嵌入式/工业
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面向设备制造商的嵌入式离散 DRAM

Kingston 嵌入式离散 DRAM 设计为满足嵌入式设备的需求，并提供低电压型号以降低功耗。Kingston 嵌入式离散 DRAM 支持各种现代电子基础设施，如智能城市（暖通空调、照明、电力监控和计量停车表）、工业（机器人、物联网、工厂自动化、单板计算机）、电信（5G 网络、边缘计算、通信模型、WiFi 路由器网格设备），以及智能家居（音箱、恒温器、健身设备、吸尘器、床和水龙头）和可穿戴设备（智能手表、健康监测仪、健身追踪器、AR、VR）等设备。

请求信息

主要特性

  • 双数据速率 (DDR) 架构：每个时钟周期两次数据传输
  • 高速数据传输由 8 位预取流水线架构
  • 双向差分数据选通信号（DOS 和 /DQS）进行传输/接收
  • DOS 针对 READS 与数据边沿对齐；针对 WRITES 与数据中部对齐
  • 差分时钟输入（CK 和 /CK）
  • DLL 将 DQ 和 DOS 转换与 CK 转换对齐
  • 在每个正 CK 边沿输入命令；数据和数据掩码被引用
  • 针对写入数据的数据遮罩 (DM)
  • 可编程的附加延迟的 Posted /CAS，可改进命令和数据
  • 片内终结（ODD 可改善信号质量）
    • 同步 ODT
    • 动态 CDT
    • 异步 ODT
  • 针对预定义模式读出的多用途寄存器 (MPR)
  • 针对 DO 驱动和 ODT 的 ZQ 校准
  • 可编程局部自刷新 (PASR)
  • 针对上电时序和重置功能的 RESET pin
  • SRT 范围：正常/扩展
  • 可编程输出驱动器阻抗控制

标准产品型号和规格

DDR3/DDR3L 内存 光纤光栅商用温度

产品型号存储 容量描述封装尺寸VDD,
VDDQ		工作温度
D1216ECMDXGJD 2Gb 96 球 128Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} 0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJD 4Gb 96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} 0°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJD 4Gb 78 球 512Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x10.6x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} 0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGME 4Gb 96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 2133Mbps 7.5x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} 0°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJD 8Gb 96 球 512Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps 9x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} 0°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L 内存 光纤光栅工业温度

产品型号存储 容量描述封装尺寸VDD,
VDDQ		工作温度
D1216ECMDXGJDI 2Gb 96 球 128Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +95°C
D2568ECMDPGJDI 2Gb 78 球 256Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x10.6x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJDI 4Gb 96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJDI 4Gb 78 球 512Mx8 DDR3/3L 内存 1866Mbps 7.5x10.6x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGMEI 4Gb 96 球 256Mx16 DDR3/3L 内存 2133Mbps 7.5x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJDI 8Gb 96 球 512Mx16 DDR3/3L 内存 1866Mbps 9x13.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L FBGA Automotive Temp

产品型号容量封装尺寸แพ็กเกจVDD、
VDDQ		工作温度
D1216ECMDXGMEY 2Gb 96 ball 128Mx16 DDR3/3L 2133Mbps 13.5x7.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +105°C
D2516ECMDXGMEY 4Gb 96 ball 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps 13.5x7.5x1.2 1.35V{{Footnote.N64253}} -40°C ~ +105°C

DDR4 光纤光栅商用温度

产品型号存储 容量描述封装尺寸VDD,
VDDQ		工作温度
D5116AN9CXGRK 8Gb 96 球 FBGA DDR4 C 型温度 7.5x13x1.2 1.2V 0°C ~ +95°C
D5116AN9CXGXN 8Gb 96 球 FBGA DDR4 C 型温度 7.5x13x1.2 1.2V 0°C ~ +95°C
D2516ACXGXGRK 4Gb 96 球 FBGA DDR4 C 型温度 7.5x13x1.2 1.2V 0°C ~ +95°C

DDR4 工业温度

产品型号存储 容量描述封装尺寸VDD,
VDDQ		工作温度
D5116AN9CXGXNI 8Gb 96 球光纤光栅 DDR4 I 型温度 x16 7.5x13x1.2 1.2V -40°C ~ +95°C
D1028AN9CPGXNI 8Gb 78 球光纤光栅 DDR4 I 型温度 x8 7.5x13x1.2 1.2V -40°C ~ +95°C

LPDDR4 FBGA 光纤光栅商用温度

产品型号存储 容量描述封装尺寸VDD,
VDDQ		工作温度
D0811PM2FDGUK 8Gb 200 球光纤光栅 LPDDR4 C 型温度 10x14.5x1.0 1.1V -25°C ~ +85°C
B1621PM2FDGUK 16Gb 200 球光纤光栅 LPDDR4 C 型温度 10x14.5x1.0 1.1V -25°C ~ +85°C

LPDDR4 FBGA 工业温度

产品型号存储 容量描述封装尺寸VDD,
VDDQ		工作温度
D0811PM2FDGUKW 8Gb 200 球光纤光栅 LPDDR4 I 型温度 10x14.5x1.0 1.1V -40°C ~ +95°C
B1621PM2FDGUKW 16Gb 200 球光纤光栅 LPDDR4 I 型温度 10x14.5x1.0 1.1V -40°C ~ +95°C