1R（1 ランク、シングルランク）
メモリモジュールに 64 ビットのデータ幅が 1 つ。
2R（2 ランク、デュアルランク）
メモリモジュールに 64 ビットのデータ幅が 2 つ。
4R（4 ランク、クアッドランク）
メモリモジュールに 64 ビットのデータ幅が 4 つ。
8R（8 ランク、オクタルランク）
メモリモジュールに 64 ビットのデータ幅が 8 つ。
AMD
Advanced Micro Devices。プロセッサ、チップセット、グラフィックプロセッサ、および関連製品を開発する企業。
AMD EPYC™
AMD のサーバープロセッサブランド。
AMD EXPO™
AMD のオーバークロック用拡張プロファイル。AMD EXPO プロファイルを持つメモリモジュールは、AMD システム用に最適化された一定の速度、タイミング、電圧を備えています。
AMD Ryzen™
AMD のデスクトップ PC およびノート PC 用 CPU のブランド。
ARGB
ARGB は「Addressable RGB」（アドレス指定可能な RGB）の略で、個々の LED をカスタマイズして制御できる先進的な照明です。さまざまな色を同時に表示したり、バウンス、ブリージング、レインボーなどの印象的な照明効果を使用することができます。
AES (Advanced Encryption Standard)
FIPS 参照。2002 年以来、FIPS 197 という名称で米国政府が使用している機密電子データ暗号化用のブロック暗号
自動更新読み取り分散保護
自動更新機能では、データの読み出し頻度の非常に少ない場所を含むフラッシュメモリ区画の全データを読み取り、必要に応じて、読み取り中断エラーやデータ保持エラーなどによって生じたデータ損失を防止するために、自動的にエラーを訂正します。自動更新機能はバックグラウンドで実行されますので、訂正処理中でもコマンドへの応答は遅延しません。
不良ブロック管理
不良ブロックでは、1 ビット以上のデータの信頼性が失われています。不良ブロックには、製造工程中に発生するもの（初期不良ブロック）とカードの寿命が終わるまでに発生するもの（後発不良ブロック）があります。どちらの不良ブロックも発生を避けられないため、NAND フラッシュデバイスのこれらのエラーを管理する不良ブロック管理が必要になります。不良ブロック管理では、不良ブロックの識別とフラグ付けを行い、空いている予備の容量を使用して無効なブロックを置換します。これにより不良ブロックにデータが書き込まれることがなくなり、製品の信頼性が強化されます。不良ブロックにデータがある場合、データを正常なブロックに移動してデータ損失を防ぎます。
不良ブロック管理が Kingston SSD、eMMC、産業用 SD/microSD カードに適用される方法についてはください、こちらをご覧。
バンク
メモリ内のバンクは、演算処理において複数の意味を持ちます。一般的には DRAM チップ内の独立したデータラインの配列で、情報を一時的に保存するものを指します。メモリコントローラがバンクにアクセスする場合、ランク上のすべてのチップで同時に同じ位置にアクセスします。また、マザーボード上のマルチチャネルメモリソケットのグループを指す場合もあります。
ビット
「binary digit（2進数）」の略で、コンピュータにおけるデータの最も基本的な測定方法で、0か1か、オンかオフのいずれかで表されます。
バイト
8 ビットは 1 バイトに相当します。これは、テキストの 1 文字などの情報を記憶するための単位です。ビットとバイトを組み合わせることで、コンピューティングの基礎となる言語が形成されます。
CAMM
CAMM とは「Compression-Attached Memory Module（圧着式メモリモジュール）」の略で、Dell が薄型ノートパソコン用に開発した独自の DRAM モジュールの一種です。
CAMM2
CAMM2 は、Dell が独自の CAMM コンセプトに基づいて導入した JEDEC 業界標準モジュールです。Dell は 2022 年に CAMM の設計を JEDEC に提出し、JEDEC 標準化委員会のメンバーであれば、業界の誰もが使用できる新しい設計に貢献したり、新規作成することができるようになりました。CAMM2 は、モジュール下端のピン/リードをソケットに差し込む代わりに、モジュール背面の圧縮コネクターを使用してマザーボードに取り付けます。その後、ネジで CAMM2 を固定します。JEDEC は、CAMM2 用に 2 種類の DRAM メモリ、 DDR5 CAMM2 と LPDDR5 CAMM2 をサポートしています。DDR5 CAMM2 は DDR5 DRAM コンポーネントを使用し、8GB から 128GB、シングルおよびデュアルメモリチャネル、シングルおよびデュアルフェーズ PMIC、クロックドライバーをサポートします。LPDDR5 CAMM2 (別名 LPCAMM2) は LPDDR5 DRAM コンポーネントを使用し、モバイルシステムまたは小型フォームファクタのシステムへ、低消費電力のオプションを提供します。DDR5 CAMM2 と LPDDR5 CAMM2 モジュールのタイプはシステム内で互換性がなく、マザーボードに接続する際に異なるピンアウトを使用します。
ブルートフォース（総当たり攻撃）
パスワードや暗号キーの可能な組み合わせをすべて試して突破しようとする荒削りなサイバー攻撃。
容量
モジュール上の利用可能なデータメモリセルの合計数、ギガバイト（GB）表記。キットの場合、表内の容量は、キット内の全モジュールの合計です。
CAS レイテンシー / CL
CAS とは、Column Address Strobe（カラムアドレスストローブ）の頭文字をとったもので、CAS レイテンシー（CL）とは、アクセスする必要のあるメモリの空き行を見つけるのにかかる時間（クロックサイクル）のことです。（例：CL32、CL40）。
CSODIMM
CSODIMM は、「Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module（クロックド スモールアウトライン デュアルインラインメモリモジュール）」の略語です。6400MT/秒の DDR5 以降、JEDEC の業界標準では、SODIMM にクライアントクロックドライバーコンポーネント (CKD) を含めることが義務付けられています。クライアントクロックドライバーは、メモリコントローラ (CPU 内蔵) と DRAM 間のクロック信号をバッファリングし、信号の整合性と安定性を向上させ、高速化を可能にします。
CUDIMM
CUDIMM は、「Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module（クロックド アンバッファード デュアルインラインメモリモジュール）」の略語です。6400MT/秒の DDR5 以降、JEDEC の業界標準では、UDIMM にクライアントクロックドライバーコンポーネント (CKD) を含めることが義務付けられています。クライアントクロックドライバーは、メモリコントローラ (CPU 内蔵) と DRAM 間のクロック信号をバッファリングし、信号の整合性と安定性を向上させ、高速化を可能にします。
チャネル
SSD では、チャネルはコントローラーが同時に通信できるフラッシュチップの数を指します。エントリーレベル / メインストリーム SSD には通常 2 または 4 チャネルがあり、高性能 SSD には通常 8 チャネル、データセンター SSD には 16 チャネルまであります。
メモリに関するチャネルについては、メモリチャネルを参照してください。
チップ構成 / DRAM 幅
コンポーネントは、行と列に配置された内部構造を持っています。チップ構成とは、DRAM コンポーネントの列幅を指します。メモリモジュールに使用される DRAM 列幅は、 16 列、 8 列, and 4 列を意味するx16（「16 倍」）です。 これらの幅は、メモリモジュールとコンピューターの種類に対応しています。例えば、x16 は PC やノートパソコンで使用される DIMM や SODIMM にのみ使用でき、x4 はサーバーやワークステーション用の DIMM にのみ使用できます。チップ構成が x4 のメモリモジュールは、モジュール上のすべての DRAM が同じ列幅であることを意味します。
Cryptochip
データ保護が可能な暗号化キー管理をデバイス上で維持し、USB ドライブ上のデータを保護するハードウェアツールIronKey シリーズのフラッシュドライブには Cryptochip が使用されています。
データレート
メモリ (RAM) の場合、データレートはメモリモジュールのスピードクラス (以前は周波数と呼ばれていました) です。DDR5 の場合、モジュールのデータレートが 4800MT/秒 (メガトランスファ/秒）であれば、データライン 1 本につき 1 クロックサイクルあたり 48 億回のデータ転送が可能であることを示しています。
DDR / ダブルデータレート / DDR SDRAM
「DDR」は、Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（二重データレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリデバイス）の略称です。同期 DRAM はシステムクロックでデータを転送しますが、DDR SDRAM はクロックの立ち上がりと立ち下がりの両エッジ、つまり 1 クロックサイクルに 2 回データを転送するため、周波数に比べて転送速度が2倍となります。また、「DDR」とは、1998 年に登場した第 1 世代の DDR SDRAM メモリモジュールのことも指し、1 モジュールあたり 2.5V のみを使用して、その生涯にわたって 200、266、333、400MT/s の転送速度に対応しました。
DDR2
DDR2 は、DDR SDRAM の第 2 世代です。1 モジュールあたり 1.8V と低消費電力で、データ転送速度も向上し、200 3 年に 400MT/s から始まり、その生涯にわたって 533、667、800、1066MT/s と高速化しています。
DDR3
DDR3 は DDR SDRAM の第 3 世代で、2007 年に初めて登場しました。DDR3 は、1モジュールあたり 1.5V と DDR2 よりも低消費電力で、800MT/s から始まり、1066、1333、1600、1866、2133MT/s と進歩していきました。
DDR3L
DDR3L は、JEDEC の DDR3 規格の下位規格として登場しました。DDR3 と同じ速度とタイミングを持つ DDR3L は、電圧を 1.35V まで下げ、ノート PC のバッテリー寿命の短縮やサーバーの発熱低減を実現しました。DDR3L メモリは DDR3 との下位互換性があり、レガシーシステムや DDR3 標準モジュールとの混在時には、1.5V に切り替わります。
DDR4
DDR4 は、DDR SDRAM の第 4 世代で、2014 年に登場しました。DDR4 は、1 モジュールあたりわずか 1.2V で 1600、1866、2133、2400、2666、2933、3200MT/s の速度範囲に対応しました。DDR4 は、DIMM モジュールの形状から始まり、DDR3 より大きな進化を遂げました。DIMM の底面中央部にカーブを設けることで、ソケットの装着感を向上させるとともに、微細回路に損傷を与える可能性のある挿入力に対抗するために、モジュールを固定することが可能になりました。
DDR5
DDR5 は、DDR SDRAM の第 5 世代で、2020年に発売されました。DDR5 は、3200、3600、4000、4400、4800、5200、5600、6000、6400、6800、7200MT/s の速度範囲を備えています。DDR5 は、モジュールあたりわずか 1.1V へと消費電力を大幅に削減し、モジュール上にパワーマネジメント IC（PMIC）を搭載して、必要なときに必要な場所へと電力配分を行えるように改良されました。DDR5 モジュールは、バンクとバースト長の倍増、同一バンクの更新、モジュールを独立したアドレス可能な 2 つの 32 ビットサブチャネルに分割することにより、前世代よりも効率を大幅に向上させました。また、DDR5 DRAM の各コンポーネント内のビットエラーを訂正するオンダイ ECC を搭載し、データの完全性を向上させました。
デザインイン
デザインインとは、キオスク、POS システム、デジタルサイネージ、診断機器など、従来とは異なる PC/デバイスのカテゴリを指します。Kingston は、このカテゴリのコンピューティングに特化したディスクリートコンポーネント、モジュール、ドライブを製造しています。
ダイリビジョン
半導体メーカーの DRAM コンポーネントの文字表記を指します。これらの文字は通常、特定の密度および設計を表します。
DIMM / デュアルインラインメモリモジュール
DIMM とは、Dual In-Line Memory Module の頭文字をとったもので、モジュールの両側に別々の電気接点があるタイプのものです。これにより、左右のモジュールとの間で個別にデータを送受信できます。
DRAM 密度
チップの個々の容量は「密度」と呼ばれ、メガビットまたはギガビット単位で測定されます。DRAM の密度が高ければ高いほど、大容量のメモリモジュールを作ることができます。一般的に、密度は世代間で 2 倍になりますが、DDR5 では暫定的に 24Gbit の密度が存在し、「ノンバイナリー」 とも呼ばれます。以下は、各メモリ世代で特徴付けられる一般的な密度です：
DRAM / ダイナミックランダムアクセスメモリ
DRAM は Dynamic Random Access Memory の頭文字をとったもので、現在コンピュータで使われている RAM 技術の中で最も一般的なタイプです。DRAM チップは半導体で作られており、電荷を蓄えて計算コードの 1 と 0 を表現できるコンデンサとトランジスタを備えたデータラインが格子状にレイアウトされています。
デュアルチャネル
2 個の同一のメモリモジュールを取り付けたメモリソケットアーキテクチャ。帯域幅を統合して、システムパフォーマンスを向上します。
デュアルランク
2 ランクまたはデュアルランクは、ひとつのモジュールに、64 ビットデータを読み取るブロックがいくつあるかを示します。
動的データ更新
動的データ更新は、読み取り専用操作中に多数のエラーのあるブロックを除去して、次回使用するために更新できるかを確認するために使用されます。それぞれの読み取りコマンドの処理中に、コントローラは３段階のチェックを実行します。第１段階は、「更新が必要」マークのチェックです。第２段階は、現在存在しているエラービット数のチェックです。第３段階は、現在存在している再試行回数のチェックです。
EC4
データ幅 72 ビットの DDR5 サーバークラスメモリモジュールの JEDEC 表記。
EC8
データ幅 80 ビットの DDR5 サーバークラスメモリモジュールの JEDEC 表記。
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
ECC Unbuffered モジュールは、ECC アルゴリズムをサポートするための追加 DRAM コンポーネントを備えています。
EEPROM
EEPROM は、Electrically Erasable Programmable Read-only Memory（電気的消去書込み可能な読出し専用メモ）の頭文字をとったものです。メモリモジュールに搭載されたコンポーネントで、モジュールの仕様に関する重要な情報を格納しています。SPD は EEPROM とみなされています。
FAT
ファイル・アロケーション・テーブル（FAT）は、ハードドライブ用に開発されたファイルシステムです。オペレーティングシステム（OS）によって、ハードドライブや他のコンピュータシステムのファイルを管理するために使用されます。通常はフラッシュメモリ、デジタルカメラ、およびポータブルデバイスの中で使用されます。ファイル情報の保存と、ハードドライブの寿命延長に使用されます。 ファイルシステムの詳細。
FIPS（連邦情報処理標準）
米国連邦政府機関のコンピュータシステム用の標準およびガイドライン。米国連邦情報セキュリティマネジメント法（FISMA）に従って米国標準技術研究所（NIST）により開発され、米国商務長官によって承認されました。
FIPS 197
Advanced Encryption Standard（高度暗号化標準）で、ラインダール（Rinjdael）とも呼ばれます。ベルギーで開発されたブロック暗号の一種です。128、192、または 256 ビットキーを使用します。AES-128 はブルートフォース（総当たり攻撃）によって破られたことがなく、機密レベルのデータに使用することが許可されています。米国国家安全保障局（NSA）によって最高機密情報用（192 ビット以上の暗号化）に承認され、一般利用可能な最初で唯一の暗号です。
FIPS 140-2 レベル3
2019 年に制定された、政府機関コンピュータの共通セキュリティ標準。この標準に対応しているシステムとは、本番環境グレードの高セキュリティで、ロール認証および物理的な耐タンパー性の要件を満たしているだけでなく、「重要セキュリティパラメータ（CSP）」をモジュールに受け渡しするインターフェースが分離されていなければなりません。
フラッシュメモリ
フラッシュメモリは不揮発性（電源オフ時もデータを維持するタイプのメモリ）です。フラッシュメモリは通常、ソリッドステートドライブ（SSD）や USB フラッシュドライブなどのデバイスの中にあります。PC やエンタープライズストレージソリューションにも広く使用されています。
フォームファクタ
これは一般的に、SSD や DRAM などの電子部品のサイズと形状を指します。
一般的な SSD のフォームファクタには、2.5 インチ、M.2、U.2、mSATA があり、SNIA（ストレージネットワーキング産業連盟）によって定義されています。SSD ファクタの詳細については、こちらをご覧ください。
DRAM モジュールについては、JEDEC 業界標準が DRAM モジュールの寸法およびコネクタの種類を定義しています。最も一般的な DRAM モジュールのフォームファクターは、DIMM と SODIMM です。
周波数
一般に速度、データレート、または RAM のクロックサイクルのことを指します。
ガーベージコレクション
ガーベージコレクションは、NAND フラッシュの耐久性と速度を維持するために重要です。NAND フラッシュベースのデバイスは、既存のデータを上書きできません。使用済みのデータブロックに書き込むにはプログラム/消去サイクルが必要となります。NAND フラッシュコントローラは、最初に有効な（使用中の）データをすべてコピーし、別のブロックの空ページに書き込んだ後、現行ブロックに含まれるすべてのセル（有効なデータと無効なデータの両方）を消去します。この消去したブロックに新しいデータを書き込みます。このプロセスが「ガーベージコレクション」と呼ばれるものです。 詳細。
ギアモード
新しい世代のIntel (第11世代+) と AMD (Ryzen) プロセッサは、BIOS でプロセッサのメモリコントローラとメモリモジュールの速度比を調整できるメモリーギアモードを備えています。ギア 1 は、プロセッサメモリコントローラとメモリモジュールの速度が等しい (1:1) ことを意味し、最高のレイテンシでパフォーマンスを発揮する最適なモードです。ギア 2 は、プロセッサメモリコントローラの速度を半分に下げ、メモリモジュールの速度を速くしますが、レイテンシは若干犠牲になります。ギア 4 は、プロセッサメモリコントローラの速度を 4 分の 1 に下げ、モジュールの速度と帯域幅を最高にしますが、全体的なレイテンシを犠牲にします。ギアモードは通常、デフォルトで「Auto（自動）」に設定されており、メモリコントローラがメモリ速度に基づいて調整できるようになっていますが、BIOS を通じて手動で選択することもできます。
Gbps / ギガビット/秒
帯域幅を数十億ビット単位で表す指標。
ギガビット / Gb / Gbit
1000³ ビットまたは 1000 Mb。一般的に個々の DRAM チップのようなコンポーネントの密度を表すために使用されます。
ギガバイト / GB / GByte
1000³ バイトまたは 1000 MB。一般的にメモリや SSD の容量を指す場合に使用されます。
GT/s
GT/s とは、1秒あたりの転送量を意味します。
ヒートスプレッダー
放熱のためにモジュールに装着される金属製のシールド。
高帯域幅メモリ (HBM)
2008 年に AMD が開発した新しい DRAM メモリ技術で、GPU をサポートする高性能で大容量のメモリに対する需要の高まりに対応し、消費電力を抑えています。HBM は 2013 年に JEDEC によって業界標準のメモリ技術として採用され、メモリ半導体企業の SK Hynix、Samsung、Micron が製造しています。過去 10 年間、世代を重ねるごとに進化を遂げ、より多くのレイヤーでより大きなメモリ容量、より広いデータバス、より高性能なスループットのサポートが強化されました：HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E。グラフィックカード以外にも、HBM メモリコンポーネントは AI プロセッサの高性能ニーズをサポートする新しい用途が見つかりました。
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Kingston HyperX と FURY のメモリモジュールに搭載された赤外線コンポーネントを使用し、RGBパターンを揃える特許取得済みの同期技術です。
Intel®
Intel Corporation。CPU、チップセット、GPU など、さまざまな技術を持つコンピュートプラットフォームの設計・製造会社。
Intel® Xeon®
ECC メモリ対応、高コア数、大容量 RAM や GPU をサポートする大帯域幅を特徴とするサーバー/ハイエンドデスクトップ用 CPU の Intel® 製品群。
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles は、エンドユーザーが簡単にオーバークロックを行えるように、メモリやマザーボードベンダーがオーバークロックプロファイル（DDR3、DDR4）を設定可能にする Intel の仕様です。
Intel® XMP 3.0
XMP の最新バージョンは DDR5 用で、最大 5 つのプロファイルをサポートし、3 つはメモリメーカー用、2 つはエンドユーザーによる手動オーバークロック用にカスタマイズ可能です。
Intel® XMP 3.0 認定
Intel の自己認証プログラムに合格し、提出された部品またはキット。
Intel® XMP 3.0-Ready （対応）
Intel® XMP 3.0 仕様に準拠した部品またはキット。
Intel® XMP 2.0 認定
Intel の自己認証プログラムに合格し、提出された部品またはキット。
Intel® XMP 2.0 対応
Intel® XMP 2.0 仕様に準拠した部品またはキット。
JEDEC
JEDEC は、Joint Electron Device Engineering Council（電子デバイス技術合同協議会）の頭文字をとったもので、多くの半導体やコンピュータ関連技術の業界標準化団体です。JEDEC は、メモリを含むさまざまな業界関係者が協力して規格を策定するコンソーシアムです。
Kingston FURY™ Beast
Kingston のエントリーレベルのオーバークロッカブル UDIMM 製品群。
Kingston FURY™ Impact
Kingston のオーバークロッカブル SODIMM 製品群。
Kingston FURY™ Renegade
Kingston の高性能オーバークロッカブル UDIMM 製品群。
Kingston FURY™ Renegade Pro
Kingston の高性能でオーバークロック可能な DDR5 RDIMM 製品ライン。
キット
複数のメモリモジュール（通常はデュアル、トリプル、クアッドメモリアーキテクチャをサポート）を含む製品番号。例えば、K2 は 2 枚の DIMM でパッケージ化されており、合計容量が示されます。
長さ（mm）x 高さ（mm）x 幅（mm）
ヒートスプレッダーを含むモジュールの寸法をミリメートル単位で表したもの。
負荷低減 DIMM / LRDIMMS (Load Reduced DIMM)
レジスタコンポーネント (レジスタクロックドライバー (RCD) とも呼ばれます) を備えたサーバークラスのメモリモジュール。モジュール (DIMM) 上の DRAM (メモリ) コンポーネントとメモリコントローラー (通常は CPU 内に配置) 間のバッファーとして機能します。レジスタを使用すると、モジュールでより多くの DRAM コンポーネントを使用して容量を増やすことができます。また、ほとんどのサーバーチップセットでは、プライマリシステムメモリとしてレジスタ DIMM を使用する必要があります。レジスタは、追加のクロックサイクルを使用して、データを時間内に同期させ、モジュール上の DRAM のコマンドとアドレス信号を管理します。
M.2
内蔵型のコンピュータ拡張カードのフォームファクタ。数種類のモジュール幅と長さがあります。
Mbps
1 秒あたりのメガビット数。データ伝送速度の単位で、1 秒間に何百万ビットを送れるかを表します。
MCRDIMM
MCRDIMM は、「Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module（マルチプレクサコンバインドランク デュアルインラインメモリモジュール）」の略語です。これは、Intel Xeon サーバープラットフォームに高性能で大容量のメモリを提供する、Intel 対応の DDR5 サーバーモジュール設計です。JEDEC DDR5 MRDIMM とコンセプトと設計が似ている MCRDIMM は、2 つのランクを同時に操作して、一度に 128 バイトのデータをプロセッサに配信できます。転送速度の向上は、多重化データバッファと多重化レジスタクロックドライバーの使用によって実現され、8000MT/秒を超える速度を実現します。
MRDIMM
MRDIMM は、「Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module（マルチプレクサランク デュアルインラインメモリモジュール）」の略語です。これは、サーバー環境での使用を目的とした JEDEC 業界標準の DDR5 モジュールタイプです。MRDIMM では、特殊なレジスタ (MRCD) とデータバッファ (MDB) を使用して従来の DDR5 レジスタード DIMM よりもデータレート (速度)、帯域幅、容量が向上し、ホストインターフェイスの 2 倍で動作し、転送速度が実質的に 2 倍になります。MRDIMM には、2 つの主要なフォームファクタがあります。標準の高さと 56.9mm のトールフォームファクタ（TFF）です。第 1 世代の MRDIMM の開始速度は 8800MT/秒、第 2 世代は 12,800MT/秒です。
メガバイト / MB
1000² バイトまたは 1000 KB。一般的に、メモリや SSD などのフラッシュデバイスのデータ容量を指します。
メガビット / Mb
1000² ビットまたは 1000 Kb。一般的に、DRAM などのコンポーネントの密度を指す場合に使用されます。
メモリ
コンピュータまたはその他の関連ハードウェアで使用するために必要なデータを格納するデバイス（通常は半導体）。
メモリチャネル
メモリチャネルとは、メモリモジュールとメモリコントローラ間のデータ転送経路です（通常はプロセッサ内にあります）。ほとんどのコンピュータシステム（PC、ノートパソコン、サーバー）には、マルチチャネルメモリアーキテクチャが搭載されています。複数のチャネルを併用すると、メモリパフォーマンスが向上します。デュアルチャネルメモリアーキテクチャとは、同一のモジュールが 2 個取り付けられていることを意味します。メモリコントローラに対して有効な帯域幅が倍増します。
メガヘルツ / MHz
メガヘルツは、1 秒間に 100 万回のサイクルを表す標準的な単位です。メモリモジュールの周波数/データレートを表現するために古くから使用されています。
メガトランスファ / MT/s
メガトランスファとは、1秒あたり100万回転送（MT/s）という意味で、2 倍の周波数でデータを転送するすべての DDR メモリモジュールのデータレート（速度）を表す正しい用語です。 詳細。
microSD カード
非常に小型のメモリカードの一種で、通常は携帯電話などの携帯機器に使用されます。 SD および microSD カードの速度については、SD スピードクラスを参照してください。
NAND
フラッシュメモリの一種で、電子的に消去し再プログラムできる不揮発性の電子ストレージ媒体です。NAND は、論理回路のひとつの NOT AND の略です（デジタル回路の中で特定の出力を生成することを意味します）。
NAND デバイススタッキング
ストレージ容量を増大するために、NAND フラッシュメモリなどの不揮発性メモリデバイスには、複数のメモリダイのスタック（チップ）があり、メモリダイパッケージを形成しています。メモリダイパッケージは、DDP（Double-Die Package）、QDP（Quad-Die Package）、ODP（Octo-Die Package）などのさまざまな形状で実装でき、最大は HDP（16 ダイパッケージ）です。ダイスタッキング技術により、USB ドライブや M.2 SSD などの小型フォームファクタでも大容量が可能になります。
ノンバイナリーメモリ
非 ECC
ECC アルゴリズムをサポートするためのデータ幅（余分な DRAM によって有効）を持たないモジュール。
不揮発性メモリ
不揮発性メモリはコンピュータメモリの一種で、電源オフ時にもデータを維持できます。
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express とは、SSD などのコンピュータの不揮発性ストレージにアクセスするためのオープンインターフェイス仕様です。
オンダイ ECC / ODECC
オンダイ ECC（略称：ODECC）とは、ビットエラーをモジュールに伝送する前に訂正するために、DRAM チップ内に組み込まれた ECC です。メモリ では、DDR5 でこの技術が導入されました。
PCB / プリント基板
PCB は、Printed Circuit Board の略称です。PCB は、半導体チップを相互接続するための媒体です。PCB 基板は一般的に多層構造で、導電層と絶縁層が平面的に配置されています。各層には、外層に表面実装される半導体コンポーネントを接続するための銅などの導電材料が使用されるパターンがエッチングされています。
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express の略で、GPU や SSD などの高速コンポーネントのインターフェイス規格です。
PCN
Part/Product Change Notice (部品/製品変更通知) の略語。新製品の発表、製品の変更、生産終了、または製造中止を文書化するために使用されます。
PMIC
PMIC とは、Power Management Integrated Circuit（電源管理用集積回路）の頭文字をとったものです。PMIC は、一般的にデバイス上の特定のコンポーネントへの電力のフォローを管理するために使用されます。DDR5 では、すべてのモジュールに PMIC を搭載しています。
プラグアンドプレイ / PnP
プラグアンドプレイ（PnP）は、特定のソフトウェアやドライバを必要としない、コンピューティングにおける多様なデバイスを指します。Kingston では、プロファイルを有効にすることなくオーバークロックが可能な Kingston の先駆的な手法を表す言葉として、「プラグアンドプレイ」を使用しています。PnP を搭載した Kingston FURY モジュールは、SPD のデフォルト JEDEC プロファイルにオーバークロックのタイミングがプログラムされており、コンピュータが自動的に高いパフォーマンスを発揮します。
電源喪失保護
停電は避けられないものであり、適切なハードウェアが使用されていない場合には、作業環境に大混乱をもたらします。データ損失予防には電源喪失保護が必要です。この機能をサポートするホストデバイスは、電力低下を検知した場合、カードにコマンドを送信してすべての操作を停止します。操作を停止することで、カードに現在書き込み中のデータを、電源喪失時までに保存する時間ができます。
クアッドチャネル
4 個の同一のメモリモジュールを取り付けたメモリソケットアーキテクチャ。帯域幅を統合して、システムパフォーマンスを向上します。
クワッドランク
4 ランクまたはクアッドランクは、ひとつのモジュールに、64 ビットデータを読み取るブロックがいくつあるかを示します。
QVL / 認定ベンダーリスト
QVL とは、一般的に Qualified Vendor List の頭文字をとったものです。PC メーカーやマザーボードメーカーは、多くの場合、メモリや SSD など、どのようなコンポーネントが動作確認されているかを示すため、サポートサイトに QVL を掲載しています。
RAM / ランダムアクセスメモリ
RAM とは、Random Access Memory の頭文字をとったものです。コンピューティングにおいて、一般的に RAM とは、ストレージ（SSD/HDD）とプロセッサ間の、迅速なアクセスを可能にするための短期的なメモリのことを指します。現在の RAM は揮発性のものが主流で、電力がないと情報を保持できません。
ランク
ランクとは、64 ビット幅のデータブロックです。ビット量は DRAM チップではなくバンクの量で決まります（つまり x8 チップで 64 ビットを構成してランクを作成する）。メモリモジュールは複数のランクで構成することができますが、データは 1 度に 1 つのランクにしかアクセスできません。
RAS
RAS は、コンピューティングにおいていくつかの意味を持つ頭字語です。一つは、RAS は Row Address Strobe の略で、プロセッサから RAM への行アクティベーション要求を意味します。RAS は、Reliability, Availability and Serviceability（高信頼性、可用性、サービス性）を指す場合もあります。これらは、ECC、DIMM スペアリング、ロックステップ、ミラーリングなどの RAM の冗長性を強化するチップセット機能です。RAS 機能は、ワークステーションやサーバークラスのシステムで最も広く搭載されています。
レジスタード DIMM / RDIMM (Registered DIMM)
レジスタコンポーネント (レジスタクロックドライバー (RCD) とも呼ばれます) を備えたサーバークラスのメモリモジュール。モジュール (DIMM) 上の DRAM (メモリ) コンポーネントとメモリコントローラー (通常は CPU 内に配置) 間のバッファーとして機能します。レジスタを使用すると、モジュールでより多くの DRAM コンポーネントを使用して容量を増やすことができます。また、ほとんどのサーバーチップセットでは、プライマリシステムメモリとしてレジスタ DIMM を使用する必要があります。レジスタは、追加のクロックサイクルを使用して、データを時間内に同期させ、モジュール上の DRAM のコマンドとアドレス信号を管理します。
AMD Ryzen™ 対応
AMD Ryzen ベースのコンピュータでオーバークロッキングをするための、AMD の自己テストプログラム。
レジスタ
レジスタはレジスタードクロックドライバー（RCD）の略称で、モジュール上の DRAM コンポーネントとメモリコントローラの間のバッファとして機能します。レジスタを使用することで、より多くの DRAM コンポーネントをモジュールに搭載し、大容量を実現します。レジスタは、モジュール上の DRAM のコマンド信号とアドレス信号を管理し、データを時間的に同期させるために追加のクロックサイクルを使用します。
RGB
RGB とは Red、Green、Blue の頭文字をとったもので、RGB LED は照明パターンを作るために使われます。メモリの場合、RGB LED はモジュールの統合部分であり、装飾としてヒートスプレッダーのライトディフューザーの下に配置されます。 RGB 対応製品をご覧ください。
SATA
Serial Advanced Technology Attachment の略。SATA は、ハードドライブや SSD などの大容量ストレージデバイスに接続するコンピュータバスインターフェイスです。
SD カード
メモリカードの一種で、通常はデジタルカメラなどの携帯機器に使用されます。 microSD カードの製品ラインをご覧ください。
SD 速度クラス
SD アソシエーションでは、データをメモリカードに記録する際に特定の書き込み速度が必要な、録画機器を製造する企業のニーズに基づいて、最小限のデータ転送を定義した規格を制定しています。SD 速度クラス、UHS 速度クラス、およびビデオ速度クラスは、メモリカードとデバイスの両方に使用される標準で、最小書き込み速度を保証し、最高のパフォーマンスを提供します。
SDRAM / 同期 DRAM
SDRAMは、同期 DRAM の頭文字をとったもので、現在ほとんどのコンピュータで使われている主要な RAM 技術です。このメモリ技術は、1990 年代後半に登場し、データ転送をシステムクロックに同期させることでパフォーマンスを大幅に向上させました。
Server Premier
Server Premier は、ECC 付きモジュール (通常はサーバーとワークステーション) 向けの Kingston の業界標準メモリ製品ラインで、部品番号は「KSM」で始まります。Server Premier 部品は、一貫性を保つためにすべてのコンポーネントをロックした状態 (フルロック) で注文することも、DRAM ダイリビジョンのみをロックした状態 (DRAM ロック) で注文することもできます。
SIMM / シングルインラインメモリモジュール
SIMM とは、Single In-Line Memory Module の頭文字をとったもので、レガシーメモリモジュールフォームファクトリーでした。SIMM は一般的に 32 ビットのデータ幅に制限され、モジュールピンの両側からの独立したデータアクセスはサポートされていませんでした。
システムインパッケージ（SiP）
システムインパッケー（SiP）は、複数の集積回路（IC）と受動部品を単一のパッケージにバンドルするために使用される設計で、PoP（package on package）を使用してスタックされている場合があります。通常は携帯電話などの内部にある SSD、USBドライブ、SD カードなどに使用されています。
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM とは Small Outline DIMM の頭文字をとったものです。SODIMM は DIMM と同様に小型で、主にノート PC やフォームファクタの小さい PC で使用されています。
SPD / 直列プレゼンス検出
SPD とは、Serial Presence Detect の頭文字をとったものです。SPD は EEPROM と呼ばれるメモリモジュール上のチップで、その仕様に関する情報を保持しています。
速度
一般的にメモリでは、速度とはモジュールのデータレートのことを指します。DDR の全世代で、速度はメガトランス/秒（MT/s）で表記されます。メモリ速度には何通りかの表記法があります。例：DDR5-4800、PC5-38400、4800MT/s DDR5。また、モジュールの速度は、8 倍することでモジュールの実効帯域幅を決定することができます。例：DDR5-4800 の実効帯域幅は 38,400MB/s、38.4GB/s。1 秒間にモジュールの内外を移動するデータのピーク転送速度。
SD および microSD カードの速度については、SD スピードクラスを参照してください。
速度クラス（クラス 4、6、10）
SD アソシエーションでは、さまざまな外付けストレージカード（SD、microSD）の速度の規格を制定しています。これらは「速度クラス」と呼ばれ、最小連続書き込み速度を指定しています。カードは、クラス 4（4MB/秒）、クラス 6（6MB/秒）またはクラス 10（10MB/秒）に格付けされます。 詳細
SSD
Solid State Drive（ソリッドステートドライブ）の略。フラッシュ NAND チップで作られたストレージデバイスで、ハードディスクドライブのような機械的なアクチュエータではなく、フラッシュコントローラによってデータを読み書きします。機械部品がないため、SSD は HDD より円滑かつ効果的に作動します。さらに HDD と比較した場合、SSD には磁気障害に対して脆弱でないという利点もあります。 SSD 製品ラインをご覧ください。
強力な ECC エンジン
データがホスト PC から、フラッシュコントローラを経由して、NAND ストレージに移動する時、NAND フラッシュメモリはデータの整合性を維持する必要があります。ホストからカードへのデータ転送について話す場合、実際に NAND フラッシュストレージに書き込まれる前のデータを「飛行中のデータ (Data in flight)」あるいは「転送中のデータ (Data in transit)」と呼ぶことがよくあります。フラッシュコントローラには、エラー修正コード（別名 ECC（Error Correction Code））が組み込まれており、このデータ転送の流れで、データに影響を与える可能性のある大部分のエラーを検出し、訂正します。フラッシュメモリチップは、追加のエラー訂正情報と、書き込まれるすべてのデータブロックとを保存します。この情報により、フラッシュコントローラはデータブロックを読み取るときに多くのエラーを同時に訂正することができます。NAND フラッシュメモリはハードディスクドライブと同じように、通常の動作中にビットエラーが発生した場合に、ECC データで直ちに訂正します。NAND デバイスがデータブロックに過度のエラーを有する場合、そのブロックは「不良ブロック」としてマークされ、リタイアされます。代わりにスペアブロックの 1 つが不良となったブロックの役割を引き継ぎます。このプロセスでは、必要に応じて ECC を使用してデータが修正されます。「スペアブロック」の使用により、SSD の耐用年数および耐久性が向上します。
Kingston SSD のエラー検出とエラー訂正の詳細については、Kingston SSD のエラー検出とエラー訂正の詳細については、こちらをご覧ください。
サブチャネル
メモリにおけるサブチャンネルとは、64 ビットのアドレスを 2 つの独立した 32 ビットセグメントに分割して効率を高める DDR5 メモリモジュールの設計機能のことを指します。
UDIMM / アンバッファード DIMM (Unbuffered DIMM)
レジスタやバッファを備えていない 64 ビット (x64) メモリ (RAM) モジュール。アンバッファードモジュールは、従来、PC/ワークステーション/ノートパソコンで使用されています。
UHS-I ビデオ速度クラス
ビデオの記録用の速度クラス該当する媒体とその最小書き込み速度を、文字とその後ろの数字によって示します。V30 速度クラスの最小書き込み速度は 30MB/秒です。
アンバッファード
レジスタのように、モジュールにデータバッファが搭載されていません。
U.2
SSD を接続するコンピュータインターフェイス規格で、エンタープライズ市場向けに設計されています。通常は 2.5" フォームファクタが使用され、M.2 より大容量です。
UHS-I
UHS-I（Ultra-High Speed – I）は、SDHC および SDXC メモリカード用の速度クラスです。UHS-I のバスインターフェイス速度は最大 104 MB/秒です。
UHS-II
UHS-II（Ultra-High Speed – II）は、SDHC および SDXC メモリカード用の速度クラスです。UHS-I のバスインターフェイス速度は最大 312 MB/秒です。最初のバージョン（UHS-I）との違いは、第 2 列のピンが追加され、低電圧差動信号（LVDS）技術を使用して転送速度を向上していることです。
UHS 速度クラス（U1、U3）
UHS（Ultra High Speed）では、ビデオの記録用の最小連続書き込みパフォーマンスを指定しています。SD アソシエーションの制定した UHS 速度クラスには、UHS 速度クラス 1 と UHS 速度クラス 3 の 2 種類があります。UHS 速度クラス 1 は最低 10MB/秒の書き込み速度をサポートし、UHS 速度クラス 3 は最低 30MB/秒の書き込み速度をサポートします。UHS 速度クラスは通常、U の中に 1 または 3 の書かれたシンボルで示されます。 詳細
USB
ユニバーサルシリアルバス（Universal Serial Bus）はデバイスと、パソコン（PC）やスマートフォンなどのホストコントローラの間の接続を許可する標準インターフェイスです。デジタルカメラ、マウス、キーボード、プリンタ、スキャナ、メディアデバイス、外付けハードドライブ、フラッシュドライブなどの周辺機器を接続します。
USB 3.2 Gen 1（5Gbps）/USB 3.2 Gen 2（10Gbps）/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
USB 規格の違いは、データ転送速度です。USB 3.2 Gen 1 の最大速度は 5Gbit/秒で、USB 3.2 Gen 2 の最大速度は 10Gbit/秒、USB 3.2 Gen 2x2 の最大速度は 20Gbit/秒、USB4 の最大速度は 40Gbit/秒です。詳細。
ビデオ速度クラス（V10、V30、V60、V90）
ビデオ速度クラスは、高解像度ビデオを操作するカードと記録機能の分類のために、SD ソシエーションによって策定されました。この速度クラスは、ビデオを記録する際の最低限の持続的なパフォーマンスを保証します。これには V6、V10、V30、V60、V90 が含まれます。V90 速度クラスは、メモリカードが 90MB/秒で作動するために必要な書き込み速度を意味し、V30 は 30MB/秒を意味し、その他も同様です。詳細:詳細。
ValueRAM
Kingston’s は、従来からホワイトボックスデスクトップ PC やノート PC で使用されている非 ECC クラスの DIMM および SODIMM 用の業界標準メモリ製品群を提供しています。
VLP / 超薄型
VLP は、薄型システムで使用するメモリモジュールの高さの JEDEC 分類を指します。DDR3 および DDR4 の場合、VLP UDIMM および VLP RDIMM の高さ仕様は 18.75mm となります。標準プロファイルの DDR3（30.00mm）および DDR4/DDR5 DIMM（31.25mm）は「薄型」とみなされます。
ウェアレベリング
Kingston のフラッシュストレージデバイスには、フラッシュメモリ間でプログラム/イレーズ（P/E）サイクル数を均等にする高度なウェアレベリング技術を利用するコントローラが内蔵されています。ウェアレベリングはこのようにして、フラッシュメモリの使用可能期間を延長します。
x16
メモリでは、x16 は DRAM チップのデータ幅を指します（x16 は 16 ビット幅）。x16 DRAM は UDIMM および SODIMM で使用され、このタイプの DRAM をサポートするプロセッサを搭載したデスクトップ PC およびノート PC に限られます。
x4
メモリでは、x4 は DRAM チップのデータ幅を指します (x4 は 4 ビット幅)。 x4 DRAM チップは主に RDIMM および LRDIMM で使用され、これらを備えたモジュールはマルチビットエラー検出および訂正 ECC をサポートすることができます。
x64
メモリでは、x64 は 64 ビットを意味します。これは、ランクを完成させるために必要な幅の総量です。
x72
メモリでは、x72 は 72 ビットを意味します。これは、64 ビットアドレスに ECC をサポートするための 8 ビットを加えたモジュールを示します。DDR3、DDR4、一部の DDR5 モジュールの RDIMM、ECC UDIMM、ECC SODIMM、LRDIMM では、モジュール幅は x72 となります。x72 の DDR5 モジュールは、EC4 とも呼ばれます。
x8
メモリでは、x8 は DRAM チップのデータ幅（x8 は 8 ビット幅）を指します。x8 DRAM は、RDIMM を含むすべてのタイプのメモリモジュールで使用されています。
x80
メモリでは、x80 は 80 ビットを意味します。これは、DDR5 EC8 タイプのモジュールに特有のものです。DDR5 モジュールは、独立した 32 ビットのサブチャネルを 2 つ備え、それぞれに ECC 対応の 8 ビットを追加し、合計 40 ビットのサブチャネルを持つことができます。2 つを合わせると、1 ランクあたり合計 80 ビットになります。
XMP
Intel エクストリームメモリプロファイル（Intel Extreme Memory Profile）は、オーバークロックモジュールに事前にプログラムされたタイミングです。 詳細。
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard（高度暗号化標準を利用する XEX の微調整可能なブロック暗号テキスト）の略。機能的には、データの大きさが 128 ビット以上の微調整可能なブロック暗号で、AES ブロック暗号をサブルーチンとして使用します。これは、行政機関や企業など多くの組織で使用されている非常に安全な暗号化モードです。