. 랭크를 완료하는 데 필요한 총 폭입니다.
x72
메모리의 경우 x72는 72비트를 의미합니다. 이는 64비트 주소에 8비트를 더한 모듈로 ECC를 지원함을 나타냅니다. x72는 DDR3, DDR4 및 일부 DDR5 모듈용 RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM 및 LRDIMM의 모듈 폭입니다. x72인 DDR5 모듈은 EC4라고도 합니다.
x8
메모리의 경우 x8은 DRAM 칩의 데이터 폭을 나타냅니다(x8은 8비트 폭). x8 DRAM은 RDIMM을 포함한 모든 유형의 메모리 모듈에 사용됩니다.
x80
메모리의 경우 x80는 80비트를 의미합니다. 이는 DDR5 EC8 유형 모듈에만 해당됩니다. DDR5 모듈은 2개의 독립적인 32비트 서브채널을 갖추고 있으며, 각 서브채널은 ECC를 지원하기 위해 8비트를 추가할 수 있어 총 40비트를 지원합니다. 두 개를 합치면 랭크당 총 80비트에 해당합니다.
XMP
Intel XMP(Extreme Memory Profile) 오버클록 모듈에 사전 프로그래밍된 타이밍. 자세히 알아보기.
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard; 하위 루틴으로서 AES 블록 사이퍼를 사용하여 128비트 이상의 데이터 단위에 대한 수정이 가능한 블록 사이퍼 기능을 합니다. 공공기관과 사기업 모두의 많은 기관들이 사용하는 고도의 암호화 보안 모드입니다.