1R (1 Rank, Single Rank)
Une largeur de données de 64 bits sur un module mémoire.
2R (2 Rank, Dual Rank)
Deux largeurs de données de 64 bits sur un module mémoire.
4R (4 Rank, Quad Rank)
Quatre largeurs de données de 64 bits sur un module mémoire.
8R (8 Rank, Octal Rank)
Huit largeurs de données de 64 bits sur un module mémoire.
AMD
Advanced Micro Devices, une société qui développe des processeurs, des puces, des processeurs graphiques et d’autres produits associés.
AMD EPYC™
Marque de processeurs pour serveurs d’AMD.
AMD EXPO™
AMD’s « Extended Profiles for Overclocking ». Les modules de mémoire dotés des profils AMD EXPO présentent des caractéristiques spécifiques en termes de vitesse, de timings et de tension, optimisées pour les systèmes AMD.
AMD Ryzen™
Marque de processeurs d’ordinateurs de bureau et d’ordinateurs portables d’AMD.
ARGB
ARGB signifie « Addressable RGB » (RGB adressable). C’est une forme avancée d’éclairage qui permet de personnaliser et de contrôler chaque LED. Il permet d’afficher une variété de couleurs simultanément et d’utiliser des effets de lumière impressionnants comme le rebond, la respiration et l’arc-en-ciel.
AES (Advanced Encryption Standard)
Voir FIPS. Chiffrement par blocs pour le chiffrement des données électroniques sensibles utilisé par le gouvernement américain sous le nom de FIPS 197 depuis 2002.
Protection à actualisation automatique de la répartition des lectures
La fonction d’actualisation automatique lit toutes les données sur les zones de la mémoire flash, en particulier celles où les données sont rarement lues, et effectue une correction automatique des erreurs si nécessaire pour éviter la perte de données causée par des erreurs de perturbation de lecture, des erreurs de maintien des données et d’autres erreurs. La fonction d’actualisation automatique est exécutée en arrière-plan de sorte qu’elle n’entraîne qu’un faible retard dans la réponse aux commandes, même pendant le processus de correction.
Gestion des blocs défectueux
Les blocs défectueux ou « mauvais blocs » contiennent un ou plusieurs bits qui sont devenus peu fiables. Les blocs défectueux apparaissent pendant le processus de fabrication (mauvais blocs précoces) ou pendant la durée de vie de la carte (mauvais blocs ultérieurs). Les deux types de mauvais blocs sont inévitables, c’est pourquoi la Gestion des blocs défectueux est une nécessité pour gérer ces erreurs dans les appareils NAND Flash. La Gestion des blocs défectueux identifie et signale les mauvais blocs, puis utilise la capacité libre supplémentaire pour remplacer les blocs non valides. Elle empêche les données d’être écrites sur les mauvais blocs, ce qui augmente la fiabilité du produit. Si le mauvais bloc contient des données, elle déplacera les données vers un bloc valide pour éviter toute perte de données.
Découvrez comment la gestion des blocs défectueux s’applique aux Kingston SSDs et aux cartes eMMC et Industrial SD/microSD de Kingston.
Banque
En informatique, une banque de mémoire peut désigner plusieurs choses. Tout d’abord, il s’agit le plus souvent d’un réseau indépendant de lignes de données au sein d’une puce DRAM où les informations sont stockées temporairement. Lorsque le contrôleur de mémoire accède à une banque, il le fait au même endroit sur toutes les puces d’un rang au même moment. Le terme banque peut également faire référence à un groupe de sockets de mémoire multicanal sur une carte mère.
bit
Version courte de « binary digit » (chiffre binaire). Il s’agit de la mesure la plus élémentaire des données en informatique, représentée par un 0 ou un 1 signifiant activé ou désactivé.
Force brute
Cyberattaque non sophistiquée qui tente de craquer un mot de passe ou une clé cryptographique en essayant toutes les solutions possibles.
Octet
Huit bits équivalent à un octet. Il s’agit d’une unité de mesure permettant de stocker des informations, telles qu’un caractère de texte. Les combinaisons de bits et d’octets constituent le langage fondamental de l’informatique.
CAMM
CAMM est l’acronyme de Compression-Attached Memory Module (module de mémoire attaché à compression). C’est un type de module DRAM propriétaire développé par Dell pour être utilisé dans ses ordinateurs portables à profil fin.
CAMM2
CAMM2 est un type de module standard industriel JEDEC introduit par Dell sur la base de son concept CAMM original. Dell a soumis sa conception CAMM au JEDEC en 2022, ce qui permet aux membres du comité de normalisation du JEDEC de contribuer à et/ou de créer de nouvelles conceptions que tout le monde dans l’industrie peut utiliser. Au lieu de broches/fils sur le bord inférieur du module qui se branchent dans une prise, le CAMM2 utilise un connecteur à compression à l’arrière du module qui s’appuie sur la carte mère. Des vis sont ensuite utilisées pour fixer le CAMM2 en place. Le JEDEC prend en charge deux types de modules de mémoire DRAM pour CAMM2 : CAMM2 DDR5 et CAMM2 LPDDR5. Le module CAMM2 DDR5 utilise des composants DRAM DDR5 avec des conceptions prenant en charge des capacités de 8 Go à 128 Go, des canaux de mémoire simples et doubles, des PMIC à phase simple et double, et des pilotes d’horloge. Le module CAMM2 LPDDR5 (alias LPCAMM2) utilise des composants DRAM LPDDR5, offrant une solution à faible consommation d’énergie pour les systèmes mobiles ou de format réduit. Les types de modules DDR5 CAMM2 et LPDDR5 CAMM2 ne sont pas interchangeables dans un système et utilisent des broches différentes lors de la connexion à une carte mère.
Capacité
Nombre total de cellules mémoire de données disponibles sur un module, exprimé en gigaoctets (Go). Pour les kits, la capacité affichée correspond à la capacité combinée de tous les modules du kit.
Latence CAS (CL)
CAS est l’acronyme pour Column Address Strobe (temps d’accès à une colonne), et la latence CAS (CL) est le temps exprimé en cycles d’horloge qui est nécessaire pour trouver la rangée de mémoire ouverte à laquelle il faut accéder. (c.-à-d., CL32, CL40).
CSODIMM
CSODIMM est l’acronyme de Clocked Small Outline Dual In-Line (module mémoire de petit format à double rangée avec horloge). À partir de la DDR5 à 6 400 MT/s, les normes industrielles JEDEC exigent l’inclusion d’un composant de pilote d’horloge client (CKD) sur les SODIMM. Le pilote d’horloge client met en mémoire tampon le signal d’horloge entre le contrôleur de mémoire (intégré dans le CPU) et la DRAM, ce qui améliore l’intégrité et la stabilité du signal et permet d’atteindre des vitesses plus élevées.
CUDIMM
CUDIMM est l’acronyme de Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module (module mémoire à double rangée avec horloge Unbuffered). À partir de la DDR5 à 6 400 MT/s, les normes industrielles JEDEC exigent l’inclusion d’un composant de pilote d’horloge client (CKD) sur les UDIMM. Le pilote d’horloge client met en mémoire tampon le signal d’horloge entre le contrôleur de mémoire (intégré dans le CPU) et la DRAM, ce qui améliore l’intégrité et la stabilité du signal et permet d’atteindre des vitesses plus élevées.
Canal
Pour des SSD, les canaux font référence au nombre de puces Flash avec lesquelles le contrôleur peut communiquer simultanément. Les SSD d’entrée de gamme/grand public ont généralement 2 ou 4 canaux ; les SSD plus performants ont généralement 8 canaux, jusqu’à 16 pour les SSD des datacenters.
Pour les canaux faisant référence à la mémoire, voir Canaux de mémoire.
Organisation des puces/Largeur de DRAM
Les composants DRAM ont une structure interne organisée en lignes et en colonnes. L’organisation des puces fait référence à la largeur de colonne d’un composant DRAM. Les largeurs de colonnes DRAM utilisées pour les modules de mémoire sont x16 (« par 16 »), c’est-à-dire 16 colonnes, x8, et x4. Ces largeurs correspondent aux types de modules de mémoire et aux ordinateurs dans lesquels ils peuvent être utilisés. Par exemple, la norme x16 ne peut être utilisée que sur les modules DIMM ou SODIMM utilisés dans les PC ou les ordinateurs portables, tandis que la norme x4 ne peut être utilisée que sur les modules DIMM destinés aux serveurs ou aux stations de travail. Un module de mémoire avec une organisation de puce x4 signifie que toutes les DRAM sur le module ont la même largeur de colonne.
Cryptopuce
Outil matériel qui protège les données sur une clé USB en gardant la gestion de la clé de chiffrement sur l’appareil, où elle peut être protégée. La série de clés USB IronKey utilise des cryptopuces.
Débit de données
Pour la mémoire (RAM), le débit de données est la classe de vitesse d’un module de mémoire (anciennement appelée fréquence). Pour la DDR5, un débit de 4 800 MT/s (mégatransferts par seconde) indique la capacité de transférer 4 800 millions de données par cycle d’horloge et par ligne de données.
DDR / DDR SDRAM
« DDR » est l’acronyme abrégé de Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (mémoire vive dynamique synchrone à double débit de données). La DRAM synchrone transfère les données sur l’horloge du système, tandis que la DDR SDRAM transfère les données sur les fronts montant et descendant de l’horloge, soit deux fois par cycle d’horloge, ce qui double le taux de transfert par rapport à la fréquence. Le terme « DDR » fait également référence à la première génération de modules de mémoire DDR SDRAM qui a fait ses débuts en 1998. Elle a permis d’atteindre des taux de transfert de 200, 266, 333 et enfin 400 MT/s en utilisant seulement 2,5 V par module.
DDR2
La DDR2 est la deuxième génération de DDR SDRAM. Elle consomme moins d’énergie, avec seulement 1,8 V par module, et augmente le taux de transfert de données, en commençant en 2003 à 400 MT/s, pour passer à des vitesse de 533, 667, 800 et enfin 1 066 MT/s.
DDR3
La DDR3 est la troisième génération de DDR SDRAM. Elle est apparue pour la première fois en 2007. Consommant moins d’énergie que la DDR2 (1,5 V par module), la DDR3 a commencé à 800 MT/s, puis a progressé à 1 066, 1 333, 1 600, 1 866 et 2 133 MT/s.
DDR3L
La DDR3L est apparue comme une sous-spécification de la norme JEDEC DDR3. Dotée des mêmes caractéristiques de vitesses et de timings que la DDR3, la DDR3L réduit la tension à 1,35 V, ce qui permet d’économiser la durée de vie des batteries des ordinateurs portables et de réduire la chaleur des serveurs. La mémoire DDR3L est rétrocompatible avec la DDR3 et passe à 1,5 V sur les anciens systèmes ou lorsqu’elle est combinée à des modules DDR3 standard.
DDR4
La DDR4 est la quatrième génération de DDR SDRAM. Elle est apparue en 2014. La DDR4 couvre une gamme de vitesses de 1 600, 1 866, 2 133, 2 400, 2 666, 2 933 et 3 200 MT/s à seulement 1,2 V par module. La DDR4 a introduit des avancées significatives par rapport à la DDR3, en commençant par la forme du module DIMM. Une courbe a été conçue pour le centre inférieur du module DIMM afin d’améliorer l’assise du socket et de durcir le module contre la force d’insertion, laquelle pourrait potentiellement endommager les microcircuits.
DDR5
La DDR5 est la cinquième génération de DDR SDRAM. Elle a été lancée en 2020. La DDR5 offre des vitesses de 3 200, 3 600, 4 000, 4 400, 4 800, 5 200, 5 600, 6 000, 6 400, 6 800 et 7 200 MT/s. La DDR5 a considérablement réduit la consommation d’énergie en tombant à seulement 1,1 V par module et a inclus un circuit intégré de gestion de l’énergie (PMIC) sur le module pour mieux répartir l’énergie là où elle est nécessaire et au moment où elle est nécessaire. Les modules DDR5 ont considérablement gagné en efficacité par rapport aux générations précédentes en doublant les banques et la longueur des burst, en permettant de rafraîchir une seule banque et en divisant le module en deux sous-canaux de 32 bits adressables indépendamment. L’intégrité des données s’est également améliorée grâce à l’incorporation de l’ECC sur puce, capable de corriger les erreurs de bits dans les composants DRAM DDR5 individuels.
Design-In
Le terme Design-In désigne une catégorie de PC/d’appareils non traditionnels, tels que les kiosques, les systèmes de point de vente, la signalisation numérique, les équipements de diagnostic, etc. Kingston fabrique des composants, modules et disques/lecteurs spécifiquement destinés à cette catégorie de matériels informatiques.
Révision de la matrice
Désigne la lettre de désignation d’un composant DRAM d’un fabricant de semi-conducteurs. Ces lettres représentent généralement une densité et une conception spécifiques.
DIMM (Dual In-line Memory Module)
DIMM est l’acronyme de Dual In-Line Memory Module (module de mémoire double en ligne). C’est un type de module qui présente des contacts électriques séparés de chaque côté du module. Cela permet aux données d’être transférées vers et depuis le module de chaque côté indépendamment.
Veuillez consulter nos modules de mémoire DRAM.
Densité de la DRAM
La capacité individuelle d’une puce DRAM est appelée « densité » et se mesure en mégabits ou en gigabitsA>. Plus la densité de la DRAM est élevée, plus la capacité du module de mémoire peut être importante. En général, la densité double d’une génération à l’autre, mais la DDR5 offre une densité intermédiaire de 24 Gbits, également appelée « non binaire ». Vous trouverez ci-dessous les densités courantes pour chaque génération de mémoire :
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM est l’acronyme de Dynamic Random Access Memory (mémoire dynamique à accès aléatoire). C’est le type de technologie RAM le plus communément utilisé aujourd’hui en informatique. Les puces DRAM sont fabriquées à partir de semi-conducteurs, disposés dans une grille de lignes de données avec des condensateurs et des transistors qui peuvent stocker des charges électriques pour représenter les uns et les zéros dans le code informatique.
Deux canaux
Architecture de socket de mémoire où deux modules de mémoire installés de manière identique agrègent leur bande passante pour augmenter les performances du système.
Actualisation dynamique des données
L’actualisation dynamique des données est utilisée pour garantir que, pendant les opérations de lecture seule, les blocs présentant un nombre élevé d’erreurs peuvent être supprimés et actualisés pour une utilisation ultérieure. Lors de chaque commande de lecture, le contrôleur effectue un contrôle en trois étapes sur le bloc cible : la première étape consiste à vérifier la présence d’une marque « need refresh » (actualisation nécessaire). La deuxième étape consiste à vérifier le nombre de bits d’erreur actuellement présents. La troisième étape consiste à vérifier le nombre de tentatives actuellement présentes.
EC4
Désignation JEDEC d’un module de mémoire DDR5 de classe serveur avec une largeur de données de 72 bits/a>.
EC8
Désignation JEDEC d’un module de mémoire DDR5 de classe serveur avec une largeur de 8données de 80 bits.
ECC (Error Correction Code)
L’ECC (Error Correction Code, code de correction d’erreur) est un algorithme qui peut corriger une corruption de données d’un ou plusieurs bits en informatique. Pour la mémoire (RAM), l’ECC est présent dans le contrôleur de mémoire de processeurs de classe serveur ou station de travail. Les modules de mémoire compatibles ECC, qui présentent des composants DRAM supplémentaires pour fournir une largeur de données étendue (ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced), sont nécessaires pour que le contrôleur de mémoire puisse détecter et corriger les erreurs. Pour les DDR3 et DDR4, les modules 72 bits (x72) prennent en charge l’ECC, tandis que pour les DDR5, les modules 72 bits (x72 ou EC4) et 80 bits (x80 ou EC8) prennent tous deux en charge l’ECC.
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
Les modules ECC Unbuffered présentent des composants DRAM supplémentaires pour prendre en charge l’algorithme ECC.
EEPROM
EEPROM est l’acronyme d’Electrically Erasable Programmable Read-only Memory (mémoire morte programmable effaçable électriquement). Il s’agit d’un composant présent dans le module de mémoire qui stocke des informations importantes sur les spécifications du module. La SPD est considérée comme une EEPROM.
FAT
A 'File Allocation Table', (FAT) est un système de fichiers développé pour les disques durs. Elle est utilisée par le système d’exploitation (Operating System, OS) pour gérer les fichiers sur les disques durs et autres systèmes informatiques. Elle est couramment utilisée dans la mémoire flash, les appareils photo numériques et les appareils portables. Elle est utilisée pour stocker les informations des fichiers et prolonger la durée de vie d’un disque dur. En savoir plus sur les systèmes de fichiers.
FIPS (Normes fédérales de traitement de l’information)
Normes et directives pour les systèmes informatiques fédéraux des États-Unis, élaborées par l’Institut national des normes et de la technologie (NIST) conformément à la loi sur la gestion de la sécurité des informations fédérales (FISMA) et approuvées par le Secrétaire au commerce.
FIPS 197
Norme de chiffrement avancée (Advanced Encryption Standard, ou « AES », également connue sous le nom de Rinjdael), une variante d’un chiffrement par blocs développée en Belgique. Elle utilise des clés de 128, 192 ou 256 bits : Le chiffrement AES-128 n’a jamais été craqué par force brute et offre une protection suffisante pour être autorisé à être utilisé avec des données de niveau Secret. C’est le premier et le seul chiffrement disponible publiquement approuvé par l’Agence de sécurité nationale des États-Unis pour les informations Top Secret (chiffrement de 192 bits ou plus).
FIPS 140-2 Niveau 3
Norme gouvernementale commune pour la sécurité informatique, établie en 2019. En plus d’être sécurisés au niveau de la production et de répondre aux exigences d’authentification des rôles et de résistance à l’altération physique, les systèmes qui répondent à cette norme doivent avoir une séparation entre les interfaces par lesquelles les « paramètres critiques pour la sécurité » entre dans le module et le quittent.
Mémoire Flash
La mémoire Flash est non volatile (un type de mémoire qui conserve les données en l’absence d’alimentation électrique). La mémoire Flash se trouve généralement dans des appareils tels que les SSD et les clés USB. On la trouve couramment dans les ordinateurs personnels et les solutions de stockage d’entreprise.
Form Factor
Il s’agit généralement de la taille et de la forme d’un composant électronique, tel qu’un SSD ou une DRAM.
Les SSD courants sont disponibles dans les formats 2,5", M.2, U.2 et mSATA, tels que définis par la Storage Networking Industry Association (SNIA). En savoir plus sur les formats des SSD.
Pour les modules DRAM, les normes industrielles JEDEC définissent les dimensions et les types de connecteurs. Les formats de modules DRAM les plus courants sont DIMM et SODIMM.
Fréquence
Communément appelée vitesse, débit de données ou cycle d’horloge de la RAM.
Garbage Collection
La Garbage Collection (élimination des données inutilisées) est essentielle pour que la mémoire NAND Flash soit durable et conserve sa vitesse. Les produits basés sur la technologie NAND Flash ne peuvent pas écraser les données qui sont déjà présentes. Ils doivent passer par un cycle de programmation/effacement. Pour écrire dans un bloc de données qui est déjà utilisé, un contrôleur NAND Flash copie d’abord toutes les données valides (qui sont encore utilisées) et les écrit dans des pages vides d’un autre bloc, efface toutes les cellules du bloc actuel (données valides et invalides), puis écrit de nouvelles données dans le bloc nouvellement effacé. Ce processus s’appelle Garbage Collection (GC), ou élimination des données inutilisées. En savoir plus.
Modes Gear (engrenage)
Les processeurs Intel (à partir de la 11ème génération) et AMD (Ryzen) de dernière génération sont dotés de modes d’engrenage de la mémoire, à savoir des rapports de vitesse réglables par le BIOS entre le contrôleur de la mémoire du processeur et le module de la mémoire. Gear 1 signifie que les vitesses du contrôleur de mémoire du processeur et du module de mémoire sont égales (1:1) ; c’est le meilleur mode pour les performances avec la meilleure latence. Gear 2 réduit de moitié la vitesse du contrôleur de mémoire du processeur, ce qui permet d’accélérer la vitesse des modules de mémoire, mais au prix d’un léger sacrifice en termes de latence. Gear 4 réduit d’un quart la vitesse du contrôleur de mémoire du processeur, ce qui permet d’obtenir la meilleure vitesse et la meilleure largeur de bande du module, mais au prix d’un sacrifice au niveau de la latence globale. Les modes Gear sont généralement réglés par défaut sur « Auto », ce qui permet au contrôleur de mémoire de s’adapter à la vitesse de la mémoire. Toutefois, ils peuvent également être sélectionnés manuellement dans le BIOS.
Gbps / Gigabits par seconde
Mesure de la largeur de bande en milliards de bits.
Gigabit / Gb / Gbit
1 000³ bits ou 1 000 Mb. Couramment utilisé pour décrire la densité des composants, comme les puces DRAM individuelles.
Gigaoctet / Go
1 000³ octets ou 1 000 Mo. Couramment utilisé pour désigner la capacité de la mémoire ou des SSD.
GT/s
GT/s signifie gigatransferts par seconde.
Dissipateur thermique
Écran métallique fixé aux modules pour dissiper la chaleur.
Mémoire à large bande passante (HBM)
Une nouvelle technologie de mémoire DRAM développée par AMD en 2008 pour répondre à la demande croissante de mémoire hautes performances et hautes capacités pour prendre en charge les GPU, avec des besoins énergétiques moindres. La technologie HBM a été adoptée par le JEDEC en tant que technologie de mémoire standard en 2013, et les sociétés de semi-conducteurs SK Hynix, Samsung et Micron sont en mesure de la produire. Elle a évolué par générations successives au cours de la dernière décennie afin de prendre en charge des capacités de mémoire plus élevées dans un plus grand nombre de couches, des bus de données plus larges et un débit de performance plus élevé : HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E. Outre les cartes graphiques, les composants de mémoire HBM ont trouvé de nouvelles utilisations pour répondre aux besoins de performances élevées des processeurs à intelligence artificielle.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Il s’agit d’une technologie de synchronisation brevetée qui utilise des composants infrarouges sur les modules de mémoire Kingston HyperX et FURY pour aligner les motifs RGB.
Intel®
Intel Corporation. Concepteur et fabricant de plateformes de calcul responsable des processeurs, des chipsets et des GPU, entre autres technologies.
Intel® Xeon®
Ligne de processeurs pour serveurs/ordinateurs de bureau haut de gamme Intel® qui prennent en charge la mémoire ECC et sont dotés d’un nombre élevé de cœurs et d’une large bande passante pour prendre en charge une grande quantité de RAM et de GPU.
Intel® XMP 3.0
La dernière version de XMP pour DDR5 prend en charge jusqu’à cinq profils, trois pour le fabricant de mémoire et deux personnalisables pour l’overclocking manuel par l’utilisateur final.
Certifié Intel® XMP 3.0
Pièce ou kit qui a été soumis(e) avec succès au programme d’autocertification d’Intel.
Certifiée Intel® XMP 3.0
Pièce/kit conforme aux profils d’overclocking Intel XMP 3.0 pour DDR5.
Certifiée Intel® XMP 2.0
Pièce ou kit qui a été soumis(e) avec succès au programme d’autocertification d’Intel.
Compatible Intel® XMP 2.0
Pièce ou kit conforme à la spécification Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC est l’acronyme de Joint Electron Device Engineering Council (Conseil conjoint d’ingénierie des dispositifs électroniques), qui est l’organisme de normalisation de l’industrie pour de nombreuses technologies liées aux semi-conducteurs et à l’informatique. Le JEDEC est un consortium d’acteurs industriels qui collaborent à la définition des normes, la mémoire étant l’une d’entre elles.
Kingston FURY™ Beast
Gamme de produits UDIMM overclockables d’entrée de gamme de Kingston.
Kingston FURY™ Impact
Gamme de produits SODIMM overclockables de Kingston.
Kingston FURY™ Renegade
Gamme de produits UDIMM overclockables hautes performances de Kingston.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Gamme de produits RDIMM DDR5 overclockables hautes performances de Kingston.
Kit
Référence qui inclut plusieurs modules, en général pour une architecture de mémoire à 2, 3 ou 4 canaux. Par exemple, K2 = 2 DIMM dans le kit pour atteindre la capacité totale.
Longueur (mm) x Hauteur (mm) x Largeur (mm)
Mesures en millimètres d’un module, notamment le dissipateur thermique.
LRDIMM/DIMM à charge réduite (Load Reduced DIMM)
Les modules LRDIMM (DIMM Reduced) sont similaires aux modules DIMM Registered (RDIMM). Ils sont dotés de buffers qui réduisent la charge imposée au contrôleur de mémoire qui, sinon, réduirait la vitesse de la mémoire pour compenser. La technologie LRDIMM permet d’utiliser des modules de grande capacité sans sacrifier les performances.
M.2
Format pour les cartes d’extension d’ordinateur montées en interne. Il permet différentes largeurs et longueurs de modules.
Mbps
Mégabits par seconde, débit de données mesurant le nombre de millions de bits par seconde.
MCRDIMM
MCRDIMM est l’acronyme de Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module (module de mémoire double en ligne à rangs combinés avec multiplexeur). Il s’agit d’une conception de module serveur DDR5 soutenue par Intel qui fournit une mémoire hautes performances et hautes capacités pour les plateformes serveur Intel Xeon. D’un concept et d’une conception similaires à ceux des MRDIMM JEDEC DDR5, les MCRDIMM sont capables d’opérer deux rangées simultanément, délivrant simultanément 128 octets de données au processeur. L’augmentation du taux de transfert est rendue possible par l’utilisation de tampons de données multiplexés et d’un pilote d’horloge enregistré multiplexé, ce qui permet d’atteindre des vitesses supérieures à 8 000 MT/s.
MRDIMM
MRDIMM est l’acronyme de Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module. (module de mémoire double en ligne à rangs multiplexés). Il s’agit d’un type de module DDR5 conforme à la norme industrielle JEDEC, destiné à être utilisé dans les environnements de serveurs. Les modules MRDIMM permettent d’augmenter les débits de données (vitesses), la largeur de bande et les capacités par rapport aux modules DIMM enregistrés DDR5 conventionnels, en utilisant des registres spéciaux (MRCD) et des tampons de données (MDB) pour fonctionner à deux fois l’interface hôte, ce qui double effectivement les taux de transfert. Il existe deux principaux formats pour les MRDIMM : Hauteur standard et format élevé (TFF) à 56,9 mm. La vitesse de départ des MRDIMM de première génération est de 8 800 MT/s, et celle de la deuxième génération est de 12 800 MT/s.
Mégaoctets / Mo
1 000² octets ou 1 000 Ko. Couramment utilisé pour désigner la capacité de données de la mémoire, des SSD et des autres appareils Flash.
Mégabits / Mb
1 000² bits ou 1000 Kb. Généralement utilisé pour désigner la densité des composants, tels que la DRAM.
Mémoire
Dispositif, généralement un semi-conducteur, qui stocke les données à utiliser sur un ordinateur ou un autre matériel associé.
Canal de mémoire
Un canal de mémoire est le chemin de transfert des données entre un module de mémoire et un contrôleur de mémoire (généralement situé dans le processeur). La plupart des systèmes informatiques (PC, ordinateurs portables, serveurs) possèdent une fonctionnalité d’architecture de mémoire multicanaux, où les canaux sont combinés pour augmenter les performances de la mémoire. Une architecture de mémoire à double canal signifie que lorsque des modules identiques sont installés par paires, la bande passante effective pour le contrôleur de mémoire est doublée.
Mégahertz / MHz
Le mégahertz est une mesure standard qui correspond à un million de cycles par seconde. Historiquement, il est utilisé pour décrire la fréquence/le débit de données du module de mémoire.
Mégatransfert / MT/s
Le terme mégatransfert désigne un million de transferts par seconde (MT/s). C’est le terme correct utilisé pour décrire le débit de données (vitesse) de tous les modules de mémoire DDR, qui transfèrent les données à deux fois la fréquence. En savoir plus.
Carte microSD
Type de carte mémoire de très petite taille couramment utilisée dans les téléphones mobiles et autres appareils portables. Veuillez consulter notre gamme de cartes microSD.
NAND
Type de mémoire flash, support de stockage électronique non volatile pouvant être effacé et reprogrammé électriquement. NAND est l’abréviation de NOT AND (« NON ET »), une porte logique (moyen de produire une sortie spécifique en électronique numérique).
Empilement de NAND sur un appareil
Pour augmenter la capacité de stockage, un appareil de mémoire non volatile tel qu’une mémoire Flash NAND peut avoir plusieurs piles de puces de mémoire pour former un empilement de matrice de mémoire. L’empilement de puces de mémoire peut être mis en œuvre sous différentes formes, comme DDP (Double-Die Package, empilement de 2 puces), un QDP (Quad-Die Package, empilement de 4 puces), un ODP (Octo-Die Package, empilement de 8 puces), jusqu’à un HDP (empilement de 16 puces). La technologie d’empilement de puces permet d’obtenir une plus grande capacité dans de petits formats tels qu’une clé USB ou des SSD M.2.
Mémoire non binaire
Voir Densité de la DRAM.
Non ECC
Module qui n’a pas la largeur de données (activée par une DRAM supplémentaire) pour prendre en charge l’algorithme ECC.
Mémoire non volatile
La mémoire non volatile est un type de mémoire informatique qui a la capacité de conserver les données enregistrées même si l’alimentation est coupée.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express, une norme d’interface ouverte pour accéder au stockage informatique non-volatile, comme les SSD.
ECC sur puce (ODECC)
L’ECC sur puce (ODECC, « On-Die ECC ») est l’ECC incorporé dans la puce DRAM pour corriger les erreurs de bits avant qu’elles ne soient transmises au module. Pour les mémoires, cette technologie a été introduite avec la DDR5.
PCB
PCB est l’abréviation de Printed Circuit Board (circuit imprimé). Les PCB sont le support sur lequel les puces semi-conductrices sont interconnectées. Les PCB sont généralement multicouches, avec des plans de couches conductrices et isolantes. Chaque couche est gravée avec un motif où des matériaux conducteurs, comme le cuivre, sont utilisés pour connecter les composants semi-conducteurs qui sont montés en surface sur les couches extérieures.
PCI Express® (PCIe®)
'Peripheral Component Interconnect Express' ou (PCIe), norme d’interface pour les composants à haute vitesse comme les GPU ou les SSD.
PCN
Acronyme de Part/Product Change Notice (avis de changement de pièce/produit). Ils est utilisé pour documenter l’annonce d’un nouveau produit, d’une modification du produit, d’un retrait progressif en fin de vie ou d’un arrêt de production.
PMIC
PMIC est l’acronyme de Power Management Integrated Circuit (circuit intégré de gestion de l’énergie). Les PMIC sont généralement utilisés pour gérer l’alimentation de composants spécifiques d’un appareil. Pour la DDR5, un PMIC est inclus dans chaque module.
Plug N Play / PnP
Le terme « Plug and Play » (PnP) peut faire référence à de nombreux types d'appareils informatiques qui ne nécessitent pas de logiciel ou de pilote spécifique pour fonctionner. Pour Kingston, nous utilisons le terme « Plug N Play » pour décrire une méthode pionnière d’overclocking sans avoir à activer de profils. Les modules Kingston FURY avec PnP présentent des timings d’overclocking programmées dans le profil JEDEC par défaut dans la SPD, ce qui force un ordinateur à engager automatiquement les performances les plus élevées.
Protection en cas de coupure de courant
Les coupures de courant sont inévitables et peuvent faire des ravages dans un environnement de travail si le matériel adéquat n’est pas utilisé. La protection en cas de coupure de courant est nécessaire pour éviter la perte de données. Un appareil hôte pris en charge peut envoyer une commande à la carte qui arrêtera toutes ses opérations si elle détecte une coupure de courant. Cela donne à la carte le temps de sauvegarder toutes les données en cours d’écriture au moment de la coupure de courant.
Quadruple canal
Architecture de socket de mémoire où quatre modules de mémoire installés de façon identique agrègent leur bande passante pour augmenter les performances du système.
Quadruple rang
4 rangs, ou Quadruple rang, est le nombre de charges de données de 64 bits par module.
QVL
QVL est l’acronyme de Qualified Vendor List (liste de fournisseurs qualifiés). Les fabricants de PC et de cartes mères listent fréquemment les QVL sur leurs sites d’assistance pour indiquer quels composants, tels que la mémoire et les SSD, ont été testés pour fonctionner avec leurs systèmes.
RAM
La RAM est l’acronyme de Random Access Memory (mémoire à accès aléatoire ou « mémoire vive »). En informatique, la RAM fait généralement référence à la mémoire à court terme entre le stockage (SSD/HDD) et le processeur pour permettre un accès rapide. Aujourd’hui, la mémoire vive est essentiellement volatile, ce qui signifie qu’elle ne conserve pas les informations en cas d’absence d’alimentation.
Rank (Rang)
Un rank est un bloc de données d’une largeur de 64 bits. Le nombre de bits est déterminé par le nombre de banques, et non de puces DRAM (c’est-à-dire que huit puces de x8 puces constituent les 64 bits pour créer un rank). Un module de mémoire peut être construit avec plusieurs ranks, mais les données ne peuvent être accédées que par un rank à la fois.
RAS
RAS est un acronyme qui peut avoir plusieurs significations en informatique. Tout d’abord, RAS peut signifier Row Address Strobe (temps d’accès à une colonne), c’est-à-dire une demande d’activation de rang adressée par le processeur à la RAM. RAS peut également faire référence à « Reliability, Availability and Serviceability » (fiabilité, disponibilité et facilité d’entretien). Il s’agit de caractéristiques du chipset (ECC, DIMM sparing, pas cadencé, mise en miroir, etc.) qui fournissent une redondance améliorée pour la RAM. Les fonctionnalités RAS sont le plus souvent présentes dans les stations de travail et les systèmes de classe serveur.
RDIMM/DIMM enregistré (Registered DIMM)
Module de mémoire de classe serveur doté d’un composant Registre, également connu sous le nom de Registered Clock Driver (RCD), qui agit comme un tampon entre les composants DRAM (mémoire) d’un module (DIMM) et le contrôleur de mémoire (généralement situé dans le CPU). Les registres permettent d’utiliser davantage de composants DRAM sur un module afin d’obtenir des capacités plus élevées, et la plupart des chipsets de serveurs exigent l’utilisation de modules DIMM Registered comme mémoire primaire du système. Le registre gère les signaux de commande et d’adresse de la DRAM sur le module, en utilisant un cycle d’horloge supplémentaire pour synchroniser les données à temps.
Compatible AMD Ryzen™
Programme d’auto-qualification d’AMD pour l’overclocking sur les ordinateurs basés sur AMD Ryzen.
'Register' (registre)
Registre est la version courte de Registered Clock Driver (RCD, pilote d’horologe à registre), qui sert de buffer entre les composants DRAM d’un module et le contrôleur de mémoire. Les registres permettent d’utiliser davantage de composants DRAM sur un module afin d’obtenir des capacités plus élevées. Le registre gère les signaux de commande et d’adresse de la DRAM sur le module, en utilisant un cycle d’horloge supplémentaire pour synchroniser les données à temps.
RGB
RGB est l’acronyme de Red, Green, and Blue (rouge, vert et bleu). Les LED RGB sont utilisées pour créer des motifs d’éclairage. Dans le cas de la mémoire, les DEL RGB font partie intégrante du module et sont placées sous un diffuseur de lumière dans le dissipateur thermique à des fins esthétiques. Veuillez consulter nos produits dotés de la fonction RGB.
SATA
Le SATA, (Serial Advanced Technology Attachment), est une interface de bus informatique qui se connecte aux périphériques de stockage de masse tels que les disques durs et les SSD.
Carte SD
Type de carte mémoire couramment utilisé dans les appareils photo numériques et autres appareils portables. Veuillez consulter notre gamme de cartes SD.
Classe de vitesse SD
L’association SD a établi des normes qui évaluent le transfert de données minimum en fonction des besoins des entreprises qui créent des produits d’enregistrement vidéo nécessitant certaines vitesses d’écriture lors de l’enregistrement de données sur une carte mémoire. La classe de vitesse SD, la classe de vitesse UHS et la classe de vitesse Vidéo ont normalisé cela pour les cartes mémoire et les appareils afin de garantir des vitesses d’écriture minimales et d’offrir les meilleures performances.
SDRAM
SDRAM est l’acronyme de Synchronous DRAM (DRAM synchrone). C’est la principale technologie de mémoire vive pour la plupart des ordinateurs d’aujourd’hui. Cette technologie de mémoire est apparue à la fin des années 1990 et a considérablement amélioré les performances en synchronisant les transferts de données avec l’horloge système.
Server Premier
Server Premier est la ligne de produits de mémoire standard de Kingston pour les modules avec ECC, généralement pour les serveurs et les stations de travail. Ses références commencent par « KSM ». Les pièces Server Premier peuvent être commandées avec tous les composants verrouillés (Full Lock), ou avec seulement la révision de la DRAM verrouillée (DRAM Lock).
SIMM
SIMM est l’acronyme de Single In-Line Memory Module (module de mémoire unique en ligne). Il s’agissait d’un ancien module de mémoire fabriqué en usine. Les SIMM étaient généralement limités à des largeurs de données de 32 bits et ne prenaient pas en charge les accès indépendants aux données de chaque côté des broches du module.
Rangée simple
1 rangée, ou 1R, est le nombre de charges de données de 64 bits par module.
Système encapsulé (System In Package -SIP)
Un système encapsulé (SIP) est une conception utilisée pour emballer plusieurs circuits intégrés (IC) et composants passifs dans un seul boîtier qui peut être empilé en utilisant un boîtier sur un autre. Il est couramment utilisé dans les SSD, les clés USB, les cartes SD, à l’intérieur d’un téléphone portable, etc.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM est l’acronyme de Small Outline DIMM (module DIMM de petite taille). Semblables aux DIMM, les SODIMM sont plus petits et sont principalement utilisés dans les ordinateurs portables et les PC de format réduit.
SPD
SPD est l’acronyme de Serial Presence Detect (détection de présence en série). Une SPD est une EEPROM, une puce sur le module de mémoire qui contient les informations sur ses propres spécifications.
Vitesse
Pour la mémoire, la vitesse fait généralement référence au débit de données du module. Toutes les générations DDR indiquent la vitesse en mégatransferts par seconde (MT/s). La vitesse de la mémoire peut s’écrire de plusieurs façons : DDR5-4800, ou PC5-38400, ou DDR5 4 800 MT/s. La vitesse d’un module peut également être utilisée pour déterminer la largeur de bande effective de ce module, en la multipliant par 8. Par exemple, la DDR5-4800 a une largeur de bande effective de 38 400 Mo/s, soit 38,4 Go/s. Il s’agit du taux de transfert maximal des données circulant sur et hors du module par seconde.
Pour connaître la vitesse des cartes SD et microSD, voir Classe de vitesses SD.
Classe de vitesse (Classe 4, 6, 10)
La SD Association a normalisé la classification de vitesse pour différentes cartes de stockage externes (SD, microSD). Elles sont caractérisées comme « Classe de vitesse » et spécifient les vitesses d’écriture soutenues minimales absolues. Les cartes peuvent être classées en Classe 4 (4 Mo/s), Classe 6 (6 Mo/s) ou Classe 10 (10 Mo/s). En savoir plus
SSD
Lecteur à état solide (Solid State Drive), un appareil de stockage constitué de collections de puces NAND Flash, où les données sont lues et écrites par un contrôleur Flash au lieu d’un actionneur mécanique comme avec les disques durs. En raison de l’absence de pièces mécaniques, les SSD fonctionnent de manière plus fluide et plus efficace que les disques durs. Un autre avantage des SSD par rapport aux disques durs est qu’ils ne sont pas vulnérables aux interférences magnétiques. Veuillez consulter notre gamme de SSD.
Pour connaître la vitesse des cartes SD et microSD, voir Classe de vitesses SD.
Moteur robuste ECC
La mémoire Flash NAND doit maintenir l’intégrité des données lorsque les données passent du PC hôte au stockage NAND, via le contrôleur Flash. Les transferts de données de l’hôte à la carte sont souvent appelés « données en vol » ou « données en transit » avant qu’elles ne soient effectivement écrites sur le stockage NAND Flash. Les contrôleurs Flash intègrent une technologie de correction des erreurs (appelée ECC, code de correction d’erreur) pour détecter et corriger la plupart des erreurs qui peuvent affecter les données le long de ce chemin. Les puces de mémoire Flash intègrent des informations de correction d’erreur supplémentaires avec chaque bloc de données écrites. Ces informations permettent au contrôleur Flash de corriger plusieurs erreurs simultanément lors de la lecture d’un bloc de données. La mémoire Flash NAND, comme les disques durs, rencontrera des erreurs de bits pendant le fonctionnement normal qu’elle corrigera à la volée avec ses données ECC. Si un nombre excessif d’erreurs est détecté dans un bloc de données enregistrées dans un composant NAND, ce bloc est alors marqué comme Mauvais bloc (ou bloc défectueux), mis hors service et remplacé par un bloc de rechange. Pendant ce processus, les données sont corrigées selon les besoins par EEC. L’utilisation de blocs de rechange permet de prolonger la durée de vie et l’endurance des SSD.
En savoir plus sur la détection et la correction des erreurs dans les SSD Kingston.
Sous-canal
Pour la mémoire, le sous-canal fait référence à une caractéristique de conception des modules de mémoire DDR5 qui divise l’adresse de 64 bits en deux segments indépendants de 32 bits afin de gagner en efficacité.
UDIMM/DIMM sans tampon (Unbuffered DIMM)
Module de mémoire (RAM) 64 bits (x64) qui ne comporte pas de registre ni de tampon. Les modules Unbuffered (Unbuffered DIMM) sont traditionnellement utilisés dans les PC/stations de travail/ordinateurs portables.
Classe de vitesse Vidéo UHS-I
Classe de vitesse pour l’enregistrement vidéo. La vitesse d’écriture minimale du support en question est mesurée par une lettre suivie d’un chiffre. Une classe de vitesse V30 a une vitesse d’écriture minimale de 30 Mo/s.
Sans tampon
Le module n’a pas de fonctionnalité de tampon de données, comme un Registre.
U.2
Norme d’interface informatique pour connecter les SSD, conçue pour le marché des entreprises. Se présente généralement sous le format 2,5" et offre plus de stockage que M.2.
UHS-I
Vitesse ultra-rapide I, Ultra-High Speed - I (UHS-I), est une classe de vitesse pour les cartes mémoire SDHC et SDXC. UHS-I a une vitesse d’interface de bus allant jusqu’à 104 Mo/s.
UHS-II
Vitesse ultra-rapide II, Ultra-High Speed - II (UHS-II) est une classe de vitesse pour les cartes mémoire SDHC et SDXC. UHS-II a une vitesse d’interface de bus allant jusqu’à 312 Mo/s. La différence avec la première version (UHS-I), est l’ajout de la deuxième rangée de broches, qui utilise la technologie LVDS (Signalisation différentielle basse tension, Low Voltage Differential Signaling) pour permettre des taux de transfert plus élevés.
Classe de vitesse UHS (U1, U3)
UHS (Ultra High Speed, Vitesse ultra-rapide) spécifie la performance d’écriture soutenue minimale pour l’enregistrement vidéo. Il existe deux classes de vitesse UHS créées par la SD Association, UHS 1 et UHS 3. UHS 1 prend en charge une vitesse d’écriture minimale de 10 Mo/s et UHS 3 prend en charge une vitesse d’écriture minimale de 30 Mo/s. Les classes de vitesse UHS sont généralement identifiées par un 1 ou un 3 à l’intérieur d’un symbole U. En savoir plus.
USB
Le bus série universel (Universal Serial Bus, USB) est une interface standard qui permet la connexion entre les périphériques et un contrôleur hôte tel qu’un ordinateur personnel (PC) ou un smartphone. Il peut être utilisé pour connecter des périphériques tels que des appareils photo numériques, des souris, des claviers, des imprimantes, des scanners, des appareils multimédia, des disques durs externes et des clés USB.
USB 3.2 Gen 1 (5 Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
La différence entre ces normes USB réside dans les capacités de vitesse de transfert des données. USB 3.2 Gen 1 prend en charge des vitesses allant jusqu’à 5 Gbps, USB 3.2 Gen 2 prend en charge des vitesses allant jusqu’à 10 Gbps, USB 3.2 Gen 2x2 prend en charge des vitesses allant jusqu’à 20 Gbps et USB 4 prend en charge des vitesses allant jusqu’à 40 Gbps. En savoir plus.
Classe de vitesse Vidéo (V10, V30, V60, V90)
La classe de vitesse vidéo a été créée par la SD Association pour classer les cartes qui peuvent fonctionner avec des résolutions vidéo et des fonctionnalités d’enregistrement plus élevées. Cette classe de vitesse garantit une performance minimale soutenue pour l’enregistrement vidéo. Elle comprend V6, V10, V30, V60 et V90. La classe de vitesse V90 signifie que la vitesse d’écriture minimale de la carte mémoire doit être de 90 Mo/s, V30 est de 30 Mo/s, et ainsi de suite. En savoir plus.
ValueRAM
Gamme de produits de mémoire standard de Kingston pour les modules DIMM et SODIMM de classe non ECC, traditionnellement utilisés dans les ordinateurs de bureau et les ordinateurs portables à marque blanche.
VLP
VLP (Very Low Profile,) fait référence à une classification JEDEC de la hauteur des modules de mémoire à utiliser dans les systèmes à profil mince. Pour les DDR3 et DDR4, les UDIMM VLP et les RDIMM VLP ont une hauteur spécifiée de 18,75 mm. Les modules DIMM à profil standard DDR3 (30 mm) et DDR4/DDR5 (31,25 mm) sont considérés comme des modules « bas profil ».
Répartition de l’usure
Les appareils de stockage Flash Kingston intègrent des contrôleurs qui utilisent une technologie avancée de nivellement de l’usure pour répartir uniformément le nombre de cycles P/E (programme/effacement) sur la mémoire Flash. Le nivellement de l’usure prolonge la durée de vie utile des cartes mémoire Flash.
x16
Pour la mémoire, x16 désigne la largeur de données d’une puce DRAM (x16 étant une largeur de 16 bits). Les DRAM x16 sont utilisées sur les UDIMM et les SODIMM et sont limitées aux ordinateurs de bureau et aux ordinateurs portables dont les processeurs prennent en charge ce type de DRAM.
x4
Pour la mémoire, x4 désigne la largeur de données d’une puce DRAM (x4 étant une largeur de 4 bits). Les puces DRAM x4 sont principalement utilisées sur les RDIMM et les LRDIMM, et les modules dotés de ces puces peuvent prendre en charge la détection et la correction d’erreurs ECC sur plusieurs bits.
x64
Pour la mémoire, x64 signifie 64 bits. Il s’agit de la largeur totale nécessaire pour compléter un rank.
x72
Pour la mémoire, x72 signifie 72 bits. Cela indique un module avec une adresse de 64 bits plus 8 bits pour prendre en charge l’ECC. x72 est la largeur du module pour les RDIMM, les UDIMM ECC, les SODIMM ECC et les LRDIMM pour les modules DDR3, DDR4 et certains modules DDR5. Les modules DDR5 x72 sont également appelés EC4.
x8
Pour la mémoire, x8 désigne la largeur de données d’une puce DRAM (x8 étant une largeur de 8 bits). Les DRAM x8 sont utilisées sur tous les types de modules de mémoire, notamment les RDIMM.
x80
Pour la mémoire, x80 signifie 80 bits. C’est spécifique à un module de type DDR5 EC8. Les modules DDR5 présentent deux sous-canaux indépendants de 32 bits, qui peuvent chacun avoir 8 bits supplémentaires pour prendre en charge l’ECC, pour un total de 40 bits. Les deux combinés représentent un total de 80 bits par rank.
XMP
Profil de mémoire Intel Extreme, timings préprogrammés sur les modules d’overclocking. En savoir plus.
XTS-AES
Norme de chiffrement avancée. D’un point de vue fonctionnel, il s’agit d’un chiffrement par blocs modifiable pour les unités de données de 128 bits ou plus, utilisant le chiffrement par blocs AES comme sous-routine. Il s’agit d’une forme de chiffrement hautement sécurisée utilisée par de nombreuses organisations, tant administratives que d’entreprise.