1R (Bậc 1, Bậc đơn)
Một bậc có độ rộng 64 bit trên một thanh RAM.
2R (Bậc 2, Bậc đôi)
Hai bậc, mỗi bậc có độ rộng 64 bit trên một thanh RAM.
4R (Bậc 4, Bậc bốn)
Bốn bậc, mỗi bậc có độ rộng 64 bit trên một thanh RAM.
8R (Bậc 8, Bậc tám)
Tám bậc, mỗi bậc có độ rộng 64 bit trên một thanh RAM.
AMD
Advanced Micro Devices, một công ty chuyên phát triển bộ xử lý, chipset, bộ xử lý đồ họa và các sản phẩm liên quan.
AMD EPYC™
Thương hiệu bộ xử lý dành cho máy chủ của AMD.
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking. Thanh RAM với cấu hình AMD EXPO có các mức tốc độ, thời gian và điện áp cụ thể được tối ưu hóa cho các hệ thống AMD.
AMD Ryzen™
Thương hiệu CPU cho máy tính để bàn và máy tính xách tay của AMD.
AES (Chuẩn mã hóa cao cấp)
Xem FIPS. Một mã khối để mã hóa các dữ liệu điện tử nhạy cảm, được chính phủ Hoa Kỳ sử dụng bằng cái tên FIPS 197 từ năm 2002.
Bảo vệ phân phối nội dung đọc tự động làm mới
Chức năng tự động làm mới đọc tất cả dữ liệu trên các vùng nhớ flash, bao gồm cả những nơi dữ liệu ít khi được đọc, sau đó thực hiện hiệu chỉnh lỗi tự động một cách bắt buộc để ngăn ngừa hiện tượng mất dữ liệu do lỗi nhiễu khả năng đọc, lỗi chiếm dữ liệu và các lỗi khác. Chức năng tự động làm mới hoạt động ở dạng chạy ẩn để chỉ gây ra độ trễ phản hồi lệnh ở mức rất nhỏ ngay cả trong quá trình hiệu chỉnh.
Quản lý Khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy
Những khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy (còn gọi là "khối lỗi") có chứa một hoặc nhiều bit thông tin không còn đáng tin cậy. Những khối lỗi này xuất hiện trong quá trình sản xuất (Khối lỗi Nguyên bản) hoặc xuất hiện trong vòng đời sử dụng của thẻ (Khối lỗi Thứ phát). Cả hai loại khối lỗi đều là không tránh khỏi, vì vậy cần thiết phải tạo lập Quản lý Khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy nhằm quản lý các lỗi này đối với thiết bị NAND Flash. Quản lý Khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy sẽ xác định và đánh dấu các khối lỗi, sau đó sẽ sử dụng dung lượng bổ sung còn trống để thay thế các khối không còn hợp lệ. Điều này sẽ ngăn cản khả năng ghi dữ liệu vào các khối lỗi, qua đó tăng độ tin cậy cho sản phẩm. Nếu các khối lỗi đang chứa dữ liệu, thì thẻ sẽ chuyển dữ liệu sang khối hợp lệ để tránh mất mát dữ liệu.
Bank bộ nhớ
Bank trong bộ nhớ có nhiều nghĩa trong điện toán. Thông thường nhất thì bank chỉ một dãy độc lập gồm các dòng dữ liệu trong chip DRAM, ở đó thông tin được lưu trữ tạm thời. Khi muốn truy cập vào một bank, bộ điều khiển bộ nhớ sẽ cùng lúc truy cập vào cùng một vị trí trên tất cả các chip thuộc cùng một bậc. Nghĩa thứ hai của bank là chỉ việc phân nhóm các khe cắm bộ nhớ đa kênh trên bo mạch chủ.
bit
Viết tắt của “binary digit”, tức chữ số nhị phân, và là đơn vị đo dữ liệu cơ bản nhất trong điện toán, được đại diện bằng 0 hoặc 1 / bật hoặc tắt.
Byte
Tám bit bằng một byte. Đây là một đơn vị đo lường để lưu trữ thông tin, ví dụ như một ký tự văn bản. Tập hợp các bit và byte tạo thành ngôn ngữ điện toán cơ bản.
Brute force
Một cuộc tấn công mạng kém tinh vi để bẻ mật khẩu hay khóa mật mã bằng cách thử mọi phương án khả thi.
Dung lượng
Tổng số lượng ô bộ nhớ dữ liệu khả dụng trên một thanh RAM, được biểu thị bằng Gigabyte (GB). Đối với các bộ kit, dung lượng được liệt kê là mức dung lượng kết hợp của tất cả các thanh RAM trong bộ kit đó.
Độ trễ CAS / CL
CAS là viết tắt của Column Address Strobe (Tín hiệu địa chỉ nhớ theo cột), còn Độ trễ CAS (CL) là thời gian tìm hàng bộ nhớ còn mở cần truy cập trong các chu kỳ xung nhịp. (ví dụ: CL32, CL40).
Kênh
Kênh chỉ số lượng chip nhớ flash mà bộ điều khiển có thể giao tiếp cùng một lúc. Ổ SSD cơ bản/phổ biến thường có 2 hoặc 4 kênh; ổ SSD hiệu năng cao thường có 8 kênh và ổ SSD của các trung tâm dữ liệu có thể có đến 16 kênh.
Chip mã hóa
Một công cụ phần cứng bảo vệ dữ liệu trên USB bằng cách đặt tính năng quản lý khóa mật mã ở ngay trên thiết bị, nơi tính năng này có thể được bảo vệ. Dòng ổ flash IronKey sử dụng chip mã hóa.
Tốc độ dữ liệu
Thuật ngữ chỉ tốc độ bộ nhớ (đơn vị: MT/giây) cho biết lượng dữ liệu có thể truyền trong một chu kỳ xung nhịp.
DDR / Double Data Rate (Tốc độ dữ liệu gấp đôi) / DDR SDRAM
“DDR” là viết tắt của Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ có tốc độ dữ liệu gấp đôi. DRAM đồng bộ truyền dữ liệu trên xung nhịp hệ thống, trong khi đó, DDR SDRAM truyền dữ liệu trên cả sườn lên và xuống của xung nhịp, hay truyền hai lần trong một chu kỳ xung nhịp, giúp tăng gấp đôi tốc độ truyền so với tần số. “DDR” cũng chỉ thanh RAM DDR SDRAM thế hệ đầu tiên ra mắt vào năm 1998, gồm các tốc độ truyền 200, 266, 333 và 400 MT/giây trong suốt vòng đời và chỉ tiêu thụ 2,5 V mỗi thanh.
DDR2
DDR2 là DDR SDRAM thế hệ thứ hai. DDR2 tiêu thụ ít điện năng hơn, chỉ 1,8 V mỗi thanh, và có tốc độ truyền dữ liệu cao hơn. Ra mắt năm 2003, tốc độ truyền của DDR2 bắt đầu từ 400 MT/giây và tăng dần lên 533, 667, 800 và 1066 MT/giây trong suốt vòng đời.
DDR3
DDR3 là DDR SDRAM thế hệ thứ ba ra mắt lần đầu vào năm 2007. Tiêu thụ ít điện năng hơn DDR2, chỉ 1,5 V mỗi thanh, DDR3 có tốc độ khởi điểm là 800 MT/giây, sau đó đã đạt đến 1066, 1333, 1600, 1866 và 2133 MT/giây.
DDR3L
DDR3L là thông số phụ trong tiêu chuẩn DDR3 JEDEC. Có cùng các mức tốc độ và thời gian như DDR3, nhưng điện áp của DDR3L được giảm xuống còn 1,35 V, giúp tiết kiệm thời lượng pin trong máy tính xách tay và giảm nhiệt lượng sản sinh trong máy chủ. Bộ nhớ DDR3L tương thích ngược với DDR3 và sẽ điều chỉnh sang 1,5 V trên các hệ thống cũ hoặc khi kết hợp cùng các thanh RAM chuẩn DDR3.
DDR4
DDR4 là DDR SDRAM thế hệ thứ tư được ra mắt vào năm 2014. DDR4 có phạm vi tốc độ từ 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 đến 3200 MT/giây với điện áp tiêu thụ chỉ 1,2 V trên mỗi thanh. DDR4 có nhiều tiến bộ lớn so với DDR3, mà đầu tiên là ở hình dáng của thanh DIMM. Phần giữa cạnh dưới của DIMM được thiết kế cong nhằm cải thiện vị trí trên khe cắm và củng cố thanh RAM trước lực chèn có khả năng phá hỏng vi mạch.
DDR5
DDR5 là DDR SDRAM thế hệ thứ năm được ra mắt vào năm 2020. DDR5 có phạm vi tốc độ từ 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 đến 7200 MT/giây. DDR5 giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng nhờ giảm điện áp xuống chỉ còn 1,1 V trên mỗi thanh và có IC Quản lý công suất (PMIC) trên thanh để phân phối điện năng tới nơi cần thiết khi cần. Các thanh DDR5 đã cải thiện hiệu năng vượt bậc so với những thế hệ trước đó nhờ tăng gấp đôi số bank và chiều dài truyền loạt, cho phép làm mới trong cùng một bank và chia thanh RAM thành hai kênh phụ 32 bit có thể xử lý độc lập. Tính toàn vẹn dữ liệu cũng được cải thiện thông qua tích hợp ECC trên chip bán dẫn, đem lại khả năng chỉnh sửa lỗi bit nội trong các cấu phần DDR5 DRAM riêng lẻ.
Thiết kế trong
Thiết kế trong chỉ một danh mục gồm thiết bị/PC phi truyền thống như kiosk, hệ thống POS, biển báo kỹ thuật số, thiết bị chẩn đoán, v.v. Kingston sản xuất các thành phần, thanh RAM và ổ rời dành riêng cho danh mục điện toán này.
DIMM / Thanh RAM hai hàng chân
DIMM là viết tắt của Thanh RAM hai hàng chân. Đây là một loại thanh RAM mà mỗi bên của thanh có các tiếp điểm điện riêng biệt. Thiết kế này cho phép truyền dữ liệu độc lập đến và đi từ mỗi bên trên thanh RAM.
DRAM / Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động
DRAM là viết tắt của Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động. Đây là loại công nghệ RAM phổ biến nhất được dùng trong điện toán ngày nay. Chip DRAM được làm từ chất bán dẫn và được sắp xếp thành một lưới dòng dữ liệu với tụ điện và bóng bán dẫn có thể lưu trữ điện tích đại diện cho một và không trong mã điện toán.
Kênh Đôi
Kiến trúc ổ cắm bộ nhớ có hai thanh RAM giống hệt nhau kết hợp băng thông để tăng hiệu năng hệ thống.
Làm mới dữ liệu động
Chức năng làm mới dữ liệu động được sử dụng để đảm bảo trong quá trình vận hành chỉ đọc, các khối có nhiều lỗi có thể được loại bỏ và làm mới lại cho các lần sử dụng tiếp theo. Trong mỗi lệnh đọc, bộ điều khiển sẽ thực hiện ba bước kiểm tra đối với ba khối mục tiêu: bước đầu tiên là kiểm tra đánh dấu “cần phải làm mới”. Bước thứ hai là kiểm tra số bit thông tin bị lỗi hiện có. Bước thứ ba là kiểm tra số lượng đếm lại các lỗi hiện có.
ECC / Mã sửa lỗi
Một thuật toán có thể khắc phục tình trạng lỗi dữ liệu đơn hoặc đa bit trong điện toán. Đối với bộ nhớ (RAM), ECC được trang bị trong bộ điều khiển bộ nhớ của bộ xử lý, thường là cấp máy chủ hoặc máy trạm. Thanh RAM hỗ trợ ECC có các cấu phần DRAM bổ sung để cung cấp thêm độ rộng dữ liệu (ECC không có bộ đệm, ECC có thanh ghi, Giảm tải). Đây là bộ phận bắt buộc phải có trong bộ xử lý bộ nhớ để phát hiện và sửa lỗi.
ECC UDIMM
Thanh RAM DIMM ECC không có bộ đệm (UDIMM) có thêm các cấu phần DRAM để hỗ trợ thuật toán ECC.
EEPROM
EEPROM là viết tắt của Bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình và xóa bằng điện. Đây là một cấu phần trong thanh RAM chuyên lưu trữ thông tin quan trọng về thông số kỹ thuật của thanh RAM. SPD được coi là một EEPROM.
FAT
Bảng phân bố tập tin (FAT) là hệ thống tập tin dành cho ổ cứng. Hệ điều hành (OS) dùng FAT để quản lý tập tin trên ổ cứng và các hệ thống máy tính khác. FAT thường được dùng trong bộ nhớ flash, máy ảnh kỹ thuật số và các thiết bị di động. FAT được dùng để lưu trữ thông tin tập tin và kéo dài tuổi thọ ổ cứng.
FIPS (Tiêu chuẩn Xử lý Thông tin Liên bang)
Các tiêu chuẩn và hướng dẫn dành cho hệ thống máy tính liên bang của Hoa Kỳ, được Viện Tiêu chuẩn và Công nghệ Quốc gia (NIST) phát triển theo Đạo luật Quản lý An ninh Thông tin Liên bang (FISMA) và được Bộ trưởng Bộ Thương mại phê duyệt.
FIPS 197
Chuẩn Mã hóa Cao cấp (còn gọi là Rinjdael), một biến thể của mã hóa khối do Bỉ xây dựng. Dùng khóa 128, 192 hay 256 bit: AES-128 chưa từng bị bẻ khóa bởi tấn công brute force và được bảo vệ đầy đủ để được phép dùng cho dữ liệu ở cấp “Bí mật”. Đây là mã hóa đầu tiên và duy nhất có thể truy cập công khai được Cơ quan An ninh Quốc gia Hoa Kỳ phê duyệt để dùng cho dữ liệu Tuyệt mật (mã hóa 192 bit trở lên).
FIPS 140-2 Cấp độ 3
Tiêu chuẩn bảo mật máy tính phổ biến của chính phủ, được ban hành vào năm 2019. Ngoài việc đảm bảo bảo mật cấp sản xuất và đáp ứng các yêu cầu về xác thực vai trò và khả năng chống can thiệp vật lý, các hệ thống đáp ứng tiêu chuẩn này phải có sự tách biệt giữa các giao diện truy cập và ra khỏi mô-đun của "các tham số bảo mật quan trọng".
Bộ nhớ flash
Bộ nhớ flash là bộ nhớ điện tĩnh (loại bộ nhớ lưu trữ dữ liệu kể cả khi không có nguồn điện). Bộ nhớ flash thường có trong các thiết bị như ổ cứng thể rắn (SSD) và USB Flash. Máy tính cá nhân hay các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp cũng thường dùng bộ nhớ flash.
Kích cỡ
Hình dáng và kích cỡ của một linh kiện điện tử, chẳng hạn như ổ cứng hay ổ SSD.
Tần số
Thường được đề cập dưới thuật ngữ tốc độ, tốc độ dữ liệu hoặc chu kỳ xung nhịp của RAM.
Gom dữ liệu hỏng
Chức năng Gom dữ liệu hỏng là chìa khóa để bộ nhớ NAND Flash để duy trì tuổi thọ và tốc độ. Các thiết bị dựa trên NAND Flash không thể ghi đè lên dữ liệu đã tồn tại ở đó. Chúng phải trải qua một chu kỳ ghi/xóa; để ghi lên một khối dữ liệu đã được sử dụng, trước tiên bộ điều khiển NAND Flash sẽ sao chép tất cả dữ liệu hợp lệ (dữ liệu vẫn đang được sử dụng) và ghi chúng vào các trang trống trên một khối khác, xóa tất cả các ô trong khối hiện tại (cả dữ liệu hợp lệ và không hợp lệ) và sau đó ghi dữ liệu mới vào khối vừa bị xóa. Quá trình này gọi là gom dữ liệu hỏng.
Gbps / Gigabit trên giây
Đo băng thông theo đơn vị tỉ bit.
Gigabit / Gb / Gbit
Tương đương 1000³ bit hoặc 1000 Mb. Thường được dùng để mô tả mật độ thành phần như chip DRAM riêng biệt.
Gigabyte / GB / GByte
Tương đương 1000³ byte hoặc 1000 MB. Thường được dùng để chỉ dung lượng bộ nhớ hoặc ổ SSD.
GT/giây
GT/giây tức là gigatransfer trên giây.
Bộ tản nhiệt
Tấm kim loại gắn trên các thanh RAM để tản nhiệt.
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
Đây là công nghệ đồng bộ hóa được cấp bằng sáng chế sử dụng các thành phần hồng ngoại trên thanh RAM Kingston HyperX và FURY để căn chỉnh hiệu ứng chiếu sáng RGB.
Intel®
Intel Corporation. Công ty thiết kế và sản xuất nền tảng điện toán phụ trách CPU, chipset, GPU cùng nhiều công nghệ khác.
Intel® Xeon®
Dòng CPU dành cho máy chủ/máy tính để bàn cao cấp Intel® có hỗ trợ bộ nhớ ECC, có số lõi xử lý cao và băng thông lớn để hỗ trợ lượng lớn RAM và GPU.
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles là thông số kỹ thuật Intel cho phép các nhà cung cấp bộ nhớ và bo mạch chủ thiết đặt cấu hình ép xung (DDR3 và DDR4), giúp người dùng cuối ép xung dễ dàng.
Intel® XMP 3.0
Phiên bản XMP mới nhất dành cho DDR5 hỗ trợ lên tới năm cấu hình: ba cấu hình cho nhà sản xuất bộ nhớ và hai cấu hình có thể tùy chỉnh để người dùng cuối ép xung thủ công.
Được chứng nhận Intel® XMP 3.0
Sản phẩm/kit đã đạt quy chuẩn và được gửi tới chương trình tự chứng nhận phiên bản 3 của Intel dành cho DDR5.
Tương thích với Intel® XMP 3.0
Sản phẩm/kit tương thích với cấu hình ép xung của Intel XMP 3.0 dành cho DDR5.
Được chứng nhận Intel® XMP
Linh kiện/bộ kit đã đạt quy chuẩn và được gửi tới chương trình Tự chứng nhận của Intel.
Tương thích với Intel® XMP
Linh kiện/bộ kit kit tương thích với thông số kỹ thuật Intel® XMP 3.0.
Được chứng nhận Intel® XMP 2.0
Linh kiện/bộ kit đã đạt quy chuẩn và được gửi tới chương trình Tự chứng nhận của Intel.
Tương thích với Intel® XMP 2.0
Linh kiện/bộ kit tương thích với thông số kỹ thuật Intel® XMP 2.0.
JEDEC
JEDEC là viết tắt của Hội đồng thiết kế các thiết bị điện tử (Joint Electron Device Engineering Council). Đây là cơ quan giám sát tiêu chuẩn ngành dành cho thiết bị bán dẫn và các công nghệ liên quan đến máy tính. JEDEC là liên đoàn các công ty trong ngành hợp tác cùng nhau để xây dựng các tiêu chuẩn, trong đó có tiêu chuẩn về bộ nhớ.
Kingston FURY™ Beast
Dòng sản phẩm UDIMM có thể ép xung cơ bản của Kingston.
Kingston FURY™ Impact
Dòng sản phẩm SODIMM có thể ép xung của Kingston.
Kingston FURY™ Renegade
Dòng sản phẩm UDIMM có thể ép xung với hiệu năng cao của Kingston.
Bộ kit
Mã sản phẩm chứa nhiều thanh RAM, thường hỗ trợ kiến trúc bộ nhớ kênh đôi, kênh ba hoặc kênh bốn. Ví dụ: K2 = 2 DIMM trong bộ sản phẩm để đạt tổng dung lượng.
Chiều dài (mm) x Chiều cao (mm) x Chiều rộng (mm)
Các phép đo thanh RAM (tính cả bộ tản nhiệt) bằng milimét.
DIMM Giảm tải / LRDIMM
Tương tự như DIMM có thanh ghi (RDIMM), LRDIMM có bộ nhớ đệm dữ liệu nhằm giảm tải cho bộ điều khiển bộ nhớ, mà nếu không có, bộ điều khiển bộ nhớ sẽ phải điều chỉnh giảm tốc độ bộ nhớ để bù trừ. Công nghệ LRDIMM cho phép tạo tên các thanh RAM dung lượng lớn mà không phải hi sinh hiệu năng.
M.2
Kích cỡ của các bảng mạch mở rộng máy tính được gắn bên trong. Cho phép nhiều kích thước dài và rộng khác nhau của linh kiện
Mbps
Megabit trên giây, tốc độ dữ liệu đo số triệu bit trên giây.
Megabyte / MB
Tương đương 1000² byte hoặc 1000 KB. Thường được dùng để chỉ dung lượng dữ liệu của bộ nhớ, ổ SSD và các thiết bị flash khác.
Megabit / Mb
Tương đương 1000² bit hoặc 1000 Kb. Thường được dùng để chỉ mật độ thành phần, ví dụ như DRAM.
Kênh bộ nhớ
"Kênh bộ nhớ" là đường truyền dữ liệu giữa một thanh RAM và bộ điều khiển bộ nhớ (thường thấy ở các bộ xử lý). Hầu hết các hệ thống máy tính (PC, máy tính xách tay, máy chủ) đều có cấu trúc bộ nhớ đa kênh. Các kênh này kết hợp với nhau để nâng cao hiệu năng bộ nhớ. Cấu trúc bộ nhớ Kênh Đôi là khi các thanh RAM giống hệt nhau được lắp thành một cặp. Khi đó, băng thông hiệu dụng cho bộ điều khiển bộ nhớ sẽ tăng lên gấp đôi.
Megahertz / MHz
Megahertz là chỉ số tiêu chuẩn tương đương triệu vòng trên giây. Trước đây, từ này thường được dùng để mô tả tần số/tốc độ dữ liệu của thanh RAM.
Megatransfer / MT/giây
Megatransfer nghĩa là triệu lượt truyền trên giây (MT/giây). Đây là thuật ngữ chính xác để mô tả tốc độ dữ liệu (tốc độ) của tất cả các thanh RAM DDR truyền dữ liệu với tần số gấp đôi.
Thẻ microSD
Một loại thẻ nhớ rất nhỏ thường được dùng trong điện thoại di động và các thiết bị di động khác.
NAND
Một loại bộ nhớ flash, là một phương tiện lưu trữ điện tĩnh điện tử, có khả năng xoá và lập trình lại bằng điện. NAND là viết tắt của NOT AND, là cổng logic (phương tiện để đưa ra một đầu ra cụ thể trong điện tử kỹ thuật số).
Xếp chồng thiết bị NAND
Để nâng cao khả năng lưu trữ, một thiết bị bộ nhớ điện tĩnh như bộ nhớ NAND Flash có thể xếp chồng nhiều khuôn bộ nhớ (ví dụ: chip) để cấu thành một gói khuôn bộ nhớ. Gói khuôn bộ nhớ có thể được triển khai dưới nhiều dạng, chẳng hạn như DDP (Gói hai khuôn), QDP (Gói bốn khuôn), ODP (Gói tám khuôn) đến tận HDP (gói 16 khuôn). Kỹ thuật xếp chồng khuôn cho phép các các thiết bị có kích cỡ nhỏ có dung lượng lớn hơn, chẳng hạn như USB hay ổ SSD M.2.
Không ECC
Một thanh RAM không có độ rộng dữ liệu (nhờ vào DRAM bổ sung) để hỗ trợ thuật toán ECC.
Bộ nhớ điện tĩnh
Bộ nhớ điện tĩnh là một loại bộ nhớ máy tính có khả năng giữ dữ liệu đã lưu kể cả khi mất nguồn điện.
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express, là một thông số giao diện mở để truy cập bộ lưu trữ điện tĩnh của máy tính, ví dụ như ổ SSD.
ECC trên chip bán dẫn / ODECC
ECC trên chip bán dẫn, viết tắt là ODECC, là ECC được tích hợp trong chip DRAM để sửa lỗi bit trước khi chuyển sang thanh RAM. Trên bộ nhớ, công nghệ này được giới thiệu cùng DDR5.
PCB / Bo mạch in
PCB là viết tắt của Bo mạch in. PCB là trung gian nơi các chip bán dẫn liên kết với nhau. PCB thường là các bo mạch đa lớp với các mặt phẳng gồm lớp dẫn điện và cách điện. Mỗi lớp được khắc theo mẫu hình bố cục, dùng các vật liệu dẫn điện như đồng để liên kết giữa các thành phần bán dẫn được gắn trên bề mặt lớp ngoài.
PCI Express® (PCIe®)
Tiêu chuẩn kết nối ngoại vi hỏa tốc là một tiêu chuẩn giao diện cho các linh kiện tốc độ cao, như GPU hay ổ SSD.
PMIC
PMIC là viết tắt của Mạch tích hợp quản lý nguồn điện. PMIC thường được dùng để quản lý luồng điện tới các thành phần trong một thiết bị. Với DDR5, PMIC có trong mỗi thanh.
Plug N Play / PnP
Plug N Play (PnP) có thể chỉ nhiều loại thiết bị trong điện toán. Những thiết bị này có thể hoạt động mà không cần có phần mềm hay ổ đĩa cụ thể. Với Kingston, chúng tôi sử dụng thuật ngữ “Plug N Play” để mô tả một biện pháp ép xung tiên phong của Kingston mà không cần phải kích hoạt cấu hình. Các thanh Kingston FURY với tính năng PnP có thời gian ép xung được lập trình sẵn trong cấu hình JEDEC mặc định trong SPD, buộc máy tính phải tự động sử dụng hiệu năng cao hơn.
Bảo vệ khi mất điện
Hiện tượng mất điện là không tránh khỏi và có thể gây ảnh hưởng nghiêm trọng đến môi trường làm việc nếu không sử dụng phần cứng phù hợp. Bảo vệ khi mất điện là rất cần thiết để tránh mất dữ liệu. Thiết bị chủ được hỗ trợ có thể gửi một lệnh tới thẻ để dừng mọi hoạt động nếu phát hiện có hiện tượng sụt nguồn. Điều này cho thẻ đủ thời gian để lưu lại bất kỳ dữ liệu nào đang được ghi tại thời điểm mất điện.
Kênh Bốn
Kiến trúc ổ cắm bộ nhớ có bốn thanh RAM giống hệt nhau kết hợp băng thông để tăng hiệu năng hệ thống.
Bậc Bốn
4 Bậc, hay Bậc Bốn, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
QVL / Danh sách nhà cung cấp đủ điều kiện
QVL là viết tắt của danh sách nhà cung cấp đủ điều kiện. Các nhà sản xuất PC và bo mạch chủ thường liệt kê QVL trên các trang hỗ trợ của mình nhằm cho biết những thành phần nào, ví dụ như bộ nhớ và ổ SSD, đã được kiểm thử và tương thích với hệ thống của họ.
RAM / Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
RAM là viết tắt của Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên. Trong điện toán, RAM thường chỉ bộ nhớ ngắn hạn giữa bộ lưu trữ (ổ SSD/HDD) và bộ xử lý để cho phép truy cập nhanh. Ngày nay, phần lớn RAM có tính khả biến, tức là không lưu giữ thông tin nếu không có điện năng.
Bậc
Bậc là một khối dữ liệu rộng 64 bit. Số lượng bit được xác định theo số lượng bank, không phải chip DRAM (ví dụ: 8 chip x8 tương đương 64 bit và tạo thành một Bậc). Có thể xây dựng một thanh RAM bằng nhiều Bậc, tuy nhiên, tại một thời điểm, chỉ có thể truy cập dữ liệu trên một Bậc.
RAS
RAS có thể là chữ viết tắt của nhiều thuật ngữ trong điện toán. Trước tiên, RAS có thể là Tín hiệu địa chỉ nhớ theo hàng - đây là yêu cầu kích hoạt một hàng từ bộ xử lý tới RAM. RAS cũng có thể là Độ đáng tin cậy, Độ sẵn sàng và Khả năng bảo trì. Đây là các tính năng chipset như ECC, Dự trữ DIMM, Bước khóa, Ánh xạ, v.v. nhằm cung cấp khả năng dự phòng nâng cao cho RAM. Các tính năng RAS thường có trong các hệ thống cấp máy trạm và máy chủ.
DIMM có thanh ghi / RDIMM
Một DIMM có thanh ghi (RDIMM) là một thanh RAM cấp máy chủ hỗ trợ ECC có một thành phần là Thanh ghi. Hầu hết các chipset trong máy chủ đều phải dùng RDIMM làm bộ nhớ hệ thống cơ bản. Với DDR5, chốt (rãnh) trên thanh RAM được đặt ở vị trí khác so với DIMM không có bộ đệm (UDIMM) nhằm tránh lắp vào khe của các hệ thống không tương thích.
Tương thích với AMD Ryzen™
Chương trình tự chứng nhận AMD dành cho ép xung trên các máy tính sử dụng AMD Ryzen.
Thanh ghi
Thanh ghi là viết tắt của Mạch lái xung nhịp có thanh ghi (RCD), hoạt động như một bộ đệm giữa các thành phần DRAM trên một thanh RAM và bộ điều khiển bộ nhớ. Thanh ghi cho phép dùng nhiều thành phần DRAM hơn trên một thanh RAM để đạt được các mức dung lượng cao hơn. Thanh ghi quản lý tín hiệu địa chỉ và lệnh của DRAM trên thanh RAM bằng chu kỳ ép xung bổ sung nhằm đồng bộ hóa dữ liệu kịp thời.
RGB
RGB là viết tắt của Đỏ, Xanh lá và Xanh dương, và RGB LED được dùng để tạo các hiệu ứng chiếu sáng. Với bộ nhớ, RGB LED là một bộ phận được tích hợp trong thanh RAM và được đặt bên dưới bộ khuếch tán ánh sáng trong bộ tản nhiệt vì lý do thẩm mĩ.
SATA
Viết tắt của Công nghệ truyền tải nối tiếp, là giao diện bus máy tính để kết nối các thiết bị lưu trữ dung lượng lớn như ổ cứng hay ổ SSD.
Thẻ SD
Một loại thẻ nhớ thường được dùng trong máy ảnh kỹ thuật số và các thiết bị di động khác.
Cấp tốc độ SD
Hiệp hội thẻ SD đã ban hành tiêu chuẩn đánh giá tốc độ truyền dữ liệu tối thiểu theo nhu cầu của các công ty sản xuất các sản phẩm ghi video khi yêu cầu tốc độ ghi nhất định trong quá trình ghi dữ liệu lên thẻ nhớ. Cấp tốc độ SD, cấp tốc độ UHS và cấp tốc độ Video chuẩn hóa điều này cho cả thẻ nhớ và thiết bị để đảm bảo tốc độ ghi tối thiểu và mang đến hiệu năng tốt nhất.
SDRAM / DRAM đồng bộ hóa
SDRAM là viết tắt của DRAM đồng bộ hóa và là công nghệ RAM chính cho hầu hết mọi máy tính ngày nay. Công nghệ bộ nhớ này xuất hiện lần đầu tiên vào cuối những năm 1990 và đã cải thiện hiệu năng đáng kể nhờ đồng bộ hóa truyền dữ liệu với xung nhịp của hệ thống.
Server Premier
Server Premier là dòng sản phẩm bộ nhớ tiêu chuẩn ngành của Kingston’s dành cho các thanh RAM có ECC, thường là máy chủ và máy trạm, và số hiệu linh kiện bắt đầu với “KSM”.
SIMM / Thanh RAM một hàng chân
SIMM là viết tắt của Thanh RAM một hàng chân và có kích cỡ giống thanh RAM cũ. SIMM thường giới hạn ở độ rộng dữ liệu 32 bit và không hỗ trợ truy cập dữ liệu độc lập từ các chân RAM mỗi bên.
Bậc Đơn
1 Bậc, hay 1R, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
Gói hệ thống (SIP)
Một gói hệ thống (SiP) là một thiết kế được dùng để kết hợp nhiều mạch tích hợp (IC) và các cấu phần thụ động vào một gói duy nhất, có thể xếp chồng lên nhau bằng kỹ thuật xếp chồng gói. Thường được dùng trong ổ SSD, USB, thẻ SD, bên trong điện thoại di động, v.v.
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM là viết tắt của DIMM quy mô nhỏ. Tương tự như DIMM, SODIMM nhỏ hơn và được dùng chủ yếu trong máy tính xách tay và PC có cỡ nhỏ.
SPD / Phát hiện hiện diện nối tiếp
SPD là viết tắt của Phát hiện hiện diện nối tiếp. SPD là một EEPROM, hay một chip trên thanh RAM chuyên lưu trữ dữ liệu về thông số kỹ thuật của chính nó.
Tốc độ
Với bộ nhớ, tốc độ thường là tốc độ dữ liệu của thanh RAM. Tất cả các thế hệ DDR biểu thị tốc độ ở đơn vị megatransfer trên giây (MT/giây). Tốc độ của bộ nhớ có thể được viết theo nhiều cách: DDR5-4800, hoặc PC5-4800, hoặc DDR5 4800 MT/giây. Tốc độ của thanh RAM còn có thể được dùng để xác định băng thông hiệu dụng của thanh RAM đó bằng cách đem nhân với 8. Ví dụ: DDR5-4800 có băng thông hiệu dụng là 38.400 MB/giây hay 38,4 GB/giây. Đây là tốc độ truyền dữ liệu qua lại thanh RAM cao nhất tính trên mỗi giây.
Cấp tốc độ (Cấp 4, 6, 10)
Tiêu chuẩn đánh giá tốc độ của Hiệp hội thẻ SD cho các loại thẻ lưu trữ ngoài khác nhau (thẻ SD, thẻ microSD). Các thẻ được biểu thị bằng “Cấp tốc độ” và nêu rõ tốc độ ghi duy trì tối thiểu. Thẻ có thể được xếp hạng Cấp 4 (4MB/giây), Cấp 6 (6MB/giây) hay Cấp 10 (10MB/giây).
SSD
Ổ cứng thể rắn là thiết bị lưu trữ được cấu thành từ các bộ chip NAND Flash. Thay vì sử dụng cơ cấu truyền động cơ học như ổ đĩa cứng, dữ liệu trên ổ này được ghi và đọc bởi một bộ điều khiển Flash. Do không có bộ phận cơ học, ổ SSD vận hành trơn tru và hiệu quả hơn ổ HDD. Một ưu điểm khác của ổ SSD so với ổ HDD là loại ổ này không dễ bị nhiễu từ tính.
Công cụ ECC mạnh mẽ
Bộ nhớ Flash NAND phải duy trì tính toàn vẹn dữ liệu khi dữ liệu di chuyển từ máy tính chủ sang thiết bị lưu trữ NAND thông qua bộ điều khiển Flash. Dữ liệu truyền từ thiết bị chủ sang thẻ nhớ thường được gọi là dữ liệu "đang truyền" trước khi dữ liệu này được ghi vào thiết bị lưu trữ NAND Flash trên thực tế. Bộ điều khiển Flash tích hợp công nghệ Sửa lỗi (gọi là ECC, viết tắt của Error Correction Code) để phát hiện và sửa phần lớn các lỗi có thể ảnh hưởng đến dữ liệu trong suốt tiến trình này. Các chip nhớ Flash tích hợp thêm thông tin sửa lỗi cùng với mỗi khối dữ liệu được ghi; thông tin này cho phép bộ điều khiển Flash sửa nhiều lỗi đồng thời khi đọc một khối dữ liệu. Bộ nhớ NAND Flash, cũng giống như ổ đĩa cứng, sẽ gặp phải lỗi bit trong quá trình hoạt động thông thường mà nó sẽ sửa ngay với dữ liệu ECC. Nếu một thiết bị NAND có quá nhiều lỗi trong một khối dữ liệu thì khối đó sẽ được đánh dấu là Khối lỗi, được loại bỏ và một trong những khối trống sẽ được thay vào để sử dụng. Trong quá trình này, dữ liệu sẽ được sửa lỗi bằng ECC nếu cần. Việc sử dụng Khối trống Dự phòng sẽ nâng cao tuổi thọ hữu ích và độ bền của ổ SSD.
Kênh phụ
Ở bộ nhớ, kênh phụ là tính năng có trong thiết kế của thanh RAM DDR5 nhằm phân chia địa chỉ 64 bit thành hai phần 32 bit độc lập để tăng hiệu suất.
UDIMM / DIMM không có bộ đệm
Một thanh RAM không có thanh ghi hay bộ đệm. Các thanh RAM không có bộ đệm thường được dùng trong máy tính để bàn hoặc máy tính xách tay.
Cấp tốc độ video UHS-I
Một cấp tốc độ cho ghi video. Tốc độ ghi tối thiểu của phương tiện được đề cập được đo bằng một chữ cái, theo sau là một chữ số. Cấp tốc độ V30 có tốc độ ghi tối thiểu là 30MB/giây.
Không có bộ đệm
Không có bộ đệm dữ liệu trên thanh, như thanh ghi.
U.2
Một chuẩn giao diện máy tính với kết nối ổ SSD, được thiết kế cho thị trường doanh nghiệp. Thường có kích cỡ 2.5” và có dung lượng lớn hơn M.2.
UHS-I
Tốc độ cực cao – I (UHS-I) là một cấp tốc độ cho thẻ nhớ SDHC và SDXC. UHS-I có tốc độ giao diện bus lên đến 104 MB/giây.
UHS-II
Tốc độ cực cao – II (UHS-II) là một cấp tốc độ cho thẻ nhớ SDHC và SDXC. UHS-I có tốc độ giao diện bus lên đến 312 MB/giây. So với phiên bản đầu tiên (UHS-I), phiên bản này có thêm hàng chân thứ hai sử dụng công nghệ Tín hiệu vi phân điện áp thấp (LVDS) cho phép tốc độ truyền cao hơn.
Cấp tốc độ UHS (U1, U3)
Tốc độ cực cao (UHS) nêu rõ hiệu năng ghi duy trì tối thiểu đối với ghi video. Hiệp hội thẻ SD tạo ra hai cấp tốc độ UHS, đó là Cấp tốc độ UHS 1 và Cấp tốc độ UHS 3. Cấp tốc độ UHS 1 hỗ trợ tốc độ ghi tối thiểu 10MB/giây và Cấp tốc độ UHS 3 hỗ trợ tốc độ ghi tối thiểu 30MB/giây. Cấp tốc độ UHS thường có thể được nhận diện bằng biểu tượng chữ U, với số 1 hoặc 3 bên trong.
USB
Bus nối tiếp vạn năng (USB) là tiêu chuẩn giao diện cho phép kết nối giữa các thiết bị và một bộ điều khiển chủ, chẳng hạn như máy tính cá nhân (PC) hay điện thoại thông minh. USB kết nối các thiết bị ngoại vi như máy ảnh kỹ thuật số, chuột, bàn phím, máy in, máy scan, thiết bị đa phương tiện, ổ cứng bên ngoài và ổ flash.
USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
Sự khác biệt giữa các tiêu chuẩn USB này là khả năng đáp ứng tốc độ truyền dữ liệu. USB 3.2 Gen 1 hỗ trợ tốc độ lên đến 5Gbit/giây, USB 3.2 Gen 2 hỗ trợ tốc độ lên đến 10Gbit/giây, USB 3.2 Gen 2x2 hỗ trợ tốc độ lên đến 20Gbit/giây, và USB4 hỗ trợ tốc độ lên đến 40Gbit/giây. Để biết thêm thông tin: https://www.kingston.com/vn/usb-flash-drives/usb-30.
Cấp tốc độ video (V10, V30, V60, V90)
Cấp tốc độ video được Hiệp hội thẻ SD tạo ra để phân loại thẻ có thể hoạt động thích ứng với độ phân giải video và các chức năng ghi cao hơn. Cấp tốc độ này đảm bảo hiệu năng duy trì tối thiểu để ghi video. Có các cấp tốc độ V6, V10, V30, V60 và V90. Cấp tốc độ V90 có nghĩa là tốc độ ghi tối thiểu của thẻ nhớ cần đạt được là 90MB/giây, V30 là 30MB/giây, v.v. Để biết thêm thông tin: https://www.kingston.com/vn/blog/personal-storage/memory-card-speed-classes.
ValueRAM
Dòng sản phẩm bộ nhớ tiêu chuẩn ngành của Kingston’s dành cho SODIMM và DIMM không hỗ trợ ECC, thường được dùng trong máy tính để bàn và máy tính xách tay hộp trắng.
VLP / Cấu hình rất thấp
VLP là một phân cấp chiều cao thanh RAM của JEDEC dùng trong các hệ thống cấu hình mỏng. Với DDR3 và DDR4, UDIMM VLP và RDIMM VLP có thông số kỹ thuật chiều cao là 18,75 mm. DDR3 (30,00 mm) và DDR4/DDR5 DIMM (31,25 mm) có cấu hình chuẩn được coi là có cấu hình “thấp”.
Cân bằng hao mòn
Các thiết bị lưu trữ Flash của Kingston tích hợp bộ điều khiển sử dụng công nghệ cân bằng hao mòn tiên tiến, công nghệ này phân phối số lượng chu kỳ P/E (ghi/xóa) đồng đều trên khắp bộ nhớ Flash. Cân bằng độ hao mòn sẽ giúp kéo dài tuổi thọ sử dụng của thẻ nhớ Flash.
x16
Với bộ nhớ, x16 chỉ độ rộng dữ liệu của chip DRAM (x16 tương đương độ rộng 16 bit). DRAM x16 được dùng trong UDIMM và SODIMM, chỉ dùng cho máy tính để bàn và máy tính xách tay có bộ xử lý hỗ trợ loại DRAM này.
x4
Với bộ nhớ, x4 chỉ độ rộng dữ liệu của chip DRAM (x4 tương đương độ rộng 4 bit). Chip DRAM x4 chủ yếu được dùng trên RDIMM và LRDIMM. Những thanh RAM được trang bị loại chip này có thể hỗ trợ ECC phát hiện và sửa lỗi đa bit.
x64
Với bộ nhớ, x64 nghĩa là 64 bit. Đây là tổng độ rộng cần để làm thành một Bậc.
x72
Với bộ nhớ, x72 nghĩa là 72 bit. x72 chỉ một thanh RAM có địa chỉ 64 bit cộng 8 bit nhằm hỗ trợ ECC. x72 là độ rộng mô đun dành cho RDIMM, UDIMM ECC, SODIMM ECC và LRDIMM cho DDR3, DDR4 cùng một vài mô-đun DDR5. Thanh RAM DDR5 x72 còn được gọi là EC4.
x8
Với bộ nhớ, x8 chỉ độ rộng dữ liệu của chip DRAM (x8 tương đương độ rộng 8 bit). DRAM x8 được dùng trên tất cả các loại thanh RAM, bao gồm cả RDIMM.
x80
Với bộ nhớ, x80 nghĩa là 80 bit. x80 được dùng riêng cho thanh RAM loại DDR5 EC8. Thanh RAM DDR5 có hai kênh phụ 32 bit độc lập, mỗi kênh có thể có 8 bit bổ sung để hỗ trợ ECC, tổng cộng là 40 bit. Tổng hai kênh là 80 bit trên một Bậc.
XMP
Cấu hình Bộ nhớ Intel Extreme, các khoảng thời gian được lập trình sẵn trên các thanh RAM ép xung.
XTS-AES
Chuẩn mã hóa nâng cao đánh cắp bản mã khối có thể điều chỉnh XEX; có chức năng như một mã hóa khối có thể điều chỉnh cho các đơn vị dữ liệu 128 bit trở lên, dùng mã hóa khối AES như một chương trình con. Đây là chế độ mã hóa với độ bảo mật rất cao, được nhiều tổ chức hành chính và doanh nghiệp sử dụng.