1R（1 Rank，单列）
内存模块上一个 64 位数据宽度。
2R（2 Rank，双列）
内存模块上两个 64 位数据宽度。
4R（4 Rank，四列）
内存模块上四个 64 位数据宽度。
8R（8 Rank，八列）
内存模块上八个 64 位数据宽度。
AMD
Advanced Micro Devices，一家开发处理器、芯片组、图形处理器和相关产品的公司。
AMD EPYC™
AMD 的服务器处理器品牌。
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking。具有 AMD EXPO 配置文件的内存模块具有针对 AMD 系统优化的特定速度、时序和电压。
AMD Ryzen™
AMD 的台式机和笔记本电脑 CPU 品牌。
ARGB
ARGB 代表“可寻址 RGB”（Addressable RGB），是一种先进的照明形式，允许您自定义和控制每个单独的 LED。您可以同时显示各种不同的颜色，也可以使用引人注目的灯效，例如弹跳、呼吸和彩虹。
AES（高级加密标准）
参见 FIPS。美国政府自 2002 年以来使用的用于加密敏感电子数据的分组密码，称为 FIPS 197。
自动刷新读取分布保护
自动刷新功能读取闪存区中的所有数据（包括很少读出的数据），并根据需要执行自动纠错，以避免读干扰错误、数据保留错误和其他错误造成数据丢失。自动刷新功能在后台运行，因此在响应命令时造成的延迟极小，即便在纠错过程中也是如此。
坏块管理
坏块包含一个或两个失去可靠性的位。坏块出现在制造过程 (Early Bad Block) 或闪存卡的整个生命周期 (Later Bad Block) 中。两类坏块都无法避免，因此坏块管理成为管理 NAND 闪存设备中此类错误的必要条件。坏块管理会识别并标记坏块，并随后使用其他空闲容量替换无效块。这会阻止数据写入坏块，从而增强产品的可靠性。如果坏块包含数据，则会将数据移到有效块，防止数据丢失。
了解不良区块管理如何应用于 Kingston SSDs、eMMC 和 Industrial SD/microSD 卡。
存储体
内存中的存储体在计算中可以指代几件事。首先，最常指代 DRAM 芯片中临时存储信息的数据线独立阵列。当内存控制器访问存储体时，它会在同一时间访问列上所有芯片的同一位置。存储体的第二个含义是指主板上的一组多通道内存插槽。
位
“二进制数字”的缩写，它是计算中最基本的数据测量单位，表示为 0 或 1/开或关。
暴力攻击
通过穷尽所有可能方案尝试破解密码或密钥的简单网络攻击。
字节
八位等于一个字节。这是存储信息的测量单位，例如一个文本字符。位和字节的组合构成了计算的基础语言。
CAMM
CAMM 指的是压缩附加内存模组（Compression-Attached Memory Module），是 Dell 开发的一种专有 DRAM 模组，用于其轻薄型笔记本电脑。
CAMM2
CAMM2 是 Dell 在其原始 CAMM 概念基础上推出的 JEDEC 行业标准模组类型。Dell 在 2022 年向 JEDEC 提交了他们的 CAMM 设计，允许 JEDEC 标准委员会的成员贡献和/或为行业中的任何人创建新的设计。与在模组底部边缘插入插座的插脚/引脚不同，CAMM2 在模组背面使用压接在主板上的压缩连接器。然后用螺丝将 CAMM2 固定到位。JEDEC 支持两种用于 CAMM2 的 DRAM 内存： DDR5 CAMM2 和 LPDDR5 CAMM2。DDR5 CAMM2 采用 DDR5 DRAM 组件，其设计支持从 8GB 到 128GB 的容量，单通道和双通道内存，单相位和双相位 PMIC（电源管理集成电路），以及时钟驱动器。LPDDR5 CAMM2（也称为 LPCAMM2）使用 LPDDR5 DRAM 组件，为移动或小型设备系统提供低功耗选项。DDR5 CAMM2 和 LPDDR5 CAMM2 模组类型在系统中不可互换，并且在连接到主板时使用不同的引脚配置。
容量
一个模组中的可用数据内存单元总数，以千兆字节 (GB) 表示。对于套件，列出的容量是套件中所有模组的容量之和。
CAS Latency / CL
S 是 Column Address Strobe 的缩写，CAS Latency (CL) 是查找需要访问的内存的开放行所需的时钟周期时间。（如 CL32、CL40）。
CSODIMM
CSODIMM 代表时钟同步小型双列直插式内存模组（Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module）。从 6400MT/s DDR5开始，JEDEC 行业标准要求在 SODIMM 上包含客户端时钟驱动器组件（CKD）。客户端时钟驱动器在内存控制器（集成在 CPU 中）和 DRAM 之间缓冲时钟信号，从而提高了信号完整性、稳定性并且速度更快。
CUDIMM
CUDIMM 是 Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module（时钟同步无缓冲双列直插式内存模组）的缩写。从 6400MT/s DDR5开始，JEDEC 行业标准要求在 UDIMM 上包含客户端时钟驱动器组件（CKD）。客户端时钟驱动器在内存控制器（集成在 CPU 中）和 DRAM 之间缓冲时钟信号，从而提高了信号完整性、稳定性并且速度更快。
通道
使用固态硬盘时，通道是指控制器可以同时沟通的闪存芯片数量。入门级/主流固态硬盘通常有 2 个或 4 个通道；更高性能的固态硬盘通常有 8 个通道，而数据中心固态硬盘最多，高达 16 个。
芯片组织/DRAM 宽度
DRAM 组件的内部结构按行和列排列。芯片组织是指 DRAM 组件的列宽。用于内存模块的 DRAM 列宽有 x16 （“乘以 16”，即 16 列）、x8 和 x4。 这些宽度与它们可以使用的内存模块类型和计算机类型相对应。例如，x16 只能用于 PC 或笔记本电脑中的 DIMM 或 SODIMM，而 x4 只能用于服务器或工作站的 DIMM。芯片组织为 x4 的内存模块意味着该模块上所有 DRAM 具有相同的列宽。
密码芯片
一个用于保护 USB 闪存盘中数据的硬件工具，在闪存盘设备上进行加密密钥管理，为其提供保护。IronKey 系列闪存盘使用密码芯片。
数据速率
对于内存（RAM），数据速率是内存模组的速度等级（以前称为频率）。对于 DDR5，模组数据速率为 4800MT/s（每秒百万次传输），表示每条数据线在每个时钟周期内能够传输 48 亿次数据。
DDR/双倍数据速率/DDR SDRAM
“DDR”是双倍数据速率同步动态随机存取存储器的缩写。同步 DRAM 在系统时钟上传输数据，而 DDR SDRAM 在时钟的上升沿和下降沿传输数据，或者每个时钟周期传输两次，从而使传输速率与频率相比翻了一番。“DDR”还指 1998 年首次亮相的第一代 DDR SDRAM 内存模块，其使用寿命内的传输速率分别为 200、266、333 和 400Mt/s，每个模块仅使用 2.5V。
DDR2
DDR2 是 DDR SDRAM 的第二代。它使用的功率更低，每个模块仅 1.8V，并提高了数据传输速率，从 2003 年开始为 400Mt/s，在其使用寿命内速度分别提高到 533、667、800 和 1066MT/s。
DDR3
DDR3 是 DDR SDRAM 的第三代，2007 年初次亮相。DDR3 使用的功率低于 DDR2，在每个模块 1.5V，从 800Mt/s 开始，然后发展到 1066、1333、1600、1866 和 2133MT/s。
DDR3L
DDR3L 作为 DDR3 JEDEC 标准中的一个子规范出现。DDR3L 的速度和时序与 DDR3 相同，电压降至 1.35V，节省了笔记本电脑的电池寿命，并减少了服务器的热量。DDR3L 内存与 DDR3 向后兼容，在传统系统上或与 DDR3 标准模块混合时将切换至 1.5V。
DDR4
DDR4 是 DDR SDRAM 的第四代，2014 年初次亮相。DDR4 的速度范围为 1600、1866、2133、2400、2666、2933 和 3200MT/s，每个模块仅 1.2V。从 DIMM 模块的形状开始，DDR4 比 DDR3 有了显著的进步。DIMM 的底部中心设计了一条曲线，用以改善插槽底座，并使模块在插入力的作用下硬化，因为插入力可能会损坏微电路。
DDR5
(PMIC)，在需要时可以更好地分配电源。DDR5 模块将存储体和突发长度增加了一倍，允许相同的存储体刷新，并将模块划分为两个可独立寻址的 32 位子信道，大大提高了前几代的效率。数据完整性还通过引入片上 ECC 而得到改善，能够校正单个 DDR5 DRAM 组件内的位错误。
设计导入
设计是指一类非传统的个人电脑/设备，如一体机、POS 系统、数字标牌、诊断设备等。Kingston 专门为这类计算制造离散组件、模块和硬盘。
模具修订
指的是半导体制造商为 DRAM 组件所指定的字母标识，通常代表特定的密度和设计。
DIMM/双列直插式内存模块
DIMM 是 Dual In-Line Memory Module（双列直插式内存模块）的缩写，是一种在模块每侧都有单独电触点的模块。这允许数据独立地传输到每一侧的模块以及从模块传输数据。
Please see our DRAM memory modules.
DRAM 密度
DRAM 芯片的单个容量称为“密度”，以 MB 或 GB 来衡量。 DRAM 的密度越高，所能制造的内存容量就越大。通常，各代之间的密度会翻倍，但 DDR5 有一个中间密度，即 24Gbit，也被称为 “非二进制”。 以下是每代内存常见的密度特征：
DRAM/动态随机存取存储器
DRAM 是 Dynamic Random Access Memory（动态随机存取存储器）的缩写，是当今计算中最常用的一类 RAM 技术。DRAM 芯片由半导体制成，布置在带有电容器和晶体管的数据线网格中，可以存储电荷以表示计算代码中的 1 和 0。
双通道
内存插槽架构，其中安装的两个相同的内存模组会整合它们的带宽来提高系统性能。
双列
2 列或双列，每个模组加载多少 64 位数据负荷。
动态数据刷新
动态数据刷新用于确保：在只读操作中，包含较多错误数量的块可被移除并刷新，供下次使用。在每个读取命令中，控制器会对目标块执行三阶段检查：第一阶段是检查“需要刷新”标记第二阶段是检查当前出现的错误位数量。第三阶段是检查当前出现的重试次数。
EC4
一个具有 72 位数据宽度的 DDR5 服务器级内存模块的 JEDEC 标识符。
EC8
一个具有 80 位数据宽度的 DDR5 服务器级内存模块的 JEDEC 标识符。
ECC/纠错码
纠错码指的是一种可以纠正计算中单个或多个比特数据损坏的算法。对于内存（RAM），ECC 配备在服务器或工作站类处理器的内存控制器中。具有 ECC 功能的存储器模组配有额外的 DRAM 组件来提供额外的数据宽度 (ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced)，内存控制器需要该存储器模组来执行错误检测和校正。对于 DDR3 和 DDR4，72位 (x72) 模组支持 ECC，而对于 DDR5，72 位（x72 或 EC4）和 80 位（x80 或 EC8）模组都支持 ECC。
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
ECC Unbuffered 模组配有额外的 DRAM 组件来支持 ECC 算法。
EEPROM
EEPROM 是 Electrically Erasable Programmable Read-only Memory（电可擦写只读存储器）的缩写。这是内存模块上的一个组件，用于存储有关模块规格的重要信息。SPD 被视为 EEPROM。
FAT
一种文件分配表 (FAT)，是针对硬盘驱动器开发的文件系统。操作系统 (OS) 利用它来管理硬盘驱动器中的文件和其他计算机系统。它通常用于闪存、数码相机和便携式设备。它用于存储文件信息和延长硬盘驱动器的寿命。详细了解文件系统。
FIPS（联邦信息处理标准）
由美国国家标准与技术研究院 (NIST) 依据美国联邦信息安全管理法案 (FISMA) 制定的美国联邦计算机系统标准与指南，并获得美国商务部长的批准。
FIPS 197
高级加密标准（也称 Rinjdael），是一种比利时人开发的分组密码的变体。它使用 128、192 或 256 位密钥：AES-128 从未被暴力攻击破解过，安全性足以用于机密数据。这美国国家安全局针对最高机密信息（192 位或更高）批准的第一个也是唯一可公开访问的密码。
FIPS 140-2 Level 3
一种常见的政府计算机安全标准，创建于 2019 年。除了具备生产级安全性和满足角色身份验证和防物理篡改的要求之外，满足这项标准的系统还必须在“关键安全参数”进入的接口和离开模组的接口之间设立隔离。
闪存
闪存是非易失性的（类似可以在断电时保留数据的内存）。闪存通常存在于固态硬盘 (SSD) 和 USB 闪存盘等设备中。常见于个人计算机和企业存储解决方案中。
闪存
这通常指的是电子组件（如 SSD 或 DRAM）的大小和形状。
根据存储网络行业协会（SNIA）的定义，常见的 SSD 有 2.5 英寸、M.2、U.2 和 mSATA 等规格。了解更多关于 SSD 规格的信息。。
对于 DRAM 模块，JEDEC 行业标准定义了 DRAM 模块的尺寸和连接器类型。最常见的 DRAM 模块外形规格是 DIMM 和 SODIMM。
频率
通常称为 RAM 的速度、数据速率或时钟周期。
垃圾回收
垃圾回收是 NAND 闪存保持耐用性和维持速度的关键。NAND 闪存设备无法覆盖现有数据。需要先擦除才能在已经使用过的数据区写入新数据。NAND 闪存控制器会先复制所有有效数据（仍在使用中的数据）并将其写入不同数据区的空白页、擦除当前数据区中的所有数据单元（有效数据和无效数据），然后将新数据写入刚刚擦除过的数据区。此过程称为垃圾回收。阅读更多信息。
Gear 模式
较新一代的 Intel（第 11 代及以上）和 AMD (Ryzen) 处理器具备内存 Gear 模式，该模式可通过 BIOS 调整处理器内存控制器与内存条之间的速度比率。Gear 1 意味着处理器内存控制器和内存条的速度相等 (1:1)，是性能最佳且延迟最小的模式。Gear 2 将处理器内存控制器的速度减半，从而允许内存条速度更快，但会稍微牺牲一些延迟方面的性能。Gear 4 将处理器内存控制器的速度降低四分之一，从而提供内存条的最佳速度和带宽，但整体延迟会有所增加。通常，Gear 模式默认设置为“自动”，允许内存控制器根据内存速度进行调整，但也可以在 BIOS 中手动选择。
每秒 Gbps/千兆位
带宽的测量单位，以数十亿比特为单位。
Gigabit / Gb / Gbit
1000³ 比特或 1000 Mb。常用于描述组件的密度，如单个 DRAM 芯片。
Gigabyte / GB / GByte
1000³ 字节或 1000 MB。常用于表示内存或固态硬盘的容量。
GT/s
GT/s 表示每秒千兆次传输。
散热片
连接到模组用来散发热量的金属屏罩。
高带宽内存 (HBM)
AMD 在 2008 年开发的一种新型 DRAM 内存技术，旨在满足对支持 GPU 的高性能、大容量内存的日益增长的需求，同时降低功耗要求。JEDEC 在 2013 年将 HBM 确立为行业标准内存技术，内存半导体公司 SK Hynix、Samsung 和 Micron 均能生产 HBM。在过去十年中，它经历了连续几代的发展，以增加对更多层更高内存容量的支持、更宽的数据总线和更高的性能吞吐量：HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E。除了显卡之外，HBM 内存组件还找到了新的用途：支持 AI 处理器的高性能需求。
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
这是一项获得专利的同步技术，使用 Kingston HyperX 和 FURY 存储模块上的红外组件来对齐 RGB 图案。
Intel®
Intel Corporation。负责 CPU、芯片组、GPU 等技术的计算平台设计师和制造商。
Intel® Xeon®
Intel® 服务器/高端台式机 CPU 系列，具有 ECC 内存支持、高内核数和大带宽，可支持大量 RAM 和 GPU。
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles 是 Intel 规格，允许内存和主板供应商设置超频配置文件（DDR3 和 DDR4），以便最终用户轻松超频。
Intel® XMP 3.0
最新版 XMP 为 DDR5 而构建，最多支持五种配置文件，其中三种为内存制造商，两种可由最终用户自定义手动超频。
Intel® XMP 3.0 认证
已通过并提交给 Intel 自我认证计划的零件或套件。
Intel® XMP 3.0 就绪
兼容 Intel® XMP 3.0 规格的零件或套件。
Intel® XMP 2.0 认证
已通过并提交给 Intel 自我认证计划的零件或套件。
Intel® XMP 2.0 就绪
兼容 Intel® XMP 2.0 规格的零件或套件。
JEDEC
JEDEC 是 Joint Electron Device Engineering Council（联合电子器件工程委员会）的缩写，该委员会是许多半导体和计算机相关技术的行业标准机构。JEDEC 是一个由行业参与者组成的联盟，他们共同制定标准，内存就是其中之一。
Kingston FURY™ Beast
Kingston 的入门级可超频 UDIMM 产品系列。
Kingston FURY™ Impact
Kingston 的可超频 SODIMM 产品系列。
Kingston FURY™ Renegade
Kingston 的高性能可超频 UDIMM 产品系列。
Kingston FURY™ Renegade Pro
Kingston 的高性能可超频 DDR5 RDIMM 产品系列。
套装
包含多个内存模组的产品型号，通常支持双通道、三通道或四通道内存架构。例如，K2 = 套件内的两个 DIMM 的总容量。
长度 (mm) x 高度 (mm) x 宽度 (mm)
模组（包含散热片）以毫米为单位的尺寸。
Load Reduced DIMM / LRDIM
类似于 Registered DIMM (RDIMM)，LRDIMM 配有数据缓冲区来减少内存控制器上的负载，否则会降低内存速度以进行补偿。LRDIMM 技术支持大容量模块，又不影响性能。
M.2
内部加载的计算机扩展卡的外形尺寸。它支持不同宽度和长度的模组。
兆字节/MB
1000² 字节或 1000 KB。常用于表示内存、固态硬盘及其他闪存设备的数据容量。
MCRDIMM
MCRDIMM 是 Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module（多路复用组合列双列直插内存模组）的缩写。这是 Intel 支持的DDR5服务器模组设计，为 Intel Xeon 服务器平台提供高性能和高容量内存。MCRDIMM 在概念和设计上与 JEDEC DDR5 MRDIMM 类似，能够同时运行两个列，一次性向处理器传输 128 字节的数据。通过使用多路复用数据缓冲区和多路复用注册时钟驱动器，可以实现超过 8000MT/s 的速度，从而提高传输速率。
MRDIMM
MRDIMM 是 Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module（多路复用列双列直插内存模组）的缩写。这是一种 JEDEC 行业标准 DDR5 模组类型，旨在用于服务器环境。MRDIMM 使用特殊的寄存器（MRCD）和数据缓冲区（MDB）以主机接口 2 倍的速度运行，从而有效地将传输速率提高了一倍，相比传统的 DDR5 寄存 DIMM，它支持更高的数据速率（速度）、更大的带宽和更高的容量。MRDIMM 主要有两种外形尺寸：标准高度和 56.9 毫米的高外形规格（TFF）。第一代 MRDIMM 的起始速度为 8800MT/s，第二代为 12,800MT/s。
兆比特/Mb
1000² 比特或 1000 Kb。常用于表示 DRAM 等组件的密度。
内存
用于存储在电脑或其他相关硬件上使用所需数据的设备，通常是半导体。
内存通道
内存通道是内存模组与内存控制器（通常存在于处理器中）之间的数据传输路径。多数计算机系统（PC、笔记本电脑、服务器）采用多通道架构，其中各通道合并在一起以提高内存性能。双通道内存架构意味着，当成对安装相同的模组时，内存控制器的实际带宽会翻倍。
兆赫/MHz
兆赫是每秒百万次循环的标准度量。历史上用于描述存储器模块的频率/数据速率。
兆次传输/MT/s
兆次传输意味着每秒百万次传输 (Mt/s)，是用于描述所有 DDR 内存模块的数据速率（速度）的正确术语，这些模块以两倍的频率传输数据。
microSD 卡
一种非常小巧的闪存卡，通常用于手机和其他便携式设备。
MT/秒
每秒百万次传输，衡量每秒数百万次数据传输的速度。 阅读更多信息。 关于 SD 和 microSD 卡速度，请参阅“SD 速度级别”。
NAND
一种闪存类型，这种电子非易失性存储介质能够被电子擦除和重新编程。NAND 代表 NOT AND，即一个逻辑门（意味着以数字电子形式产生特定输出）。
NAND 设备堆叠
为了提高存储容量，NAND 闪存等非易失性闪存设备可能存在多个闪存晶粒（即芯片）堆叠，以构成闪存晶粒封装。闪存晶粒封装可以实现为多种形式，例如 DDP（两晶粒封装）、QDP（四晶粒封装）、ODP（八晶粒封装）以及 HDP（16 晶粒封装）。晶粒堆叠技术能以小尺寸（例如闪存盘或 M.2 固态硬盘）实现更高容量。
非二进制内存
请参阅“DRAM 密度”。
非 ECC
没有数据宽度（由额外的 DRAM 启用）来支持 ECC 算法的模块。
非易失性存储
非易失性存储是一种计算机存储，能够在断电后保留已保存的数据。
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express 是一种用于访问计算机非易失性存储（例如固态硬盘）的开放接口规范。
片内 ECC/ODECC
片内 ECC 缩写为 ODECC，是结合在 DRAM 芯片内的 ECC，在比特错误传输到模块之前校正比特错误。对于内存，此技术是通过 DDR5 引入的。
PCB/印刷电路板
PCB 是 Printed Circuit Board（印刷电路板）的缩写。PCB 是半导体芯片互连的介质。PCB 板通常是多层的，具有导电层和绝缘层的平面。每一层都用一种图案蚀刻，其中使用导电材料（如铜）将表面安装的半导体组件连接到外层。
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express，一种用于 GPU 或固态硬盘等高速组件的接口标准。
PCN
Part/Product Change Notice（部件/产品变更通告）的缩写，用于记录新产品的发布、产品变更、产品逐步淘汰或终止等信息的公告。
PMIC
PMIC 是 Power Management Integrated Circuit（电源管理集成电路）的缩写。PMIC 一般用于管理设备上特定组件的电源跟随。对于 DDR5，每个模块上都包含 PMIC。
即插即用/PnP
即插即用 (PnP) 可以指代计算中不需要特定软件或驱动程序就能工作的许多类型的设备。对于 Kingston，我们使用术语“即插即用”来描述 Kingston 首创的无需启用配置文件即可超频的方法。具有 PnP 功能的 Kingston FURY 模块的超频定时编程到 SPD 中的默认 JEDEC 配置文件，这会强制计算机自动获得更高的性能。
电源故障保护
断电无法避免，如果未使用合适的硬件，工作环境中很可能出现巨大混乱。电源故障保护对于防止数据丢失必不可少。如果检测到任何电压下降的情况，受支持的主机设备可以向闪存卡发送一条命令，以停止闪存卡的一切操作。这让闪存卡可以保存在断电时正在写入的任何数据。
四通道
内存插槽架构，其中安装的四个相同的内存模组会整合它们的带宽来提高系统性能。
四列
4 列或四列，每个模组加载多少 64 位数据负荷。
QVL/合格供应商名单
QVL 是一个缩写词，通常代表 Qualified Vendor List（合格供应商名单）。PC 和主板制造商经常在其支持网站上列出 QVL，以显示哪些组件（如内存和固态硬盘）经过测试可用于其系统。
RAM/随机存取存储器
RAM 是一个缩写词，代表 Random Access Memory（随机存取存储器）。在计算中，RAM 通常指存储器 (SSD/HDD) 与处理器之间的短期存储，用以实现快速访问。今天的 RAM 主要是易失性的，这意味着它在没有电源的情况下无法保存信息。
列
列是 64 位宽的数据块。比特的数量是由存储体的数量决定的，而不是由 DRAM 芯片决定的（即 x8 芯片的八个芯片组成 64 比特以创建列）。一个内存模块可以用多个列来构建，但是一次只能访问一个列的数据。
RAS
RAS 是一个缩写词，在计算中可代表多种含义。首先，RAS 可以代表 Row Address Strobe（行地址选通），指的是从处理器到 RAM 的行激活请求。RAS 也可指代 Reliability, Availability and Serviceability（可靠性、可用性和可服务性）。这些是芯片组功能，如 ECC、DIMM 备用、锁步、镜像等，为 RAM 提供增强的冗余。RAS 功能在工作站和服务器类系统中最常见。
带寄存器的 DIMM/RDIMM (Registered DIMM)
服务器级内存模组具有一个寄存器组件，也称为注册时钟驱动器（RCD），它充当模组（DIMM）上的 DRAM（内存）组件和内存控制器（通常位于 CPU 内部）之间的缓冲区。寄存器允许一个模组上使用更多 DRAM 组件来实现更高容量，并且大多数服务器芯片组都需要将寄存的 DIMM 用作主系统内存。寄存器管理模组上 DRAM 的命令和地址信号，使用额外的时钟周期及时同步数据。
支持 AMD Ryzen™
基于 AMD Ryzen 的计算机上进行超频的 AMD 自行认证项目。
寄存器 (Register)
寄存器是 Registered Clock Driver（带寄存器的时钟驱动器，RCD）的缩写，用作模块上 DRAM 组件与内存控制器之间的缓冲区。寄存器允许一个模块上使用更多 DRAM 组件来实现更高容量。寄存器管理模块上 DRAM 的命令和地址信号，使用额外的时钟周期及时同步数据。
RGB
RGB 是一个缩写词，代表 Red（红色）、Green（绿色）和 Blue（蓝色），RGB LED 用于创建光型。对于内存，RGB LED 是模块的集成部分，出于美观目的，位于散热器中的灯光扩散器下方。 请参阅我们的 RGB 产品系列。
SATA
Serial Advanced Technology Attachment 缩写，SATA 是用于连接机械硬盘和固态硬盘等大容量存储设备的计算机总线接口。
SD 卡
一种通常用于数码相机和其他便携式设备的闪存卡。 请参阅我们的 SD 卡产品系列。
SD Speed Class
SD 协会制定各种标准，针对创建视频录制产品的公司的需求划定最低数据传输等级，这类产品在将数据录制到闪存卡时需要达到特定写入速度。SD Speed Class、UHS Speed Class 和 Video Speed Class 针对闪存卡和设备实现了这方面的标准化，确保达到最低写入速度并实现最佳效果。
SDRAM/同步 DRAM
SDRAM 是 Synchronous DRAM（同步 DRAM）的缩写，是当今大多数电脑使用的主要 RAM 技术。这种内存技术在 1990 年代后期第一次亮相，通过同步数据传输与系统时钟，极大地提高了性能。
Server Premier 系列服务器内存
Server Premier 是 Kingston 的行业标准内存产品系列，用于带 ECC 的模组，一般是服务器和工作站，部件号以“KSM”开头。为了确保一致性，可以订购所有组件均被锁定（完全锁定）的 Server Premier 部件，或者仅 DRAM 芯片修订版被锁定（DRAM 锁定）的 Server Premier 部件。
SIMM/单列直插存储模块
SIMM 是 Single In-Line Memory Module（单列直插存储模块）的缩写，是旧内存模块形式。SIMM 一般限于 32 比特数据宽度，不支持从模块插脚的每一侧独立访问数据。
单列
1 列或 1R，每个模组加载多少 64 位数据负荷。
系统级封装 (SIP)
系统级封装 (SiP) 是一种设计，将多个集成电路 (IC) 和无源器件封装到单个包中，其中可能利用堆叠封装进行堆叠。通常用于固态硬盘、USB 闪存盘、SD 卡、手机等。
SODIMM/SO-DIMM
SODIMM 是 Small Outline DIMM（小外形 DIMM）的缩写。类似 DIMM，SODIMM 更小，主要用于笔记本电脑和小型 PC。
SPD/串行存在检测
SPD 是 Serial Presence Detect（串行存在检测）的缩写。SPD 是 EEPROM，是存储模块上的一个芯片，用于保存有关其自身规格的信息。
速度
对于内存，速度一般指模块的数据速率。各代 DDR 都使用每秒百万次传输 (MT/s) 来表示速度。内存速度可使用多种方式编写：DDR5-4800、PC5-38400 或 4800MT/s DDR5。模块的速度也可用于通过乘以 8 来确定有效的带宽。例如，DDR5-4800 有有效带宽为 38,400MB/s 或 38.4GB/s。这是数据每秒进出模块的尖峰数据传输速率。
关于 SD 和 microSD 卡速度，请参阅“SD 速度级别”。
Speed Class（Class 4、6、10）
SD 协会针对不同的外部存储卡（SD、microSD）实现速度等级的标准化。这被描述为“Speed Class”，指明了绝对最小持续写入速度。闪存卡可分为 Class 4（4MB/秒）、Class 6（6MB/秒） 或 Class 10（10MB/秒）。阅读更多信息
固态硬盘
固态硬盘，由一组闪存 NAND 芯片构成，其中数据由闪存控制器读取和写入，而机械硬盘使用机械作动器。由于缺少机械部件，固态硬盘运行起来比机械硬盘更平顺、更高效。相比机械硬盘，固态硬盘的另一个优势是不易受到电磁干扰。 请参阅我们的固态硬盘产品系列。
强大的 ECC 引擎
当数据通过闪存控制器从主机 PC 移动到 NAND 存储时，NAND 闪存必须保持数据的完整性。在数据实际写入 NAND 闪存存储之前，从主机到闪存卡的数据传输常常被称作“动态数据”或“传输中的数据”。闪存控制器采用错误修复技术（称作纠错代码，ECC），可以检测和修复会影响此路径中数据的多数错误。对于每个写入的数据块，闪存芯片都融入了额外的错误修复信息；此信息支持闪存控制器在读取数据块时同时修复许多错误。类似机械硬盘，NAND 闪存在正常操作过程中也会出现位错误，这可以利用它的 ECC 数据进行实时修复。如果 NAND 设备在数据块中存在过多错误，此块将被标记为坏块并被弃用，其中一个备用块将投入使用。在这个过程中，必要时会使用 ECC 对此数据进行修复。备用块的使用可以延长固态硬盘的使用寿命和耐久性。
了解 Kingston 固态硬盘中错误检测和纠正的更多信息。
子通道
对于内存，子通道是指 DDR5 内存模块的一项设计功能，它将 64 位地址划分为两个独立的 32 位段，以提高效率。
UDIMM/无缓冲 DIMM
没有寄存器或缓冲区的 64 位 (x64) 内存 (RAM) 模组。无缓冲模组在传统上用于 PC/工作站/笔记本电脑。
UHS-I Video Speed Class
视频录制的速度等级。相应介质的最低写入速度由一个字母后跟一个数字表示。V30 速度等级的最低写入速度为 30MB/秒。
无缓冲
模组冲不包含数据缓冲器，例如寄存器。
U.2
一种用于连接固态硬盘的计算机接口标准，为企业市场而设计。通常采用 2.5 英寸外形尺寸，提供的存储空间高于 M.2。
UHS-I
Ultra-High Speed – I (UHS-I) 是面向 SDHC 和 SDXC 闪存卡的速度等级。UHS-I 的总线接口速度高达 104 MB/秒。
UHS-II
Ultra-High Speed – II (UHS-II) 是面向 SDHC 和 SDXC 闪存卡的速度等级。UHS-I 的总线速度高达 312 MB/秒。与第一个版本 (UHS-I) 相比，区别在于添加了第二行阵脚，可使用低压差分信号 (LVDS) 技术提高传输速率。
UHS Speed Class(U1、U3)
UHS Speed Class(U1、U3) Ultra High Speed (UHS) 规定了视频录制的最低持续写入性能。SD 协会指定了两个 UHS Speed Class，即 UHS Speed Class 1 和 UHS Speed Class 3。UHS Speed Class 1 支持最低 10MB/秒的写入速度，而 UHS Speed Class 3 支持最低 30MB/秒的写入速度。UHS Speed Class 通常标记为 U 符号中的 1 或 3。 阅读更多信息
USB
通用串行总线 (USB) 是允许在设备与个人计算机 (PC) 或智能手机等主机控制器之间实现连接的标准接口。它用于连接外围设备，例如数码相机、鼠标、键盘、打印机、扫描仪、媒体设备、外置硬盘和闪存盘。
USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
这些 USB 标准之间的区别在于数据传输速度能力。USB 3.2 Gen 1 支持高达 5Gbit/秒的速度，USB 3.2 Gen 2 支持高达 10Gbit/秒的速度，USB 3.2 Gen 2x2 支持高达 20Gbit/秒的速度，USB4 支持高达 40Gbit/秒的速度。阅读更多信息。
Video Speed Class（V10、V30、V60、V90）
Video Speed Class 由 SD 协会制定，对能以更高视频分辨率和录制特性运行的闪存卡进行分类。这种速度等级确保达到视频录制的最低持续性能。这包括 V6、V10、V30、V60 和 V90。V90 Speed Class 意味着闪存卡的最低写入速度应达到 90MB/秒，V30 则为 30MB/秒，以此类推。阅读更多信息。
ValueRAM
Kingston 的行业标准内存产品系列，用于非 ECC 类 DIMM 和 SODIMM，传统上用于白盒台式机和笔记本电脑。
VLP/超小尺寸
VLP 是指用于薄型系统的存储器模块高度的 JEDEC 分类。对于 DDR3 和 DDR4，VLP UDIMM 和 VLP RDIMM 的高度规格为 18.75mm。标准型 DDR3 (30.00mm) 和 DDR4/DDR5 DIMMs (31.25mm) 被视为“小”尺寸。
磨损均衡
金士顿闪存设备所使用的控制器采用了先进磨损均衡技术，可将 P/E （编程/抹除）循环次数平均分配到整个闪存。磨损均衡因此可以延长闪存卡的使用寿命。
x16
对于内存，x16 是指 DRAM 芯片的数据宽度（x16 表示 16 位宽）。x16 DRAM 用于 UDIMM 和 SODIMM，限于其处理器支持此类 DRAM 的台式机和笔记本电脑。
x4
对于内存，x4 是指 DRAM 芯片的数据宽度（x4 表示 4 位宽）。x4 DRAM 芯片主要用于 RDIMM 和 LRDIMM，具有这些芯片的模块可支持多位错误检测和纠正 ECC。
x64
对于内存，x64 是指 64 位。这是完成列所需的总宽度。
x72
对于内存，x72 是指 72 位。这表示一个具有 64 位地址加上 8 位来支持 ECC 的模块。x72 是用于 DDR3、DDR4 和某些 DDR5 模块的 RDIMM、ECC UDIMM、ECC SODIMM 和 LRDIMM 的模块宽度。x72 的 DDR5 模块也称为 EC4。
x8
对于内存，x8 是指 DRAM 芯片的数据宽度（x8 表示 8 位宽）。x8 DRAM 用于所有类型的内存模块，包括 RDIMM。
x80
对于内存，x80 是指 80 位。这特定于 DDR5 EC8 类型的模块。DDR5 模块有两个独立的 32 位子通道，每个可增加 8 位来支持 ECC，总共 40 位。两者合并，等于每列 80 位。
XMP
Intel Extreme Memory Profile，用于超频模组的预编程时序。阅读更多信息。
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard；针对 128 位或更高位数据单位的可调分组密码，其中使用 AES 分组密码作为子程序。这是众多政府和企业组织使用的高度安全的加密模式。