1R (1 Rango, Rango Único)
Un ancho de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
2R (2 Rangos, Rango Doble)
Dos anchos de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
4R (4 Rangos, Rango Cuádruple)
Cuatro anchos de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
8R (8 rangos, Rango Octal)
Ocho anchos de datos de 64 bits en un módulo de memoria.
AMD
Advanced Micro Devices es una empresa que desarrolla procesadores, chipsets, procesadores gráficos y productos relacionados.
AMD EPYC™
La marca de procesadores de servidor de AMD.
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking. Los módulos de memoria con perfiles AMD EXPO cuentan con velocidades, tiempos y voltajes específicos optimizados para sistemas AMD.
AMD Ryzen™
La marca de CPUs de escritorio y portátiles de AMD.
ARGB
ARGB significa "Addressable RGB o RGB personalizable" y es una forma avanzada de iluminación que permite personalizar y controlar cada LED individual. Puedes mostrar una variedad de colores al mismo tiempo y usar impresionantes efectos de iluminación como los de rebote, respiración y arcoíris.
AES (Estándar de encriptado avanzado)
Ver FIPS. Un cifrado en bloque para encriptar datos electrónicos confidenciales utilizados por el gobierno de los EE. UU., con el nombre FIPS 197 desde 2002.
Protección de distribución de actualización automática de lectura
Los bloques defectuosos contienen uno o más bits que han perdido confiabilidad. Los bloques defectuosos aparecen durante el proceso de fabricación (Early Bad Blocks) o durante toda la vida útil de la tarjeta (Later Bad Blocks). Ambos tipos de bloques defectuosos son inevitables, por lo que la Administración de bloques defectuosos es necesaria para poder administrar estos errores en los dispositivos NAND Flash. La Administración de bloques defectuosos identificará y marcará los bloques defectuosos, y luego usará la capacidad adicional libre para reemplazar los bloques no válidos. Esto evitará que los datos se escriban en los bloques defectuosos, lo que fortalece la confiabilidad del producto. Si el bloque defectuoso tiene datos, moverá los datos a un bloque válido para evitar la pérdida de datos.
Banco
Un banco en memoria se puede referir a varias cosas en computación. En primer lugar, se refiere más comúnmente a una matriz independiente de líneas de datos dentro de un chip DRAM donde la información se almacena temporalmente. Cuando el controlador de memoria accede a un banco, lo hace en la misma ubicación a través de todos los chips de un rango al mismo tiempo. Una segunda definición de banco hace referencia a una agrupación de conectores de memoria multicanal en una placa madre.
Administración de bloques defectuosos
Los bloques defectuosos contienen uno o más bits que han perdido confiabilidad. Los bloques defectuosos aparecen durante el proceso de fabricación (Early Bad Blocks) o durante toda la vida útil de la tarjeta (Later Bad Blocks). Ambos tipos de bloques defectuosos son inevitables, por lo que la Administración de bloques defectuosos es necesaria para poder administrar estos errores en los dispositivos NAND Flash. La Administración de bloques defectuosos identificará y marcará los bloques defectuosos, y luego usará la capacidad adicional libre para reemplazar los bloques no válidos. Esto evitará que los datos se escriban en los bloques defectuosos, lo que fortalece la confiabilidad del producto. Si el bloque defectuoso tiene datos, moverá los datos a un bloque válido para evitar la pérdida de datos.
Descubra cómo se aplica la Administración de bloques defectuosos a los discos SSD de Kingston, eMMC y tarjetas Industrial SD/microSD de Kingston.
bit
Abreviatura para "dígito binario", es la medida más básica de los datos en informática, representada como un 0 o un 1 / encendido o apagado.
Byte
Ocho bits son iguales a un byte. Esta es una unidad de medida para almacenar información, tal como un carácter de texto. Las combinaciones de bits y bytes forman el lenguaje fundamental de la informática.
Fuerza bruta
Un ciberataque poco sofisticado que intenta descifrar una contraseña o clave criptográfica probando todas las soluciones posibles.
CAMM
CAMM significa módulo de memoria conectado por compresión, y es un tipo de módulo con chips DRAM patentado desarrollado por Dell para su uso en sus computadoras portátiles de formato delgado.
CAMM2
CAMM2 es un tipo de módulo estándar de la industria JEDEC introducido por Dell basado en su concepto CAMM original. Dell presentó su diseño CAMM a JEDEC en 2022, permitiendo a los miembros del comité de estándares de JEDEC contribuir y/o crear nuevos diseños para que los use cualquier persona de la industria. En lugar de pines/cables en la parte inferior del módulo que se conectan a un zócalo, el CAMM2 utiliza un conector de compresión en la parte inferior del módulo que presiona contra la motherboard. Se utilizan tornillos para fijar el CAMM2 en su lugar. JEDEC admite dos tipos de memoria DRAM para CAMM2: DDR5 CAMM2 y LPDDR5 CAMM2. El DDR5 CAMM2 utiliza componentes DDR5 DRAM con diseños que admiten capacidades de 8GB a 128GB, canales de memoria individuales y duales, PMIC monofásicos y bifásicos y controladores de reloj. El LPDDR5 CAMM2 (también conocido como LPCAMM2) utiliza componentes DRAM LPDDR5, que ofrecen una opción de menor potencia para sistemas móviles o de factor de forma pequeño. Los tipos de módulos DDR5 CAMM2 y LPDDR5 CAMM2 no son intercambiables en un sistema y utilizan diferentes puntos de contacto cuando se conectan a una motherboard.
Capacidad
Número total de celdas de memoria de datos disponibles en un módulo expresado en Gigabytes (GB). En el caso de kits, la capacidad indicada es la suma de las capacidades de todos los módulos individuales del kit.
Latencia CAS / CL
CAS es un acrónimo de Column Address Strobe (Estroboscopio de dirección de columna) , y la latencia CAS (CL) es el tiempo que tarda en ciclos de reloj para encontrar la fila abierta de memoria a la que se necesita acceder. (es decir, CL32, CL40).
Canal
En el caso de los SSDs, el canal hace referencia al número de chips flash con los que el controlador puede comunicarse simultáneamente. Los SSDs de nivel de entrada / corriente principal generalmente tienen 2 o 4 canales; los SSDs de mayor rendimiento generalmente tienen 8 canales, o hasta 16 en los SSDs de centro de datos.
Para los canales en referencia a la memoria, consulte Canal de memoria.
Organización de Chip/Ancho de DRAM
Los componentes DRAM tienen una estructura interna dispuesta en filas y columnas. La organización de Chip se refiere al ancho de columna de un componente DRAM. Los anchos de columna DRAM utilizados para los módulos de memoria son x16 ("por 16"), "), lo que significa 16 columnas x8 y x4. These widths correspond to the types of memory modules and computers they can be used in. For example, x16 can only be used on DIMMs or SODIMMs used in Estos anchos corresponden a los tipos de módulos de memoria y computadoras en los que se pueden utilizar. Por ejemplo, x16 solo se pueden usar en DIMMs o SODIMMs utilizados en PC o portátiles, mientras que x4 solo se pueden usar en DIMMs para servidores o estaciones de trabajo. Un módulo de memoria con una organización de Chip x4 significa que todas las DRAM en el módulo tienen el mismo ancho de columna.
Cryptochip
Una herramienta de hardware que protege los datos en un dispositivo USB manteniendo la administración de claves de encriptado en el dispositivo, donde se puede proteger. La serie IronKey de dispositivos flash utiliza criptochips.
CSODIMM
CSODIMM significa Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module (Módulo de memoria doble en línea de puerto reducido con controlador de reloj). A partir del DDR5 de 6400Mt/seg, los estándares de la industria JEDEC requieren agregar un componente llamado controlador de reloj (CKD) en los SODIMMs. El controlador del reloj almacena en búfer la señal de reloj entre el controlador de memoria (integrado en la CPU) y la DRAM, lo que mejora la integridad de la señal, la estabilidad y permite velocidades más altas.
CUDIMM
CUDIMM es el acrónimo de Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module (Módulo de memoria doble en línea sin búfer con reloj). A partir de la DDR5 de 6400Mt/seg, los estándares de la industria JEDEC requieren la inclusión de un componente de controlador de reloj (CKD) en los UDIMMs. El controlador del reloj almacena en búfer la señal de reloj entre el controlador de memoria (integrado en la CPU) y la DRAM, lo que mejora la integridad de la señal, la estabilidad y permite velocidades más altas.
Velocidad de datos
Para la memoria (RAM), la velocidad de datos es la clase de velocidad de un módulo de memoria (anteriormente denominada frecuencia). Para DDR5, una velocidad de datos del módulo de 4800MT/s (millones de megatransferencias por segundo) indica la capacidad de transferir 4.800 millones de transferencias de datos por ciclo de reloj por línea de datos.
DDR / Velocidad de datos doble / DDR SDRAM
"DDR" es el acrónimo abreviado para Memoria de acceso aleatorio dinámica sincrónica de tasa de datos doble. La DRAM síncrónica transfiere los datos del reloj del sistema, mientras que la DDR SDRAM lo hace tanto en el extremo ascendente como en el descendente del reloj, es decir, dos veces por ciclo de reloj, lo que duplica la velocidad de transferencia en comparación con la frecuencia. "DDR" también se refiere a la primera generación de módulos de memoria DDR SDRAM que debutaron en 1998, y cubrieron las velocidades de transferencia de 200, 266, 333 y 400 MT/s durante su vida útil utilizando solo 2,5 V por módulo.
DDR2
La DDR2 es la segunda generación de DDR SDRAM. Utilizó menos energía a solo 1,8 V por módulo, y aumentó la velocidad de transferencia de datos, comenzando en 2003 con 400 MT/s, con aumentos de velocidad a 533, 667, 800 y 1066 MT/s durante su vida útil.
DDR3
La DDR3 es la tercera generación de DDR SDRAM y apareció por primera vez en 2007. Usando menos energía que la DDR2 a 1,5 V por módulo, la DDR3 comenzó a 800 MT/s, luego progresó a 1066, 1333, 1600, 1866 y 2133 MT/s.
DDR3L
La DDR3L surgió como una sub-especificación dentro del estándar DDR3 JEDEC. Con las mismas velocidades y tiempos que la DDR3, la DDR3L redujo el voltaje a 1,35 V, ahorrando batería en las computadoras portátiles y reduciendo el calor en los servidores. La memoria DDR3L es compatible con DDR3 y cambiará a 1,5 V en sistemas heredados o cuando se mezcla con módulos estándar DDR3.
DDR4
La DDR4 es la cuarta generación de DDR SDRAM y debutó en 2014. La DDR4 cubrió un rango de velocidad de 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 y 3200 MT/s a solo 1,2 V por módulo. La DDR4 introdujo avances significativos con respecto a la DDR3, empezando por la forma del módulo DIMM. Se diseñó una curva para la parte inferior central del módulo DIMM con el fin de mejorar el asiento del conector y reforzar el módulo contra la fuerza de inserción, que podría dañar los microcircuitos.
DDR5
La DDR5 es la quinta generación de DDR SDRAM y se lanzó en 2020. La DDR5 cuenta con un rango de velocidad de 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 y 7200 MT/s. La DDR5 redujo significativamente el consumo de energía al reducirse a solo 1,1 V por módulo e incluyó un IC de administración de energía (PMIC) en el módulo para una mejor distribución de energía donde y cuando sea necesario. Los módulos DDR5 mejoraron enormemente la eficiencia con respecto a las generaciones anteriores gracias a la duplicación de los bancos y la longitud de las ráfagas, lo que permite refrescar el mismo banco y dividir el módulo en dos subcanales de 32 bits direccionables de forma independiente. La integridad de los datos también ha mejorado gracias a la incorporación de ECC en el chip, capaz de corregir errores de bits dentro de los componentes individuales de la DDR5 DRAM.
Design-In
Design-in se refiere a una categoría de PC/dispositivos no tradicionales, como quioscos, sistemas POS, señalización digital, equipos de diagnóstico, etc. Kingston fabrica componentes discretos, módulos y dispositivos específicamente para esta categoría de la informática.
Revisión de bloque
Se refiere a la letra de designación de un componente DRAM de un fabricante de semiconductores. Estas letras generalmente representan una densidad y un diseño específicos.
DIMM / Módulo de memoria en línea doble
DIMM es el acrónimo de módulo de memoria en línea doble y es un tipo de módulo que tiene contactos eléctricos separados en cada lado del módulo. Esto permite que los datos se transfieran hacia y desde el módulo en cada lado de forma independiente.
Consulte nuestros módulos de memoria DRAM.
Densidad de DRAM
La capacidad individual de un chip DRAM se conoce como "densidad" y se mide en Megabits o Gigabits. Cuanto mayor sea la densidad de la DRAM, mayor será la capacidad del módulo de memoria. En general, la densidad se duplica entre generaciones, sin embargo, con DDR5 hay una densidad intermedia de 24 Gbit, también conocida como "no binaria" A continuación se muestran las densidades habituales que presenta cada generación de memoria:
DRAM / Memoria de acceso aleatorio dinámica
DRAM es el acrónimo de Memoria de acceso aleatorio dinámica y es el tipo de tecnología RAM más utilizado actualmente en la informática. Los chips DRAM están hechos de semiconductores, dispuestos en una cuadrícula de líneas de datos con condensadores y transistores que pueden almacenar cargas eléctricas para representar unos y ceros en el código informático.
Canal dual
Arquitectura de conector de memoria donde dos módulos de memoria idénticos instalados agregan su ancho de banda para aumentar el rendimiento del sistema.
Actualización dinámica de datos
La Actualización dinámica de datos se emplea para asegurarse de que, durante las operaciones de solo lectura, los bloques con un alto número de errores se puedan eliminar y actualizar para próximos usos. Durante cada comando de lectura, el controlador realizará una verificación de tres etapas en el bloque de destino: la primera etapa es verificar una marca de "necesidad de actualización". La segunda etapa es verificar el número de bits de error actualmente presentes. La tercera etapa es marcar el reintento para el número de recuento de reintentos actual.
EC4
Designación JEDEC para un módulo de memoria DDR5 de clase servidor con un ancho de datos de 72 bit.
EC8
Designación JEDEC para un módulo de memoria DDR5 de clase servidor con un ancho de datos de 80 bit.
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
Código de corrección de errores se refiere a un algoritmo que puede detectar y corregir la corrupción de datos de uno o varios bits en informática. Para la memoria (RAM), ECC se incluye en el controlador de memoria que se encuentra en los procesadores de clase de servidores o estaciones de trabajo. Se requieren módulos de memoria con ECC, que cuenten con componentes DRAM adicionales para proporcionar un ancho de datos adicional (ECC sin búfer, ECC con registros, Carga reducida) para que el controlador de memoria realice la detección y corrección de errores. Para DDR3 y DDR4, los módulos de 72 bits (x72) son compatibles con ECC, mientras que para DDR5, tanto los de 72 bits (x72 o EC4) como los de 80 bits (x80 o EC8) son compatibles con ECC.
ECC UDIMM
Los módulos DIMM sin búfer ECC (UDIMM) cuentan con componentes DRAM adicionales para admitir el algoritmo ECC.
EEPROM
EEPROM es un acrónimo Memoria de sólo lectura programable y borrable eléctricamente. Se trata de un componente presente en el módulo de memoria que almacena información importante sobre las especificaciones del módulo. La SPD se considera una EEPROM.
FAT
Una tabla de asignación de archivos (FAT) es un sistema de archivos desarrollado para discos duros. Es utilizado por el sistema operativo (SO) para administrar archivos en discos duros y otros sistemas informáticos. Por lo general, se utiliza en memoria flash, cámaras digitales y dispositivos portátiles. Se utiliza para almacenar información de archivos y extender la vida útil de un disco duro. Obtenga más información sobre los sistemas de archivos.
FIPS (Normas Federales de Procesamiento de Información)
Estándares y pautas para los sistemas informáticos federales de EE. UU., desarrollados por el Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST), de acuerdo con la Ley Federal de Gestión de Seguridad de la Información (FISMA) y aprobados por la Secretaría de Comercio.
FIPS 197
Estándar de encriptación avanzado (también conocido como Rinjdael), una variante de un encriptado en bloques desarrollado en Bélgica. Utiliza claves de 128, 192 o 256 bits: El AES-128 nunca ha sido violado por fuerza bruta y está lo suficientemente protegido para ser autorizado para su uso en datos de nivel Secreto. Es el primer y único encriptado de acceso público aprobado por la Agencia de Seguridad Nacional de los Estados Unidos para información de alto secreto (encriptado de 192 bits o superior).
FIPS 140-2 Nivel 3
Un estándar común de seguridad informática del gobierno, establecido en 2019. Además de ser seguros para producción y cumplir con los requisitos para la autenticación de roles y la resistencia a la manipulación física, los sistemas que cumplan con este estándar deberán tener una separación entre las interfaces por las cuales "parámetros de seguridad críticos" ingresan y salen del módulo.
Memoria flash
La memoria flash es no volátil (tipo de memoria que retiene datos en ausencia de una fuente de alimentación). La memoria flash generalmente se encuentra en dispositivos como unidades de estado sólido (SSD) y dispositivos flash USB. Se encuentra comúnmente en computadoras personales, además de soluciones de almacenamiento empresarial.
Factor de forma
Esto generalmente se refiere al tamaño y la forma de un componente electrónico, como un SSD o DRAM.
Los SSD comunes están disponibles en factores de forma de 2.5", M.2, U.2 y mSATA según lo define la Storage Networking Industry Association (SNIA). Obtenga más información sobre los factores de SSD.
Con los módulos DRAM, los estándares de la industria JEDEC definen las dimensiones y los tipos de conectores para los módulos DRAM. Los factores de forma más comunes de los módulos DRAM son DIMM y SODIMM.
Frecuencia
Comúnmente conocido como velocidad, velocidad de datos o el ciclo de reloj de la RAM.
Recolección de basura
La Recolección de basura es clave para que NAND Flash sea duradero y mantenga su velocidad. Los dispositivos basados en NAND Flash no pueden sobrescribir los datos que ya están ahí. Deben tomar parte de un ciclo Programar/Borrar; para escribir en un bloque de datos ya utilizado, un controlador NAND Flash primero copiaría todos los datos válidos (los que todavía están en uso) y los escribiría en páginas vacías de un bloque diferente, después borraría todas las celdas del bloque actual (datos válidos e inválidos) y luego escribiría nuevos datos en el bloque recién borrado. Este proceso se llama Recolección de basura. Más información.
Modos Gear o Modos ajustables
Los procesadores Intel (11ª generación +) y AMD (Ryzen) de nueva generación cuentan con modos Gear de memoria, que son relaciones de velocidad ajustables del BIOS entre el controlador de memoria del procesador y el módulo de memoria. Gear 1 significa que las velocidades del controlador de memoria del procesador y del módulo de memoria son iguales (1:1), y es el mejor modo para el rendimiento con la mejor latencia. Gear 2 reduce la velocidad del controlador de memoria del procesador a la mitad, lo que permite velocidades más rápidas del módulo de memoria, pero con un ligero sacrificio de latencia. Gear 4 reduce la velocidad del controlador de memoria del procesador en una cuarta parte, proporcionando la mejor velocidad y ancho de banda del módulo, pero con un sacrificio de latencia general. Los modos Gear generalmente están predeterminados en "Auto", lo que permite que el controlador de memoria se ajuste en función de la velocidad de la memoria, sin embargo, también se pueden seleccionar manualmente en el BIOS.
Gbps / Gigabits por segundo
Una medida de ancho de banda en miles de millones de bits.
Gigabit / Gb / Gbit
1000³ bits o 1000 Mb. Comúnmente se utiliza para describir la densidad de los componentes, como los chips DRAM individuales.
Gigabyte / GB / GByte
1000³ bytes o 1000 MB. Comúnmente usado para referirse a la capacidad de memoria o SSDs.
GT/s
GT/s significa gigatransferencias por segundo.
Difusor de calor
Protector metálico unido a los módulos para disipar el calor.
Memoria de gran ancho de banda o High Bandwidth Memory (HBM)
Una nueva tecnología de memoria DRAM desarrollada por AMD en 2008 para abordar la creciente demanda de memoria de alto rendimiento y gran capacidad para las GPU, con menores requisitos de consumo. HBM fue adoptada por JEDEC como una tecnología de memoria estándar de la industria en 2013, con las compañías de semiconductores de memoria SK Hynix, Samsung y Micron capaces de producirla. Ha evolucionado a través de generaciones sucesivas durante la última década para aumentar el soporte de mayores capacidades de memoria en más capas, buses de datos más amplios y mayor rendimiento: HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E. Además de las tarjetas gráficas, los componentes de memoria de HBM han encontrado nuevos usos que respaldan las necesidades de alto rendimiento de los procesadores para IA.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Se trata de una tecnología de sincronización patentada que utiliza componentes infrarrojos en los módulos de memoria Kingston HyperX y FURY para alinear los patrones RGB.
Intel®
Intel Corporation. Diseñador y fabricante de plataformas informáticas responsable de CPU, chipsets, GPU, entre otras tecnologías.
Intel® Xeon®
Línea de servidores/CPUs de escritorio de gama alta de Intel® que cuentan con soporte de memoria ECC, altos recuentos de núcleos y gran ancho de banda para admitir una gran cantidad de RAM y GPU.
Intel® XMP 2,0
Intel® Extreme Memory Profiles es una especificación Intel que permite que los proveedores de memoria y placas madre establezcan perfiles de overclock (DDR3 y DDR4) para permitir un overclocking fácil para el usuario final.
Intel® XMP 3.0
La última versión de XMP hecha para DDR5 que soporta hasta cinco perfiles, tres para el fabricante de memoria y dos personalizables para overclocking manual por el usuario final.
Con certificación Intel® XMP 3.0
Una pieza o kit que ha pasado y ha sido enviado al programa de autocertificación de Intel.
Lista para Intel® XMP 3.0
Una pieza o kit que cumple con la especificación Intel® XMP 3.0.
Certificado para Intel® XMP 2.0
Una pieza o kit que ha pasado y ha sido enviado al programa de autocertificación de Intel.
Lista para Intel® XMP 2.0
Una pieza o kit que cumple con la especificación Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC es un acrónimo del Consejo conjunto de ingeniería de dispositivos electrónicos, que es el organismo encargado de los estándares de la industria para muchas tecnologías relacionadas con semiconductores y computadoras. JEDEC es un consorcio de actores de la industria que trabajan juntos para establecer los estándares, siendo las memorias uno de ellos.
Kingston FURY™ Beast
Línea de productos UDIMM overclockeables de nivel de entrada de Kingston.
Kingston FURY™ Impact
Línea de productos SODIMM overclockeables de Kingston.
Kingston FURY™ Renegade
La línea de productos UDIMM overclockable de alto rendimiento de Kingston.
Kingston FURY™ Renegade Pro
Línea de productos DDR5 RDIMM para Overclocking de alto rendimiento de Kingston.
Kit
Un número de pieza que incluye varios módulos de memoria, por lo general, en apoyo de la arquitectura de memoria de dos, tres o cuatro canales. Por ejemplo, K2 = 2 DIMM en el paquete para igualar la capacidad total.
Longitud (mm) x Altura (mm) x Ancho (mm)
Módulo de medición en milímetros de un módulo que incluye el difusor de calor.
DIMM de carga reducida/ LRDIMM (Load Reduced DIMM)
Similar a los DIMMs registrados (RDIMM), los LRDIMM cuentan con búferes de datos para reducir las cargas en el controlador de memoria, que de otro modo reducirían las velocidades de memoria para compensar. La tecnología LRDIMM permite módulos de gran capacidad sin sacrificar el rendimiento.
M.2
Un factor de forma para tarjetas de expansión para computadoras montadas internamente. Permite diferentes anchos y longitudes de módulo.
Megabytes / MB
1000² bytes o 1000 KB. Comúnmente utilizado para referirse a la capacidad de datos de la memoria, SSDs y otros dispositivos flash.
MCRDIMM
MCRDIMM es el acrónimo de Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module (Módulo de memoria doble en línea multiplexor de Ranks combinados). Este es un diseño de módulo de servidor DDR5 respaldado por Intel que proporciona un alto rendimiento y una memoria de alta capacidad para las plataformas de servidores Intel Xeon. Similar en concepto y diseño al JEDEC DDR5 MRDIMM, el MCRDIMM es capaz de operar dos áreas de datos simultáneamente, entregando 128 Bytes de datos al procesador a la vez. El aumento de la velocidad de transferencia se consigue mediante el uso de búferes de datos multiplexados y un controlador de reloj registrado de multiplexación, con lo que se alcanzan velocidades superiores a 8000MT/seg.
MRDIMM
MRDIMM es el acrónimo de Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module (Módulo de memoria doble en línea de Rank multiplexado.). Este es un tipo de módulo DDR5 estándar de la industria JEDEC diseñado para su uso en entornos de servidor. Los MRDIMM permiten mayores tasas de datos (velocidades), mayor ancho de banda y mayores capacidades que los DIMM Registered DDR5 convencionales que utilizan registros especiales (MRCD) y búferes de datos (MDB) para funcionar al doble de la interfaz del huésped, duplicando efectivamente las velocidades de transferencia. Hay dos factores de forma principales para los MRDIMM: Altura estándar y factor de forma alto (TFF) a 56.9 mm. La velocidad de arranque para el MRDIMM de primera generación es de 8800MT/seg, y la segunda generación es de 12.800MT/seg.
Megabits / Mb
1000² bits o 1000 Kb. Generalmente se utiliza para referirse a la densidad de los componentes, tales como DRAM.
Memoria
Un dispositivo, generalmente un semiconductor, que almacena los datos necesarios para su uso en una computadora u otro hardware relacionado.
Canal de memoria
Un canal de memoria es la ruta de transferencia de datos entre un módulo de memoria y un controlador de memoria (que normalmente se encuentra dentro del procesador). La mayoría de los sistemas informáticos (PC, portátiles, servidores) cuentan con una arquitectura de memoria multicanal, donde los canales se combinan para aumentar el rendimiento de la memoria. Una arquitectura de memoria de doble canal denotaría que cuando se instalan módulos idénticos como un par, el ancho de banda efectivo para el controlador de memoria se duplica.
Megahertz / Mhz
Megahertz es una métrica estándar para millones de ciclos por segundo. Históricamente utilizado para describir la frecuencia/velocidad de datos del módulo de memoria.
Megatransferencias / MT/s
Megatransferencias significa millones de transferencias por segundo (MT/s), y es el término correcto utilizado para describir la tasa de datos (velocidad) de todos los módulos de memoria DDR, que transfieren datos al doble de la frecuencia. Más información
Tarjeta microSD
Un tipo de tarjeta de memoria muy pequeña que se utiliza típicamente en teléfonos móviles y otros dispositivos portátiles. Consulte nuestra línea de productos de tarjetas microSD.
NAND
Un tipo de memoria flash, un medio de almacenamiento electrónico no volátil capaz de ser borrado y reprogramado eléctricamente. NAND significa NOT AND, una puerta lógica (medios para producir una salida específica en la electrónica digital).
Apilamiento de dispositivos NAND
Para aumentar la capacidad de almacenamiento, un dispositivo de memoria no volátil, tal como una memoria flash NAND, puede tener múltiples pilas de troqueles de memoria (por ejemplo, chips) para formar un paquete de troqueles de memoria. El paquete de troqueles de memoria se puede implementar en varias formas, como un DDP (paquete de doble troquelado), un QDP (paquete de cuádruple troquelado), un ODP (paquete de octo troquelado), hasta HDP (paquete de 16 troqueles). La tecnología de apilamiento de troqueles permite una mayor capacidad en pequeños factores de forma como un dispositivo USB o un SSD M.2.
Memoria no binaria
Consulte la densidad de la DRAM.
No ECC
Un módulo que no tiene el ancho de datos (habilitado por DRAM adicional) para admitir el algoritmo ECC.
Memoria no volátil
La memoria no volátil es un tipo de memoria de computadora que tiene la capacidad de almacenar datos guardados incluso si la alimentación está apagada.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express, una especificación de interfaz abierta para acceder al almacenamiento no volátil de los equipos, por ejemplo, SSDs.
ECC integrado en el chip / ODECC
El ECC integrado en el chip, abreviado como ODECC, es el ECC incorporado dentro del chip DRAM para corregir errores de bit antes de que se transmitan al módulo. Para la memoria, esta tecnología se introdujo con el DDR5.
PCB / Placa de circuito impreso
PCB es la abreviatura de Placa de circuito impreso. Los PCB son el medio en el que los chips semiconductores están interconectados. Las placas de PCB son generalmente multicapa, con planos de capas conductoras y aislantes. Cada capa se graba con un patrón en el que los materiales conductores, como el cobre, se utilizan para conectar los componentes semiconductores que están montados en la superficie a las capas externas.
PCI Express® (PCIe®)
Interconexión de Componentes Periféricos Express, un estándar de interfaz para componentes de alta velocidad como GPUs o SSDs.
PCN
Acrónimo de Part/Product Change Notice (Aviso de cambio de pieza/producto). Se utilizan para documentar el anuncio de un nuevo producto, un cambio en el producto, una retirada por fin de vida útil o una discontinuación.
PMIC
PMIC es un acrónimo de Circuito integrado de administración de energía. Los PMIC se utilizan generalmente para administrar el seguimiento del suministro eléctrico a componentes específicos de un dispositivo. Para DDR5, se incluye un PMIC en cada módulo.
Plug N Play / PnP
Plug and Play (PnP) puede referirse a muchos tipos de dispositivos en la informática que no requieren software o controladores específicos para funcionar. Para Kingston, utilizamos el término "Plug N Play" para describir un método pionero de overclocking sin tener que habilitar los perfiles. Los módulos Kingston FURY con PnP cuentan con los tiempos de overclock programados en el perfil JEDEC predeterminado en la SPD, lo que obliga a una computadora a activar automáticamente el rendimiento más alto.
Protección en caso de pérdida de energía
La pérdida de energía es inevitable y puede causar estragos en un entorno de trabajo si no se utiliza el hardware adecuado. La protección contra fallos de alimentación es necesaria para evitar la pérdida de datos. Un dispositivo huésped compatible puede enviar un comando a la tarjeta que detendrá cualquiera de sus operaciones si detecta alguna caída de energía. Esto permite que la tarjeta ahorre tiempo para guardar cualquier dato que se esté escribiendo en el momento de la pérdida de energía.
Canal cuádruple
Arquitectura de conector de memoria donde cuatro módulos de memoria idénticos instalados agregan su ancho de banda para aumentar el rendimiento del sistema.
Rango cuádruple
4 Rango, o Rango cuádruple, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.
QVL / Lista de proveedores calificados
QVL es un acrónimo que comúnmente significa lista de proveedores calificados. Los fabricantes de PCs y placas madre con frecuencia enumeran los QVL en sus sitios de soporte técnico para mostrar qué componentes, como las memorias y los SSDs, han sido probados y funcionan con sus sistemas.
RAM / Memoria de acceso aleatorio
RAM es un acrónimo que significa Memoria de acceso aleatorio. En informática, la RAM generalmente se refiere a una memoria a corto plazo entre el almacenamiento (SSD/HDD) y el procesador para permitir un acceso rápido. La RAM de hoy es predominantemente volátil, lo que significa que no retiene información sin suministro eléctrico.
Rango
Un Rango es un bloque de datos de 64 bits de ancho. La cantidad de bits está determinada por la cantidad de bancos, no por los chips DRAM (es decir, ocho chips de los chips x8 componen los 64 bits para crear un Rango). Un módulo de memoria se puede construir con múltiples Rangos, sin embargo, solo se puede acceder a los datos un Rango a la vez.
RAS
RAS es un acrónimo que puede significar algunas cosas en informática. Primero, RAS puede significar Row Address Strobe (Estrobo de dirección de fila), refiriéndose a una solicitud de activación de fila del procesador a la RAM. RAS también puede referirse a Confiabilidad, Disponibilidad y Servicio. Estas son características del conjunto de chips como ECC, DIMM Sparing, Lock-step, Mirroring, etc., que proporcionan redundancia mejorada para RAM. Las aplicaciones RAS son más comunes en los sistemas de estaciones de trabajo y servidores.
DIMM registrado / RDIMM (Registered DIMM)
Un módulo de memoria de clase de servidor que cuenta con un componente de registro, también conocido como Controlador de reloj registrado o Registered Clock Driver (RCD), que actúa como un búfer entre los componentes de la DRAM (memoria) en un módulo (DIMM) y el controlador de memoria (generalmente ubicado dentro de la CPU). Los registros permiten que se utilicen más componentes DRAM en un módulo para lograr mayores capacidades, y la mayoría de los chipsets de servidor requieren el uso de DIMMs con registro como memoria principal del sistema. El registro gestiona las señales de comandos y dirección de la DRAM en el módulo, utilizando un ciclo de reloj adicional para sincronizar los datos en el tiempo.
Listo para AMD Ryzen™
Programa de autocalificación para AMD para overclocking en computadoras basadas en AMD Ryzen.
Registrarse (Register)
El registro es la abreviatura de Controlador de reloj registrado (RCD), que actúa como un búfer entre los componentes de la DRAM en un módulo y el controlador de memoria. Los registros permiten que se utilicen más componentes DRAM en un módulo para lograr mayores capacidades. El registro gestiona las señales de commandos y dirección de la DRAM en el módulo, utilizando un ciclo de reloj adicional para sincronizar los datos en el tiempo.
RGB
RGB es un acrónimo que significa Rojo, Verde y Azul y los LED RGB se utilizan para crear patrones de iluminación. Para la memoria, los LEDs RGB son una parte integrada del módulo y se colocan debajo de un difusor de luz en el difusor de calor con fines estéticos. Consulte nuestros productos que ofrecen RGB.
SATA
Abreviatura de Serial Advanced Technology Attachment (Acoplamiento de tecnología avanzada en serie), SATA es una interfaz de bus de ordenador que se conecta a dispositivos de almacenamiento masivo como discos duros y SSDs.
Tarjeta SD
Un tipo de tarjeta de memoria que se usa típicamente en cámaras digitales y otros dispositivos portátiles. Consulte nuestra línea de productos de tarjetas SD.
Clase de velocidad SD
La Asociación SD ha establecido estándares que califican la transferencia mínima de datos para las necesidades de las empresas que crean productos de grabación de video que requieren de ciertas velocidades de escritura al grabar los datos en una tarjeta de memoria. La clase de velocidad SD, la clase de velocidad UHS y la clase de velocidad de video estandarizaron esto, tanto para tarjetas de memoria como para dispositivos, para garantizar velocidades de escritura mínimas y ofrecer el mejor rendimiento.
SDRAM / DRAM síncrónica
SDRAM es un acrónimo que significa DRAM síncrónica y es la principal tecnología de RAM para la mayoría de las computadoras actuales. Esta tecnología de memoria apareció por primera vez a fines de la década de 1990, y mejoró en gran medida el rendimiento al sincronizar las transferencias de datos con el reloj del sistema.
Servidor Premier
Server Premier es la línea de Kingston de productos de memoria estándar de la industria de Kingston para módulos con ECC, generalmente para servidores y estaciones de trabajo, y los números de pieza comienzan con las siglas "KSM". Las piezas Server Premier se pueden pedir con todos los componentes bloqueados (bloqueo completo) para mayor consistencia, o solo con la revisión de troquel del DRAM bloqueado (bloqueo de DRAM).
SIMM / Módulo de Memoria en Línea Único
SIMM es un acrónimo que significa Módulo de Memoria en Línea Único y era un módulo de memoria heredado de fábrica. Los SIMM generalmente se limitaban a anchos de datos de 32 bits y no admitían accesos de datos independientes desde cada lado de los pines del módulo.
Rango único
1 Rango, o 1R, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.
Sistema en paquete (SIP)
Un sistema en paquete (SiP), es un diseño utilizado para agrupar múltiples circuitos integrados (IC) y componentes pasivos en un solo paquete que puede apilarse utilizando paquete en paquete. Se utiliza generalmente en SSDs, dispositivos USB, tarjetas SD. dentro de un teléfono móvil, etc.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM es un acrónimo de DIMM de contorno pequeño. Al igual que los DIMM, los SODIMM son más pequeños y se utilizan principalmente en computadoras portátiles y PCs con factor de forma pequeño.
SPD / Detección de presencia en serie
SPD es un acrónimo que significa Detección de presencia en serie. Un SPD es una EEPROM, un chip en el módulo de memoria que contiene la información sobre sus propias especificaciones.
Velocidad
Para la memoria, la velocidad generalmente se refiere a la velocidad de datos del módulo. Todas las generaciones de DDR denotan velocidad en megatransferencias por segundo (MT/s). La velocidad de la memoria se puede escribir de varias maneras: DDR5-4800, o PC5-38400, o DDR5 de 4800 MT/s. La velocidad de un módulo también se puede utilizar para determinar el ancho de banda efectivo de un módulo al multiplicar por 8. Por ejemplo, el DDR5-4800 tiene un ancho de banda efectivo de 38.400 MB/s, o 38,4 GB/s. Esta es la velocidad de transferencia de datos máxima de los datos que se mueven dentro y fuera del módulo por segundo.
Para conocer la velocidad de la tarjeta SD y microSD, consulte Clase de velocidad SD.
Clase de velocidad (clase 4, 6, 10)
La clasificación de velocidad estandarizada de la Asociación SD para diferentes tarjetas de almacenamiento externo (SD, microSD). Estas se caracterizan como "Clase de velocidad" y especifican las velocidades de escritura sostenidas mínimas absolutas. Las tarjetas pueden clasificarse como Clase 4 (4 MB/s), Clase 6 (6 MB/s) o Clase 10 (10 MB/s). Más información.
SSD
Unidad de estado sólido, un dispositivo de almacenamiento compuesto por colecciones de chips Flash NAND, donde los datos son leídos y escritos por un controlador Flash en lugar de un actuador mecánico como con las unidades de disco duro. Debido a la falta de piezas mecánicas, los SSDs funcionan de manera más fluida y eficiente que los HDDs. Otra ventaja de los SSDs sobre los HDDs es que no son vulnerables a la interferencia magnética. Consulte nuestra línea de productos SSD.
Potente motor ECC
La memoria NAND Flash debe mantener la integridad de los datos a medida que los datos se mueven desde el PC huésped al almacenamiento NAND, a través del controlador Flash. Las transferencias de datos del huésped a la tarjeta a menudo se denominan "datos en vuelo" o "datos en tránsito" antes de que realmente se escriban en el almacenamiento Flash NAND. Los controladores flash incorporan tecnología de corrección de errores (llamada ECC, que significa Código de corrección de errores) para detectar y corregir la mayoría de los errores que pueden afectar a los datos a lo largo de esta trayectoria. Los chips de memoria Flash incorporan información adicional de corrección de errores, junto con cada bloque de datos que se escribe; esta información permite al controlador Flash corregir simultáneamente muchos errores al leer un bloque de datos. La memoria NAND Flash, como las unidades de disco duro, encontrará errores de bits durante el funcionamiento normal que corregirá sobre la marcha con sus datos ECC. Si un dispositivo NAND tiene errores excesivos en un bloque de datos, entonces ese bloque se marcará como un Bloque defectuoso, se retirará y uno de los bloques de repuesto se pondrá al servicio. Durante este proceso, los datos se corregirán si es necesario utilizando ECC. El uso de bloques de repuesto prolonga la vida útil y la resistencia de los SSDs.
Obtenga más información sobre la detección y corrección de errores en los SSDs de Kingston.
Subcanal
En el caso de la memoria, subcanal hace referencia a una característica de diseño de los módulos de memoria DDR5 que divide la dirección de 64 bits en dos segmentos independientes de 32 bits para aumentar la eficiencia.
UDIMM / DIMM sin búfer (Unbuffered DIMM)
Módulo de memoria (RAM) de 64 bits (x64) que no incluye registro ni búferes. Los módulos sin búfer se utilizan tradicionalmente en PCs de escritorio / estaciones de trabajo / portátiles.
Clase de velocidad de video UHS-I
Una clase de velocidad para la grabación de video. La velocidad mínima de escritura del medio en cuestión se mide por una letra seguida de un número. Una clase de velocidad V30 tiene una velocidad de escritura mínima de 30 MB/s.
Sin taponamiento (Unbuffered)
No hay búferes de datos en el módulo, como un Registro.
U.2
Un estándar de interfaz informática para conectar SSD, diseñado para el mercado empresarial. Típicamente viene en el factor de forma de 2.5"y ofrece más almacenamiento que el M.2.
UHS-I
Ultra Alta Velocidad – I (UHS-I) es una clase de velocidad para tarjetas de memoria SDHC y SDXC. UHS-I tiene una velocidad de interfaz de bus de hasta 104 MB/s.
UHS-II
Ultra-Alta Velocidad – II (UHS-II) es una clase de velocidad para tarjetas de memoria SDHC y SDXC. UHS-II tiene una velocidad de interfaz de bus de hasta 312 MB/s. La diferencia con la primera versión (UHS-I), fue la adición de una segunda fila de pines, que utiliza la tecnología de señalización diferencial de bajo voltaje (LVDS) para permitir tasas de transferencia más altas.
Clase de velocidad UHS (U1, U3)
Ultra Alta Velocidad (UHS) especifica el rendimiento mínimo de escritura sostenida para la grabación de video. Hay dos clases de velocidad UHS que la Asociación SD creó, Clase de velocidad UHS 1 y UHS 3. Clase de velocidad UHS 1 soporta un mínimo de 10 MB/s de velocidad de escritura y la Clase de velocidad UHS 3 soporta al menos 30 MB/s de velocidad de escritura. La clase de velocidad UHS generalmente se reconoce por un 1 o 3 dentro de un símbolo U. Más información.
USB
El Universal Serial Bus (USB) es una interfaz estándar que permite la conexión entre dispositivos y un controlador host, como un ordenador personal (PC) o un teléfono inteligente. Conecta dispositivos periféricos como cámaras digitales, ratones, teclados, impresoras, escáneres, dispositivos multimedia, discos duros externos y dispositivos flash.
USB 3.2 Gen 1 (5 Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
La diferencia entre estos estándares USB son las capacidades de velocidad de transferencia de datos. El USB 3.2 Gen 1 admite velocidades de hasta 5 Gbit/s, USB 3.2 Gen 2 admite velocidades de hasta 10 Gbit/s, USB 3.2 Gen 2x2 admite velocidades de hasta 20 Gbit/s y USB4 admite velocidades de hasta 40 Gbit/s. Más información .
Clase de velocidad de video (V10, V30, V60, V90)
Clase de velocidad de video fue creado por la Asociación SD para clasificar las tarjetas que pueden operar a resoluciones de video y características de grabación más altas. Esta clase de velocidad garantiza un rendimiento mínimo sostenido para la grabación de video. Esto incluye V6, V10, V30, V60 y V90. La clase de velocidad V90 significa que la velocidad mínima de escritura de la tarjeta de memoria debe funcionar a 90 MB/s, V30 es 30 MB/s, y así sucesivamente. Más información.
ValueRAM
La línea de productos de memoria estándar de la industria de Kingston para DIMM y SODIMM clase no-ECC, tradicionalmente utilizado en los PCs de escritorio y portátiles genéricos.
VLP /Perfil muy bajo (Very Low Profile)
VLP se refiere a una clasificación JEDEC de la altura del módulo de memoria para su uso en sistemas de perfil delgado. Para DDR3 y DDR4, los UDIMM y los RDIMM VLP tienen una especificación de altura de 18,75 mm. Los DIMM de perfil estándar DDR3 (30,00 mm) y DDR4/DDR5 (31,25 mm) se consideran de perfil "bajo".
Nivelación de desgaste
Los dispositivos de almacenamiento Flash de Kingston incorporan controladores que utilizan tecnología de nivelación de desgaste avanzada, la cual distribuye uniformemente el número de ciclos P/B (programa/borrado) a través de la memoria Flash. La nivelación de desgaste prolonga así la vida útil de una tarjeta de memoria Flash.
x16
Para las memorias, x16 se refiere al ancho de datos de un chip DRAM (x16 es de 16 bits de ancho). Los x16 DRAM se utilizan en UDIMM y SODIMM y se limitan a equipos de escritorio y portátiles con procesadores que admiten este tipo de DRAM.
x4
Para las memorias, x4 se refiere al ancho de datos de un chip DRAM (x4 es ancho de 4 bits). Los chips x4 DRAM se usan principalmente en RDIMM y LRDIMM, y los módulos que los presentan pueden admitir detección de errores de múltiples bits y corrección ECC.
x64
Para las memorias, x64 significa 64 bits. Esta es la cantidad total de ancho necesario para completar un Rango.
x72
Para las memorias, x72 significa 72 bits. Esto indica que un módulo con una dirección de 64 bits más 8 bits para admitir ECC. x72 es el ancho del módulo para RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM y LRDIMM para DDR3, DDR4 y algunos módulos DDR5. Los módulos DDR5 que son x72 también se conocen como EC4.
x8
Para las memorias, x8 se refiere al ancho de datos de un chip DRAM (x8 es el ancho de 8 bits). Los x8 DRAM se utilizan en todos los tipos de módulos de memoria, incluyendo RDIMMs.
x80
Para las memorias, x80 significa 80 bits. Esto es específico de un módulo de tipo DDR5 EC8. Los módulos DDR5 cuentan con dos subcanales independientes de 32 bits, que pueden tener cada uno una adición de 8 bits para admitir ECC, para un total de 40 bits. Los dos combinados equivalen a 80 bits totales por rango.
XMP
Perfil de memoria Intel Extreme, tiempos preprogramados en módulos de overclockeo. Más información.
XTS-AES
Estándar de encriptado avanzado contra robo de texto cifrado en bloque ajustable XEX; funcionalmente es un encriptado de bloque ajustable para dispositivos de datos de 128 bits o más, utilizando el encriptado de bloque AES como subrutina. Es un modo altamente seguro de encriptado utilizado por muchas organizaciones tanto administrativas como corporativas.