1R (1 Rank, Single Rank)
ความกว้างข้อมูล 64 บิตช่วงเดียวที่หน่วยความจำ
2R (2 Rank, Dual Rank)
ความกว้างข้อมูล 64 บิตสองช่วงที่หน่วยความจำ
4R (4 Rank, Quad Rank)
ความกว้างข้อมูล 64 บิตสี่ช่วงที่หน่วยความจำ
8R (8 Ranks, Octal Rank)
ความกว้างข้อมูล 64 บิตแปดช่วงที่หน่วยความจำ
AMD
Advanced Micro Devices บริษัทที่พัฒนาโปรเซสเซอร์ ชิปเซ็ต กราฟิกโปรเซสเซอร์ และผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
AMD EPYC™
แบรนด์โปรเซสเซอร์เซิร์ฟเวอร์ของ AMD
AMD EXPO™
AMD’s Extended Profiles for Overclocking. หน่วยความจำรองรับโพรไฟล์ AMD EXPO ที่รองรับความเร็ว ไทมิ่งและแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะกับเครื่องที่ติดตั้งส่วนประกอบจาก AMD
AMD Ryzen™
แบรนด์ CPU จาก AMD สำหรับเดสก์ทอปและโน้ตบุ๊ก
ARGB
ARGB ย่อมาจากคำว่า “Addressable RGB” ซึ่งเป็นระบบไฟขั้นสูงที่ช่วยให้คุณปรับแต่งและควบคุมไฟ LED แต่ละดวงได้ตามต้องการ คุณสามารถแสดงสีหลาย ๆ สีได้พร้อมกันและใช้เอฟเฟกต์ไฟที่น่าตื่นตาตื่นใจ เช่น ไฟกระโดด ไฟวาบหรือไฟสีรุ้ง
AES (Advanced Encryption Standard)
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมใน FIPS ระบบการเข้ารหัสบล็อคจากรัฐบาลสหรัฐฯ ที่ใช้สำหรับเข้ารหัสข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์ที่อ่อนไหวภายใต้ชื่อมาตรฐาน FIPS 197 ตั้งแต่ปี 2002
ระบบป้องกันการกระจายการอ่านข้อมูลแบบรีเฟรชอัตโนมัติ
ฟังก์ชั่นรีเฟรชอัตโนมัติจะทำหน้าที่อ่านข้อมูลทั้งหมดที่หน่วยความจำแฟลช รวมทั้งข้อมูลที่ไม่ค่อยถูกเรียกอ่าน จากนั้นทำการแก้ไขข้อผิดพลาดอัตโนมัติตามความจำเป็นเพื่อป้องกันข้อมูลสูญหายจากปัญหาระหว่างการอ่านข้อมูล ปัญหาในการเก็บรักษาข้อมูลและข้อผิดพลาดอื่น ๆ ฟังก์ชั่นรีเฟรชอัตโนมัติจะทำงานอยู่เบื้องหลังเพื่อให้เกิดอาการหน่วงการตอบสนองคำสั่งน้อยที่สุดแม้ในระหว่างที่มีการแก้ไขข้อผิดพลาดอยู่ก็ตาม
ระบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์
บล็อคข้อมูลที่มีปัญหาประกอบไปด้วยบิตข้อมูลบางส่วนที่ทำงานไม่มีเสถียรภาพอีกต่อไป บล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์เหล่านี้อาจเกิดขึ้นระหว่างกระบวนการผลิต (Early Bad Block) หรือจากการใช้งานการ์ด (Later Bad Block) บล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์ทั้งสองประเภทเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ ทำให้ระบบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์นี้มีความจำเป็นเพื่อจัดการข้อผิดพลาดต่าง ๆ ในอุปกรณ์แฟลช NAND ระบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์จะช่วยระบุและกำกับบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์ต่าง ๆ และจะใช้พื้นที่ความจุเสริมที่ว่างอยู่มาใช้งานแทนบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์ และจะไม่มีการเขียนข้อมูลไปยังบล็อคเหล่านี้ทำให้ผลิตภัณฑ์ทำงานได้มีเสถียรภาพมากยิ่งขึ้น หากบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์จัดเก็บข้อมูลไว้ ข้อมูลจะถูกเคลื่อนย้ายไปยังบล็อคที่สมบูรณ์เพื่อป้องกันข้อมูลสูญหาย
ดูว่าระบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์มีผลกับการ์ด Kingston SSDs, eMMC และ Industrial SD/microSD อย่างไร
Bank
Bank ในหน่วยความจำมีความหมายหลายอย่างในระบบคอมพิวเตอร์ ความหมายที่ใช้มากที่สุดจะหมายถึงอาร์เรย์แถวข้อมูลอิสระภายในชิป DRAM ที่จัดเก็บข้อมูลไว้เป็นการชั่วคราว เมื่อชุดควบคุมหน่วยความจำมีการสืบค้น bank การสืบค้นจะเป็นตำแหน่งเดียวกันสำหรับชิปทั้งหมดใน rank ในเวลาเดียวกัน ความหมายที่สองของ bank คือการจัดกลุ่มซ็อคเก็ตหน่วยความจำแบบหลายช่องสัญญาณบนเมนบอร์ด
บิต
ย่อมาจาก “binary digit” โดยเป็นหน่วยวัดข้อมูลระดับพื้นฐานในคอมพิวเตอร์ แสดงค่าเป็น 0 หรือ 1 / เปิดหรือปิด
ไบต์
แปดบิตเท่ากับหนึ่งไบต์ นี่เป็นหน่วยวัดการจัดเก็บข้อมูล เช่น อักษรหนึ่งอักขระ องค์ประกอบของบิตและไบต์รวมกันเป็นภาษาพื้นฐานของคอมพิวเตอร์
CAMM
CAMM หมายถึง Compression-Attached Memory Module และเป็นหน่วยความจำ DRAM ประเภทหนึ่งที่เป็นเอกสิทธิ์เฉพาะ ซึ่งพัฒนาโดย Dell เพื่อใช้ในโน้ตบุ๊กที่มีรูปทรงเพรียวบางของบริษัทเอง
CAMM2
CAMM2 คือโมดูลมาตรฐานอุตสาหกรรม JEDEC ประเภทหนึ่งที่ Dell เริ่มนำมาใช้เป็นเจ้าแรก โดยพัฒนาต่อยอดจากแนวคิด CAMM แรกเริ่มของบริษัท Dell มอบดีไซน์ของ CAMM ให้กับ JEDEC ในปี 2022 โดยอนุญาตให้สมาชิกคณะกรรมการมาตรฐาน JEDEC มีส่วนร่วมในการพัฒนาและ/หรือสร้างดีไซน์ใหม่ขึ้นมาเพื่อให้ทุกคนในอุตสาหกรรมนำไปใช้ได้ CAMM2 ไม่ได้ใช้หมุด/ตะกั่วใต้ขอบโมดูลเสียบเข้ากับซ็อกเก็ต แต่ใช้ขั้วต่อแรงดันที่อยู่ด้านหลังโมดูล ซึ่งต้องกดแนบเข้ากับเมนบอร์ด แล้วใช้สกรูยึด CAMM2 ให้อยู่กับที่ JEDEC สนับสนุนหน่วยความจำ DRAM สองประเภทสำหรับ CAMM2 ได้แก่ DDR5 CAMM2 และ LPDDR5 CAMM2 โดย DDR5 CAMM2 จะใช้ส่วนประกอบ DDR5 DRAM ที่มีดีไซน์รองรับความจุตั้งแต่ 8GB ถึง 128GB, ช่องสัญญาณเดียวและสองช่องสัญญาณ, PMIC แบบเฟสเดียวและสองเฟส และไดรเวอร์นาฬิกา ในขณะที่ LPDDR5 CAMM2 (หรือ LPCAMM2) ใช้ส่วนประกอบ LPDDR5 DRAM ซึ่งใช้พลังงานน้อยกว่า จึงเหมาะกับระบบที่มีฟอร์มแฟคเตอร์ขนาดเล็กหรือแบบพกพา หน่วยความจำ DDR5 CAMM2 และ LPDDR5 CAMM2 จะไม่สามารถใช้ทดแทนกันได้ในอุปกรณ์ และวิธีการเชื่อมต่อกับเมนบอร์ดก็ไม่เหมือนกันด้วย
Brute force
การโจมตีทางไซเบอร์ที่ไม่ซับซ้อนเพื่อเจาะรหัสผ่านหรือคีย์เข้ารหัสโดยการลองคาดเดาไปเรื่อย ๆ
ความจุ
จำนวนเซลล์หน่วยความจำข้อมูลที่มีในโมดูลแสดงเป็นกิกะไบต์ (GB) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่จำหน่ายเป็นชุด ความจุที่แจ้งเป็นความจุรวมของโมดูลทั้งหมดที่จัดจำหน่ายในชุดเดียวกัน
ค่าหน่วงเวลา CAS/CL
CAS ย่อมาจาก Column Address Strobe ส่วน CAS Latency (CL) เป็นเวลาที่ใช้ในรอบสัญญาณนาฬิกาเพื่อค้นหาแถวของหน่วยความจำที่เปิดอยู่และจะต้องมีการสืบค้น (เช่น CL32, CL40)
CSODIMM
CSODIMM ย่อมาจากคำว่า Clocked Small Outline Dual In-Line Memory Module มาตรฐานอุตสาหกรรมของ JEDEC เริ่มต้นที่ 6400MT/s DDR5 และกำหนดว่า SODIMM จะต้องประกอบด้วยไคลเอนท์คล็อกไดรเวอร์ (CKD) ซึ่งเป็นส่วนประกอบที่ทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์ข้อมูลสัญญาณนาฬิการะหว่างระบบควบคุมหน่วยความจำ (ติดตั้งใน CPU) กับ DRAM เพื่อช่วยปรับปรุงความสมบูรณ์ของสัญญาณ ความเสถียร รวมทั้งเพิ่มความเร็ว
CUDIMM
CUDIMM ย่อมาจากคำว่า Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module มาตรฐานอุตสาหกรรมของ JEDEC เริ่มต้นที่ 6400MT/s DDR5 และกำหนดว่า UDIMM จะต้องประกอบด้วยไคลเอนท์คล็อกไดรเวอร์ (CKD) ซึ่งเป็นส่วนประกอบที่ทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์ข้อมูลสัญญาณนาฬิการะหว่างระบบควบคุมหน่วยความจำ (ติดตั้งใน CPU) กับ DRAM เพื่อช่วยปรับปรุงความสมบูรณ์ของสัญญาณ ความเสถียร รวมทั้งเพิ่มความเร็ว
สำหรับ SSD ช่องสัญญาณหมายถึงจำนวนชิปแฟลชที่ชุดควบคุมสามารถสื่อสารได้พร้อม ๆ กัน SSD ระดับพื้นฐาน/ใช้งานทั่วไปโดยปกติจะมี 2 หรือ 4 ช่องสัญญาณ SSD ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่ามักจะมี 8 ช่องสัญญาณและมากถึง 16 ช่องสัญญาณสำหรับ SSD ในศูนย์ข้อมูล
สำหรับช่องสัญญาณที่เกี่ยวกับหน่วยความจำ โปรดดู “ช่องสัญญาณหน่วยความจำ”
การเรียงชิป / ความกว้าง DRAM
ส่วนประกอบ DRAM มีโครงสร้างภายในที่จัดเรียงในแนวตั้ง (คอลัมน์) และแนวนอน (แถว) การเรียงชิปจึงหมายถึงความกว้างคอลัมน์ของส่วนประกอบ DRAM ความกว้างคอลัมน์ DRAM ที่ใช้ในโมดูลหน่วยความจำได้แก่ x16 (“คูณ 16”) ที่หมายถึง (“คูณ 16”) ที่หมายถึง 16 คอลัมน์, x8, และ x4โดยความกว้างเหล่านี้จะขึ้นอยู่กับประเภทของโมดูลหน่วยความจำและคอมพิวเตอร์ที่ติดตั้งโมดูลหน่วยความจำนั้น เช่น ความกว้าง x16 ต้องใช้ DIMM หรือ SODIMM ที่นำไปใช้ในเครื่องพีซีหรือแล็ปท็อปเท่านั้น ส่วนความกว้าง x4 ต้องใช้กับ DIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์หรือเวิร์กสเตชันเท่านั้น โมดูลหน่วยความจำที่เรียงชิปแบบ x4 หมายความว่า DRAM ทั้งหมดในโมดูลจะมีความกว้างคอลัมน์เท่ากัน
คริปโตชิป
ฮาร์ดแวร์ที่ทำหน้าที่ปกป้องข้อมูลในไดรฟ์ USB โดยมีระบบจัดการคีย์เข้ารหัสที่ตัวอุปกรณ์เองเพื่อความปลอดภัย แฟลชไดรฟ์ซีรีส์ IronKey เป็นรุ่นที่ใช้คริปโตชิป
ความเร็วรับส่งข้อมูล:
สำหรับหน่วยความจำ (RAM) นั้น ความเร็วรับส่งข้อมูลหมายถึงพิกัดคลาสความเร็วของโมดูลหน่วยความจำ (เดิมเรียกว่าความถี่) สำหรับ DDR5 ความเร็วรับส่งข้อมูลของโมดูล 4800MT/s (เมกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที) หมายความว่าหน่วยความจำนั้นถ่ายโอนข้อมูลได้ 4,800 ล้านครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกาต่อช่องข้อมูล
DDR / Double Data Rate / DDR SDRAM
“DDR” ย่อมาจาก Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory Synchronous DRAM มีการโอนข้อมูลในช่วงสัญญาณนาฬิกาของระบบ ในขณะที่ DDR SDRAM จะโอนข้อมูลในช่วงเริ่มต้นและช่วงท้ายของสัญญาณนาฬิกาหรือเป็นสองเท่าต่อสัญญาณนาฬิกา ทำให้ถ่ายโอนข้อมูลได้เป็นสองที่ความถี่เท่า ๆ กัน “DDR” ยังหมายถึงหน่วยความจำ DDR SDRAM รุ่นแรกที่เปิดตัวในปี 1998 และรองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่ 200, 266, 333 และ 400MT/s ตลอดอายุการใช้งานโดยใช้กระแสไฟเพียง 2.5V ต่อแถว
DDR2
DDR2 คือ DDR SDRAM รุ่นที่สอง โดยใช้พลังงานน้อยลงที่เพียง 1.8V ต่อแถว และถ่ายโอนข้อมูลได้มากขึ้น เริ่มต้นในปี 2003 ที่ 400MT/s และเพิ่มขึ้นมาเป็น 533, 667, 800 และ 1066MT/s ตลอดอายุการใช้งาน
DDR3
DDR3 เป็น DDR SDRAM รุ่นที่สามที่เปิดตัวในปี 2007 โดยใช้กระแสไฟน้อยกว่า DDR2 ที่เพียง 1.5V ต่อแถว DDR3 มีความเร็วเริ่มต้นที่ 800MT/s และเพิ่มขึ้นเป็น 1066, 1333, 1600, 1866 และ 2133MT/s
DDR3L
DDR3L เป็นรุ่นย่อยภายใต้มาตรฐานของ DDR3 JEDEC รองรับความเร็วและใช้เวลาเท่ากับ DDR3 โดย DDR3L ใช้แรงดันไฟฟ้าน้อยลงเพียง 1.35V ทำให้ประหยัดแบตเตอรี่สำหรับโน้ตบุ๊กและช่วยลดความร้อนให้กับเซิร์ฟเวอร์ DDR3L รองรับการทำงานกับ DDR3 รุ่นเก่า และสามารถปรับแรงดันไฟฟ้าเป็น 1.5V สำหรับเครื่องรุ่นเก่าหรือเมื่อคละใช้งานกับ DDR3 รุ่นมาตรฐาน
DDR4
DDR4 เป็น DDR SDRAM รุ่นที่สี่ที่เปิดตัวในปี 2014 DDR4 รองรับความเร็วที่ 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 และ 3200MT/s ใช้กระแสไฟเพียง 1.2V ต่อแถว DDR4 มีการพัฒนาขึ้นอย่างมากเมื่อเทียบกับ DDR3 เริ่มต้นจากรูปทรงของ DIMM เส้นโค้งถูกออกแบบไว้ที่ตรงกลางด้านล่างของ DIMM เพื่อปรับปรุงช่องติดตั้งและทำให้โมดูลแข็งแรงมากขึ้นต่อแรงกดติดตั้งซึ่งอาจทำให้เกิดความเสียหายต่อวงจรภายใน
DDR5
DDR5 เป็น DDR SDRAM รุ่นที่ห้าที่เปิดตัวในปี 2020 DDR5 รองรับความเร็วที่ 3200, 3600, 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400, 6800 และ 7200MT/s DDR5 ลดการใช้กระแสไฟลงอย่างมากโดยใช้แรงดันไฟฟ้าเพียง 1.1V ต่อแถว และมาพร้อมกับ Power Management IC (PMIC) ที่โมดูลเพื่อให้กระจายกระแสไฟได้ดีขึ้นในกรณีที่จำเป็น DDR5 มีประสิทธิภาพที่เหนือกว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมากโดยการเพิ่มจำนวน bank และความยาวเบิร์สเป็นสองเท่า ทำให้ bank เดียวกันสามารถรีเฟรชและแบ่งโมดูลอิสระเป็นสองส่วนแยกจากกันเป็นช่องสัญญาณย่อย 32 บิตที่สามารถระบุตำแหน่งได้อย่างอิสระ ความสมบูรณ์ของข้อมูลก็มีการจัดการดีขึ้นกว่าเดิมโดยการใช้ ECC ออนดายที่สามารถแก้ไขข้อผิดพลาดของบิตข้อมูลภายในส่วนประกอบ DDR5 DRAM แต่ละส่วน
Design-In
Design-in ใช้ระบุประเภทของ PC/อุปกรณ์แบบพิเศษ เช่น ตู้บริการ ระบบ POS ป้ายดิจิตอล อุปกรณ์วินิจฉัยปัญหา ฯลฯ Kingston ผลิตส่วนประกอบเฉพาะ โมดูลและไดรฟ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับระบบประมวลผลแบบนี้โดยเฉพาะ
การปรับปรุงแม่แบบ
หมายถึงตัวอักษรที่ใช้เรียกส่วนประกอบ DRAM จากผู้ผลิตสารกึ่งตัวนำ โดยทั่วไปแล้วตัวอักษรเหล่านี้จะหมายถึงความหนาแน่นและรูปแบบของผลิตภัณฑ์
DIMM / Dual In-line Memory Module
DIMM ย่อมาจาก Dual In-Line Memory Module เป็นโมดูลประเภทหนึ่งที่มีหน้าสัมผัสทางไฟฟ้าแยกเฉพาะที่แต่ละด้านของโมดูล ซึ่งจะทำให้สามารถถ่ายโอนข้อมูลไปกลับจากโมดูลในแต่ละด้านได้เป็นอิสระจากกัน
โปรดดูโมดูลหน่วยความจำ DRAM ของเรา
ความหนาแน่นของ DRAM
ความจุของชิป DRAM แต่ละตัวจะเรียกว่า “ความหนาแน่น” และวัดเป็นหน่วยเมกะบิตหรือกิกะบิต ยิ่ง DRAM มีความหนาแน่นสูงเท่าไร ก็จะสามารถทำให้โมดูลหน่วยความจำมีความจุมากขึ้นเท่านั้น โดยทั่วไปแล้ว ความหนาแน่นของแต่ละรุ่นจะห่างกันสองเท่า แต่ DDR5 จะมีความหนาแน่นเฉพาะอยู่ที่ 24Gbit ซึ่งเรียกว่า “Non-binary.” ต่อไปนี้คือความหนาแน่นทั่วไปของหน่วยความจำแต่ละรุ่น
DRAM / Dynamic Random Access Memory
DRAM ย่อมาจาก Dynamic Random Access Memory เป็นเทคโนโลยี RAM ที่แพร่หลายที่สุดในระบบประมวลผลในปัจจุบัน ชิป DRAM ผลิตจากวัสดุกึ่งตัวนำ โดยจัดวางบนกริดของแถวข้อมูลที่มีตัวเก็บประจุและทรานซิสเตอร์ที่สามารถจัดเก็บประจุไฟฟ้าเพื่อให้ค่าสัญญาณศูนย์และหนึ่งสำหรับการประมวลผล
สองช่องสัญญาณ
โครงสร้างช่องเสียบหน่วยความจำซึ่งเป็นจุดที่โมดูลหน่วยความจำที่เหมือนกันสองตัวจะได้รับการติดตั้งไว้ด้วยกันเพื่อเพิ่มแบนด์วิธ ซึ่งทำให้เครื่องมีประสิทธิภาพมากขึ้น
แถวคู่
2 Ranks หรือ Dual Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล
ระบบรีเฟรชข้อมูลไดนามิค
ระบบรีเฟรชข้อมูลไดนามิคใช้เพื่อให้แน่ใจว่าระหว่างกระบวนการอ่านอย่างเดียว บล็อคข้อมูลที่มีข้อผิดพลาดสูงจะถูกแยกออกและรีเฟรชใหม่ในการใช้งานครั้งถัดไป ระหว่างคำสั่งอ่านข้อมูลแต่ละครั้ง ชุดควบคุมจะทำการตรวจสอบบล็อคข้อมูลเป้าหมายสามขั้นตอนด้วยกัน: ขั้นตอนแรกคือเพื่อตรวจสอบว่ามีเครื่องหมาย “ต้องมีการรีเฟรช” หรือไม่ ขั้นตอนที่สองคือการตรวจสอบจำนวนบิตข้อผิดพลาดต่าง ๆ ที่พบในปัจจุบัน ขั้นตอนที่สามคือการตรวจสอบจำนวนการดำเนินการซ้ำที่เกิดขึ้นในปัจจุบัน
EC4
มาตรฐานของ JEDEC สำหรับโมดูลหน่วยความจำระดับเซิร์ฟเวอร์ DDR5 ที่มีความกว้างข้อมูล 72 บิต
EC8
มาตรฐานของ JEDEC สำหรับโมดูลหน่วยความจำระดับเซิร์ฟเวอร์ DDR5 ที่มีความกว้างข้อมูล 80 บิต
ECC / Error Correction
คืออัลกอริทึมที่สามารถตรวจจับและแก้ไขปัญหาข้อมูลบิตเดี่ยวและหลายบิตในการประมวลผล สำหรับหน่วยความจำ (RAM) ECC จะถูกใช้กับชุดควบคุมหน่วยความจำที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์หรือเวิร์คสเตชั่น โมดูลหน่วยความจำ ECC ที่มีส่วนประกอบ DRAM เสริมที่ทำให้ความกว้างของข้อมูลเพิ่มขึ้น (ECC Unbuffered, ECC Registered, Load Reduced) มีความจำเป็นสำหรับชุดควบคุมหน่วยความจำในการตรวจหาและแก้ไขข้อผิดพลาด สำหรับ DDR3 และ DDR4 นั้น โมดูลหน่วยความจำ 72 บิต (x72) จะรองรับ ECC ในขณะที่ DDR5 นั้น ทั้งโมดูล 72 บิต (x72 หรือ EC4) และ 80 บิต (x80 หรือ EC8) ต่างก็รองรับ ECC
ECC UDIMM/ECC CUDIMM/ECC SODIMM/ECC CSODIMM
หน่วยความจำ ECC Unbuffered มีส่วนประกอบ DRAM เสริมเพื่อรองรับอัลกอริทึมของ ECC
EEPROM
EEPROM ย่อมาจาก Electrically Erasable Programmable Read-only Memory. นี่เป็นส่วนประกอบที่นำเสนอในโมดูลหน่วยความจำที่ทำหน้าที่จัดเก็บข้อมูลที่สำคัญเกี่ยวกับรายละเอียดทางเทคนิคของโมดูล SPD ถือเป็น EEPROM
FAT
file allocation table (FAT) คือระบบไฟล์ข้อมูลที่พัฒนาขึ้นมาสำหรับฮาร์ดไดรฟ์ และถูกใช้งานโดยระบบปฏิบัติการ (OS) เพื่อจัดการไฟล์ข้อมูลในฮาร์ดไดรฟ์หรือระบบคอมพิวเตอร์อื่น ๆ โดยปกติจะใช้กับหน่วยความจำแฟลช กล้องดิจิตอลและอุปกรณ์แบบพกพา และใช้เพื่อจัดเก็บไฟล์ข้อมูลและเพื่อเพิ่มพื้นที่ให้กับฮาร์ดไดรฟ์ ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับระบบไฟล์
FIPS (Federal Information Processing Standards)
มาตรฐานและหลักเกณฑ์ที่กำหนดสำหรับระบบคอมพิวเตอร์โดยรัฐบาลกลางสหรัฐฯ พัฒนาขึ้นโดย National Institute of Standards and Technology (NIST) ภายใต้กฎหมาย Federal Information Security Management Act (FISMA) และได้รับการรับรองโดยรัฐมนตรีพาณิชย์
FIPS 197
มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (หรือ Rinjdael) ซึ่งพัฒนาต่อยอดมาจากระบบเข้ารหัสบล็อคข้อมูลที่พัฒนาโดยชาวเบลเยี่ยม โดยจะใช้คีย์แบบ 128, 192 หรือ 256 บิต: AES-128 สามารถป้องกันการโจมตีแบบ Brute Force ได้และมีความปลอดภัยมากพอสำหรับใช้กับข้อมูลลับ อีกทั้งยังเป็นมาตรฐานการเข้ารหัสที่สาธารณะสามารถเข้าถึงได้มาตรฐานแรกและมาตรฐานเดียวที่ได้รับการรับรองจากสำนักความมั่นคงแห่งชาติของสหรัฐอเมริกา (United States National Security Agency) สำหรับข้อมูลลับสุดยอด (เข้ารหัส 192 บิตขึ้นไป)
FIPS 140-2 Level 3
มาตรฐานรักษาความปลอดภัยกลางสำหรับคอมพิวเตอร์ของภาครัฐที่กำหนดขึ้นในปี 2019 ระบบที่ตรงตามมาตรฐานที่กำหนดนี้ นอกจากจะต้องมีการแยกส่วนระหว่างอินเทอร์เฟซต่าง ๆ ที่เชื่อมต่อกับ “พารามิเตอร์รักษาความปลอดภัยที่สำคัญ” และผ่านโมดูลแล้ว ต้องมีความปลอดภัยสำหรับการใช้งานทั่วไปและผ่านเงื่อนไขการตรวจรับรองตามสถานะผู้ใช้ รวมถึงทนทานต่อการทุบทำลายอีกด้วย
หน่วยความจำแฟลช
หน่วยความจำแฟลชเป็นหน่วยความจำไม่เลือนหาย (หน่วยความจำที่สามารถเก็บรักษาข้อมูลได้แม้จะไม่มีไฟเลี้ยง) หน่วยความจำแฟลชปกติมีอยู่ในอุปกรณ์อย่างไดรฟ์ Solid State (SSD) และแฟลชไดรฟ์ USB โดยปกติจะติดตั้งในคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและสื่อบันทึกข้อมูลระดับองค์กร
Form Factor
โดยทั่วไปแล้วคำนี้หมายถึงขนาดหรือรูปทรงของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ เช่น SSD หรือ DRAM
SSD ทั่ว ๆ ไปจะมีฟอร์มแฟคเตอร์ 2.5 นิ้ว, M.2, U.2 และ mSATA ตามที่ Storage Networking Industry Association (SNIA) กำหนดไว้ ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับฟอร์มแฟคเตอร์ของ SSD
สำหรับโมดูล DRAM นั้น มาตรฐานอุตสาหกรรม JEDEC กำหนดขนาดและประเภทข้อต่อของโมดูล DRAM เอาไว้ โดยฟอร์มแฟคเตอร์ของโมดูล DRAM ส่วนใหญ่คือ DIMM และ SODIMM
ความถี่
โดยปกติอ้างถึงเป็นความเร็ว อัตราการถ่ายโอนข้อมูลหรือรอบสัญญาณนาฬิกาของ RAM
ระบบจัดเก็บข้อมูลขยะ
ระบบจัดเก็บข้อมูลขยะเป็นหัวใจสำคัญสำหรับแฟลช NAND เพื่อให้อุปกรณ์มีความทนทานและรักษาความเร็วในการทำงานไว้ได้ อุปกรณ์แฟลช NAND จะไม่เขียนทับข้อมูลที่มีอยู่ ข้อมูลจะผ่านรอบการเขียน/ลบ หากต้องการเขียนบล็อคข้อมูลที่ใช้อยู่แล้ว ชุดควบคุมแฟลช NAND จะคัดลอกไฟล์ที่ใช้งานทั้งหมดก่อนและเขียนข้อมูลชุดนี้ไปยังหน้าเปล่าของบล็อคข้อมูลอื่น ๆ และลบข้อมูลในเซลล์ทั้งหมดในบล็อคปัจจุบัน (ทั้งที่ใช้และไม่ได้ใช้งาน) จากนั้นจะเขียนข้อมูลใหม่ไปยังบล็อคที่เพิ่งถูกลบข้อมูลทิ้ง กระบวนการนี้เรียกว่าการจัดเก็บข้อมูลขยะ เรียนรู้เพิ่มเติม
โหมดเกียร์
โปรเซสเซอร์ Intel (11th Gen+) และ AMD (Ryzen) รุ่นใหม่ ๆ จะมาพร้อมกับโหมดเกียร์หรือ Gear Modes ของหน่วยความจำ ซึ่งเป็นอัตราส่วนความเร็วระหว่างชุดควบคุมหน่วยความจำของโปรเซสเซอร์กับโมดูลหน่วยความจำ และทำการปรับได้ใน BIOS เกียร์ 1 หมายความว่าชุดควบคุมหน่วยความจำของโปรเซสเซอร์และโมดูลหน่วยความจำทำงานด้วยความเร็วเท่ากัน (อัตราส่วน 1:1) นี่เป็นโหมดที่ดีที่สุดหากต้องการสมรรถนะการทำงานและค่าความหน่วงที่ดีเยี่ยม ส่วนเกียร์ 2 ชุดควบคุมหน่วยความจำของโปรเซสเซอร์จะลดความเร็วลงครึ่งหนึ่ง ทำให้ความเร็วของโมดูลหน่วยความจำเพิ่มขึ้น แต่แลกมาด้วยค่าความหน่วงที่เพิ่มขึ้นเล็กน้อย เกียร์ 4 จะลดความเร็วชุดควบคุมหน่วยความจำของโปรเซสเซอร์ลง 1 ใน 4 ทำให้โมดูลทำงานด้วยความเร็วและแบนด์วิดท์ดีที่สุด แต่แลกมาด้วยค่าความหน่วงโดยรวม โดยทั่วไปแล้ว โหมดเกียร์จะตั้งค่าเริ่มต้นเป็น “อัตโนมัติ” เพื่อให้ชุดควบคุมหน่วยความจำสามารถปรับความเร็วตามความเร็วของหน่วยความจำ แต่คุณสามารถเลือกด้วยตัวเองใน BIOS ได้เช่นกัน
Gbps / กิกะบิตต่อวินาที
หน่วยวัดแบนด์วิธเป็นพันล้านบิต
Gigabit / Gb / Gbit
1000³ บิตหรือ 1000 Mb โดยปกติใช้เพื่อระบุความหนาแน่นของส่วนประกอบ เช่น ชิป DRAM แต่ละตัว
Gigabyte / GB / GByte
1000³ ไบต์หรือ 1000 MB โดยปกติใช้ระบุความจุของหน่วยความจำหรือ SSD
GT/s
GT/s หมายถึงกิกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที
ชุดกระจายความร้อน
ชิ้นส่วนโลหะป้องกันที่ยึดกับโมดูลเพื่อกระจายความร้อน
High Bandwidth Memory (HBM)
เทคโนโลยีหน่วยความจำ DRAM รุ่นใหม่ที่ AMD พัฒนาขึ้นในปี 2008 หลังจากเห็นว่าตลาดกำลังต้องการหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพสูงและความจุสูงสำหรับ GPU รวมทั้งใช้พลังงานน้อยลงมากขึ้นเรื่อย ๆ JEDEC นำ HBM มาใช้เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำมาตรฐานอุตสาหกรรมในปี 2013 โดยมีบริษัทผลิตวัสดุกึ่งตัวนำบางแห่งที่สามารถผลิตหน่วยความจำนี้ได้ ได้แก่ SK Hynix, Samsung และ Micron หลังจากนั้นจึงมีการพัฒนาต่อมาอีกหลายรุ่นตลอดสิบปีที่ผ่านมาเพื่อให้รองรับหน่วยความจำที่มีขีดความสามารถมากขึ้น จำนวนชั้นมากขึ้น บัสข้อมูลกว้างขึ้น และปริมาณข้อมูลประมวลผลที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าเดิม HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E นอกเหนือจากการ์ดจอแล้ว หน่วยความจำ HBM ยังถูกนำไปใช้ในงานในรูปแบบใหม่ ๆ เพื่อรองรับความต้องการหน่วยประมวลผล AI ที่มีประสิทธิภาพสูง
Infrared Sync Technology™ / IR Sync
นี่เป็นเทคโนโลยีซิงค์ข้อมูลที่มีสิทธิบัตรคุ้มครองโดยใช้ส่วนประกอบอินฟราเรดในหน่วยความจำ Kingston HyperX และ FURY เพื่อจัดเรียงรูปแบบของ RGB
Intel®
Intel Corporation ผู้ออกแบบและผลิตแพลตฟอร์มคอมพิวเตอร์ทั้งในส่วนของ CPU ชิปเซ็ต GPU และเทคโนโลยีอีกมากมาย
Intel® Xeon®
CPU สำหรับเซิร์ฟเวอร์/ประสิทธิภาพสูงจาก Intel® ที่รองรับหน่วยความจำ ECC และแกนประมวลผลเป็นจำนวนมาก และรองรับแบนด์วิธที่สูงเป็นพิเศษเพื่อให้สามารถรองรับ RAM และ GPU เป็นจำนวนมาก
Intel® XMP 2.0
Intel® Extreme Memory Profiles คือเงื่อนไขทางเทคนิคจาก Intel ที่ช่วยให้ผู้จัดจำหน่ายหน่วยความจำและเมนบอร์ดสามารถกำหนดโพรไฟล์การโอเวอร์คล็อก (DDR3 และ DDR4) เพื่อให้สะดวกสำหรับผู้ใช้ในการโอเวอร์คล็อกด้วยตัวเอง
Intel® XMP 3.0
XMP เวอร์ชันล่าสุดที่พัฒนาสำหรับ DDR5 รองรับห้าโพรไฟล์การทำงาน สามโพรไฟล์สำหรับผู้ผลิตหน่วยความจำเองและอีกสองโพรไฟล์แบบปรับแต่งได้เองสำหรับผู้ใช้ที่ต้องการโอเวอร์คล็อกด้วยตัวเอง
รับรองมาตรฐาน Intel® XMP 3.0
ชิ้นส่วนหรือชุดผลิตภัณฑ์ที่ผ่านหรือยื่นขอการรับรองกับ Intel แล้ว
รองรับมาตรฐาน Intel® XMP 3.0
ชิ้นส่วนหรือชุดผลิตภัณฑ์ที่ผ่านเงื่อนไขทางเทคนิค Intel® XMP 3.0
รับรองมาตรฐาน Intel® XMP 2.0
ชิ้นส่วนหรือชุดผลิตภัณฑ์ที่ผ่านและยื่นขอการรับรองกับ Intel
รองรับมาตรฐาน Intel® XMP 2.0
ชิ้นส่วนหรือชุดผลิตภัณฑ์ที่ผ่านเงื่อนไขทางเทคนิค Intel® XMP 2.0
JEDEC
JEDEC ย่อมาจาก Joint Electron Device Engineering Council ที่เป็นหน่วยงานกำหนดมาตรฐานอุตสาหกรรมสำหรับวัสดุกึ่งตัวนำและเทคโนโลยีคอมพิวเตอร์ต่าง ๆ JEDEC คือกลุ่มผู้ประกอบการทางอุตสาหกรรมที่จับมือกันเพื่อกำหนดมาตรฐานต่าง ๆ รวมไปถึงมาตรฐานสำหรับหน่วยความจำ
Kingston FURY™ Beast
ผลิตภัณฑ์ UDIMM โอเวอร์คล็อกได้ระดับพื้นฐานจาก Kingston
Kingston FURY™ Impact
ผลิตภัณฑ์ SODIMM โอเวอร์คล็อกได้จาก Kingston
Kingston FURY™ Renegade
ผลิตภัณฑ์ UDIMM โอเวอร์คล็อกได้ระดับสูงจาก Kingston
Kingston FURY™ Renegade Pro
ผลิตภัณฑ์ DDR5 RDIMM โอเวอร์คล็อกได้ระดับสูงจาก Kingston
ชุดผลิตภัณฑ์
เลขชิ้นส่วนที่ประกอบไปด้วยโมดูลหน่วยความจำหลายแถว โดยปกติเป็นแบบคู่ สามแถวหรือสี่แถว เช่น K2 = 2 DIMM ซึ่งจำหน่ายเป็นชุดและระบุความจุเป็นความจุรวมกัน
ยาว (มม.) x สูง (มม.) x กว้าง (มม.)
ขนาดของโมดูลรวมกับชุดกระจายความร้อนโดยมีหน่วยเป็นมิลลิเมตร
Load Reduced DIMM / LRDIMM
จะคล้าย ๆ กับ Registered DIMM (RDIMM) โดย LRDIMM จะมีบัฟเฟอร์ข้อมูลเพื่อช่วยลดโหลดของชุดควบคุมหน่วยความจำที่จะลดความเร็วของหน่วยความจำลดเพื่อชดเชยการทำงาน เทคโนโลยี LRDIMM รองรับหน่วยความจำความจุสูงโดยไม่กระทบต่อประสิทธิภาพในการทำงาน
M.2
ฟอร์มแฟคเตอร์สำหรับการ์ดต่อพ่วงสำหรับคอมพิวเตอร์ที่ติดตั้งภายใน รองรับการเชื่อมต่อกับโมดูลความกว้างและความยาวต่าง ๆ กัน
Mbps
เมกะบิตต่อวินาที เป็นหน่วยวัดความเร็วของข้อมูลเป็นหน่วย # ล้านบิตต่อวินาที
MCRDIMM
MCRDIMM ย่อมาจากคำว่า Multiplexer Combined Ranks Dual Inline Memory Module ซึ่งเป็นโมดูลหน่วยความจำ DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้ร่วมกับ Intel และเป็นหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงและความจุสูงสำหรับแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ Intel Xeon MCRDIMM มีแนวคิดและดีไซน์คล้ายกับ JEDEC DDR5 MRDIMM ตรงที่สามารถทำงานพร้อมกันสอง Rank ได้ จึงส่งข้อมูลไปยังหน่วยประมวลผลได้ถึง 128 ไบต์ในคราวเดียว อัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่เพิ่มขึ้นมานี้เกิดจากการใช้ Multiplexed Data Buffer หลายตัวและ Multiplexing Registered Clock Driver ส่งผลให้มีความเร็วถึง 8000MT/s
MRDIMM
MRDIMM ย่อมาจากคำว่า Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module ซึ่งเป็นโมดูล DDR5 มาตรฐานอุตสาหกรรมของ JEDEC ประเภทหนึ่งที่พัฒนาขึ้นมาเพื่อใช้กับเซิร์ฟเวอร์ MRDIMM ช่วยให้มีความเร็วในการรับส่งข้อมูล (ความเร็ว) แบนด์วิดท์ และความจุข้อมูลมากขึ้นเมื่อเทียบกับ DDR5 Registered DIMM แบบเก่าที่ใช้ Registers พิเศษ (MRCDs) และ Data Buffers (MDB) สั่งการอินเทอร์เฟซโฮสต์ 2 ตัว จึงเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลเป็นสองเท่าได้อย่างมีประสิทธิภาพ MRDIMM มีฟอร์มแฟคเตอร์สองแบบหลัก ๆ ได้แก่ Standard Height และ Tall Form Factor (TFF) ขนาด 56.9 มม. MRDIMM รุ่นแรกมีความเร็วเริ่มต้นที่ 8800MT/s ส่วนรุ่นที่สองมีความเร็ว 12,800MT/s
เมกะไบต์ / MB
1000² ไบต์หรือ 1000 KB โดยปกติใช้ระบุความจุข้อมูลของหน่วยความจำ SSD และอุปกรณ์แฟลชอื่น ๆ
เมกะบิต / Mb
1000² บิตหรือ 1000 Kb โดยปกติใช้ระบุความหนาแน่นของส่วนประกอบ เช่น DRAM
หน่วยความจำ
อุปกรณ์ที่ปกติมักเป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่ทำหน้าที่เก็บข้อมูลที่จำเป็นสำหรับคอมพิวเตอร์หรือฮาร์ดแวร์อื่น ๆ ที่เกี่ยวข้อง
ช่องสัญญาณหน่วยความจำ
ช่องสัญญาณหน่วยความจำคือเส้นทางการถ่ายโอนข้อมูลระหว่างโมดูลหน่วยความจำกับชุดควบคุมหน่วยความจำ (โดยปกติจะอยู่ในโปรเซสเซอร์) ระบบคอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่ (PC, โน้ตบุ๊ก หรือเซิร์ฟเวอร์) จะใช้โครงสร้างหน่วยความจำแบบหลายช่องสัญญาณ โดยช่องสัญญาณต่างๆ เหล่านั้นจะถูกนำมารวมกันเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพให้กับหน่วยความจำ โครงสร้างหน่วยความจำแบบ Dual Channel อาศัยการติดตั้งโมดูลหน่วยความจำคู่เหมือนร่วมกันเพื่อเพิ่มแบนด์วิธของชุดควบคุมหน่วยความจำเป็นสองเท่า
เมกะเฮิรตซ์ / MHz
เมกะเฮิรตซ์เป็นมาตรฐานวัดหนึ่งร้อยล้านรอบการทำงานต่อวินาที แต่เดิมใช้เพื่อระบุความถี่/อัตรารับส่งข้อมูลของหน่วยความจำ
เมกะทรานสเฟอร์ / MT/s
เมกะทรานสเฟอร์หมายถึงการถ่ายโอนข้อมูลหนึ่งล้านรายการต่อวินาที (MT/s) เป็นคำที่ถูกต้องที่ใช้สำหรับระบุรายละเอียดอัตรารับส่งข้อมูล (ความเร็ว) สำหรับหน่วยความจำ DDR ทั้งหมดซึ่งถ่ายโอนข้อมูลได้เป็นสองเท่าของความถี่ เรียนรู้เพิ่มเติม
การ์ด MicroSD
ประเภทเมมโมรี่การ์ดขนาดจิ๋วที่มักใช้กับโทรศัพท์มือถือหรืออุปกรณ์พกพาอื่น ๆ โปรดดูกลุ่มผลิตภัณฑ์การ์ด microSD ของเรา.
NAND
หน่วยความจำแฟลชประเภทหนึ่ง เป็นสื่อจัดเก็บข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์แบบไม่เลือนหายที่สามารถลบข้อมูลและเขียนโปรแกรมการทำงานได้ผ่านระบบอิเลกทรอนิกส์ NAND ย่อมาจาก NOT AND ในฐานะลอจิกเกต (วิธีการในการส่งสัญญาณขาออกรูปแบบเฉพาะในอุปกรณ์ดิจิตอลอิเล็กทรอนิกส์)
การวางซ้อนอุปกรณ์ NAND (NAND Device Stacking)
เพื่อเพิ่มความจุของสื่อบันทึกข้อมูล อุปกรณ์หน่วยความจำแบบไม่เลือนหาย เช่น หน่วยความจำแฟลช NAND จึงมีการวางซ้อนดายหน่วยความจำไว้หลาย ๆ ชั้น (เช่น ชิปหน่วยความจำ) เพื่อจัดเป็นชุดดายหน่วยความจำเดียวกัน ชุดดายหน่วยความจำอาจมีอยู่ในรูปแบบต่าง ๆ เช่น DDP (Double-Die Package), QDP (Quad-Die Package) ODP (Octo-Die Package) หรือแม้แต่ HDP (จัดชุด 16 ดาย) เทคโนโลยีการวางซ้อนชั้นดายจะช่วยเพิ่มความจุให้กับฟอร์มแฟคเตอร์ขนาดเล็ก เช่น ไดรฟ์ USB หรือ M.2 SSD
หน่วยความจำ Non-Binary
Non-ECC
หน่วยความจำที่ไม่มีความกว้างของข้อมูล (เปิดใช้งานโดยอาศัย DRAM เสริม) เพื่อรองรับอัลกอริทึมของ ECC
หน่วยความจำแบบไม่เลือนหาย
หน่วยความจำไม่เลือนหายเป็นหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ที่สามารถจัดเก็บข้อมูลที่บันทึกไว้ได้แม้ว่าจะตัดกระแสไฟฟ้าไปแล้ว
NVM Express™ (NVMe™)
Non-Volatile Memory Express อินเทอร์เฟซเปิดสาธารณะสำหรับการสืบค้นข้อมูลในสื่อบันทึกข้อมูลแบบไม่เลือนหายของคอมพิวเตอร์อย่าง SSD
On-Die ECC / ODECC
On-die ECC หรือ ODECC คือหน่วยความจำที่รองรับ ECC ภายในชิป DRAM เพื่อแก้ไขข้อผิดพลาดบิตข้อมูลก่อนที่จะส่งไปยังโมดูล สำหรับหน่วยความจำ เทคโนโลยีนี้เริ่มใช้กับ DDR5
PCB / แผงวงจรพิมพ์
PCB ย่อมาจาก Printed Circuit Board. PCB เป็นตัวกลางที่ชิปกึ่งตัวนำเชื่อมต่อถึงกัน แผง PCB โดยปกติจะมีหลายชั้นพร้อมกับระนาบที่ทำหน้าที่เป็นตัวนำและที่ทำหน้าที่เป็นฉนวน แต่ละชั้นมีรูปแบบสลักไว้เฉพาะในจุดที่จะใช้วัสดุตัวนำอย่างทองแดงเพื่อเชื่อมต่อวัสดุกึ่งตัวนำที่ยึดติดบนพื้นผิวเข้าด้วยกันกับชั้นวัสดุด้านนอก
PCI Express® (PCIe®)
Peripheral Component Interconnect Express มาตรฐานอินเทอร์เฟซสำหรับส่วนประกอบความเร็วสูง เช่น GPU หรือ SSD
PCN
ย่อมาจากคำว่า Part/Product Change Notice หรือการแจ้งการเปลี่ยนแปลงเกี่ยวกับอะไหล่/ผลิตภัณฑ์ ซึ่งใช้บันทึกข้อความประกาศเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ การเปลี่ยนแปลงของผลิตภัณฑ์ การหยุดผลิตเพื่อยุติการใช้งาน หรือการยกเลิกการผลิต
PMIC
PMIC ย่อมาจาก Power Management Integrated Circuit PMIC โดยปกติใช้เพื่อจัดการการจ่ายพลังงานไปยังส่วนประกอบที่กำหนดของอุปกรณ์ สำหรับ DDR5 ตัว PMIC จะรวมอยู่ในโมดูลทุกตัว
Plug N Play / PnP
Plug and Play (PnP) ใช้ระบุอุปกรณ์หลากหลายประเภทในระบบคอมพิวเตอร์ที่ไม่ต้องใช้ซอฟต์แวร์หรือไดรเวอร์เฉพาะในการทำงาน สำหรับ Kingston เราใช้คำว่า “Plug N Play” เพื่อกล่าวถึงวิธีการที่ Kingston บุกเบิกในการโอเวอร์คล็อกโดยไม่ต้องเปิดใช้งานโพรไฟล์การทำงาน หน่วยความจำ Kingston FURY แบบ PnP มีค่าไทมิ่งโอเวอร์คล็อกที่ตั้งโปรแกรมการทำงานไว้ในโพรไฟล์ JEDEC เริ่มต้นใน SPD ซึ่งจะสั่งให้คอมพิวเตอร์เพิ่มประสิทธิภาพในการทำงานแบบอัตโนมัติ
ระบบป้องกันปัญหาจากระบบไฟฟ้า
ปัญหาไฟฟ้าดับเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้และอาจทำให้เกิดความโกลาหลระหว่างการทำงานหากไม่ได้เลือกใช้ชิ้นส่วนฮาร์ดแวร์ที่เหมาะสม ระบบป้องกันปัญหาจากระบบไฟฟ้ามีความจำเป็นสำหรับการป้องกันปัญหาข้อมูลสูญหาย อุปกรณ์โฮสต์ที่รองรับจะส่งคำสั่งไปยังการ์ดให้พักการทำงานหากพบว่ากระแสไฟตก ทั้งนี้เพื่อให้การ์ดมีเวลาเพียงพอในการบันทึกข้อมูลที่กำลังเขียนในขณะที่เกิดปัญหากระแสไฟฟ้า
สี่ช่องสัญญาณ
โครงสร้างช่องเสียบหน่วยความจำซึ่งเป็นจุดที่โมดูลหน่วยความจำที่เหมือนกันสี่ตัวจะได้รับการติดตั้งไว้ด้วยกันเพื่อเพิ่มแบนด์วิธ ซึ่งทำให้เครื่องมีประสิทธิภาพมากขึ้น
สี่แถว
4 Ranks หรือ Quad Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล
QVL / Qualified Vendor List
QVL เป็นอักษรย่อใช้ระบุรายชื่อผู้จัดจำหน่ายที่ผ่านเกณฑ์คุณสมบัติ ผู้ผลิต PC เมนบอร์ดมักระบุ QVL ไว้ในไซต์บริการของตนเพื่อแจ้งให้ทราบว่าส่วนประกอบใด เช่น หน่วยความจำและ SSD ใดที่ผ่านการทดสอบแล้วว่าทำงานกับระบบของตนเองได้
RAM / Random Access Memory
RAM คืออักษรย่อใช้ระบุหน่วยความจำเข้าถึงแบบสุ่ม ในระบบคอมพิวเตอร์ ปกติ RAM จะใช้ระบุหน่วยความจำระยะสั้นระหว่างสื่อบันทึกข้อมูล (SSD/HDD) กับโปรเซสเซอร์ที่ช่วยให้เข้าถึงข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว RAM ในปัจจุบันเป็นแบบข้อมูลเลือนหายได้ หมายถึงไม่สามารถพักเก็บข้อมูลไว้ได้หากไม่มีไฟเลี้ยง
Rank
Rank คือบล็อคข้อมูลที่มีความกว้าง 64 บิต ปริมาณบิตจะพิจารณาจากจำนวน bank ไม่ได้จำนวนชิป DRAM (เช่น ชิปแปดตัวของชิป x8 จะมี Rank อยู่ที่ 64 บิต) หน่วยความจำสามารถผลิตให้มีหลาย Rank แต่ข้อมูลจะถูกสืบค้นทีละ Rank เท่านั้น
RAS
RAS เป็นอักษรย่อที่มีความหมายสองสามอย่างในระบบคอมพิวเตอร์ อย่างแรก RAS อาจย่อมาจาก Row Address Strobe หมายถึงคำขอเปิดใช้งานแถวข้อมูลจากโปรเซสเซอร์ไปยัง RAM RAS ยังอาจย่อมาจาก Reliability, Availability และ Serviceability ชิปเซ็ตเหล่านี้รองรับการทำงานที่หลากหลาย เช่น ECC, DIMM Sparing, Lock-step, Mirroring เป็นต้น เพื่อเพิ่มความสามารถในการรองรับข้อมูลซ้ำซ้อนของ RAM RAS มักใช้กับเวิร์คสเตชั่นหรือเซิร์ฟเวอร์
Registered DIMM / RDIMM
โมดูลหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่มีส่วนประกอบ Register หรือที่เรียกกันว่า Registered Clock Driver (RCD) ซึ่งเป็นส่วนที่ทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์ระหว่างส่วนประกอบ DRAM ในโมดูลหน่วยความจำ (DIMM) กับชุดควบคุมของหน่วยความจำ (โดยทั่วไปแล้วจะอยู่ใน CPU) Register ช่วยให้ติดตั้งส่วนประกอบ DRAM ลงในโมดูลหน่วยความจำได้มากขึ้นและได้ความจุที่สูงขึ้น ชิปเซ็ตของเซิร์ฟเวอร์ส่วนใหญ่กำหนดให้ใช้ Registered DIMM เป็นหน่วยความจำหลักของระบบ Register ทำหน้าที่จัดการคำสั่งและสัญญาณของ DRAM ที่โมดูลโดยใช้รอบสัญญาณนาฬิกาเพิ่มเติมในการซิงค์ข้อมูลภายในเวลาที่กำหนด
รองรับการทำงานกับ AMD Ryzen™
โปรแกรมตรวจสอบคุณสมบัติของ AMD สำหรับการโอเวอร์คล็อกกับคอมพิวเตอร์ที่ติดตั้ง AMD Ryzen
Register
Register เป็นชื่อย่อจาก Registered Clock Driver (RCD) ซึ่งทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์ระหว่างส่วนประกอบ DRAM ในหน่วยความจำกับชุดควบคุมของหน่วยความจำ Register ช่วยให้สามารถใช้ส่วนประกอบ DRAM ได้มากขึ้นต่อโมดูลทำให้ได้ความจุที่มากขึ้น Register ทำหน้าที่จัดการคำสั่งและสัญญาณของ DRAM ที่โมดูลโดยใช้รอบสัญญาณนาฬิกาเพิ่มเติมในการซิงค์ข้อมูลภายในเวลาที่กำหนด
RGB
RGB เป็นอักษรย่อจาก Red, Green และ Blue โดย RGB LED จะใช้เพื่อแสดงไฟส่องสว่างในรูปแบบต่าง ๆ สำหรับหน่วยความจำ RGB LED จะถูกติดตั้งอยู่ในโมดูลและอยู่ด้านล่างของตัวกรองแสงที่ชุดกระจายความร้อนเพื่อให้ดูสวยงาม โปรดดูผลิตภัณฑ์ที่ใช้ RGB ของเรา
SATA
ย่อมาจาก Serial Advanced Technology Attachment, SATA เป็นอินเทอร์เฟซบัสคอมพิวเตอร์ที่เชื่อมต่อกับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ เช่น ฮาร์ดไดรฟ์และ SSD
การ์ด SD
การ์ดหน่วยความจำประเภทหนึ่งที่มักใช้กับกล้องดิจิตอลและอุปกรณ์พกพาอื่น ๆ โปรดดูกลุ่มผลิตภัณฑ์การ์ด SD ของเรา
SD Speed Class
SD Association กำหนดมาตรฐานอัตราการถ่ายโอนข้อมูลขั้นต่ำตามความต้องการของบริษัทผู้ผลิตอุปกรณ์บันทึกวิดีโอซึ่งกำหนดค่าความเร็วในการเขียนข้อมูลไว้สำหรับบันทึกข้อมูลไปยังเมมโมรี่การ์ด SD Speed Class, UHS Speed Class และ Video Speed Class กำหนดมาตรฐานไว้สำหรับเมมโมรี่การ์ดและอุปกรณ์ต่าง ๆ เพื่อรับรองความเร็วในการเขียนข้อมูลและในการทำงานที่เต็มประสิทธิภาพ
SDRAM / Synchronous DRAM
SDRAM เป็นอักษรย่อใช้ระบุ Synchronous DRAM โดยเป็นเทคโนโลยี RAM หลักสำหรับคอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่ในปัจจุบัน เทคโนโลยีหน่วยความจำเริ่มเป็นที่รู้จักครั้งแรกในช่วงทศวรรษที่ 1990 และมีประสิทธิภาพที่ดีมากขึ้นเรื่อย ๆ โดยการซิงค์การถ่ายโอนข้อมูลกับสัญญาณนาฬิกาของเครื่อง
Server Premier
Server Premier คือหน่วยความจำมาตรฐานอุตสาหกรรมจาก Kingston สำหรับโมดูลที่รองรับ ECC โดยปกติจะเป็นเซิร์ฟเวอร์และเวิร์คสเตชั่น โดยหมายเลขชิ้นส่วนจะเริ่มต้นด้วย "KSM” สามารถสั่งซื้อ Server Premier แบบล็อคส่วนประกอบทั้งหมด (Full Lock) เพื่อคงความสอดคล้องกัน หรือล็อคเฉพาะ DRAM Die Revision (DRAM Lock)
SIMM / Single In-line Memory Module
SIMM เป็นอักษรย่อจาก Single In-Line Memory Module โดยเป็นโมดูลหน่วยความจำแบบดั้งเดิมจากโรงงาน SIMM มักจำกัดความกว้างของข้อมูลไว้ที่ 32 บิต และไม่รองรับการเข้าถึงข้อมูลแยกอิสระที่แต่ละด้านของขาโมดูล
แถวเดี่ยว
1 Rank หรือ 1R, จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล
System In Package (SIP)
system in package (SiP) เป็นรูปแบบที่กำหนดในการจัดชุดวงจรร่วม (IC) และส่วนประกอบพาสซีฟต่าง ๆ เป็นชุดเดียวกันเพื่อให้สามารถติดตั้งร่วมกันได้ โดยปกติใช้กับ SSD ไดรฟ์ USB การ์ด SD หรือภายในโทรศัพท์มือถือเป็นต้น
SODIMM / SO-DIMM
SODIMM เป็นอักษรย่อสำหรับ Small Outline DIMM. ซึ่งจะคล้าย ๆ กับ DIMM โดย SODIMM จะมีขนาดเล็กกว่าและใช้เป็นหลักกับโน้ตบุ๊กหรือ PC ขนาดเล็ก
SPD / Serial Presence Detection
SPD เป็นอักษรย่อของ Serial Presence Detect SPD คือ EEPROM โดยเป็นชิปบนหน่วยความจำที่รองรับข้อมูลทางเทคนิคของตัวเองไว้
ความเร็ว
สำหรับหน่วยความจำ ความเร็วมักใช้ระบุอัตราการรับส่งข้อมูลของหน่วยความจำ DDR ทุกรุ่นระบุความเร็วเป็นเมกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที (MT/s) ความเร็วของหน่วยความจำมีการเขียนระบุหลายรูปแบบ เช่น DDR5-4800 หรือ PC5-38400 หรือ 4800MT/s DDR5 ความเร็วของหน่วยความจำยังสามารถใช้เพื่อระบุแบนด์วิธใช้งานของหน่วยความจำคูณด้วย 8 ตัวอย่างเช่น DDR5-4800 มีแบนด์วิธใช้งานที่ 38,400Mb/s หรือ 38.4GB/s ซึ่งเป็นอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุดไปกลับจากหน่วยความจำต่อวินาที
สำหรับความเร็วการ์ด SD และ microSD โปรดดู “SD Speed Class”
Speed Class (Class 4, 6, 10)
SD Association กำหนดมาตรฐานความเร็วสำหรับการ์ดบันทึกข้อมูลต่อพ่วงแบบต่าง ๆ ไว้ (SD, microSD) โดยอ้างอิงเป็น “Speed Class” และใช้ระบุความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่องขั้นต่ำ การ์ดจะมีการจำแนกความเร็วเป็น Class 4 (4MB/s), Class 6 (6MB/s) หรือ Class 10 (10MB/s) เรียนรู้เพิ่มเติม
SSD
Solid State Drive, อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ประกอบไปด้วยชิป Flash NAND ที่ข้อมูลจะถูกอ่านและเขียนผ่านชุดควบคุมแฟลชแทนตัวสั่งการแบบกลไกที่ใช้ในฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ เนื่องจากไม่มีชิ้นส่วนกลไก SSD จึงทำงานได้นุ่มนวลและประหยัดพลังงานกว่า HDD อีกข้อดีของ SSD เมื่อเทียบกับ HDD คือไม่ได้รับผลกระทบใด ๆ จากสนามแม่เหล็ก โปรดดูกลุ่มผลิตภัณฑ์การ์ด SSD ของเรา
เอนจิน ECC ที่เชื่อถือได้
หน่วยความจำแฟลช NAND จะต้องรักษาความสมบูรณ์ของข้อมูลไว้ขณะข้อมูลเคลื่อนย้ายจาก PC โฮสต์ไปยังส่วนจัดเก็บข้อมูล NAND ผ่านชุดควบคุมแฟลช ข้อมูลที่โอนจากโฮสต์ไปยังการ์ดมักเรียกเป็น “ข้อมูลระหว่างนำส่ง” หรือ “ข้อมูลที่กำลังส่ง” ก่อนที่จะถูกเขียนไปยังส่วนจัดเก็บข้อมูลแฟลช NAND ชุดควบคุมแฟลชใช้เทคโนโลยี Error Correction (หรือ ECC ย่อมาจาก Error Correction Code) เพื่อตรวจหาและแก้ไขข้อผิดพลาดส่วนใหญ่ที่อาจส่งผลต่อข้อมูลระหว่างการนำส่ง ชิปหน่วยความจำแฟลชจะเก็บข้อมูลแก้ไขข้อผิดพลาดเพิ่มเติม และบล็อคข้อมูลทั้งหมดที่ถูกเขียน ข้อมูลนี้จะใช้เพื่อให้ชุดควบคุมแฟลชสามารถแก้ไขข้อผิดพลาดต่าง ๆ ได้พร้อมกันขณะอ่านบล็อคข้อมูล หน่วยความจำแฟลช NAND มีลักษณะคล้ายกับฮาร์ดดิสก์ คือจะมีข้อผิดพลาดบิตข้อมูลระหว่างการทำงานปกติโดยจะมีการแก้ไขข้อผิดพลาดระหว่างการทำงานผ่านข้อมูล ECC ที่มี หากอุปกรณ์ NAND มีข้อผิดพลาดในบล็อคข้อมูลมากเกินไป บล็อคข้อมูลดังกล่าวจะกำกับเป็น Bad Block และถูกปลดระวาง และบล็อคข้อมูลสำรองจะถูกหมุนเวียนมาใช้แทน ระหว่างกระบวนการนี้ ข้อมูลจะถูกแก้ไขตามความเหมาะสมโดยใช้ ECC การใช้บล็อคสำรองจะช่วยเพิ่มอายุการใช้งานและความทนทานของ SSD
ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับระบบตรวจหาและแก้ไขข้อผิดพลาดใน Kingston SSD
ช่องสัญญาณย่อย
สำหรับหน่วยความจำ ช่องสัญญาณย่อย (sub-channel) ใช้ระบุหน่วยความจำ DDR5 ที่แบ่งบล็อคที่อยู่ 64 บิตย่อยเป็น 32 บิตแยกอิสระเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงาน
UDIMM / DIMM แบบไม่มีบัฟเฟอร์ (Unbuffered DIMM)
โมดูลหน่วยความจำ 64 บิต (x64) (RAM) ที่ไม่มี Register หรือบัฟเฟอร์ หน่วยความจำ unbuffered แต่เดิมใช้กับ PC/เวิร์คสเตชั่น/โน้ตบุ๊ก
UHS-I Video Speed Class
Speed Class สำหรับการบันทึกวิดีโอ ความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำของตัวกลางพิจารณาจากตัวอักษรตามด้วยตัวเลขกำกับ Speed Class V30 จะมีความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำที่ 30MB/s
ไม่มีบัฟเฟอร์ (Unbuffered)
ไม่มีบัฟเฟอร์ข้อมูลที่โมดูลอย่างเช่น Register
U.2
มาตรฐานอินเทอร์เฟซคอมพิวเตอร์สำหรับเชื่อมต่อกับ SSD ออกแบบมาสำหรับตลาดองค์กรขนาดใหญ่ โดยปกติเป็นฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว และรองรับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลมากกว่า M.2
UHS-I
Ultra-High Speed – I (UHS-I) คือ Speed Class สำหรับเมมโมรี่การ์ด SDHC และ SDXC UHS-I มีอินเทอร์เฟซบัสความเร็วสูงสุด 104/MB/s
UHS-II
Ultra-High Speed – II (UHS-II) คือ Speed Class สำหรับเมมโมรี่การ์ด SDHC และ SDXC UHS-I มีอินเทอร์เฟซบัสความเร็วสูงสุด 312MB/s ความแตกต่างระหว่างเวอร์ชั่นแรก (UHS-I) คือมีขาต่อเพิ่มมาเป็นแถวที่สองโดยใช้เทคโนโลยี Low Voltage Differential Signaling (LVDS) เพื่อให้มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่มากขึ้น
UHS Speed Class (U1, U3)
Ultra High Speed (UHS) ใช้ระบุความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่องขั้นต่ำสำหรับบันทึกวิดีโอ UHS Speed Class มีอยู่สองชุดที่กำหนดโดย SD Association ประกอบไปด้วย UHS Speed Class 1 และ UHS Speed Class 3 UHS Speed Class 1 รองรับความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำที่ 10Mb/s ส่วน UHS Speed Class 3 รองรับความเร็วในการเขียนข้อมูลที่อย่างน้อย 30MB/s UHS Speed Class โดยปกติมักกำกับเป็น 1 หรือ 3 ไว้ในสัญลักษณ์ตัว U เรียนรู้เพิ่มเติม
USB
Universal Serial Bus (USB) คืออินเทอร์เฟซมาตรฐานที่รองรับการเชื่อมต่อระหว่างอุปกรณ์และชุดควบคุมโฮสต์ เช่น คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล (PC) หรือสมาร์ทโฟน โดยจะทำการเชื่อมต่อกับอุปกรณ์ต่อพ่วงต่าง ๆ เช่น กล้องดิจิตอล เมาส์ แป้นพิมพ์ เครื่องพิมพ์ สแกนเนอร์ อุปกรณ์มีเดีย ฮาร์ดไดรฟ์ต่อพ่วงและแฟลชไดรฟ์
USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4
ความแตกต่างระหว่างมาตรฐาน USB เหล่านี้คือความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูล USB 3.2 Gen 1 รองรับความเร็วสูงสุด 5Gbit/s, USB 3.2 Gen 2 รองรับความเร็วสูงสุด 10Gbit/s, USB 3.2 Gen 2x2 รองรับความเร็วสูงสุด 20Gbit/s และ USB4 รองรับความเร็วสูงสุด 40Gbit/s เรียนรู้เพิ่มเติม
Video Speed Class (V10, V30, V60, V90)
Video Speed Class กำหนดขึ้นโดย SD Association เพื่อแยกประเภทการ์ดที่สามารถรองรับความละเอียดของวิดีโอที่สูงขึ้นและคุณสมบัติในการบันทึกข้อมูลที่ดีขึ้น Speed Class นี้รับประกันประสิทธิภาพในการทำงานต่อเนื่องขั้นต่ำสำหรับการบันทึกวิดีโอ ซึ่งประกอบไปด้วย V6, V10, V30, V60 และ V90 V90 Speed Class หมายถึงความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำของเมมโมรี่การ์ดจะต้องทำได้เท่ากับ 90MB/s ส่วน V30 จะเท่ากับ 30MB/s เป็นต้น เรียนรู้เพิ่มเติม
ValueRAM
หน่วยความจำมาตรฐานอุตสาหกรรมจาก Kingston’s ในกลุ่ม non-ECC DIMM และ SODIMM ที่แต่เดิมใช้กับเดสก์ทอปและโน้ตบุ๊กประกอบ
VLP / Very Low Profile
VLP ใช้ระบุการจำแนกประเภทของ JEDEC สำหรับหน่วยความจำที่ใช้กับเครื่องแบบบาง สำหรับ DDR3 และ DDR4, VLP UDIMM และ VLP RDIMM จะมีกำหนดความสูงไว้ที่ 18.75 มม. DDR3 (30.00 มม.) และ DDR4/DDR5 DIMM (31.25 มม.) โพรไฟล์มาตรฐานถือเป็นหน่วยความจำ “ทรงต่ำ”
ระบบกระจายการสึกหรอ
อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลแฟลชจาก Kingston เลือกใช้ระบบควบคุมที่มาพร้อมเทคโนโลยีการกระจายการสึกหรอของส่วนประกอบ โดยจะกระจายรอบ P/E (เขียนโปรแกรม/ลบ) กับหน่วยความจำแฟลชอย่างทั่วถึงกัน ระบบกระจายการสึกหรอจึงช่วยยืดอายุการใช้งานให้กับแฟลชเมมโมรี่การ์ด
x16
สำหรับหน่วยความจำ x16 จะใช้ระบุความกว้างของข้อมูลสำหรับชิป DRAM (x16 หมายถึงความกว้าง 16 บิต) x16 DRAM จะใช้กับ UDIMM และ SODIMM และจำกัดเฉพาะสำหรับเครื่องเดสก์ทอปและโน้ตบุ๊กที่ติดตั้งโปรเซสเซอร์ที่รองรับ DRAM ประเภทนี้
x4
สำหรับหน่วยความจำ x4 หมายถึงความกว้างข้อมูลของชิป DRAM (x4 หมายถึงความกว้าง 4 บิต) ชิป x4 DRAM หลัก ๆ จะใช้กับ RDIMM และ LRDIMM โดยโมดูลประเภทนี้สามารถรองรับระบบตรวจหาข้อผิดพลาดหลายบิตและฟังก์ชั่น ECC สำหรับแก้ไขข้อผิดพลาด
x64
สำหรับหน่วยความจำ x64 หมายถึงความกว้างข้อมูล 64 บิต นี่เป็นความกว้างทั้งหมดที่จำเป็นเพื่อให้ได้ Rank ที่สมบูรณ์
x72
สำหรับหน่วยความจำ x72 หมายถึงความกว้างข้อมูล 72 บิต โดยหมายถึงโมดูลที่รองรับที่อยู่ขนาด 64 บิตบวกกับอีก 8 บิตสำหรับฟังก์ชั่น ECC, x72 เป็นความกว้างโมดูลสำหรับ RDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM และ LRDIMM สำหรับ DDR3, DDR4 และ DDR5 บางตัว หน่วยความจำ DDR5 ขนาด x72 เรียกอีกอย่างว่า EC4
x8
สำหรับหน่วยความจำ x8 ใช้ระบุความกว้างข้อมูลของชิป DRAM (x8 คือความกว้างขนาด 8 บิต) x8 DRAM มีใช้กับหน่วยความจำทุกประเภท รวมไปถึง RDIMM
x80
สำหรับหน่วยความจำ x80 หมายถึงความกว้างข้อมูล 80 บิต เทคโนโลยีนี้จำกัดเฉพาะสำหรับหน่วยความจำ DDR5 EC8 หน่วยความจำ DDR5 จะมีช่องสัญญาณย่อยขนาด 32 บิตที่แยกอิสระ โดยแต่ละส่วนจะมีความกว้างข้อมูลเพิ่มอีก 8 บิตสำหรับรองรับ ECC รวมทั้งหมดเป็น 40 บิต ช่องสัญญาณย่อยทั้งสองส่วนมีความกว้างข้อมูลรวมเป็น 80 บิตต่อ Rank
XMP
Intel Extreme Memory Profile, โพรไฟล์กำหนดช่วงเวลาการทำงานเบื้องต้นสำหรับหน่วยความจำโอเวอร์คล็อก เรียนรู้เพิ่มเติม
XTS-AES
XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard; ฟังก์ชั่นการทำงานเข้ารหัสบล็อคข้อมูลแบบปรับแต่งได้สำหรับชุดข้อมูล 128 บิตขึ้นไปโดยใช้คีย์เข้ารหัสบล็อคข้อมูล AES เป็นกระบวนการย่อย เป็นโหมดการเข้ารหัสความปลอดภัยสูงที่ใช้โดยหน่วยงานต่าง ๆ ทั้งในภาครัฐและองค์กรธุรกิจ