1R (1 rango o rango único)
Una anchura de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
2R (2 rangos, rango doble)
Dos anchuras de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
4R (4 rangos, rango cuádruple)
Cuatro anchuras de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
8R (8 rangos, óctuple rango)
Ocho anchuras de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
AMD
Advanced Micro Devices, una empresa que desarrolla procesadores, conjuntos de chips, procesadores gráficos y productos afines.
AMD EPYC™
Marca de procesadores de servidor de AMD.
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking, Perfiles extendidos para sobreaceleración de AMD. Los módulos de memoria con AMD EXPO se caracterizan por velocidades, secuencias y tensiones específicas optimizadas para sistemas AMD.
AMD Ryzen™
Marca de CPU para ordenadores portátiles y de sobremesa de AMD.
ARGB
ARGB significa RGB configurable (en inglés, «addressable RGB») y se trata de una forma avanzada de iluminación que permite personalizar y controlar cada LED individual. Podrás proyectar muchos colores simultáneamente y utilizar impresionantes efectos luminosos, como rebote, respiración y arcoíris.
AES (Advanced Encryption Standard, Norma de cifrado avanzado)
Véase FIPS. Un cifrado de bloques para encriptar datos electrónicos sensibles empleado desde 2002 por el gobierno de EE.UU. bajo el nombre de FIPS 197.
Actualización automática de protección de distribución de lectura
La función de actualización automática lee todos los datos de las áreas de la memoria Flash, incluyendo aquellas que son leídas con poca frecuencia y, de ser necesario, ejecuta una corrección automática de errores para evitar las pérdidas de datos provocadas por errores de perturbación, errores de retención y otros errores. La función de actualización automática se ejecuta en segundo plano. De este modo, apenas provoca retrasos en las respuestas a comandos, incluso durante el proceso de corrección.
Gestión de bloques erróneos
Los bloques erróneos pueden contener uno o más bits que hayan perdido fiabilidad. Los bloques erróneos aparecen durante el proceso de fabricación (Bloques erróneos tempranos), o bien en el transcurso de la vida útil de la tarjeta (Bloques erróneos tardíos). Ambas modalidades son inevitables, lo cual convierte a la Gestión de bloques erróneos en una herramienta imprescindible para gestionar errores en los dispositivos Flash NAND. La Gestión de bloques erróneos identificará y marcará los bloques erróneos y, a continuación, utilizará la capacidad adicional liberada para sustituir los bloques no válidos. Impedirá que se sigan escribiendo datos en los bloques erróneos, lo cual refuerza la fiabilidad del producto. Si los bloques erróneos contienen datos, estos serán transferidos a un bloque válido para evitar su pérdida.
Obtenga más información sobre cómo está relacionada la gestión de bloques erróneos con los discos SSD de Kingston, eMMC y las tarjetas SD o microSD industriales.
Banco
En informática, un banco de memoria puede hacer referencia a diferentes cosas. En primer lugar, hace referencia a una matriz independiente de líneas de datos dentro de un chip de DRAM, en la cual se almacena temporalmente la información. Cuando el controlador de memoria accede a un banco, lo hace simultáneamente en el mismo punto de todos los chips de un rango. Un segundo significado de banco podría hacer referencia a una agrupación de conectores de memoria multicanal en una placa base.
bit
Abreviatura de “dígito binario”, es la medida de datos más básica en informática, representada como 0 o 1 / activado o desactivado.
Byte
Ocho bits equivalen a un byte. Se trata de una unidad de medida para almacenar información, como por ejemplo un carácter de texto. Las combinaciones de bits y bytes constituyen el lenguaje fundacional de la informática.
Fuerza bruta
Un ciberataque no sofisticado, que intenta descifrar una contraseña o una clave criptográfica intentando todas las soluciones posibles.
CAMM
CAMM significa módulo de memoria adjunta por compresión, y es un tipo de módulo DRAM patentado desarrollado por Dell para su uso en sus portátiles ultraligeros.
CAMM2
CAMM2 es un tipo de módulo estándar de la industria de JEDEC introducido por Dell basado en su concepto de CAMM original. Dell presentó su diseño CAMM a JEDEC en 2022, lo que permitió a los miembros del comité de normas de JEDEC contribuir o crear nuevos diseños para que los usara cualquier persona de la industria. En lugar de utilizar patillas/cables en el borde inferior del módulo para conectarlo a un zócalo, los módulos CAMM2 incluyen un conector de compresión en la parte posterior del módulo que presiona contra la placa base. Los módulos CAMM2 se fijan utilizando tornillos. JEDEC admite dos tipos de memorias DRAM para CAMM2: DDR5 CAMM2 y LPDDR5 CAMM2. El DDR5 CAMM2 utiliza componentes DDR5 DRAM con diseños que admiten capacidades de 8 GB a 128 GB, canales de memoria única y doble, PMIC de fase única y doble y controladores de reloj. El LPDDR5 CAMM2 (también conocido como LPCAMM2) utiliza componentes de DRAM de LPDDR5, lo que ofrece una opción de menor potencia para sistemas móviles o de factor de forma pequeño. Los tipos de módulos DDR5 CAMM2 y LPDDR5 CAMM2 no son intercambiables en un sistema y utilizan diferentes pinouts cuando se conectan a una placa base.
Capacidad
Número total de células de memoria de datos disponibles en un módulo, expresado en Gigabytes (GB). En el caso de los kits, la capacidad indicada indica la capacidad combinada de todos los módulos del kit.
Latencia CAS / CL
CAS es el acrónimo, en inglés, de Column Address Strobe (Estroboscopio de dirección de columna), y Latencia CAS (CL) es el tiempo que tarda un ciclo de reloj en encontrar una fila abierta de memoria necesaria para acceder . (por ejemplo, CL32, CL40).
CSODIMM
CSODIMM es el acrónimo, en inglés, de Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module (Módulo de memoria en línea doble de contorno pequeño con reloj). A partir de 6400 MT/s DDR5, los estándares de la industria de JEDEC requieren la inclusión de un componente de controlador de reloj de cliente (CKD) en los SODIMM. El controlador de reloj de cliente amortigua la señal de reloj entre el controlador de memoria (integrado en la CPU) y la DRAM, lo que mejora la integridad y la estabilidad de la señal y permite mayores velocidades.
CUDIMM
CUDIMM es el acrónimo, en inglés, de Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module (Módulo de memoria en línea doble sin búfer con reloj). A partir de 6400 MT/s DDR5, los estándares de la industria de JEDEC requieren la inclusión de un componente de controlador de reloj de cliente (CKD) en los UDIMM. El controlador de reloj de cliente amortigua la señal de reloj entre el controlador de memoria (integrado en la CPU) y la DRAM, lo que mejora la integridad y la estabilidad de la señal y permite mayores velocidades.
Canal
En el caso de los discos SSD, por «canal» se entiende el número de chips Flash con los que el controlador puede interactuar simultáneamente. Normalmente, los discos SSD básicos/corrientes tienen 2 o 4 canales, en tanto que los SSD de mayor rendimiento suelen tener 8, hasta llegar a los 16 de los SSD de centros de datos.
Para consultar la definición de los canales relacionados con la memoria, consulte «Canal de memoria».
Disposición de chips o anchura de la DRAM
Los componentes DRAM tienen una estructura interna dispuesta en filas y columnas. La disposición de chips hace referencia a la anchura de columna de un componente DRAM. Las anchuras de columna de la DRAM utilizadas en los módulos de memoria son x16 («por 16»), es decir, 16 columnas, x8 y x4. Estas anchuras corresponden a los tipos de módulos de memoria y ordenadores en los que se pueden utilizar. Por ejemplo, ×16 solo se puede utilizar en módulos DIMM o SODIMM de PC u ordenadores portátiles, mientras que ×4 únicamente se puede utilizar en módulos DIMM para servidores o estaciones de trabajo. Que un módulo de memoria tenga una disposición de chips de ×4 quiere decir que todas las DRAM del módulo tienen la misma anchura de columna.
Cryptochip
Una herramienta de hardware que protege los datos de una unidad USB encargándose de la administración de claves de cifrado del dispositivo, donde pueden estar protegidas. La serie IronKey de unidades Flash utiliza criptochips.
Velocidad de transferencia de datos
Para la memoria (RAM), la velocidad de datos es la clase de velocidad de un módulo de memoria (anteriormente denominada frecuencia). Para DDR5, una velocidad de datos de módulo de 4800 MT/s (megatransferencias por segundo) indica la capacidad de transferir 4800 millones de transferencias de datos por ciclo de reloj por línea de datos.
DDR / Double Data Rate / SDRAM DDR
“DDR” es la abreviatura, en inglés, de Double Data Rate (Doble velocidad de datos, y SDRAM significa Synchronous Dynamic Random Access Memory (Memoria dinámica síncrona de acceso aleatorio ) La DRAM síncrona transfiere datos en el reloj del sistema, en tanto que la SDRAM DDR transfiere datos tanto en el borde ascendente como en el descendente del reloj (es decir, dos veces por ciclo de reloj), duplicando la velocidad de transferencia en comparación con la frecuencia. Además, “DDR” hace referencia a la primera generación de módulos de memoria SDRAM DDR que debutó en 1998, y que abarcaba velocidades de transferencia de 200, 266, 333 y 400 MT/s durante su vida útil, consumiendo solamente 2,5 V por módulo.
DDR2
DDR2 es la segunda generación de SDRAM DDR. Consumía menos energía (solamente 1,8 V por módulo) y su velocidad de transferencia de datos era mayor. Empezó en 2003 a 400 MT/s, con incrementos de velocidad de hasta 533, 667, 800 y 1066 MT/s durante su vida útil de servicio.
DDR3
DDR3 es la tercera generación de SDRAM DDR y surgió en 2007. DDR3, que consumía menos electricidad que DDR2 (1,5 V por módulo) empezó desde 800 MT/s y fue progresando hasta 1066, 1333, 1600, 1866 y 2133 MT/s.
DDR3L
DDR3L surgió como subespecificación dentro de la norma JEDEC DDR3. Con las mismas velocidades y secuencias que DDR3, DDR3L reducía su consumo eléctrico hasta 1,35 V, con el consiguiente ahorro de batería en los portátiles y reduciendo el calor en los servidores. Las memorias DDR3L son retrocompatibles con DDR3, y se ajustan a 1,5 V en los sistemas anteriores o cuando se las combina con módulos DDR3 estándar.
DDR4
DDR4 es la cuarta generación de SDRAM DDR, y vio la luz en 2014. DDR4 incorporaba un rango de velocidades de 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 y 3200 MT/s, consumiendo solamente 1,2 V por módulo. DDR4 supuso significativos avances con respecto a DDR3, empezando por la forma del módulo DIMM. Se diseñó una curva desde el centro inferior del DIMM para mejorar el asiento del conector y para reforzar el módulo contra inserciones forzadas, susceptibles de dañar los microcircuitos.
DDR5
DDR5 es la quinta generación de SDRAM DDR y se lanzó en 2020. DDR5 se caracteriza por intervalos de velocidades de 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 y 7200 MT/s. DDR5 redujo significativamente el consumo eléctrico (hasta solamente 1,1 V por módulo) e incorporó en el módulo un circuito integrado de administración de energía (PMIC) para distribuir mejor la alimentación donde y cuando fuese necesaria. Los módulos DDR5 mejoraron enormemente su eficiencia con respecto a las generaciones anteriores mediante la duplicación de bancos y de longitudes de ráfaga, lo cual permite las mismas actualizaciones de banco, y dividiendo el módulo en dos subcanales de 32 bits direccionables de manera independiente. También la integridad de datos experimentó una mejora mediante la incorporación del ECC (Código de corrección de errores) interno, capaz de corregir errores de bits dentro de los componentes individuales de la DRAM DDR5.
Design-In
Design-in hace referencia a una categoría de PC/dispositivos no tradicionales, como quioscos, sistemas de POS (puntos de ventas), señalización digital, equipos diagnósticos, etc. Kingston fabrica componentes discretos, módulos y unidades específicamente para esta categoría de informática.
Revisión de troqueles
Hace referencia a la letra de denominación de un componente DRAM de un fabricante de semiconductores. Por lo general, estas letras representan una densidad y un diseño específicos.
DIMM / Dual In-line Memory Module
DIMM es el acrónimo de Dual In-Line Memory Module (Módulo de memoria dual en línea), un tipo de módulo que tiene contactos eléctricos separados a cada uno de sus lados. Esto permite la transferencia de datos hacia y desde el módulo en cada lado de manera independiente.
Consulte nuestros módulos de memoria DRAM.
Densidad de DRAM
La capacidad individual de un chip de DRAM se denomina «densidad» y se mide en megabits o gigabits. Cuanto mayor sea la densidad de la DRAM, más capacidad podrá tener el módulo de memoria. La densidad se suele duplica de una generación a otra, aunque con el DDR5 existe una densidad intermedia de 24Gbit, también conocida como «no binaria». A continuación, se muestran las densidades más comunes que presenta cada generación de memoria:
DRAM / Dynamic Random Access Memory
DRAM es el acrónimo de Dynamic Random Access Memory (Memoria dinámica de acceso aleatorio), el tipo de tecnología DRAM más utilizado hoy en día en la informática. Los chips de DRAM están elaborados con semiconductores, instalados en una rejilla de líneas de datos con condensadores y transistores, capaces de almacenar cargas eléctricas que representan a los unos y a los ceros en código informático.
Doble canal
Arquitectura de conector de memoria, en la cual dos módulos de memoria idénticos instalados suman su anchura de banda para mejorar el rendimiento del sistema.
Actualización dinámica de datos
La Actualización dinámica de datos se utiliza para garantizar que, durante las operaciones de sólo lectura, sea posible retirar los bloques con un alto número de errores y actualizarlos para ulteriores usos. Durante cada comando de lectura, el controlador realizará una comprobación de tres fases en el bloque objetivo: la primera fase consiste en comprobar la existencia de una marca indicadora de “necesita actualizar” La segunda fase consiste en verificar el número de bits de errores actualmente presentes. Y la tercera fase es comprobar el número de reintentos actualmente presentes.
EC4
Denominación JEDEC para un módulo de memoria DDR5 de grado de servidor que tiene una anchura de datos de 72bits.
EC8
Denominación JEDEC para un módulo de memoria DDR5 de grado de servidor que tiene una anchura de datos de 80bits.
ECC / Error Correction Code (Código de corrección de errores)
Error Correction Code (Código de corrección de errores) hace referencia a un algoritmo capaz de detectar y corregir errores de datos de uno o de varios bits. En las memorias RAM, el controlador de memoria de los procesadores de servidores o estaciones de trabajo incorpora un ECC. Los módulos de memoria con ECC, que incluyen componentes de DRAM adicionales para ampliar la anchura de datos (ECC sin búfer, ECC registrado, Carga reducida) son necesarios para que el controlador de memoria ejecute la detección de errores y la corrección de los mismos. Para DDR3 y DDR4, los módulos de 72 bits (x72) admiten ECC, mientras que para DDR5, tanto los de 72 bits (x72 o EC4) como los de 80 bits (x80 o EC8) admiten ECC.
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
Los módulos con ECC sin búfer incluyen componentes de DRAM adicionales a efectos de admitir el algoritmo de ECC.
EEPROM
EEPROM es el acrónimo de Electrically Erasable Programmable Read-only Memory (Memoria programable y eléctricamente borrable de sólo lectura). Se trata de un componente incorporado al módulo de memoria que guarda información importante acerca de las especificaciones del módulo. La SPD se considera una EEPROM.
FAT
Una tabla de asignación de archivos (FAT) es un sistema de archivos desarrollado para discos duros. Lo utiliza el sistema operativo (SO) para administrar archivos de discos duros y otros sistemas informáticos. Normalmente los emplean las memorias Flash, las cámaras digitales y los dispositivos portátiles. Se emplea para almacenar información de los archivos y prolongar la vida útil de un disco duro. Más información sobre los sistemas de archivos.
FIPS (Federal Information Processing Standards, Normas federales de procesamiento de información)
Normas y directrices para sistemas informáticos federales de EE.UU., desarrolladas por el National Institute of Standards and Technology (NIST, Instituto Nacional de Normas y Tecnología), a tenor de la Federal Information Security Management Act (FISMA, Ley Federal de Administración de Seguridad de la Información), aprobadas por la Secretaría de Comercio.
FIPS 197
Norma de cifrado avanzado (conocida también como Rinjdael), una variante de cifrado de bloques desarrollada en Bélgica. Utiliza claves de 128, 192 o 256 bits: AES-128 nunca ha sido descifrada por ataques de fuerza bruta, y está lo suficientemente protegida como para ser admitida para su uso en datos secretos. Es el primer y único cifrado públicamente accesible aprobado por la NSA (Agencia de Seguridad Nacional) de EE.UU. para información Altamente secreta (cifrado de 129 bits o superior).
FIPS 140-2 Nivel 3
Una norma de seguridad informática gubernamental común, establecida en 2019. Además de tener un nivel de protección de grado industrial y de cumplir los requisitos para autenticación de roles y resistencia a la manipulación física, los sistemas compatibles con esta norma deben tener una separación entre las interfaces a las que el sistema introduce “parámetros de seguridad críticos”.
Memoria Flash
La memoria Flash es un tipo de memoria no volátil que retiene los datos en ausencia de alimentación eléctrica. Normalmente la encontramos en dispositivos tales como discos de estado sólido (SSD) y unidades Flash USB. Por ello va incorporada a ordenadores personales avanzados y a soluciones de almacenamiento de grado empresarial.
Factor de forma
Por lo general, se refiere al tamaño y la forma de un componente electrónico, como un disco SSD o una DRAM.
Habitualmente, los discos SSD están disponibles en factores de forma de 2,5", M.2, U.2 y mSATA, según la definición de la asociación de la industria de redes de almacenamiento (SNIA, Storage Networking Industry Association). Obtenga más información sobre los factores de forma de los discos SSD.
En el caso de los módulos DRAM, el organismo normativo del sector JEDEC define las dimensiones y los tipos de conectores de los módulos DRAM. Los factores de forma más comunes entre los módulos DRAM son DIMM y SODIMM.
Frecuencia
Por lo general, hace referencia a la velocidad, velocidad de datos o ciclo del reloj de una DRAM.
Recogida de residuos
La Recogida de residuos es fundamental para que la memoria Flash NAND prolongue su vida útil y mantenga su velocidad. Los dispositivos basados en memoria flash NAND no pueden sobrescribir datos que ya estén ahí. Tienen que pasar por un ciclo de programación/borrado. Para escribir en un bloque de datos que ya se esté utilizando, un controlador de Flash NAND, primero copiaría todos los datos válidos (que aún estén en uso) y escribirlos en páginas vacías de otro bloque, borrar todas las celdas del bloque actual (tanto los datos que son válidos como los que no) y, por último, comenzar a escribir nuevos datos en el bloque que se acaba de borrar. Este proceso se denomina "recolección de elementos no utilizados". Más información.
Modos de sincronización
Los procesadores de generaciones más recientes de Intel (11ª generación en adelante) y AMD (Ryzen) incluyen modos de sincronización de memoria, que son relaciones de velocidad ajustables en la BIOS entre el controlador de memoria del procesador y el módulo de memoria. En el modo 1, la velocidad del controlador de memoria del procesador y el módulo de memoria es la misma (1:1). Es el modo más adecuado para obtener rendimiento con la mejor latencia. El modo 2 reduce la velocidad del controlador de memoria del procesador a la mitad, lo cual mejora la velocidad del módulo de memoria a costa de sacrificar levemente la latencia. El modo 4 reduce en un cuarto la velocidad del controlador de memoria, lo que ofrece la mejor velocidad y anchura de banda del módulo a costa de sacrificar la latencia globalmente. Los modos de sincronización están configurados de forma predeterminada en «Auto», lo cual permite que el controlador de memoria se ajuste en función de la velocidad de memoria. No obstante, también se pueden seleccionar manualmente en la BIOS.
Gbps / Gigabits por segundo
Una medida de anchura de banda en miles de millones de bits.
Gigabit / Gb / Gbit
1000³ bits, o 1000 Mb. Se emplea para describir la densidad de los componentes, como los chips de DRAM individuales.
Gigabyte / GB / GByte
1000³ bytes, o 1000 MB. Suele utilizarse para hacer referencia a la capacidad de una memoria o de un disco SSD.
GT/s
GT/s significa gigatransferencias por segundo.
Disipador térmico
Escudo metálico unido a los módulos para disipar el calor.
Memoria de alto ancho de banda (HBM)
Una nueva tecnología de memoria DRAM desarrollada por AMD en 2008 para abordar la creciente demanda de memoria de alto rendimiento y alta capacidad para admitir GPU, con menores requisitos de energía. JEDEC adoptó la HBM como una tecnología de memoria estándar de la industria en 2013, y las empresas de semiconductores de memoria SK Hynix, Samsung y Micron pudieron producirla. Ha evolucionado a través de generaciones sucesivas durante la última década para aumentar la compatibilidad con mayores capacidades de memoria en más capas, buses de datos más amplios y mayor rendimiento: HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E. Además de las tarjetas gráficas, los componentes de memoria de HBM han encontrado nuevos usos que respaldan las necesidades de alto rendimiento de los procesadores de IA.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync, Tecnología de sincronización por infrarrojos
Una tecnología de sincronización patentada que utiliza componentes infrarrojos en los módulos de memoria Kingston HyperX y FURY con el objeto de alinear los patrones de RGB.
Intel®
Intel Corporation. Diseñador y fabricante de plataformas informáticas, responsable de CPU, conjuntos de chips y GPU, entre otras tecnologías.
Intel® Xeon®
Línea de CPU para servidores/ordenadores de sobremesa de alta gama de Intel® que incorporan soporte para memorias con ECC, elevado número y amplia anchura de banda, compatible con un gran número de RAM y GPU.
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles, Perfiles de memoria extremos es una especificación de Intel para permitir que los proveedores de memorias y placas base configuren perfiles de sobreaceleración (DDR3 y DDR4), que facilitan que el usuario final sobreacelere su equipo.
Intel® XMP 3.0
La versión más reciente de XMP para DDR5, que admite hasta cinco perfiles: tres para el fabricante de la memoria y dos personalizables para la sobreaceleración manual de parte del usuario final.
Homologación Intel® XMP 3.0
Una pieza o un kit que se ha sometido al programa de Autohomologación de Intel y lo ha aprobado.
Preparado para Intel® XMP 3.0
Una pieza o un kit compatible con la especificación de Intel® XMP 3.0.
Homologación Intel® XMP 2.0
Una pieza o un kit que se ha sometido al programa de Autohomologación de Intel y lo ha aprobado.
Preparado para Intel® XMP 2.0
Una pieza o un kit compatible con la especificación de Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC es el acrónimo del Joint Electron Device Engineering Council (Consejo Conjunto de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos), el organismo normativo del sector para muchas tecnologías vinculadas con semiconductores y ordenadores. JEDEC es un consorcio de entidades del sector que colaboran para establecer normas, siendo las memorias algunas de ellas.
Kingston FURY™ Beast
Línea de productos UDIMM sobreacelerables de nivel básico de Kingston.
Kingston FURY™ Impact
Línea de productos UDIMM sobreacelerables de Kingston.
Kingston FURY™ Renegade
Línea de productos UDIMM sobreacelerables de alto rendimiento de Kingston.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Línea de productos DDR5 RDIMM sobreacelerables de alto rendimiento de Kingston.
Kit
Un número de referencia que incluye múltiples módulos de memoria, normalmente como parte de una arquitectura de memoria de doble, triple o cuádruple canal. Por ejemplo, K2 significa 2 DIMM en el paquete, equivalentes a la capacidad total.
Longitud (mm) x altura (mm) x Anchura (mm)
Medidas, en milímetros, de un módulo (incluyendo el disipador térmico).
Load Reduced DIMM / DIMM de carga reducida / LRDIMM
Similares a los DIMM registrados (RDIMM), los módulos LRDIMM incorporan búferes de datos para reducir las cargas sobre el controlador de la memoria que, de lo contrario, tendría que disminuir las velocidades de la memoria para compensar. La tecnología LRDIMM posibilita módulos de elevada capacidad sin sacrificar el rendimiento.
M.2
Un factor de forma para las tarjetas de expansión montadas internamente en un ordenador. Admite módulos de diferentes anchuras y longitudes.
Mbps
Megabits por segundo; velocidad de datos que mide millones de bits por segundo.
MCRDIMM
MCRDIMM es el acrónimo, en inglés, de Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module (Módulo de memoria en línea doble de rangos combinados multiplexor). Se trata de un diseño de módulo de servidor DDR5 respaldado por Intel que proporciona un alto rendimiento y una alta capacidad de memoria para las plataformas de servidores Intel Xeon. El MCRDIMM, similar en concepto y diseño al JEDEC DDR5 MRDIMM, es capaz de operar dos rangos simultáneamente y ofrecer 128 bytes de datos al procesador a la vez. El aumento de la velocidad de transferencia se habilita mediante el uso de búferes de datos multiplexados y un controlador de reloj registrado de multiplexación, logrando velocidades superiores a 8000 MT/s.
MRDIMM
MRDIMM es el acrónimo, en inglés, de Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module (Módulo de memoria en línea doble de rango multiplexor). Se trata de un tipo de módulo DDR5 estándar del sector JEDEC destinado a su uso en entornos de servidor. Los módulos MRDIMM permiten aumentar la velocidad de transmisión de datos, el ancho de banda y la capacidad en comparación con los módulos DDR5 registrados convencionales, ya que utilizan registros especiales (MRCD) y búferes de datos (MDB) para funcionar al doble de la interfaz de host, lo que duplica la velocidad de transferencia. Existen dos factores de forma principales para los MRDIMM: Altura estándar y factor de forma alto (TFF) de 56,9 mm. La velocidad inicial de la primera generación de MRDIMM es de 8800 MT/s y la de la segunda, de 12 800 MT/s.
Megabytes / MB
1000² bytes, o 1000 KB. Suele emplearse para referirse a la capacidad de datos de las memorias, los discos SSD y otros dispositivos Flash.
Megabits / Mb
1000² bits, o 1000 Kb. Suele utilizarse para referirse a la densidad de los componentes, como las DRAM.
Memoria
Un dispositivo, normalmente un semiconductor, que almacena los datos necesarios para su uso en un ordenador u otro hardware relacionado.
Canal de memoria
Un canal de memoria es la ruta para la transferencia de datos entre un módulo de memoria y un controlador de memoria (que normalmente va instalado en el procesador). La mayoría de los sistemas informáticos (PC, portátiles, servidores) incorporan una arquitectura de memoria multicanal, en la cual los canales se combinan para incrementar el rendimiento de la memoria. Una arquitectura de memoria de doble canal denotaría que, habiendo instalados módulos idénticos como pares, la anchura de banda del controlador de canal se duplica.
Megahercio / MHz
El megahercio es una medida estándar para un millón de ciclos por segundo. Históricamente, se ha empleado para describir la frecuencia/velocidad de datos del módulo de memoria.
Megatransferencias / MT/s
Una megatransferencia es un millón de transferencias por segundos (MT/s), y es el término correcto empleado para describir la velocidad de datos de todos los módulos de memoria DDR, que transfieren datos al doble de la frecuencia. Más información
Tarjeta microSD
Un tipo de tarjeta de memoria muy pequeña, normalmente utilizada en teléfonos móviles y otros dispositivos portátiles. Consulte nuestra línea de productos de tarjetas microSD.
NAND
Un tipo de memoria Flash, un soporte electrónico de almacenamiento no volátil que puede ser borrado y reprogramado eléctricamente. NAND significa NOT AND (NO Y), una puerta lógica (medio de producir un resultado específico en dispositivos electrónicos digitales).
Apilamiento de dispositivos NAND
Para incrementar la capacidad de memoria, un dispositivo de memoria no volátil (como una memoria Flash NAND) puede tener múltiples pilas de circuitos integrados de memoria (es decir, chips) para conformar un paquete de circuitos integrados de memoria. Este paquete de circuitos integrados de memoria puede implementarse de varias maneras, desde DDP (Paquete de circuitos integrados dobles), QDP (Paquete de circuitos integrados cuádruples) y ODP (Paquete de circuitos integrados óctuples), hasta HDP (Paquete de 16 circuitos integrados). La tecnología de apilamiento de circuitos integrados posibilita una mayor capacidad en factores de forma pequeños, como unidades USB o discos SSD M.2.
Memoria no binaria
Consulte «Densidad de DRAM».
No ECC
Un módulo que no tiene la anchura de datos (posibilitada por una DRAM adicional) para admitir el algoritmo de ECC.
Memoria no volátil
La memoria no volátil es un tipo de memoria informática capaz de conservar datos guardados incluso si se desconecta la fuente de alimentación.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express es una especificación de interfaz abierta para acceder al almacenamiento no volátil de los equipos informáticos, como los discos SSD.
ECC interno / ODECC
El ECC interno, abreviado como ODECC (On-die ECC), es un ECC incorporado al chip de DRAM para corregir los errores de bits antes de transmitir al módulo. En las memorias, esta tecnología apareció con DDR5.
Placa de circuitos impresos / Printed Circuit Board / PCB
PCB es la abreviatura de Printed Circuit Board (Placa de circuitos impresos). Las PCB son el entorno en el cual están interconectados los chips de semiconductor. En general, las PCB disponen de varias capas, con planos de capas conductoras y aislantes. Cada capa está grabada con un patrón en el cual se utilizan materiales conductores, como el cobre, para conectar los componentes del semiconductor montados en la superficie de las capas exteriores.
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express (Interconexión exprés de componentes periféricos), una norma de interfaces para componentes de alta velocidad, como GPU o SSD.
PCN
Son las siglas de «Part/Product Change Notice», en español, el aviso de cambio de pieza o producto. Se utilizan para dejar constancia del anuncio de un producto nuevo, un cambio del producto, una retirada por final de la vida útil o una descatalogación.
PMIC
PMIC es el acrónimo, en inglés, de Power Management Integrated Circuit (Circuito integrado de administración de energía). Normalmente, los PMIC se utilizan para administrar la cadena de alimentación de componentes específicos de un dispositivo. DDR5 incluye un PMIC en cada módulo.
Plug N Play / PnP
Plug and Play (PnP) puede hacer referencia a diversos tipos de dispositivos informáticos que no requieren un software ni controladores específicos para funcionar. En Kingston utilizamos el concepto “Plug N Play” para describir el método de sobreaceleración sin necesidad de habilitar perfiles, del cual Kingston fue pionero. Los módulos Kingston FURY con PnP incorporan las secuencias de sobreaceleración programadas en el perfil JEDEC predeterminado de la SPD, que obliga al ordenador a aplicar automáticamente el rendimiento más alto.
Protección contra cortes de alimentación
Los cortes eléctricos son inevitables y pueden causar estragos en los entornos de trabajo si no se utiliza el hardware adecuado. La protección contra cortes de alimentación es necesaria para evitar la pérdida de los datos. Un dispositivo anfitrión compatible puede enviar un comando a la tarjeta que interrumpirá todas sus operaciones en caso de detectar una caída del suministro. Esto permite a la tarjeta tener tiempo de guardar cualesquiera datos que esté escribiendo en el momento de la pérdida de alimentación.
Cuádruple canal
Arquitectura de conector de memoria, en la cual cuatro módulos de memoria idénticos instalados suman su anchura de banda para mejorar el rendimiento del sistema.
Cadena cuádruple
4 rangos, o cuádruple rango: cuántos datos de 64 bits se cargan por módulo.
QVL / Qualified Vendor List
QVL es un acrónimo que, por lo general, corresponde a Lista de proveedores cualificados. Con frecuencia, los fabricantes de ordenadores y de placas base incluyen QVL en sus sitios de asistencia técnica para mostrar aquellos componentes, como memorias y discos SSD, que se han verificado que son compatibles con sus sistemas.
RAM / Random Access Memory
RAM es el acrónimo, en inglés, de Memoria de acceso aleatorio. En informática, RAM normalmente hace referencia a la memoria de corto plazo entre el almacenamiento (SSD/HDD) y el procesador, para posibilitar un acceso rápido. Hoy en día, las RAM son predominantemente volátiles; es decir, que no contienen información sin alimentación.
Rango
Un rango es un bloque de datos de 64 bits. La cantidad de bits está determinada por la cantidad de bancos, no de chips de DRAM (es decir, ocho chips óctuples conforman los 64 bits para crear un rango). Un módulo de memoria puede estructurarse con múltiples rangos, aunque a los datos se puede acceder de a un rango por vez.
RAS
RAS es un acrónimo que puede significar varias cosas en informática. En primer lugar, RAS puede significar Row Address Strobe (Estroboscopio de dirección de columna), haciendo referencia a una petición de activación de fila desde el procesador a la RAM. RAS también puede hacer referencia a Reliability, Availability and Serviceability (Fiabilidad, disponibilidad y mantenibilidad). Se trata de características de conjuntos de chips, como ECC, remodelación de DIMM, bloqueo de paso, duplicación, etc., que posibilitan una mejor redundancia de la RAM. Las características de RAS suelen estar incorporadas en sistemas de clases de estación de trabajo y de servidores.
DIMM registrada DIMM / RDIMM (Registered DIMM)
Un módulo de memoria de clase de servidor que cuenta con un componente de registro, también conocido como controlador de reloj registrado (RCD), que actúa como memoria intermedia (búfer) entre los componentes de la DRAM de un módulo y el controlador de memoria (generalmente ubicado dentro de la CPU). Los registros permiten utilizar más componentes de la DRAM en un módulo para lograr mayores capacidades, y la mayoría de los conjuntos de chips de servidor requieren el uso de módulos DIMM registrados como memoria principal del sistema. El Registro gestiona los comandos y señales de direccionamiento de la DRAM en el módulo, utilizando un ciclo de reloj adicional para sincronizar los datos a tiempo.
Preparado para AMD Ryzen™
Programa de autohomologación de AMD para la sobreaceleración en ordenadores basados en AMD Ryzen.
Registro
Por Registro se entiende el Registered Clock Driver (Controlador de reloj registrado, RCD), que actúa como memoria intermedia (búfer) entre los componentes de la DRAM de un módulo y el controlador de memoria. Los registros permiten utilizar más componentes de la DRAM en un módulo para conseguir mayores capacidades. El Registro gestiona los comandos y señales de direccionamiento de la DRAM en el módulo, utilizando un ciclo de reloj adicional para sincronizar en tiempo a los datos.
RGB
RGB es acrónimo de Red, Green, Blue (Rojo, verde, azul), y los LED RGB se utilizan para generar patrones de iluminación. En lo que respecta a la memoria, los LED RGB son parte integral del módulo, y están situados debajo de un difusor de luz en el disipador térmico, a efectos estéticos. Consulte nuestros productos que cuentan con RGB.
SATA
Abreviatura de Serial Advanced Technology Attachment (Accesorio de tecnología avanzada en serie), SATA es una interfaz de bus informática que conecta dispositivos de almacenamiento masivo, como discos duros y SSD.
Tarjeta SD
Un tipo de tarjeta de memoria empleada en cámaras digitales y otros dispositivos portátiles. Consulte nuestros línea de productos de tarjetas SD.
Clase de velocidad SD
La SD Association ha establecido normas que clasifican las transferencias mínimas de datos en función de las necesidades de las entidades, creando productos de videograbación que requieren determinadas velocidades de escrituras al grabar datos en una tarjeta de memoria. Las clases de velocidades SD, UHS y Vídeo han estandarizado esto tanto para tarjetas como para dispositivos de memoria, con el objeto de garantizar velocidades de escrituras mínimas y obtener resultados óptimos.
SDRAM / Synchronous DRAM
SDRAM es el acrónimo de DRAM síncrona, y hoy en día es la principal tecnología de DRAM. Esta tecnología de memoria surgió a finales de la década de 1990, y mejoró significativamente el rendimiento al sincronizar las transferencias de datos con el reloj del sistema.
Server Premier
Server Premier es la línea de productos estandarizados del sector de Kingston para módulos con ECC, en general servidores y estaciones de trabajo, y sus códigos de artículo comienzan por «KSM». Las piezas de Server Premier se pueden pedir con todos los componentes bloqueados (bloqueo íntegro) para mayor coherencia, o solo con la revisión de la matriz de DRAM bloqueada (bloqueo de DRAM).
SIMM / Single In-line Memory Module
SIMM es el acrónimo de Módulo de memoria individual en línea, y fue un antiguo módulo de memoria de nuestra fábrica. En general, los SIMM estaban limitados a amplitudes de datos de 32 bits y no eran compatibles con accesos independientes a datos de cada lado de las patillas del módulo.
Sistema en paquete (SIP)
Un sistema en paquete (SiP) es un sistema empleado para agrupar múltiples circuitos integrados (CI) y componentes pasivos en un único paquete, que pueden apilarse paquete a paquete. Normalmente se utiliza en discos SSD, unidades USB, tarjetas SD, teléfonos móviles, etc.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM es el acrónimo de Small Outline DIMM (DIMM pequeño fuera de línea). Similares a los DIMM, los SODIMM son más pequeños y se utilizan principalmente en portátiles y PC de pequeño factor de forma.
SPD / Detección de presencia en serie
SPD es el acrónimo de Serial Presence Detect (Detección de presencia en serie). Una SPD es una EEPROM, un chip del módulo de memoria que guarda la información acerca de sus propias especificaciones.
Velocidad
Por lo general, en las memorias la velocidad hace referencia a la velocidad de datos del módulo. Todas las generaciones de DDR denotan la velocidad en megatransferencias por segundo (MT/s). La velocidad de la memoria puede escribirse de diversas maneras: DDR5-4800, PC5-38400 o DDR5 4800 MT/s. Además, la velocidad de un módulo puede emplearse para determinar la anchura de banda efectiva del mismo multiplicando por 8. Por ejemplo, DDR5-4800 tiene una anchura de banda efectiva de 38.400 MB/s, o 38,4 GB/s. Esta es la velocidad pico de transferencia de datos, hacia y desde el módulo, por segundo.
Para conocer la velocidad de las tarjetas SD y microSD, consulte «Clase de velocidad SD».
Clase de velocidad (Clase 4, 6, 10)
La clasificación de velocidad estandarizada de la SD Association para diferentes tarjetas de almacenamiento externo (SD, microSD). Se caracterizan como 'Clase de velocidad', y especifican las velocidades de escritura absolutas mínimas sostenidas. Las tarjetas pueden ser de Clase 4 (4 MB/s), Clase 6 (6 MB/s) o Clase 10 (10 MB/s). Más información.
Disco SSD
Unidad de estado sólido, un dispositivo de almacenamiento formado por conjuntos de chips NAND Flash, en los cuales los datos son leídos y escritos por un controlador Flash, en lugar de por un accionador mecánico, como en el caso de los discos duros. Debido a la ausencia de piezas mecánicas, los SSD funcionan de manera más fluida y eficiente que los HDD. Otra ventaja de los SSD con respecto a los HDD es que no son vulnerables a las interferencias magnéticas. Consulte nuestra línea de productos de discos SSD.
Sólido motor de corrección de errores (ECC)
La memoria Flash NAND debe mantener la integridad de los datos cuando estos pasan desde el PC anfitrión al almacenamiento NAND a través del controlador Flash. Las transferencias de datos desde el anfitrión a la tarjeta suelen denominarse “datos en vuelo” o “datos en tránsito” hasta el momento en que quedan efectivamente escritos en el almacenamiento Flash NAND. Los controladores Flash incorporan la tecnología de corrección de errores (ECC, por sus siglas en inglés, que significa Código de corrección de errores) para detectar y corregir la mayoría de los errores susceptibles de afectar a los datos en su trayectoria. Los chips de memoria Flash incorporan información adicional de corrección de errores junto con cada bloque de datos escritos. Estos datos permiten al controlador Flash corregir simultáneamente numerosos errores durante la lectura de un bloque de datos. La memoria Flash NAND, al igual que los discos duros, detectará errores de bits durante el funcionamiento normal, que serán corregidos sobre la marcha con estos datos de ECC. Si un dispositivo NAND presenta demasiados errores en un bloque de datos, dicho bloque será marcado como Bloque erróneo, retirado y sustituido por alguno de los bloques de recambio incorporados al servicio. Durante este proceso, los datos serán corregidos, si fuese necesario, aplicando el ECC. El uso de los Bloques de recambio prolonga la vida útil y duración de los discos SSD.
Obtenga más información sobre la detección y corrección de errores en los discos SSD de Kingston.
Subcanal
En las memorias, por subcanal se entiende una característica del diseño de los módulos de memorias DDR5, que divide la dirección de 64 bits en dos segmentos independientes de 32 bits, con el objeto de mejorar la eficiencia.
UDIMM / DIMM sin búfer (Unbuffered DIMM)
Un módulo de memoria (RAM) de 64 bits (x64) que no incorpora un Registro o un búfer. Normalmente, los módulos sin búfer se utilizan en ordenadores de sobremesa, estaciones de trabajo y portátiles.
Clasificación de velocidad de vídeo UHS-I
Una clase de velocidad para la filmación de vídeo. La velocidad mínima de escritura del soporte se mide mediante una letra seguida de un número. Una clase de velocidad V30 tiene una velocidad mínima de escritura de 30 MB/s.
Sin búfer
El módulo no incorpora búferes de datos, como un Registro.
U.2
Una norma de interfaz informática para la conexión de discos SSD, diseñada para el mercado empresarial. Normalmente, se presenta en factor de forma 2.5” y ofrece más espacio de almacenamiento que M.2.
UHS-I
Ultra-High Speed – I (UHS-I, Velocidad Ultra-alta) es una clase de velocidad para tarjetas de memoria SDHC y SDXC. UHS-I tiene una velocidad de interfaz de bus de hasta 104 MB/s.
UHS-II
Ultra-High Speed – II (UHS-II, Velocidad Ultra-alta) es una clase de velocidad para tarjetas de memoria SDHC y SDXC. UHS-I tiene una velocidad de interfaz de bus de hasta 312 MB/s. La diferencia entre la primera versión (UHS-I) es la adición de una segunda fila de patillas, que utilizan la tecnología LVDS (Low Voltage Differential Signaling, Señales diferenciales de baja tensión), lo cual permite mayores velocidades de transferencia.
Clase de velocidad UHS (U1, U3)
Ultra High Speed (UHS, Velocidad Ultra-alta) especifica un rendimiento de escritura mínimo sostenido para la filmación de vídeo. Existen dos clases de velocidad UHS creadas por la SD Association: Clase de velocidad UHS 1 y Clase de velocidad UHS 3. La primera admite una velocidad de escritura mínima de 10 MB/s, en tanto que la otra posibilita una velocidad de escritura de al menos 30 MB/s. Normalmente, la Clase de velocidad UHS se reconoce mediante un 1 o un 3 dentro del símbolo U. Más información.
USB
Universal Serial Bus (USB, Bus serie universal) es una interfaz estándar que permite la conexión entre dispositivos y un controlador anfitrión (host), como un ordenador personal (PC) o un teléfono inteligente. Conecta dispositivos periféricos como cámaras digitales, ratones, teclados, impresora, escáneres, dispositivos multimedia, discos duros externos y unidades Flash.
USB 3.2 Gen 1 (5 Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
La diferencia entre estas normas USB es la velocidad de transferencia de datos. USB 3.2 Gen 1 admite velocidades de hasta 5 Gbit/s; USB 3.2 Gen 2 admite velocidades de hasta 10 Gbit/s, USB 3.2 Gen 2x2 admite velocidades de hasta 20 Gbit/s; y USB4 admite velocidades de hasta 40 Gbit/s. Más información.
Clase de velocidad de vídeo (V10, V30, V60, V90)
La Clase de velocidad de vídeo fue creada por la SD Association para clasificar tarjetas que operan a resoluciones de vídeo y con características de filmación más elevadas. Esta clase de velocidad garantiza un rendimiento mínimo sostenido para filmar vídeo. La categoría incluye las clases V6, V10, V30, V60 y V90. Una Clase de vídeo V90 implica que la velocidad mínima de escritura de la tarjeta de memoria es de 90 MB/s; en el caso de V30 es de 30 MB/s; y así sucesivamente. Más información.
ValueRAM
Línea de productos de memoria norma del sector de Kingston para DIMM y SODIMM sin ECC, tradicionalmente utilizados en ordenadores de sobremesa y portátiles "clónicos".
VLP / Very Low Profile (Perfil muy bajo)
VLP hace referencia a una clasificación de JEDEC de la altura de módulos de memoria para utilizar en sistemas de perfil delgado. En el caso de DDR3 y DDR4, las UDIMM y RDIMM VLP tienen una especificación de altura de 18,75 mm. Los perfiles estándar de los DIMM DDR3 (30,00 mm) y DDR4/DDR5 (31,25 mm) se consideran “bajos”.
Nivelación de desgaste
Los dispositivos Flash de almacenamiento de Kingston incorporan controladores de tecnología avanzada con funcionalidad de nivelación del desgaste, que distribuyen de forma uniforme la cantidad de ciclos de programación/borrado (P/E) entre las celdas de memoria Flash. De este modo, la nivelación de desgaste prolonga la vida útil de la tarjeta de memoria Flash.
x16
En las memorias, x16 hace referencia a la anchura de datos de un chip de DRAM (x16 significa anchura de 16 bits). Las DRAM x16 se utilizan en UDIMM y SODIMM, y están limitadas a ordenadores de sobremesa y portátiles con procesadores compatibles con este tipo de DRAM.
x4
En las memorias, x4 hace referencia a la anchura de datos de un chip de DRAM (x4 significa anchura de 4 bits). Los chips de DRAM x4 se utilizan fundamentalmente en RDIMM y LRDIMM, y los módulos que los incorporan son compatibles con ECC de detección y corrección de errores de múltiples bits.
x64
En las memorias, x64 significa 64 bits. Es la anchura total necesaria para completar un rango.
x72
En las memorias, x72 significa 72 bits. Denomina a módulos con dirección de 64 bits más 8 bits para ECC. x72 es la anchura de módulos RDIMM, UDIMM ECC, SODIMM ECC y LRDIMM para módulos DDR3 y DDR4, y algunos DDR5. Los módulos DDR5 que son x72 se denominan también EC4.
x8
En las memorias, x8 hace referencia a la anchura de datos de un chip de DRAM (x8 significa anchura de 8 bits). Las DRAM x8 se utilizan para todo tipo de módulos de memoria, incluyendo RDIMM.
x80
En las memorias, x80 significa 80 bits. Esto es específico de los módulos tipo EC8 DDR5. Los módulos DDR5 disponen de dos subcanales independientes de 32 bits, que pueden tener 8 bits adicionales para admitir ECC, alcanzando un total de 40 bits. Los dos combinados dan un total de 80 bits por rango.
XMP
Extreme Memory Profile (Perfil de memoria extremo) de Intel, secuencias preprogramadas en los módulos de sobreaceleración. Más información.
XTS-AES
Norma XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption (Libro de códigos modificado basado en XEX con robo de texto cifrado); funcionalmente, se trata de un cifrado de bloques modificado para unidades de datos de 128 o más, y que utiliza el cifrado de bloques AES como subrutina. Se trata de un modo de cifrado altamente seguro utilizado por numerosas organizaciones, tanto administrativas como corporativas.