Ми помітили, що ви зараз відвідуєте сайт у Великій Британії. Бажаєте відвідати наш основний сайт?

Глосарій

1R (1 ренк, одноренковий модуль пам'яті)

Один 64-бітний набір чипів, до якого може звертатись контролер пам'яті.

2R (2 ренки, дворенковий модуль пам'яті)

Два окремі 64-бітні набори чипів, до яких може звертатись контролер. Поки один ренк відпрацьовує отриману команду, контролер може ставити команду другому ренку, що підвищує продуктивність пам'яті.

4R (4 ренки, чотириренковий модуль пам'яті)

Чотири окремі 64-бітні набори чипів, до яких може звертатись контролер. Поки один ренк відпрацьовує отриману команду, контролер може ставити команду іншому ренку, що підвищує продуктивність пам'яті.

8R (8 ренки, восьмириренковий модуль пам'яті)

Вісім окремихі 64-бітних наборів чипів, до яких може звертатись контролер. Поки один ренк відпрацьовує отриману команду, контролер може ставити команду іншому ренку, що підвищує продуктивність пам'яті.


AMD

Advanced Micro Devices, компанія, що розробляє процесори, чіпсети, графічні процеси та суміжну продукцію.

AMD EPYC™

Бренд серверних процесорів AMD.

AMD EXPO™

AMD’s Extended Profiles for Overclocking. Модулі пам’яті з профілями AMD EXPO мають параметри швидкості, таймінгів та напруги живлення, оптимізовані під системи AMD.

AMD Ryzen™

Бренд центральних процесорів AMD для ноутбуків та ПК.

AES (Advanced Encryption Standard)

Див. стандарт FIPS. Стандарт блочного шифру для шифрування конфіденційних електронних даних, який використовується урядом США під назвою FIPS 197 з 2002 року.

Захист від спотворення даних при зчитуванні з автоматичним їх оновленням

Функція автоматичного оновлення зчитує всі дані флеш-пам’яті, в тому числі і там, де зчитування даних відбувається рідко, та за необхідністю автоматично виправляє помилки для уникнення втрати даних через спотворення при зчитуванні, помилки зберігання даних та інші помилки. Функція автоматичного оновлення даних виконується у фоновому режимі, тому вона спричиняє дуже незначну затримку у реагуванні на команди навіть під час її безпосередньої роботи.


Управління пошкодженими блоками пам’яті

Пошкоджені блоки містять один або декілька бітів, що втратили надійність. Пошкоджені блоки з’являються як на етапі виробництва (ранні пошкоджені блоки), так і під час експлуатації карти (пізні пошкоджені блоки). Поява пошкоджених блоків обох типів є невідворотною, і саме тому пристрої флеш-пам’яті NAND потребують функції управління пошкодженими блоками пам’яті. Ця функція дозволяє виявляти та маркувати пошкоджені блоки, які замінюються на справні з наявного резерву. Це попереджає запис даних на пошкоджені блоки, що, в свою чергу, підвищує надійність пристрою. Якщо в пошкодженому блоці є дані, вони будуть переміщені до цілого блоку, щоби запобігти їх втраті.

Дізнайтеся, як управління пошкодженими блоками пам’яті застосовується до SSD-накопичувачів Kingston, eMMC і карт пам’яті SD/microSD промислового класу.

Банк

У контексті пам’яті цей термін може відноситися до декількох понять. По-перше, це відноситься до окремого масиву рядків даних на чіпі DRAM, в якому тимчасово зберігається інформація. Коли контролер пам’яті звертається до блоку, він робить це за однією адресою на всіх чіпах ренку одночасно. У другому випадку цей термін відноситься до групи багатоканальних роз’ємів пам’яті на материнській платі.

Біт

Скорочення від “binary digit” (бінарне число), базова одиниця виміру даних в обчисленнях, може приймати два значення/стани: 0 або 1 / включено чи вимкнено.

Байт

Вісім бітів становлять один байт. Це є одиницею вимірювання збереження інформації, наприклад, один текстовий символ. Комбінації бітів та байтів формують фундаментальну мову обчислювань.

Метод грубої сили (метод перебору паролів)

Нехитра кібератака, яка намагається зламати пароль або криптографічний ключ, випробувавши всі можливі рішення.


Ємність

Загальна кількість доступних комірок пам'яті в модулі, виражене в гігабайтах (ГБ). Для комплектів зазначена ємність означає сукупну ємність всіх модулів в комплекті.

Затримка CAS / CL

CAS – скорочення від Column Address Strobe (строб адреси стовпчика); затримка CAS (CAS Latency, CL) це період очікування (виражений у кількості циклів тактової частоти шини пам'яті) між запитом процесора на отримання вмісту комірки пам'яті з відкритого рядка і моментом, коли чіп пам'яті зробить доступною для читання першу комірку запитаної адреси. (тобто CL32, CL40).

Канал

Кількість каналів в SSD-накопичувачах означає кількість чипів флеш-пам’яті, з якими контролер може працювати одночасно. SSD-накопичувачі базового або середнього рівня зазвичай мають 2 або 4 канали; продуктивніші SSD-накопичувачі мають 8 каналів, а SSD-накопичувачі для центрів обробки даних – до 16 каналів.

Див. «Канал пам’яті», якщо йдеться про канали, пов’язані з пам’яттю.

Організація чипа / ширина шини

Чипи пам'яті мають внутрішню структуру, що складається з рядків і стовпців. Під організацією чипа розуміють кількість стовпців чипа. Для модулів пам’яті використовуються такі варіанти: x16 («на 16»), тобто 16 стовпців, x8 і x4. Ці варіанти ширини відповідають типам модулів пам’яті та комп’ютерам, в яких вони використовуються. Наприклад, x16 застосовується лише в модулях пам’яті DIMM або SODIMM, розроблених для ПК або ноутбуків, а x4 – лише в модулях пам’яті DIMM, призначених для серверів або робочих станцій. Модуль пам’яті з організацією чипа x4 означає, що всі чипи на модулі пам’яті мають однакову кількість стовпців - 4.

Крипточип

Апаратний інструмент, який захищає дані на USB-накопичувачі, забезпечуючи управління ключами шифрування безпосередньо на пристрої, де вони захищені. Флеш-накопичувачі серії IronKey використовують крипто-чіпи.


Темп передачі даних

Цей термін відноситься до швидкості роботи пам’яті (яка пимірюється в МТ/с) та визначає кількість даних, що передаються за один тактовий цикл.

DDR / Подвійний темп передачі даних / DDR SDRAM

Абревіатура «DDR SDRAM» означає «синхронна динамічна пам’ять із довільним доступом та подвійним темпом передачі даних». Синхронна DRAM передає дані по тактовому імпульсу, а DDR SDRAM – по передньому та задньому фронту тактового імпульсу, тобто двічі за такт, що дозволяє вдвічі збільшити швидкість передачі даних. «DDR» також відноситься до першого покоління пам’яті DDR SDRAM, що з’явилася у 1998 році, у якій швидкість передачі даних становила 200, 206, 333 та 400 МТ/с при напрузі живлення 2,5 В.

DDR2

DDR2 – це друге покоління DDR SDRAM. Воно характеризується нижчим рівнем енергоспоживання (напруга живлення — 1,8 В) та більшою швидкістю передачі даних – 400 МТ/с у 2003 р., але поступово із часом швидкість збільшувалася — 533, 667, 800 та 1066 МТ/с.

DDR3

DDR3 – це третє покоління DDR SDRAM, що з’явилося у 2007 р. DDR3 споживає ще менше енергії, аніж DDR2 (живлення — 1,5 В); початкова швидкість становила 800 МТ/с та поступово розганялася до 1066, 1333, 1600, 1866 та 2133 МТ/с.

DDR3L

DDR3L з’явилася як специфікація в рамках JEDEC стандарту на DDR3 пам'ять. Маючи такі ж показники швидкості та таймінги, як і DDR3, в DDR3L напркга живлення була знижено до 1,35 В, що дозволило збільшити експлуатаційний автономність акумуляторів ноутбуків та зменшити виділення тепла у серверів. Пам’ять DDR3L має зворотню сумісність із DDR3 та працює від 1,5 В на старих системах або у разі її одночасного встановлення зі стандартними модулями DDR3.

DDR4

DDR4 – це четверте покоління DDR SDRAM, що з’явилося у 2014 р. DDR4 пам'ять охоплювала діапазон стандартних швидкостей у 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 та 3200 МТ/с при напрузі живлення 1,2 В. DDR4 характеризується значними вдосконаленнями порівняно із DDR3, починаючи із форми модуля DIMM. Виступ в центрі нижньої частини модулю покращує його посадку в слот та забезпечує додаткову міцність модулю при його встановленні, захищаючи від потенційного пошкодження мікросхем.

DDR5

DDR5 – це п’яте покоління DDR SDRAM, що з’явилося у 2020 р. Пам'ять DDR5 має швидкість 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 та 7200 МТ/с. DDR5 має значно нижче енергоспоживання – вона живиться напругою всього 1,1 В, окрім цього, модулі обладнані мікросхемами управління живленням (PMIC), які дозволяють оптимізувати розподіл живлення. Модулі DDR5 характеризуються значно вищою ефективністю роботи порівняно із попередніми поколіннями завдяки подвоєнню числа банків та довжини пакета, дозволу оновлювати той же банк та розділенню модулю на два 32-бітні підканали, які можна адресувати незалежно. Цілісність даних також вдалося покращити завдяки технології корекції помилок ECC на кристалі, що виправляє бітові помилки всередині окремих чіпів DDR5 DRAM.

Design-In

Design-in відноситься до категорії нетрадиційних ПК та пристроїв, таких як кіоски, торгові точки (POS), цифрові вивіски, діагностичне обладнання тощо. Kingston виготовляє компоненти, модулі та накопичувачі, розроблені спеціально для цієї категорії.

Ревізія кристала чипа

Літерне позначення версії кристалу від виробника напівпровідників. Ці літери зазвичай означають конкретну щільність і конструкцію.

DIMM / двостронній модуль пам’яті

Абревіатура «DIMM» розшифровується як «двосторонній модуль пам’яті» та відноситься до типу модулів, що мають окремі електричні контакти на кожній стороні. Це забезпечує незалежнуну передачу даних на модуль та з нього на кожній стороні.

Ознайомтеся з нашими модулями DRAM пам’яті.

Щільність чипів DRAM

Ємність одного чипа пам'яті називається «щільністю» та вимірюється в мегабітах або гігабітах. Чим вище щільність чипів, тим більшої ємності модулі пам’яті можна зробити. Зазвичай щільність подвоюється між поколіннями пам’яті, проте в DDR5 з’явилася проміжна щільність – 24 Гбіт, яку також називають «небінарною». Нижче наведено загальну щільність для кожного покоління пам’яті:

DDR3 DDR4 DDR5
2 Гбіт 4 Гбіт 16 Гбітt
4 Гбіт 8 Гбіт 24 Гбіт
16 Гбіт 32 Гбіт

DRAM / динамічна пам’ять із довільним доступом

Абревіатура «DRAM» розшифровується як « динамічна пам’ять із довільним доступом» та є найбільш поширеною сучасною технологією пам'яті. Чіпи DRAM виконані з напівпровідникових елементів, викладених у сітці ліній даних із конденсаторами та транзисторами, що можуть містити електричні заряди, представлені в обчислювальному коді одиницями та нулями.

Два канали

Архітектура підсистеми пам’яті, в якій використовуються два ідентичних модуля пам’яті, що об’єднують свою пропускну здатність для підвищення продуктивності системи.

Две ренки

2 ренки або дворенковий модуль пам'яті, який має два окремі набори чипів, до яких може звертатись контролер. Поки один ренк відпрацьовує отриману команду, контролер може ставити команду другому ренку, що підвищує продуктивність пам'яті.

Динамічне оновлення даних

Динамічне оновлення даних застосовується, щоб під час операцій тільки читання блоки з великою кількістю помилок вилучалися та оновлювалися для подальшого використання. Під час кожної команди читання контролер здійснює триетапну перевірку цільового блоку: перший етап полягає в перевірці наявності позначки «необхідно оновити». Другий — перевірка поточної кількості помилкових бітів. Третій — перевірка поточної кількості повторних спроб.


EC4

JEDEC позначення для модуля пам’яті DDR5 серверного класу з шириною шини даних 72 біти.

EC8

JEDEC позначення для модуля пам’яті DDR5 серверного класу з шириною шини даних 80 бітів.

ECC / Код виправлення помилок

Алгоритм, що здійснює виправлення одиночних або масових бітових помилок даних. Для пам’яті (RAM) ECC працює на контролері пам’яті процесора, зазвичай серверного класу або класу робочої станції. Для виконання перевірки та виправлення помилок контролером пам’яті модуль пам’яті, що підтримує технологію ECC (ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced), повинен мати додаткові чіпи пам'яті, що забезпечать додаткову ширину шини даних.

ECC UDIMM

Модулі ЕСС DIMM без буферизації (Unbuffered, UDIMM) містять додаткові чіпи пам'яті, що забезпечують підтримку алгоритму ЕСС.

EEPROM

«EEPROM» розшифровується як «програмована пам’ять лише для читання із електричним стиранням». Це компонент модулю пам’яті, що зберігає важливу інформацію щодо технічних характеристик модулю. SPD вважається EEPROM.


FAT

Таблиця розподілу файлів (FAT) — це файлова система, розроблена для жорстких дисків. Вона використовується операційною системою (ОС) для управління файлами на жорстких дисках та інших накопичувачах. Зазвичай вона використовується у флеш-пам’яті, цифрових камерах і портативних пристроях. Вона використовується для зберігання інформації про файли та продовження терміну служби жорсткого диска. Подробнее о файловых системах.

FIPS (федеральні стандарти обробки інформації)

SСтандарти та керівні принципи для федеральних комп’ютерних систем США, розроблені Національним інститутом стандартів і технологій (NIST) відповідно до Федерального закону Про управління інформаційною безпекою (FISMA) і затверджені Міністром торгівлі.

FIPS 197

Розширений стандарт шифрування (також відомий як Rinjdael), варіант блочного шифру, розробленого в Бельгії. Він використовує 128, 192 або 256-бітні ключі: AES-128 ніколи не піддавався злому перебором та досить захищений для використання з даними рівня "Секретно". Це перший і єдиний загальнодоступний шифр, схвалений Агентством національної безпеки США для інформації рівня "Абсолютно секретно" (192-бітове шифрування або вище).

Стандарт FIPS 140- 2 Level 3

Загальний державний стандарт комп’ютерної безпеки, встановлений у 2019 році. Крім того, що системи, які виконують цей стандарт, є захищеними на виробничому рівні та відповідають вимогам до аутентифікації ролей і стійкості проти фізичного втручання, вони повинні мати поділ між інтерфейсами, через які критичні параметри безпеки входять в модуль і виходять з нього.

Флеш-пам’ять

Флеш-пам’ять є енергонезалежною (вид пам’яті, який зберігає дані при відсутності джерела живлення). Флеш-пам’ять зазвичай встановлена в таких пристроях, як твердотільні накопичувачі (SSD) і флеш-накопичувачі USB. Найчастіше таку пам’ять мають персональні комп’ютери та корпоративна апаратна архітектура для зберігання даних.

Форм-фактор

Зазвичай означає розмір і форму електронного компонента, такого, як SSD-накопичувач або модуль пам'яті.

Найпоширенішими формфакторами SSD-накопичувачів є 2.5", M.2, U.2 і mSATA, визначені Асоціацією виробників мереж зберігання даних (SNIA). Дізнайтеся більше про формфактори SSD-накопичувачів.

Розміри та типи роз’ємів для модулів пам’яті DRAM визначаються галузевими стандартами JEDEC. Найпоширенішї формфактори модулів DRAM пам’яті — DIMM і SODIMM.

Частота

Також часто фігурує як «швидкість», «швидкість передачі даних» або «тактовий цикл» RAM.


Збирання сміття

Збирання «сміття» — це ключовий процес, якмй дозволяє NAND флеш-пам’яті підтримувати надійність та швидкість. Пристрої, побудовані на NAND флеш-пам’яті, не можуть прямо перезаписувати вже наявні дані. Необхідно виконати цикл програмування/стирання. Щоб здійснити запис в блок даних, який вже використовуєтья, контролер NAND флеш-пам’яті спочатку скопіює всі дійсні дані (ті, які досі використовуються) та запише їх у порожні сторінки іншого блоку, зітре всі комірки в поточному блоці (як дійсні, так і недійсні дані), а потім розпочне запис нових даних у тільки-но очищений блок. Цей процес називають збиранням сміття (Garbage Collection, GC). Детальніше .

Гігабіт на секунду (Гб/с)

Одиниця виміру пропускної здатності в мільярдах бітів.

Гігабіт (Гб)

1 000 000 000 біт або 1000 Мб. Одиниця виміру щільності компонентів, зокрема, окремих чіпів пам'яті.

Гігабайт (ГБ)

1 000 000 000 байт або 1000 МБ. Одиниця виміру ємності модулю пам’яті або SSD-накопичувача.

ГТ/с

Кількість мільярдів пересилань за секунду.


Розподільник тепла

Металевий щит, який забезпечує розподіл тепла на модулі.


Infrared Sync Technology™ / IR Sync

Запатентована технологія синхронізації із використанням інфрачервоного коаналу зв'язку, представлена в модулях пам’яті Kingston HyperX та FURY для синхронізації RGB-ефектів.

Intel®

Intel Corporation. Розробник та виробник комп’ютерних центральних процесорів, чіпсетів, графічних процесорів тощо.

Intel® Xeon®

Лінійка центральних процесорів Intel® для серверів та ноутбуків топового сегменту, що підтримують технологію ЕСС, мають велику кількість ядер та забезпечують високу пропускну здатність.

Intel® XMP 2,0

Intel® Extreme Memory Profiles специфікація Intel, завдяки якій постачальники модулів пам’яті та материнських плат можуть встановлювати профілі (DDR3 та DDR4), за допомогою яких користувач може легко провести оверклокинг.

Intel® XMP 3.0

Остання версія XMP для DDR5 підтримує до п’яти профілів – три для виробника пам’яті та два для збереження користувачем власних налаштувань оверклокингу.

Сертифікована сумісність з Intel® XMP 3.0

Модуль чи комплект відповідає вимогам за програмою самосертифікації Intel.

Сумісність з Intel® XMP 3.0

Модуль чи комплект відповідає специфікації Intel® XMP 3.0.

Сертифікована сумісність з Intel® XMP 2.0

Модуль чи комплект відповідає вимогам за програмою самосертифікації Intel.

Сумісність з Intel® XMP 2.0

Модуль чи комплект відповідає специфікації Intel® XMP 2.0.


JEDEC

Абревіатура «JEDEC » розшифровується як «Об’єднаний комітет з питань розробки електронних пристроїв»; цей комітет встановлює стандарти для багатьох напівпровідникових та комп’ютерних технологій. Комітет JEDEC об’єднує учасників галузі, які спільно встановлюють стандарти – в тому числі для модулів пам’яті.


Kingston FURY™ Beast

Лінійка базових модулів UDIMM від Kingston для оверклокингу.

Kingston FURY™ Impact

Лінійка модулів SODIMM від Kingston для оверклокингу.

Kingston FURY™ Renegade

Лінійка високопродуктивних модулів UDIMM від Kingston для оверклокингу.

Комплект

Артикул, який містить кілька модулів пам’яті, зазвичай для підтримки архітектури двох-, трьох - або чотириканальної пам’яті. Наприклад, K2 — це 2 модулі DIMM в комплекті, загальна ємність яких зазначена в назві.


Довжина х висота х ширина (мм)

Габарити модуля в міліметрах разом з розподільником тепла.

DIMM зі зниженим рівнем навантаження (LRDIMM/Load Reduced DIMM)

Аналогічно реєстровим DIMM (RDIMM), модулі LRDIMM містять буфери даних, що дозволяють знизити рівень навантаження на контролер пам'яті та уникнути зниження швидкості роботи пам’яті, яке було би потрбне, щоби компенсувати велике навантаження. Технологія LRDIMM забезпечує можливість використання модулів великої ємності без падіння продуктивності.


M.2

Форм-фактор для вбудованих комп’ютерних плат розширення. Він дозволяє використовувати модулі різної ширини та довжини.

Мегабайт (МБ)

1 000 000 байт або 1000 КБ. Одиниця виміру ємності модулів пам’яті, SSD-накопичувачів та інших флеш-пристроїв.

Мегабіт (Мб)

1 000 000 біт або 1000 Кб. Одиниця виміру щільності компонентів, наприклад, чіпів пам'яті.

Пам’ять

Напівпровідниковий (зазвичай) пристрій, на якому зберігаються дані для використання на комп’ютері або іншому подібному пристрої.

Канал пам’яті

Канал пам'яті — це шлях передачі даних між модулем пам’яті та контролером пам'яті, який зазвичай розташовуються всередині процесора. Більшість комп’ютерних систем (ПК, ноутбуки, сервери) мають багатоканальну архітектуру пам’яті, де канали об’єднуються для підвищення продуктивності пам’яті. Двоканальна архітектура пам’яті означала б, що при установці ідентичних модулів в парі ефективна пропускна здатність контролера пам’яті подвоюється.

Мегагерц (МГц)

Стандартна одиниця виміру частоти, мільйон циклів за секунду. Використовується для вимірювання частоти/швидкості передачі даних на модулі пам’яті.

Мегатранзакція (МТ/с)

Мільйон транзакцій або пересилань даних за секунду; одиниця виміру швидкості передачі даних для всіх модулів пам’яті DDR, в яких передача даних здійснюється із подвійним темпом. Детальніше

Карта microSD

Тип дуже маленької карти пам’яті, який зазвичай використовується в мобільних телефонах та інших портативних пристроях. Ознайомтеся з нашою лінійкою карт пам’яті microSD..


NAND

Тип флеш-пам'яті, електронний енергонезалежний носій інформації, здатний до електричного стирання та перепрограмування. NAND розшифровується як NOT AND, логічний елемент (засіб отримання певного вихідного сигналу в цифровій електроніці).

Стекування пристроїв NAND

Для збільшення ємності сховища енергонезалежний запам’ятовуючий пристрій, як-от чіп NAND флеш-пам'яті, може складатись з кількох кристалів пам’яті в одному корпусі. Такий корпус може бути реалізований в різних формах, наприклад DDP (корпус з двома кристалами), QDP (корпус з чотирма кристалами), ODP (корпус з вісьмома кристалами), аж до HDP (корпус з 16 кристалами). Така технологія забезпечує більш високу ємність в невеликих форм-факторах, таких, як USB-накопичувачі або твердотільні накопичувачі форм-фвктору M.2.

Небінарна пам’ять

Див. «Щільність чипів DRAM».

Non-ECC

Модуль, який не підтримує алгоритм ЕСС.

Енергонезалежна пам’ять

Енергонезалежна пам’ять — це тип комп’ютерної пам’яті, яка зберігає дані при відключеному живлення.

NVM Express™ (NVMe™)

Non-Volatile Memory Express, специфікація відкритого інтерфейсу для доступу до енергонезалежного сховища комп’ютерів, наприклад твердотільних накопичувачів.


Вбудована в кристал технологія ЕСС (On-Die ECC / ODECC)

Технологія ECC, вбудована в чіп пам'яті, яка забезпечує виправлення бітових помилок безпосередньо в чіпі пам'яті. Для оперативної пам’яті цю технологію було реалізовано із появою DDR5.


Друкована плата (PCB)

Друкована плата (PCB) – основа, на яку встановлюються напівпровідникові чіпи і інші компоненти. Друковані плати зазвичай мають декілька провідникових та ізоляційних шарів. Кожен шар має певний малюнок, в якому провідникові матеріали (наприклад, мідь) забезпечують підключення напівпровідникових компонентів, що приєднані до зовнішніх шарів.

PCI Express® (PCIe®)

Peripheral Component nterconnect Express, стандарт інтерфейсу для високошвидкісних компонентів, як-от графічні процесори або твердотільні накопичувачі.

PCN

Абревіатура від слів «Сповіщення про зміну деталі/продукту». Використовується для сповіщення про випуск нового продукту, зміни в продукті, наближення до завершення виробництва або зняття з виробництва.

PMIC

Вбудована схема управління живленням. Зазвичай використовується для розподілу живлення на конкретні компоненти пристрою. Схема PMIC вбудована в усі модулі пам’яті DDR5.

Plug N Play / PnP

Технологія Plug and Play (PnP) реалізована в багатьох обчислювальних пристроях – вона означає, що для використання пристрою не потрібно встановлювати конкретне програмне забезпечення або драйвери. Для продукції Kingston термін Plug N Play означає авторський метод Kingston, який передбачає проведення оверклокингу без активації профілів. Модулі Kingston FURY із технологією PnP мають таймінги оверклокингу, запрограмовані на стандартний профіль JEDEC в SPD, що змушує комп’ютер автоматично розганятися до максимуму.

Захист від втрати живлення

Втрати живлення є неминучим явищем і за відсутності належного обладнання може призвести до хаосу в робочому середовищі. Захист від втрати живлення є необхідним для запобігання втраті даних. Сумісний пристрій може надіслати на карту команду, що призупиняє всі операції у разі виявлення перебоїв живлення. Це дає карті час зберегти дані, запис яких здійснювався на момент втрати електроживлення.


Чотири канали

Архітектура підсистеми пам’яті, в якій використовуються чотири ідентичних модуля пам’яті, що об’єднують свою пропускну здатність для підвищення продуктивності системи.

Чотири ренки

4 ренки або чотирьохренковий модуль пам'яті, який має чотири окремі набори чипів, до яких може звертатись контролер. Поки один ренк відпрацьовує отриману команду, контролер може ставити команду іншому ренку, що підвищує продуктивність пам'яті.

Перелік кваліфікованих постачальників (QVL)

Перелік кваліфікованих постачальників. Виробники ПК та материнських плат часто публікують на своїх сайтах такі переліки, щоби показати, які компоненти (наприклад, модулі пам’яті та SSD) вони вже перевірили на сумісність із їхніми системами.


Пам’ять із довільним доступом (RAM)

Random Access Memory – пам’ять з довільним доступом (ОЗУ, RAM). В обчислюваннях RAM зазвичай відноситься до короткочасної пам’яті між накопичувачем (SSD/HDD) та процесором, що забезпечує швидкий доступ. Сучасні RAM в основному є енергозалежними.

Ренк

Ренк — це окремий набор чипів в модулі пам’яті. Для DDR2, DDR3 і DDR4 ці набори мають ширину шини даних 64 біта (x64), плюс 8 біт для ECC (x72). Модулі DDR5 також мають 64 біта на ренк, однак для ECC пам'яті шина даних має ширину 80 біт на ренк (x80). Модуль пам’яті може мати декілька ренків, однак передавати дані все одно можна лише з одного з них в кожний момент часу.

RAS

Цей акронім може відноситися до декількох понять. По-перше, це може означати строб-імпульс адреси рядка (Row Address Strobe), запит на активацію рядка від процесора на RAM. RAS також може бути акронімом від Reliability, Availability and Serviceability («надійність, доступність, технічна справність»). Це такі функції чіпсету, як ЕСС, резервування DIMM, синхронізація, віддзеркалювання тощо. Найчастіше функції RAS реалізовані в робочих станціях та системах серверного класу.

Регістровий DIMM (RDIMM/Registered DIMM)

Регістровий DIMM DIMM (RDIMM) – це модуль пам’яті серверного класу із технологією ЕСС, що містить окремий компонент — регістр. В більшості серверних чіпсетів основною системною пам'яттю є RDIMM. В DDR5 розташування ключа модуля (пазу) відрізняється від небуферованих DIMM (UDIMM) , щоби унеможливити підключення несумісної пам'яті.

Сумісність з процесорами AMD Ryzen™

Програма самокваліфікації AMD для розгону комп’ютерів на базі AMD Ryzen.

Регістр (Register)

Регістровий тактовий драйвер (RCD), що виконує функцію буфера між чіпами пам'яті на модулі та контролером пам’яті. Регістр дозволяє встановити на модуль більшу кількість чіпів пам'яті, і, відповідно, досягти більшої ємності модулю. Регістр керує командами та адресними сигналами чіпів на модулі та здійснює синхронізацію даних, використовуючи додатковий такт.

RGB-підсвітлення

RGB означає «Red, Green, Blue» («червоний, зелений, синій»); RGB-світлодіоди використовуються для створення різних режимів кольорового підсвітлення. RGB-світлодіоди є частиною модулю пам’яті та розташовуються під світлорозсіювачем на тепловідводі для додання естетики модулю. Ознайомтеся з нашими продуктами з RGB-підсвітленням.


SATA

Скорочення від Serial Advanced Technology Attachment, SATA —-це інтерфейс комп’ютерної шини, який підключається до пристроїв зберігання даних, тких, як жорсткі диски та твердотільні накопичувачі.

Карти пам’яті SD

Тип карти пам’яті, зазвичай використовуваної в цифрових камерах та інших портативних пристроях. Ознайомтеся з нашою лінійкою карт пам’яті SD.

SD Speed Class

SD Association встановила стандарти, які визначають мінімальну швидкість передачі даних відповідно до потреб компаній, що створюють продукти для відеозапису, яким потрібна певна швидкість запису даних на карту пам’яті. Класи швидкості SD Speed Class, UHS Speed Class і Video Speed Class стандартизувовані як для карт пам'яті, так і для пристроїв, що гарантує мінімальну швидкість запису та забезпечує найкращу продуктивність.

SDRAM

Синхронна пам’ять DRAM або синхронна динамічна пам’ять із довільним доступом; найпоширеніша технологія пам'яті, що використовується в сучасних комп’ютерах. Ця технологія з’явилася в кінці 1990-х та дозволила значно покращити продуктивність за рахунок синхронізації передачі даних із тактовим сигналом.

Server Premier

Server Premier є стандартною лінійкою модулів пам’яті із технологією ЕСС від Kingston’s; модулі в основному призначені для серверів та робочих станцій, артикули починаються із літер «KSM».

SIMM

Модуль пам’яті із однорядним розміщенням контактів (Single In-Line Memory Module); застарілий форм-фактор модулю пам’яті. Модулі SIMM зазвичай мали ширину даних не більше 32 біт та не підтримували звернення до даних окремо із кожної сторони модульних контактів.

Система в корпусі (SIP)

Система в корпусі (SiP) — це конструкція, яка використовується для об’єднання декількох інтегральних схем (IC) і пасивних компонентів в єдиному корпусі, такі корпуси потім можна скласти один зверху іншого. Зазвичай такі конструкції використовуються в твердотільних накопичувачах, USB-накопичувачах, SD-картах. всередині мобільного телефону тощо.

SODIMM / SO-DIMM

Малогабаритний двосторонній модуль пам'яті (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Аналогічні модулям DIMM, модулі SODIMM відрізняються компактністю та використовуються в основному в ноутбуках та ПК із малим форм-фактором.

SPD

Розшифровується як «послідовне виявлення присутності» (Serial Presence Detect). Це є EEPROM, чіп на модулі пам’яті, в якому зберігається інформація про його власні технічні характеристики.

Швидкість

В контексті модулів пам’яті означає швидкість передачі даних. Для всіх поколінь DDR швидкість визначається у кількості мегатранзакцій за секунду (МТ/с). Швидкість пам’яті може позначатися у декілька способів: наприклад, DDR5-4800 або PC5-38400 або DDR5 4800 МТ/с. Швидкість роботи модулю також може використовується для визначення ефективної пропускної здатності модулю шляхом помноження показника на 8. Наприклад, DDR5-4800 має ефективну пропускну здатність 38 400 МБ/с або 38,4 ГБ/с. Це пікова кількість переданих даних на модуль за секунду.

Див. «Клас швидкості SD», якщо йдеться про швидкість роботи карт пам’яті SD і microSD.

Клас швидкості (Class 4, 6, 10)

SD Association стандартизувала рейтинг швидкості для різних зовнішніх карт пам’яті (SD, microSD). Вони характеризуються як «клас швидкості» і визначають абсолютну мінімальну постійну швидкість запису. Карти можуть бути класифіковані як Class 4 (4 мегабайти за секунду), Class 6 (6 МБ/с) або Class 10 (10 МБ/с). Детальніше.

SSD

Твердотільний накопичувач, запам’ятовуючий пристрій, що складається з наборів мікросхем NAND флеш-пам'яті, де дані зчитуються та записуються контролером флеш-пам’яті замість механічного приводу, як у випадку з жорсткими дисками. Через відсутність механічних деталей твердотільні накопичувачі працюють більш плавно та ефективно, ніж жорсткі диски. Ще однією перевагою твердотільних накопичувачів перед жорсткими дисками є те, що вони не схильні до магнітних перешкод. Ознайомтеся з нашою лінійкою SSD-накопичувачів.

Strong ECC Engine

Флеш-пам’ять повинна підтримувати цілісність даних під час переміщення даних із ПК до NAND-сховища через флеш-контролер. Передачі даних з пристрою на карту часто називають «даними у польоті» або «даними в транзиті» – поки вони не будуть фактично записані в чіп флеш-пам’яті. Флеш-контролери застосовують алгоритм виправлення помилок (ECC від анг. Error Correction Code) для виявлення та виправлення помилок, що можуть вплинути на дані на цій траєкторії. Чіпи флеш-пам’яті містять додаткову інформацію для виправлення помилок разом з кожним записуваним блоком даних. Ця інформація дозволяє контролеру флеш-пам’яті одночасно виправляти багато помилок при зчитуванні блоку даних. Аналогічно жорстким дискам, флеш-пам’ять виявляє помилки в бітах під час нормальної операції та одразу виправляє їх за допомогою даних ЕСС. Якщо пристрій помічає надмірну кількість помилок в блоці даних, то цей блок буде позначений як несправний блок, видалений, і один із запасних блоків буде переведений в режим обслуговування. При цьому за необхідності дані буде виправлено за допомогою ECC. Використання запасних блоків збільшує строк експлуатації та витривалість накопичувача.

Дізнайтеся більше про виявлення та виправлення помилок в SSD-накопичувачах Kingston.

Підканал

Функціональна особливість модулів пам’яті DDR5, в яких 64-бітна адреса розділяється на на два автономних 32-бітних сегменти для підвищення ефективності.


UDIMM / DIMM без буферизації (Unbuffered DIMM)

Модуль пам’яті, що не містить Регістру або буферу. Небуферизовані модулі традиційно використовуються в стаціонарних ПК та ноутбуках.

UHS-I Video Speed Class

Клас швидкості для відеозапису. Мінімальна гарантована швидкість запису носія представлена буквою, за якою прямує цифра. Клас швидкості V30 означає, що карта гарантовано може постійно записувати дані зі швидкістю до 30 Мб/с.

Небуферизований (Unbuffered)

У модулі немає буферів даних (регістру).

U.2

Стандарт комп’ютерного інтерфейсу для підключення твердотільних накопичувачів, розроблений для індустріального ринку. Зазвичай поставляється в форм-факторі 2,5 дюйма та пропонує більше місця для зберігання, ніж M.2.

UHS-I

Ultra-High Speed – I (UHS-I) — це специфікація апаратної шини для карт пам’яті SDHC і SDXC. UHS-I підтримує швидкість передачі даних до 104 МБ/с.

UHS-II

Ultra-High Speed – II (UHS-II) — це специфікація апаратної шини для карт пам’яті SDHC і SDXC. UHS-II підтримує швидкість передачі даних до 312 МБ/с. На відміну від першої версії (UHS-I) додано другий ряд контактів, який використовує технологію низьковольтного диференціального сигналу ( Low Voltage Differential Signaling, LVDS) для забезпечення більш високої швидкості передачі.

UHS Speed Class (U1, U3)

Ultra High Speed (надвисока швидкість) визначає мінімальну гарантовану усталену швидкість, наприклад, для запису відео. Існує два класи швидкості UHS, створені асоціацією SD: UHS Speed Class 1 та UHS Speed Class 3. UHS Speed Class 1 означає, що швидкість запису на карту не буде нижче 10 МБ/с, а UHS Speed Class 3 — 30 МБ/с. Клас швидкості UHS зазвичай розпізнається або по 1, або по 3 всередині символу U. Детальніше.

USB

Universal Serial Bus (універсальна послідовна шина) — це стандартний інтерфейс, який дозволяє підключати пристрої к головному контролеру, як-от персональний комп'ютер (ПК) або смартфон. Він підключає периферійні пристрої, такі як цифрові камери, миші, клавіатури, принтери, сканери, мультимедійні пристрої, зовнішні жорсткі диски та флеш-накопичувачі.

USB 3.2 Gen 1 (5 Гбіт/с)/USB 3.2 Gen 2 (10 Гбіт/с)/USB 3.2 Gen 2x2 /USB 4

Різниця між цими стандартами USB полягає в можливостях швидкості передачі даних. USB 3.2 Gen 1 підтримує швидкість до 5 Гбіт/с, USB 3.2 Gen 2 підтримує швидкість до 10 Гбіт/с, USB 3.2 Gen 2x2 підтримує швидкість до 20 Гбіт/с, а USB4 підтримує швидкість до 40 Гбіт/с. Детальніше.


Video Speed Class(V10, V30, V60, V90)

Клас швидкості відео створений асоціацією SD для класифікації карт, які можуть працювати з більш високою роздільною здатністю відео та функціями запису. Цей клас швидкості гарантує мінімальну усталену продуктивність при записі відео. Класи бувають V6, V10, V30, V60 і V90. Клас швидкості V90 означає, що швидкість запису на карту не буде нижче 90 МБ/с, V30-30 МБ/с тощо. Детальніше.

ValueRAM

Стандартна лінійка модулів пам’яті для ПК та ноутбуків від Kingston’s для DIMM та SODIMM без ЕСС.

VLP

Наднизький профіль (Very Low Profile) – категорія з визначеної JEDEC класифікації висоти модулів пам’яті, призначена для тонкопрофільних систем. Для DDR3 та DDR4 висота VLP UDIMM та VLP RDIMM становить 18,75 мм. Стандартнопрофільні DIMM DDR3 (30,00 мм) та DDR4/DDR5 (31,25 мм) вважаються «низькопрофільними».


Вирівнювання зношування

Флеш-сховища від Kingston мають контролери із новітньою технологією вирівнювання зношування, що рівномірно розподіляє кількість циклів програмування/стирання по флеш-пам’яті. Вирівнювання зношування збільшує експлуатаційний ресурс флеш-карти.


x16

В контексті модулів пам’яті – розрядність чіпу пам’яті (х16 означає розрядність шини даних чіпу 16 біт). x16 DRAM використовуються на UDIMM та SODIMM та обмежуються ноутбуками та стаціонарними ПК, процесори яких підтримують такий тип DRAM.

x4

В контексті модулів пам’яті – розрядність чіпу пам’яті (х4 означає розрядність шини даних чіпу 4 біт). Чіпи x4 DRAM в основному використовуються на RDIMM та LRDIMM, і модулі, які їх містять, можуть підтримувати мультибітну технологію ЕСС.

x64

В контексті модулів пам’яті – 64-бітна розрядність. Загальна розрядність шини даних, необхідна для формування Ренк.

x72

В контексті модулів пам’яті – 72-бітна розрядність. Це означає модуль із 64-бітною шиною даних плюс 8 бітів для підтримки ECC. Розрядність x72 використовується на модулях RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM та LRDIMM для DDR3, DDR4 та деяких модулів DDR5. Модулі DDR5 x72 також називають EC4.

x8

В контексті модулів пам’яті – розрядність чіпу пам’яті (х8 означає розрядність шини даних чіпу 8 біт). x8 чіпи використовуються в модулях пам’яті всіх типів, в тому числі RDIMM.

x80

В контексті модулів пам’яті – 80-бітна розрядність. Вона характерна для модулів типу DDR5 EC8. Модулі DDR5 мають два окремі 32-бітні підканали, кожен з яких може додатково мати 8 бітів для підтримки ЕСС, що сумарно дає 40 біт. Сукупно вони дають 80 біт на ренк.

XMP

Профіль пам’яті Intel Extreme Memory Profile, попередньо запрограмовані таймінги на модулях для розгону. Детальніше.

XTS-AES

Розширений стандарт шифрування; функціонально являє собою блоковий шифр з настройкою для блоків даних розміром 128 біт або більше, що використовує блоковий шифр AES як підпрограму. Це високозахищений режим шифрування, який використовується багатьма організаціями, як адміністративними, так і корпоративними.