1R (1 Rank, Single Rank)
Jeden 64-bitowy pakiet danych na moduł pamięci.
2R (2 Rank, Dual Rank)
Dwa 64-bitowe pakiety danych na moduł pamięci.
4R (4 Rank, Quad Rank)
Cztery 64-bitowe pakiety danych na moduł pamięci.
8R (8 Rank, Octal Rank)
Osiem 64-bitowych pakietów danych na moduł pamięci.
AMD
Advanced Micro Devices – firma produkująca procesory, chipsety, procesory graficzne i powiązane produkty.
AMD EPYC™
Marka procesorów firmy AMD do serwerów.
AMD EXPO™
AMD Extended Profiles for Overclocking. Moduły pamięci z profilami AMD EXPO charakteryzują się określonymi parametrami szybkości, opóźnień i napięcia, zoptymalizowanymi dla systemów AMD.
AMD Ryzen™
Marka procesorów firmy AMD do komputerów stacjonarnych i laptopów.
ARGB
ARGB to skrót od nazwy „Addressable RGB”, która oznacza zaawansowany system podświetlenia, pozwalający użytkownikowi na indywidualne dostosowanie i sterowanie poszczególnymi diodami LED. Możliwe jest jednoczesne wyświetlanie różnych kolorów i uzyskanie ciekawych efektów świetlnych, takich jak „odbijanie”, „pulsowanie” czy „tęcza”.
AES (Advanced Encryption Standard)
Patrz FIPS. Szyfr blokowy do szyfrowania poufnych danych elektronicznych, używany od 2002 r. pod nazwą FIPS 197 przez rząd USA.
Ochrona dystrybucji odczytu z automatycznym odświeżaniem
Funkcja automatycznego odświeżania odczytuje wszystkie dane z obszarów pamięci flash, w tym również te, które są odczytywane rzadko, i w razie potrzeby przeprowadza automatyczną korekcję błędów. Zapobiega to utracie danych spowodowanej błędami zakłócającymi odczyt, błędami przechowywania itp. Funkcja automatycznego odświeżania działa w tle, dzięki czemu powoduje niewielkie opóźnienia w odpowiedzi na polecenia nawet podczas procesu korekcji.
Zarządzanie uszkodzonymi blokami
Uszkodzone bloki zawierają jeden lub więcej bitów, które przestały być niezawodne. Uszkodzone bloki pojawiają się w procesie produkcji (Early Bad Blocks) lub podczas użytkowania karty (Later Bad Blocks). Pojawianie się obu rodzajów uszkodzonych bloków jest nieuniknione, dlatego niezbędna jest funkcja zarządzania uszkodzonymi blokami, która pozwala eliminować tego typu błędy w urządzeniach pamięci flash NAND. Funkcja zarządzania uszkodzonymi blokami identyfikuje i oznacza złe bloki, a następnie wykorzystuje dodatkową wolną pojemność do zastąpienia nieprawidłowych bloków. Uniemożliwia to zapisywanie danych w złych blokach, co zwiększa niezawodność produktu. Jeśli uszkodzony blok zawiera dane, zostają one przeniesione do prawidłowego bloku, aby zapobiec ich utracie.
Dowiedz się, jak funkcja zarządzania uszkodzonymi blokami jest wykorzystywana w dyskach SSD, kartach eMMC i kartach SD/microSD Industrial firmy Kingston..
Bank
Bank w odniesieniu do pamięci może mieć kilka znaczeń. Najczęściej oznacza niezależny szereg linii danych w układzie DRAM, w którym tymczasowo przechowywane są informacje. Gdy kontroler pamięci uzyskuje dostęp do banku, robi to w tym samym miejscu i czasie we wszystkich układach w danym rzędzie. Drugie znaczenie banku odnosi się do grupy wielokanałowych gniazd pamięci na płycie głównej.
Bit
Skrót od „binary digit” (cyfra binarna), oznaczający podstawową miarę danych w informatyce, wyrażoną w postaci wartości 0 lub 1 (wł./wył.).
Bajt
Osiem bitów to jeden bajt. Jest to jednostka miary służąca do przechowywania informacji – np. jednego znaku tekstu. Kombinacje bitów i bajtów tworzą podstawowy język informatyki.
Brute force
Rodzaj prostego cyberataku (atak siłowy), polegającego na próbie złamania hasła lub klucza kryptograficznego poprzez wypróbowanie każdej możliwej kombinacji.
CAMM
CAMM to skrót od nazwy Compression-Attached Memory Module, która oznacza specjalny moduł pamięci DRAM, opracowany przez firmę Dell do zastosowania w niskoprofilowych laptopach.
CAMM2
CAMM2 to moduł pamięci zgodny ze standardem branżowym JEDEC, opracowany przez firmę Dell w oparciu o pierwotną koncepcję modułu CAMM. W 2022 r. firma Dell przekazała swój projekt modułu CAMM organizacji JEDEC, co umożliwiło komitetowi normalizacyjnemu JEDEC opracowanie standardu i jego dalszy rozwój na potrzeby całej branży. Zamiast styków/wyprowadzeń na dolnej krawędzi, jakie występują w modułach wpinanych do gniazda, moduł CAMM wykorzystuje złącze kompresyjne, znajdujące się z tyłu modułu, które wciska się w płytę główną. Następnie do zamocowania modułu CAMM2 używa się wkrętów. JEDEC dopuszcza dwa typy pamięci DRAM dla modułów CAMM2: DDR5 CAMM2 oraz LPDDR5 CAMM2. Moduł DDR5 CAMM2 wykorzystuje moduły DRAM DDR5 o pojemnościach od 8GB do 128GB, pojedyncze i podwójne kanały pamięci, jedno- i dwufazowe układy PMIC oraz sterowniki zegara. Moduł LPDDR5 CAMM2 (występujący również pod nazwą LPCAMM2) wykorzystuje moduły DRAM LPDDR5, oferując energooszczędne rozwiązanie do komputerów przenośnych i małych komputerów stacjonarnych. Modułów DDR5 CAMM2 i LPDDR5 CAMM2 nie można stosować zamiennie w jednym systemie. Do ich podłączenia do płyty głównej wykorzystuje się różne wyprowadzenia.
Pojemność
Całkowita liczba dostępnych komórek pamięci w module, wyrażona w gigabajtach (GB). Pojemność podawana w przypadku zestawów to łączna pojemność wszystkich modułów w zestawie.
Opóźnienie CAS / (CL)
CAS to skrót od Column Address Strobe, a opóźnienie CAS (CL) to czas, liczony w cyklach zegara, potrzebny na znalezienie wolnego rzędu pamięci w celu uzyskania do niego dostępu (np. CL32, CL40).
CSODIMM
CSODIMM to skrót od nazwy Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module. Począwszy od pamięci DDR5 o szybkości 6400MT/s, standardy branżowe JEDEC wymagają stosowania w modułach SODIMM komponentu sterownika zegara klienta (CKD). Sterownik zegara klienta buforuje sygnał zegara między kontrolerem pamięci (zintegrowanym z procesorem) a pamięcią DRAM, co zapewnia lepszą integralność i stabilność sygnału i umożliwia uzyskanie większych szybkości.
CUDIMM
CUDIMM to skrót od nazwy Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module. Począwszy od pamięci DDR5 o szybkości 6400MT/s, standardy branżowe JEDEC wymagają stosowania w modułach UDIMM komponentu sterownika zegara klienta (CKD). Sterownik zegara klienta buforuje sygnał zegara między kontrolerem pamięci (zintegrowanym z procesorem) a pamięcią DRAM, co zapewnia lepszą integralność i stabilność sygnału i umożliwia uzyskanie większych szybkości.
Kanał
W przypadku dysków SSD określenie „kanał” odnosi się do liczby układów pamięci flash, z którymi kontroler może komunikować się jednocześnie. Podstawowe dyski SSD mają zwykle 2 lub 4 kanały; dyski SSD o wyższej wydajności – zwykle 8 kanałów, a dyski SSD dla centrów danych – 16 kanałów.
Znaczenie określenia „kanał” w odniesieniu do pamięci wyjaśniono pod hasłem „Kanał pamięci”.
Chip Organization / DRAM Width
Komponenty pamięci DRAM mają strukturę wewnętrzną ułożoną w wiersze i kolumny. Termin „organizacja chipów” odnosi się do szerokości kolumn komponentów DRAM. Szerokości kolumn DRAM stosowane w modułach pamięci to x16 (“by 16”), (co oznacza 16 kolumn), x8 i x4. Szerokości te odpowiadają typom modułów pamięci i komputerom, w których mogą być używane. Na przykład szerokość x16 można wykorzystywać tylko w modułach DIMM lub SODIMM stosowanych w komputerach stacjonarnych lub laptopach, natomiast szerokość x4 – tylko w modułach DIMM przeznaczonych do serwerów lub stacji roboczych. Organizacja chipów x4 w module pamięci oznacza, że cała pamięć DRAM w module ma taką samą szerokość kolumn.
Chip szyfrujący
Narzędzie sprzętowe, które chroni dane zapisane na pamięci USB, zarządzając kluczami szyfrowania na tej pamięci, dzięki czemu klucze te są bezpieczne. Chipy szyfrujące są wykorzystywane w urządzeniach pamięci z serii IronKey.
Szybkość transferu danych
W przypadku pamięci (RAM) szybkość transferu danych decyduje o klasie szybkości modułu pamięci (dawniej określanej mianem częstotliwości). W przypadku modułu pamięci DDR5 szybkość transferu danych wynosząca 4800MT/s (megatransferów na sekundę) oznacza możliwość wykonania 4800 milionów transferów danych na cykl zegara na linię danych.
DDR / Double Data Rate / DDR SDRAM
„DDR” to skrót od terminu Double Data Rate Synchronious Dynamic Random Access Memory. Synchroniczna pamięć DRAM przesyła dane zgodnie z częstotliwością zegara systemowego, podczas gdy pamięć DDR SDRAM przesyła je zarówno na wznoszących się, jak i na opadających zboczach cyklu zegara (tj. dwa razy na cykl zegara), co powoduje podwojenie szybkości przesyłania w stosunku do częstotliwości. Termin „DDR” odnosi się również do pierwszej generacji modułów pamięci DDR SDRAM, które zadebiutowały w 1998 r. i przez cały okres obowiązywania standardu oferowały szybkości transferu 200, 266, 333 i 400MT/s, przy napięciu zasilania wynoszącym zaledwie 2,5V na moduł.
DDR2
DDR2 to druga generacja pamięci DDR SDRAM. Zużywała ona mniej energii przy napięciu zaledwie 1,8V na moduł, oferując większą szybkość przesyłania danych – od 400MT/s w 2003 r. do 533, 667, 800 i 1066MT/s w późniejszym okresie obowiązywania standardu.
DDR3
DDR3 to trzecia generacja pamięci DDR SDRAM, którą wprowadzono na rynek w 2007 r. Zadowalając się niższym zużyciem energii (1,5V na moduł) niż pamięć DDR2, pamięć DDR3 oferowała na początku szybkość 800MT/s, by następnie osiągnąć kolejne wartości: 1066, 1333, 1600, 1866 i 2133MT/s.
DDR3L
Standard DDR3L pojawił się jako dodatkowa specyfikacja w ramach standarddu JEDEC DDR3. Przy zachowaniu tej samej szybkości i opóźnień w modułach DDR3L obniżono napięcie do 1,35V, aby zapewnić dłuższy czas pracy na baterii w laptopach i zmniejszyć emisję ciepła w serwerach. Pamięć DDR3L jest wstecznie zgodna ze standardem DDR3 i przełącza się na napięcie 1,5V w starszych systemach lub w przypadku zastosowania w konfiguracji ze standardowymi modułami DDR3.
DDR4
DDR4 to czwarta generacja pamięci DDR SDRAM, która zadebiutowała na rynku w 2014 r. Standard DDR4 oferuje szybkości 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 i 3200MT/s przy napięciu zaledwie 1,2V na moduł. Standard DDR4 wprowadził znaczące ulepszenia w stosunku do standardu DDR3, poczynając od kształtu modułu DIMM. Dolna środkowa część modułu DIMM została odpowiednio wyprofilowana, aby poprawić osadzenie w gnieździe i wzmocnić moduł, tak aby siły oddziałujące nie niego przy wciskaniu do gniazda nie spowodowały uszkodzenia mikroukładów.
DDR5
DDR5 to piąta generacja pamięci DDR SDRAM, która pojawiła się na rynku w 2020 r. Standard DDR5 oferuje szybkości 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 i 7200MT/s. Moduły pamięci DDR5 charakteryzują się znacząco niższym zużyciem energii (zaledwie 1,1V na moduł) i są wyposażone we wbudowany układ zarządzania energią (PMIC), który zapewnia jej lepszą dystrybucję tam, gdzie jest potrzebna. Moduły pamięci DDR5 oferują znacznie lepszą wydajność w porównaniu z poprzednimi generacjami dzięki podwojeniu liczby banków i długości pakietów, co umożliwia odświeżanie tych samych banków i podział modułu na dwa niezależnie adresowalne 32-bitowe podkanały. Dzięki wbudowanemu mechanizmowi ECC, który koryguje błędy bitowe w poszczególnych komponentach pamięci DDR5 DRAM, poprawiła się także integralność danych.
Design-In
Określenie Design-in odnosi się do kategorii niestandardowych urządzeń komputerowych, takich jak kioski cyfrowe, systemy POS, systemy digital signage, sprzęt diagnostyczny itp. Firma Kingston produkuje dyskretne komponenty, moduły i nośniki pamięci przeznaczone specjalnie dla tej kategorii urządzeń.
Wersja kości
Odnosi się do oznaczenia literowego komponentu pamięci RAM umieszczonego przez producenta układów półprzewodnikowych. Litery te zwykle oznaczają określoną gęstość i konstrukcję pamięci.
DIMM
DIMM to skrót od terminu Dual In-Line Memory Module, oznaczającego moduł pamięci wyposażony w oddzielne styki elektryczne po obu stronach płytki. Pozwala to na niezależny, obustronny transfer danych do modułu i z modułu pamięci.
Please see our DRAM memory modules.
Gęstość pamięci DRAM
„Gęstość” to indywidualna pojemność układu DRAM, którą mierzy się w megabitach lub gigabitach. Im większa jest gęstość pamięci DRAM, tym większą pojemność można uzyskać w module pamięci. Ogólnie rzecz biorąc, gęstość ulega podwojeniu w kolejnych generacjach pamięci, jednak w przypadku modułów DDR5 wprowadzono pośrednią gęstość 24Gbit, którą określa się mianem „niebinarnej” Poniżej podano typowe gęstości dla poszczególnych generacji pamięci:
DRAM
DRAM to skrót od terminu Dynamic Random Access Memory, oznaczającego najbardziej popularny typ technologii RAM stosowanej obecnie w komputerach. Chipy DRAM są wykonane z półprzewodników ułożonych w siatkę linii danych wraz z kondensatorami i tranzystorami, które przechowują ładunki elektryczne odpowiadające jedynkom i zerom w kodzie komputerowym.
Dual Channel
Architektura gniazda pamięci, w której zainstalowane dwa identyczne moduły pamięci agregują swoją przepustowość w celu zwiększenia wydajności systemu.
Dynamiczne odświeżanie danych
Funkcja dynamicznego odświeżania danych ma na celu zapewnienie, że podczas operacji w trybie tylko do odczytu bloki z dużą liczbą błędów zostaną usunięte i odświeżone na potrzeby kolejnego użycia. Podczas każdego polecenia odczytu kontroler wykonuje trzyetapową weryfikację bloku docelowego: pierwszą czynnością jest sprawdzenie pod kątem obecności oznaczenia „konieczność odświeżenia”. W drugim etapie sprawdzana jest liczba obecnych bitów błędów. Trzeci etap polega na sprawdzeniu aktualnej liczby ponownych prób.
EC4
Oznaczenie JEDEC dla modułu pamięci DDR5 klasy serwerowej o 72-bitowej szerokości szyny danych.
EC8
Oznaczenie JEDEC dla modułu pamięci DDR5 klasy serwerowej o 80-bitowej szerokości szyny danych.
ECC
ECC to skrót od nazwy Error Correction Code, oznaczającej algorytm, który potrafi wykrywać i korygować jedno- lub wielobitowe błędy danych w obliczeniach. W przypadku pamięci RAM algorytm ECC jest wbudowany w kontroler pamięci procesora serwera lub stacji roboczej. Aby kontroler pamięci mógł wykrywać i korygować błędy, niezbędne są moduły pamięci obsługujące funkcję ECC, które zawierają dodatkowe komponenty DRAM dla zapewnienia większego rozmiaru pakietu danych (moduły typu ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced). W przypadku pamięci DDR3 i DDR4 obsługę funkcji ECC zapewniają moduły 72-bitowe (x72), natomiast w przypadku pamięci DDR5 – zarówno moduły 72-bitowe (x72 lub EC4), jak i 80-bitowe (x80 lub EC8).
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
Moduły typu ECC Unbuffered zawierają dodatkowe komponenty pamięci DRAM obsługujące algorytm ECC.
EEPROM
EEPROM to skrót od terminu Electrically Erasable Programmable Read-only Memory. Jest to element występujący w module pamięci, który przechowuje ważne informacje dotyczące parametrów modułu. Za EEPROM uznaje się układ SPD.
FAT
Skrót od File Allocation Table – system organizacji plików stworzony na potrzeby dysków twardych. Jest on wykorzystywany przez system operacyjny (OS) do zarządzania plikami na dyskach twardych i w innych systemach komputerowych. Zwykle stosuje się go w pamięciach flash, aparatach cyfrowych i urządzeniach przenośnych. Służy do przechowywania informacji o plikach i pozwala na wydłużenie żywotności dysku twardego. Dowiedz się więcej o systemach plików.
FIPS (Federal Information Processing Standards)
Standardy i wytyczne dotyczące federalnych systemów komputerowych USA, opracowane przez National Institute of Standards and Technology (NIST) zgodnie z ustawą o zarządzaniu bezpieczeństwem informacji federalnej (FISMA) i zatwierdzone przez sekretarza handlu.
FIPS 197
Standard zaawansowanego szyfrowania (znany również jako Rinjdael), odmiana szyfru blokowego opracowanego w Belgii. Wykorzystuje klucze 128, 192 lub 256-bitowe. Szyfr AES-128 nigdy nie został złamany metodą brute force. Zapewnia wystarczającą ochronę, aby można go było stosować do szyfrowania tajnych danych. Jest to pierwszy i jedyny publicznie dostępny szyfr zatwierdzony przez Agencję Bezpieczeństwa Narodowego Stanów Zjednoczonych do szyfrowania informacji ściśle tajnych (szyfrowanie 192-bitowe lub wyższego poziomu).
FIPS 140-2 Level 3
Wspólny rządowy standard bezpieczeństwa komputerowego, ustanowiony w 2019 r. Systemy zgodne z tym standardem, oprócz tego, że są bezpieczne na poziomie produkcyjnym i spełniają wymagania dotyczące uwierzytelniania ról i odporności na fizyczną ingerencję, muszą mieć odseparowane interfejsy, przez które „krytyczne parametry bezpieczeństwa” wchodzą i wychodzą z modułu.
Pamięć flash
Pamięć flash jest pamięcią nieulotną (rodzaj pamięci, która zachowuje dane w przypadku braku zasilania). Pamięć flash znajduje się zwykle w takich urządzeniach, jak dyski półprzewodnikowe (SSD) i pamięci flash USB. Jest powszechnie stosowana w komputerach osobistych oraz w rozwiązaniach pamięci masowej dla przedsiębiorstw.
Format
Zwykle odnosi się do rozmiaru i kształtu komponentu elektronicznego, takiego jak dysk SSD lub pamięć DRAM.
Najczęściej stosowane dyski SSD są dostępne w formatach 2,5 cala, M.2, U.2 i mSATA – zgodnie z wytycznymi organizacji Storage Networking Industry Association (SNIA). Dowiedz się więcej na formatów dysków SSD.
Jeśli chodzi o moduły pamięci DRAM, standardy branżowe JEDEC określają wymiary i typy złączy modułów DRAM. Najpopularniejsze formaty modułów DRAM to DIMM i SODIMM.
Częstotliwość
Powszechnie określana jako szybkość, szybkość transmisji danych lub taktowanie zegara pamięci RAM.
Funkcja Garbage Collection
Funkcja usuwania pozostałości danych (Garbage Collection) ma kluczowe znaczenie dla zachowania trwałości i szybkości pamięci flash NAND. Urządzenia oparte na pamięci flash NAND nie mogą nadpisywać fizycznie zapisanych danych. Muszą przejść przez cykl programowania/kasowania — aby zapisać dane w miejscu, w którym znajduje się już blok danych, kontroler pamięci flash NAND musi najpierw skopiować wszystkie aktualne (nadal wykorzystywane) dane i zapisać je na pustych stronach innego bloku, a następnie wykasować wszystkie komórki w bieżącym bloku (zarówno aktualne, jak i nieaktualne) i zapisać nowe dane w nowo wykasowanym bloku. Proces ten określa się mianem Garbage Collection. Dowiedz się więcej.
Gear Mode
Nowsze generacje procesorów Intel (11. generacja i nowsze) i AMD (Ryzen) oferują funkcję Gear Mode, tj. możliwość ustawienia w systemie BIOS stosunku szybkości działania kontrolera pamięci procesora do szybkości działania modułu pamięci. Ustawienie Gear 1 oznacza, że szybkości działania kontrolera pamięci procesora i modułu pamięci są jednakowe (1:1) i jest to najlepszy tryb pod względem parametrów wydajności i opóźnienia. Ustawienie Gear 2 powoduje zmniejszenie szybkości działania kontrolera pamięci procesora o połowę, umożliwiając szybsze działanie modułów pamięci przy niewielkim pogorszeniu parametrów opóźnienia. Ustawienie Gear 4 powoduje zmniejszenie szybkości działania kontrolera pamięci procesora o jedną czwartą, zapewniając największą szybkość działania i najlepszą przepustowość modułu pamięci, ale kosztem ogólnego pogorszenia parametrów opóźnienia. Funkcja Gear Mode jest zwykle domyślnie ustawiona na „Auto”, co pozwala kontrolerowi pamięci na dostosowywanie się do szybkości pamięci, jednak można również samodzielnie wybrać preferowane ustawienie w systemie BIOS.
Gbps / Gb/s / gigabity na sekundę
Miara przepustowości w miliardach bitów.
Gigabit / Gb / Gbit
10003 bitów lub 1000 Mb. Jednostka miary, powszechnie stosowana do opisywania gęstości komponentów, np. pojedynczych chipów pamięci DRAM.
Gigabajt / GB
10003 bajtów lub 1000 MB. Jednostka miary, powszechnie stosowana w odniesieniu do pojemności pamięci lub dysków SSD.
GT/s
GT/s oznacza gigatransfery na sekundę.
Radiator
Metalowa osłona przymocowana do modułu pamięci w celu odprowadzania ciepła.
High Bandwidth Memory (HBM) - pamięć o wysokiej przepustowości
Nowsza technologia pamięci DRAM opracowana w 2008 r. przez firmę AMD w celu zaspokojenia rosnącego zapotrzebowania na pamięć o wysokiej wydajności i dużej pojemności do obsługi procesorów graficznych, która charakteryzuje się niższym zapotrzebowaniem na energię. Technologia pamięci HBM została przyjęta w 2013 r. przez organizację JEDEC jako standard branżowy, a jej produkcję rozpoczęły firmy specjalizujące się w produkcji półprzewodników do układów pamięci: SK Hynix, Samsung i Micron. W ciągu ostatniej dekady kolejne generacje tej technologii – HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 i HBM3E – umożliwiły zwiększenie pojemności pamięci dzięki większej liczbie warstw, zastosowanie szerszych magistrali danych oraz zwiększenie przepustowości. Poza kartami graficznymi komponenty pamięci HBM znalazły nowe zastosowania, spełniając wysokie wymagania wydajnościowe procesorów AI.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Opatentowana technologia synchronizacji, wykorzystująca komponenty umożliwiające komunikację w podczerwieni, zastosowana w modułach pamięci Kingston HyperX i FURY w celu synchronizacji działania podświetlenia RGB.
Intel®
Intel Corporation. Firma projektująca i produkująca platformy obliczeniowe w postaci m.in. procesorów, chipsetów i kart graficznych.
Intel® Xeon®
Linia procesorów Intel® do serwerów i komputerów stacjonarnych z funkcją obsługi pamięci ECC, dużą liczbą rdzeni i dużą przepustowością, umożliwiającą obsługę dużej ilości pamięci RAM oraz wydajnych kart graficznych.
Intel® XMP 2,0
Intel® Extreme Memory Profiles to specyfikacja firmy Intel służąca producentom pamięci i płyt głównych do konfiguracji profili przetaktowania pamięci (DDR3 i DDR4), aby umożliwić użytkownikom łatwe wykonanie tej czynności.
Intel® XMP 3.0
Najnowsza wersja specyfikacji XMP, stworzona dla pamięci DDR5 i obsługująca do pięciu profili – trzech dla producenta pamięci i dwóch konfigurowalnych, do ręcznego przetaktowywania przez użytkownika.
Certyfikat Intel® XMP 3.0
Przyznawany modułom pamięci lub ich zestawom, które przeszły pomyślnie testy w ramach programu wewnętrznej certyfikacji firmy Intel.
Obsługa profili Intel® XMP 3.0
Funkcja modułów pamięci lub ich zestawów, które są zgodne ze specyfikacją Intel® XMP 3.0.
Certyfikat Intel® XMP 2.0
Przyznawany modułom pamięci lub ich zestawom, które przeszły pomyślnie testy w ramach programu wewnętrznej certyfikacji firmy Intel.
Obsługa profili Intel® XMP 2.0
Funkcja modułów pamięci lub ich zestawów, które są zgodne ze specyfikacją Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC to skrót od nazwy organizacji Joint Electron Device Engineering Council, która jest organem normalizacyjnym dla wielu technologii półprzewodnikowych i komputerowych. JEDEC to konsorcjum podmiotów branżowych, które wspólnie określają standardy, m.in. dla nośników pamięci.
Kingston FURY™ Beast
Linia podstawowych produktów pamięci UDIMM firmy Kingston oferujących możliwość przetaktowania.
Kingston FURY™ Impact
Linia produktów pamięci SODIMM firmy Kingston oferujących możliwość przetaktowania.
Kingston FURY™ Renegade
Linia wysokowydajnych produktów pamięci UDIMM firmy Kingston oferujących możliwość przetaktowania.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Linia wysokowydajnych produktów pamięci DDR5 RDIMM firmy Kingston przystosowanych do przetaktowania.
Zestaw
Numer katalogowy obejmujący wiele modułów pamięci, zwykle obsługujących dwu-, trzy- lub czterokanałową architekturę pamięci. Na przykład K2 oznacza 2 moduły DIMM w zestawie, które składają się na całkowitą pojemność.
Długość (mm) x wysokość (mm) x szerokość (mm)
Wymiary modułu pamięci (wraz z radiatorem) w milimetrach.
Load Reduced DIMM / LRDIMM
Moduły pamięci Load Reduced DIMM (LRDIMM), podobnie jak moduły Registered DIMM (RDIMM), są wyposażone w bufory danych, których zadaniem jest odciążenie kontrolera pamięci, dzięki czemu nie zmniejsza on szybkości działania pamięci w celu kompensacji. Technologia LRDIMM umożliwia produkcję modułów pamięci o dużej pojemności bez uszczerbku dla ich wydajności.
M.2
Format wewnętrznych kart rozszerzeń montowanych w komputerze. Moduły pamięci tego formatu mogą mieć różną szerokość i długość.
Mbps
Megabity na sekundę – szybkość transferu danych liczona w wielokrotności miliona bitów na sekundę.
MCRDIMM
MCRDIMM to skrót od nazwy Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module. Jest to oparty na technologii firmy Intel moduł pamięci serwerowej DDR5, który zapewnia wysoką wydajność i pojemność dla platform serwerowych Intel Xeon. Pamięć MCRDIMM, podobna w koncepcji i konstrukcji do modułów JEDEC DDR5 MRDIMM, może obsługiwać jednocześnie dwa ranki (bloki danych), dostarczając procesorowi jednorazowo 128 bajtów danych. Szybszy transfer jest możliwy dzięki wykorzystaniu multipleksowych buforów danych oraz multipleksowego rejestrowego sterownika zegara, co pozwala na uzyskanie szybkości przekraczającej 8000MT/s.
MRDIMM
MRDIMM to skrót od nazwy Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module. Jest to moduł DDR5 zgodny ze standardem branżowym JEDEC, przeznaczony do użytku w środowiskach serwerowych. Moduły MRDIMM zapewniają większą szybkość transferu danych, większą przepustowość i większą pojemność niż konwencjonalne moduły DDR5 Registered DIMM. Wykorzystują one specjalne rejestry (MRCD) i bufory danych (MDB) do pracy z dwukrotnie większą przepustowością interfejsu hosta, co efektywnie podwaja szybkość transferu. Istnieją dwa podstawowe formaty modułów MRDIMM: o standardowej wysokości oraz Tall Form Factor (TFF) o wysokości 56,9mm. Szybkość początkowa modułów MRDIMM pierwszej generacji wynosi 8800MT/s, a modułów drugiej generacji – 12 800MT/s.
Megabajt / MB
1000² bajtów lub 1000 KB. Jednostka miary powszechnie stosowana w odniesieniu do pojemności pamięci, dysków SSD i innych urządzeń pamięci flash.
Megabit / Mb
10002 bitów lub 1000 Kb. Jednostka miary zwykle stosowana w odniesieniu do gęstości komponentów, takich jak moduły pamięci DRAM.
Pamięć
Obszar komputera, w którym tymczasowo przechowywane są dane dla procesora.
Kanał pamięci
Kanał pamięci to ścieżka przesyłania danych między modułem pamięci a kontrolerem pamięci (zwykle znajduje się w procesorze). Większość systemów komputerowych (komputery PC, laptopy, serwery) wykorzystuje wielokanałową architekturę pamięci, w której kanały są łączone w celu zwiększenia wydajności pamięci. Dwukanałowa architektura pamięci (Dual Channel) oznacza, że gdy identyczne moduły są zainstalowane jako para, kontroler pamięci może korzystać z dwukrotnie większej efektywnej przepustowości.
Megaherc / MHz
Megaherc to standardowa miara odpowiadająca milionowi cykli na sekundę. Używa się jej tradycyjnie do opisywania częstotliwości (szybkości) transferu danych w module pamięci.
Megatransfery / MT/s
Megatransfery oznaczają miliony transferów na sekundę (MT/s) i jest to termin stosowany do określania szybkość transmisji danych (szybkości) wszystkich modułów pamięci DDR, które przesyłają dane z szybkością dwukrotnie większą od częstotliwości. Ulteriori informazioni.
Karta microSD
Rodzaj bardzo małej karty pamięci używanej zwykle w telefonach komórkowych i innych urządzeniach przenośnych. Zobacz naszą ofertę kart microSD.
NAND
Rodzaj pamięci flash – elektroniczny nośnik danych w postaci pamięci nieulotnej, którą można elektrycznie wymazać i przeprogramować. NAND oznacza „NOT AND” – bramkę logiczną (element umożliwiający generowanie określonego sygnału wyjściowego w elektronice cyfrowej).
Łączenie układów NAND
W celu zwiększenia pojemności pamięci w urządzeniach wykorzystujących pamięć nieulotną, taką jak pamięć flash NAND, może występować wiele stosów układów pamięci (np. chipów) tworzących pakiet modułów pamięci. Pakiet pamięci może być zaimplementowany w różnych formach, takich jak DDP (Double-Die Package), QDP (Quad-Die Package), ODP (Octo-Die Package) czy wreszcie HDP (pakiet składający się z 16 układów). Technologia łączenia układów umożliwia uzyskanie większej pojemności w urządzeniach małego formatu, takich jak pamięć USB czy dyski SSD M.2.
Pamięć niebinarna
Patrz hasło „Gęstość pamięci DRAM”.
Bez ECC
Moduł pamięci, który nie zapewnia odpowiedniej wielkości pakietu danych (dzięki dodatkowej pamięci DRAM) do obsługi algorytmu ECC.
Pamięć nieulotna
Pamięć nieulotna to rodzaj pamięci komputera, która umożliwia przechowywania zapisanych danych nawet po wyłączeniu zasilania.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express – specyfikacja otwartego interfejsu umożliwiająca dostęp do nieulotnej pamięci masowej komputerów, np. dysków SSD.
On-Die ECC / ODECC
On-die ECC (ODECC) to algorytm ECC wbudowany w układ DRAM w celu korygowania błędów bitowych przed ich przesłaniem do modułu pamięci. W przypadku pamięci technologia ta została wprowadzona wraz ze standardem DDR5.
PCB / płytka PCB
PCB to skrót od nazwy Printed Circuit Board, oznaczającej płytkę drukowaną. Płytka drukowana jest nośnikiem, na którym połączone są chipy półprzewodnikowe. Płytki PCB są na ogół wielowarstwowe, z płaszczyznami warstw przewodzących i izolujących. Każda warstwa ma wytrawiony wzór, w którym materiały przewodzące, takie jak miedź, łączą elementy półprzewodnikowe zamontowane na powierzchni warstw zewnętrznych.
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express – standard interfejsu dla komponentów wymagających szybkiego transferu danych, takich jak procesory graficzne czy dyski SSD.
PCN
Skrót od terminu Part/Product Change Notice (powiadomienie o zmianie części/produktu). Jest to dokument informujący o wprowadzeniu nowego produktu, zmiany w produkcie, wycofaniu produktu z rynku lub zaprzestaniu jego produkcji.
PMIC
PMIC to skrót terminu Power Management Integrated Circuit, oznaczającego układ zarządzania energią. Układy PMIC są zwykle wykorzystywane do zarządzania zasilaniem określonych komponentów urządzenia. Każdy moduł pamięci DDR5 jest wyposażony w układ PMIC.
Plug N Play / PnP
Termin Plug and Play (PnP) może odnosić się do wielu rodzajów urządzeń komputerowych, które do działania nie wymagają specjalnego oprogramowania ani sterowników. Firma Kingston stosuje termin „Plug N Play” w odniesieniu do opracowanej przez siebie, nowatorskiej metody przetaktowywania bez konieczności włączania profili. Moduły Kingston FURY z funkcją PnP mają zaprogramowane parametry przetaktowania w domyślnym profilu JEDEC w układzie SPD, co zmusza komputer do automatycznego przełączenia się na wyższą wydajność.
Zabezpieczenie przed awarią zasilania
Awarie zasilania są nieuniknione i mogą spowodować spustoszenie w środowisku pracy, jeśli nie zastosowano odpowiednich zabezpieczeń. Zabezpieczenie przed awarią zasilania jest niezbędne, aby zapobiec utracie danych. Obsługiwane urządzenie hosta może przesłać do karty polecenie zatrzymania wszystkich operacji, gdy wykryje jakikolwiek spadek napięcia. Dzięki temu karta ma czas na zapisanie wszystkich danych otrzymanych w chwili odcięcia zasilania.
Quad Channel
Architektura gniazda pamięci, w której zainstalowane cztery identyczne moduły pamięci agregują swoją przepustowość w celu zwiększenia wydajności systemu.
Quad Rank
4 Rank lub Quad Rank – liczba 64-bitowych pakietów danych na moduł.
QVL
QVL to skrót od terminu Qualified Vendor List, oznaczającego listę kwalifikowanych dostawców. Producenci komputerów i płyt głównych często umieszczają listę QVL na swoich stronach pomocy technicznej, aby wskazać, które komponenty, takie jak pamięć i dyski SSD, zostały przetestowane pod kątem współpracy z ich systemami.
RAM
RAM to skrót od terminu Random Access Memory, oznaczającego pamięć o dostępie swobodnym. W informatyce termin RAM zwykle odnosi się do pamięci krótkotrwałej, umieszczonej między pamięcią masową (dysk SSD/HDD) a procesorem w celu umożliwienia szybkiego dostępu. Współczesna pamięć RAM jest zwykle pamięcią ulotną, co oznacza, że nie przechowuje informacji bez zasilania.
Ranku (Rank)
Rank to blok danych o szerokości 64 bitów. Ilość bitów jest określana przez liczbę banków, a nie chipów DRAM (tj. 8 chipów x 8 banków daje 64 bity tworzące rank). Moduł pamięci można zbudować w taki sposób, aby miał wiele ranków, natomiast w danej chwili można uzyskać dostęp do danych tylko z jednego ranku.
RAS
RAS to skrót, który w informatyce może mieć kilka znaczeń. Po pierwsze RAS może być skrótem od terminu Row Address Strobe, oznaczającego żądanie aktywacji wiersza kierowanego przez procesor do pamięci RAM. RAS może również odnosić się do terminów Reliability, Availability i Serviceability (niezawodność, dostępność i użytkowalność). Odpowiadają za nie funkcje chipsetu, takie jak funkcja korekcji ECC, obsługi zapasowych modułów DIMM, synchronizacji lock-step, dublowania itp., które zapewniają większą nadmiarowość pamięci RAM. Funkcje RAS są najczęściej wykorzystywane w takich systemach, jak stacje robocze i serwery.
RDIMM/pamięć DIMM rejestrowa (Registered DIMM)
Moduł pamięci klasy serwerowej zawierający komponent rejestru, określany również jako Registered Clock Driver (RCD), który działa jako bufor pomiędzy komponentami pamięci DRAM w module (DIMM) a kontrolerem pamięci (zwykle zlokalizowanym w procesorze). Rejestry umożliwiają użycie większej liczby komponentów DRAM w module, co pozwala na uzyskanie większej pojemności. Większość chipsetów serwerowych wymaga użycia modułów Registered DIMM jako podstawowej pamięci systemowej. Rejestr zarządza sygnałami poleceń i adresu pamięci DRAM w module, wykorzystując dodatkowy cykl zegara do synchronizacji danych w czasie.
Ready for AMD Ryzen™
Program samokwalifikacji firmy AMD dla pamięci przystosowanych do przetaktowywania w komputerach z procesorami AMD Ryzen.
Rejestr
Rejestr to termin pochodzący od nazwy Registered Clock Driver (RCD), która odnosi się do buforu między komponentami DRAM w module pamięci a kontrolerem pamięci. Rejestry pozwalają na użycie większej liczby komponentów DRAM w module pamięci w celu zapewnienia większej pojemności. Rejestr zarządza sygnałami poleceń i adresu pamięci DRAM w module, wykorzystując dodatkowy cykl zegara do synchronizacji danych w czasie.
RGB
RGB to skrót od nazw kolorów Red (czerwony), Green (zielony) i Blue (niebieski), a diody LED RGB są wykorzystywane do podświetlania podzespołów komputerowych. W przypadku modułów pamięci diody LED RGB stanowią integralną część modułu i ze względów estetycznych są umieszczone pod dyfuzorem światła w radiatorze. Zobacz nasze produkty z funkcją podświetlenia RGB.
SATA
Skrót od Serial Advanced Technology Attachment – interfejs magistrali komputerowej, który łączy się z urządzeniami pamięci masowej, takimi jak dyski twarde i dyski SSD.
Karta SD
Rodzaj karty pamięci używanej zwykle w aparatach cyfrowych i innych urządzeniach przenośnych. Zobacz naszą ofertę kart SD.
Klasa szybkości SD
Organizacja SD Association ustanowiła standardy, które określają minimalny transfer danych na potrzeby firm oferujących produkty do rejestrowania materiałów wideo, które wymagają określonych szybkości zapisu podczas zapisu danych na kartę pamięci. Klasy szybkości SD Speed Class, UHS Speed Class i Video Speed Class określają standardy zarówno dla kart pamięci, jak i innych urządzeń, aby zagwarantować minimalne szybkości zapisu i zapewnić najlepszą wydajność.
SDRAM / synchroniczna pamięć DRAM
SDRAM to skrót oznaczający synchroniczną pamięć DRAM i jednocześnie podstawową technologię pamięci RAM wykorzystywaną w większości współczesnych komputerów. Technologia ta pojawiła się na rynku pod koniec lat 90. XX wieku i znacznie poprawiła wydajność poprzez synchronizację transferów danych z zegarem systemowym.
Server Premier
Server Premier to zgodna ze standardem branżowym linia produktów pamięci firmy Kingston z kategorii modułów z funkcją korekcji ECC, przeznaczonych głównie do serwerów i stacji roboczych; numery katalogowe modułów tego typu zaczynają się od oznaczenia „KSM”. W celu zachowania spójności produkty z linii Server Premier można zamówić z opcją niezmienności wszystkich komponentów (Full Lock) lub z opcją niezmienności płytki układu DRAM (DRAM Lock).
SIMM
SIMM to skrót od terminu Single In-line Memory Module, oznaczającego pojedynczy moduł pamięci o układzie liniowym – pierwszy na świecie moduł pamięci wyprodukowany fabrycznie. Moduły SIMM były generalnie ograniczone do 32-bitowych pakietów danych i nie zapewniały możliwości niezależnego dostępu do danych przez styki po obu stronach modułu.
System In Package (SIP)
System w pakiecie (SiP) to konstrukcja stosowana do łączenia wielu układów scalonych (IC) i elementów pasywnych w pojedynczym pakiecie. Takie pakiety mogą być układane warstwowo jeden na drugim. Technologię tę stosuje się zwykle w dyskach SSD, pamięciach USB, kartach pamięci SD, pamięciach wbudowanych w telefonach itp.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM to skrót od nazwy Small Outline DIMM. Moduły SODIMM (podobne do modułów DIMM) są mniejsze, dzięki czemu mogą być wykorzystywane w laptopach i małych komputerach stacjonarnych.
SPD
SPD to skrót od nazwy Serial Presence Detect. SPD to rodzaj pamięci EEPROM – układ scalony w module pamięci, który przechowuje informacje dotyczące specyfikacji technicznej modułu.
Szybkość
W przypadku pamięci szybkość odnosi się zwykle do szybkości transferu danych, jaką zapewnia moduł. Dla wszystkich generacji pamięci DDR szybkość określa się w megatransferach na sekundę (MT/s). Szybkość pamięci można zapisać na kilka sposobów: DDR5-4800 lub PC5-38400 lub DDR5 4800MT/s. Szybkość modułu można również wykorzystać do określenia efektywnej przepustowości modułu, mnożąc ją przez 8. Na przykład moduł pamięci DDR5-4800 ma efektywną przepustowość 38 400Mb/s (38,4GB/s). Jest to maksymalna szybkość przesyłania danych do modułu/z modułu na sekundę.
Informacje dotyczące szybkości kart SD i microSD znajdują się pod hasłem „Klasa szybkości SD”.
Klasa szybkości (klasa 4, 6, 10)
Standard oceny szybkości określony przez organizację SD Association dla różnych zewnętrznych kart pamięci (SD, microSD). Klasa szybkości określa bezwzględną minimalną stałą prędkość zapisu. Karty pamięci mogą nosić następujące oznaczenia: Class 4 (4MB/s), Class 6 (6MB/s) lub Class 10 (10MB/s). Dowiedz się więcej.
SSD
Solid State Drive – urządzenie pamięci masowej składające się z szeregu układów pamięci flash NAND, w którym dane są odczytywane i zapisywane przez kontroler pamięci flash, a nie przez element mechaniczny jak w przypadku dysków twardych. Ze względu na brak części mechanicznych dyski SSD działają płynniej i wydajniej niż dyski HDD. Kolejną zaletą dysków SSD w porównaniu z dyskami HDD jest odporność na zakłócenia magnetyczne. Zobacz naszą ofertę dysków SSD.
Wydajny mechanizm ECC
Pamięć flash NAND musi zapewniać integralność danych przekazywanych z komputera hosta do pamięci NAND przez kontroler pamięci flash. Dane przesyłane z hosta na kartę pamięci określa się niekiedy danymi w ruchu, ponieważ zostaną one dopiero zapisane w pamięci flash NAND. W kontrolerach pamięci flash stosuje się technologię korekcji błędów określaną skrótem ECC (Error Correction Code). Jej zadaniem jest wykrywanie i korygowanie większości błędów występujących na ścieżce przesyłania danych. Wraz z każdym zapisanym blokiem danych układy pamięci Flash przechowują dodatkowe informacje służące do korekcji błędów. Informacje takie pozwalają kontrolerowi SSD korygować wiele błędów podczas odczytywania bloków danych. Podobnie jak w przypadku nośników w talerzowych dyskach twardych, podczas normalnej pracy pamięci NAND Flash występują błędy bitów, które zostają od razu naprawione dzięki danym ECC. Jeśli w bloku danych pamięci NAND występują poważne błędy, zostaje on oznaczony jako uszkodzony i wyłączony z użycia. W jego miejsce do puli używanych bloków trafia jeden z bloków nadmiarowych. W razie potrzeby podczas tego procesu dane są korygowane z wykorzystaniem danych ECC. Wykorzystanie bloków zapasowych wydłuża okres przydatności eksploatacyjnej i żywotność dysków SSD.
Dowiedz się więcej o wykrywaniu i korygowaniu błędów na dyskach SSD Kingston.
Podkanał
Termin odnoszący się do modułów pamięci DDR5, w których w celu zwiększenia wydajności adres 64-bitowy jest dzielony na dwa segmenty 32-bitowe.
UDIMM / DIMM Niebuforowana (Unbuffered DIMM)
64-bitowy (x64) moduł pamięci (RAM), który nie ma rejestru ani bufora. Moduły niebuforowane są tradycyjnie wykorzystywane w komputerach stacjonarnych, stacjach roboczych i laptopach.
Klasa szybkości wideo UHS-I
Klasa szybkości do zapisu materiałów wideo. Minimalna szybkość zapisu na danym nośniku jest określona literą, po której następuje liczba. Klasa szybkości V30 oznacza minimalną stałą szybkość zapisu na poziomie 30MB/s.
Moduł niebuforowany (Unbuffered)
W module pamięci nie ma buforów danych, takich jak np. rejestr.
U.2
Standard interfejsu komputerowego do podłączania dysków SSD, stworzony z myślą zastosowaniach korporacyjnych. Zwykle występuje w formacie 2,5 cala i oferuje większą pojemność pamięci niż format M.2.
UHS-I
Ultra-High Speed-I (UHS-I) – klasa szybkości kart pamięci SDHC i SDXC. UHS-I oznacza szybkość interfejsu magistrali do 104MB/s.
UHS-II
Ultra-High Speed-II (UHS-II) – klasa szybkości kart pamięci SDHC i SDXC. UHS-II oznacza szybkość interfejsu magistrali do 312MB/s. Różnica w porównaniu z wcześniejszą wersją (UHS-I) polega na dodanym drugim rzędzie pinów, które wykorzystują technologię Low Voltage Differential Signaling (LVDS), aby zapewnić szybszy transfer danych.
Klasa szybkości UHS (U1, U3)
Ultra High Speed (UHS) określa minimalną stałą wydajność zapisu podczas nagrywania materiału wideo. Organizacja SD Association określiła dwie klasy szybkości UHS: UHS Speed Class 1 i UHS Speed Class 3. UHS Speed Class 1 oznacza zapis z szybkością co najmniej 10MB/s, a UHS Speed Class 3 – z szybkością co najmniej 30MB/s. Oznaczenie klasy szybkości UHS ma zwykle postać cyfry 1 lub 3 wpisanej w literę U. Dowiedz się więcej.
USB
Universal Serial Bus (uniwersalna magistrala szeregowa) – standardowy interfejs, który umożliwia nawiązywanie połączeń między urządzeniami a głównym kontrolerem, takim jak komputer czy smartfon. Umożliwia podłączanie urządzeń peryferyjnych, takich jak aparaty cyfrowe, myszy, klawiatury, drukarki, skanery, urządzenia multimedialne, zewnętrzne dyski twarde i urządzenia pamięci flash.
USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
Różnica między tymi standardami USB polega na szybkości przesyłania danych. Interfejs USB 3.2 Gen 1 obsługuje szybkości do 5Gbit/s, USB 3.2 Gen 2 – do 10Gbit/s, USB 3.2 Gen 2x2 – do 20Gbit/s, a USB4 – do 40Gbit/s. Więcej informacji: Dowiedz się więcej.
Video Speed Class (V10, V30, V60, V90)
Standard Video Speed Class został stworzony przez organizację SD Association w celu klasyfikacji kart, które mogą służyć do nagrywania materiałów wideo o wysokiej rozdzielczości. Nośniki oznaczone tą klasą szybkości gwarantują minimalną stałą wydajność zapisu danych wideo. Dostępne klasy to: V6, V10, V30, V60 i V90. Klasa szybkości V90 oznacza, że minimalna szybkość zapisu karty pamięci musi wynosić 90MB/s, V30 – 30MB/s itd. Więcej informacji: Dowiedz się więcej.
ValueRAM
Zgodna ze standardem branżowym linia produktów pamięci firmy Kingston, obejmująca moduły DIMM i SODIMM bez funkcji korekcji ECC, zwykle wykorzystywane w niemarkowych laptopach i komputerach stacjonarnych.
VLP (Very Low Profile)
VLP to skrót od terminu Very Low Profile, stosowanego w klasyfikacji JEDEC w odniesieniu do wysokości modułów pamięci, które wykorzystuje się w systemach cienkoprofilowych. W przypadku standardów DDR3 i DDR4 moduły VLP UDIMM i VLP RDIMM mają wysokość 18,75mm. Standardowe moduły DIMM DDR3 (30,00mm) i DDR4/DDR5 (31,25mm) określa się mianem „niskoprofilowych”.
Równoważenie zużycia
Urządzenia pamięci flash firmy Kingston wyposażone są w kontrolery wykorzystujące zaawansowaną technologię równoważenia zużycia, która pozwala równomiernie rozłożyć liczbę cykli programowania/kasowania w całej przestrzeni adresowej pamięci flash. W ten sposób funkcja równoważenia zużycia wydłuża żywotność karty pamięci flash.
x16
W przypadku pamięci oznaczenie „x16” odnosi się do wielkości pakietu danych obsługiwanego przez układ DRAM (x16 oznacza pakiet 16-bitowy). Pamięć DRAM x16 wykorzystuje się w modułach UDIMM i SODIMM, których zastosowanie jest ograniczone do komputerów stacjonarnych i laptopów z procesorami obsługującymi ten typ pamięci DRAM.
x4
W przypadku pamięci oznaczenie „x4” odnosi się do wielkości pakietu danych obsługiwanego przez układ DRAM (x4 oznacza pakiet 4-bitowy). Układy DRAM x4 wykorzystuje się głównie w modułach RDIMM i LRDIMM, które mogą obsługiwać funkcje wykrywania błędów wielobitowych oraz korekcji błędów ECC.
x64
W przypadku pamięci „x64” oznacza pakiet 64-bitowy. Jest to łączna liczna bitów potrzebnych do utworzenia ranku.
x72
W przypadku pamięci „x72” oznacza pakiet 72-bitowy. Oznacza to, że moduł ma adres 64-bitowy plus 8 bitów do obsługi funkcji korekcji ECC. x72 to wielkość pakietu dla modułów RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM i LRDIMM typu DDR3 i DDR4 oraz niektórych modułów typu DDR5. Moduły DDR5 x72 określa się również jako EC4.
x8
W przypadku pamięci oznaczenie „x8” odnosi się do wielkości pakietu danych obsługiwanego przez układ DRAM (x8 oznacza pakiet 8-bitowy). Układy DRAM x8 są wykorzystywane we wszystkich typach modułów pamięci, w tym w modułach RDIMM.
x80
W przypadku pamięci „x80” oznacza pakiet 80-bitowy. Wielkość ta jest specyficzna dla modułów typu DDR5 EC8. Moduły DDR5 mają dwa niezależne podkanały 32-bitowe, z których każdy może mieć dodatkowe 8 bitów do obsługi funkcji korekcji ECC, co daje w sumie 40 bitów. Te dwie wartości dają łącznie 80 bitów na rank.
XMP
Intel Extreme Memory Profile – wstępnie zaprogramowane częstotliwości zegara w modułach pamięci do przetaktowania. Dowiedz się więcej.
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard – zmienny szyfr blokowy dla jednostek danych o długości 128 bitów lub większej, wykorzystujący jako podprogram szyfr blokowy AES. Jest to wysoce bezpieczny tryb szyfrowania, używany przez wiele organizacji prowadzących zarówno działalność administracyjną, jak i biznesową.