ศัพทานุกรม

1R

1 Rank หรือ Single Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล

2R

2 Ranks หรือ Dual Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล

4R

4 Ranks หรือ Quad Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล


AMD

Advanced Micro Devices, Inc.

AMD EPYC™

ซีรีส์โปรเซสเซอร์เซิร์ฟเวอร์จาก AMD

AMD EXPO™

AMD Extended Profiles for Overclocking DDR5.

AMD Ryzen™

โปรเซสเซอร์ PC จาก AMD

pAES (Advanced Encryption Standard)

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมใน FIPS ระบบการเข้ารหัสบล็อคจากรัฐบาลสหรัฐฯ ที่ใช้สำหรับเข้ารหัสข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์ที่อ่อนไหวภายใต้ชื่อมาตรฐาน FIPS 197 ตั้งแต่ปี 2002

ระบบป้องกันการกระจายการอ่านข้อมูลแบบรีเฟรชอัตโนมัติ

ฟังก์ชั่นรีเฟรชอัตโนมัติจะทำหน้าที่อ่านข้อมูลทั้งหมดที่หน่วยความจำแฟลช รวมทั้งข้อมูลที่ไม่ค่อยถูกเรียกอ่าน จากนั้นทำการแก้ไขข้อผิดพลาดอัตโนมัติตามความจำเป็นเพื่อป้องกันข้อมูลสูญหายจากปัญหาระหว่างการอ่านข้อมูล ปัญหาในการเก็บรักษาข้อมูลและข้อผิดพลาดอื่น ๆ ฟังก์ชั่นรีเฟรชอัตโนมัติจะทำงานอยู่เบื้องหลังเพื่อให้เกิดอาการหน่วงการตอบสนองคำสั่งน้อยที่สุดแม้ในระหว่างที่มีการแก้ไขข้อผิดพลาดอยู่ก็ตาม


ระบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์

บล็อคข้อมูลที่มีปัญหาประกอบไปด้วยบิตข้อมูลบางส่วนที่ทำงานไม่มีเสถียรภาพอีกต่อไป บล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์เหล่านี้อาจเกิดขึ้นระหว่างกระบวนการผลิต (Early Bad Block) หรือจากการใช้งานการ์ด (Later Bad Block) บล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์ทั้งสองประเภทเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ ทำให้ระบบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์นี้มีความจำเป็นเพื่อจัดการข้อผิดพลาดต่าง ๆ ในอุปกรณ์แฟลช NAND ระบบจัดการบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์จะช่วยระบุและกำกับบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์ต่าง ๆ และจะใช้พื้นที่ความจุเสริมที่ว่างอยู่มาใช้งานแทนบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์ และจะไม่มีการเขียนข้อมูลไปยังบล็อคเหล่านี้ทำให้ผลิตภัณฑ์ทำงานได้มีเสถียรภาพมากยิ่งขึ้น หากบล็อคข้อมูลที่ไม่สมบูรณ์จัดเก็บข้อมูลไว้ ข้อมูลจะถูกเคลื่อนย้ายไปยังบล็อคที่สมบูรณ์เพื่อป้องกันข้อมูลสูญหาย

บิต

หน่วยข้อมูลที่เล็กที่สุดในการประมวลผล แสดงค่าเป็น 1 หรือ 0 หรือเปิด/ปิด

ไบต์

8 บิต

Brute force

การโจมตีทางไซเบอร์ที่ไม่ซับซ้อนเพื่อเจาะรหัสผ่านหรือคีย์เข้ารหัสโดยการลองคาดเดาไปเรื่อย ๆ


ความจุ

จำนวนเซลล์หน่วยความจำข้อมูลที่มีในโมดูลแสดงเป็นกิกะไบต์ (GB) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่จำหน่ายเป็นชุด ความจุที่แจ้งเป็นความจุรวมของโมดูลทั้งหมดที่จัดจำหน่ายในชุดเดียวกัน

CAS

Column Address Strobe ใช้ร่วมกับหน่วยค่าหน่วงเวลา หรือ “ค่าหน่วงเวลา CAS” โดยเป็นการวัดเวลาในการทำงานที่อยู่ในสถานะการรอข้อมูล

ค่าหน่วงเวลา CAS

จำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาที่มีการกำหนดไว้ล่วงหน้าตามมาตรฐานสำหรับอ่าน/เขียนข้อมูลไปกลับจากโมดูลหน่วยความจำและชุดควบคุมหน่วยความจำ หลังจากมีการโหลดคำสั่งอ่าน/เขียนข้อมูลและที่อยู่ของแถว/คอลัมน์ ค่าหน่วงเวลา CAS ใช้ระบุเวลารอจนกว่าข้อมูลจะพร้อมใช้งาน

ช่องสัญญาณ (Channel)

ช่องสัญญาณหมายถึงจำนวนชิปแฟลชที่ชุดควบคุมสามารถสื่อสารได้พร้อม ๆ กัน SSD ระดับพื้นฐาน/ใช้งานทั่วไปโดยปกติจะมี 2 หรือ 4 ช่องสัญญาณ SSD ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่ามักจะมี 8 ช่องสัญญาณและมากถึง 16 ช่องสัญญาณสำหรับ SSD ในศูนย์ข้อมูล

CL

ย่อมาจาก Column Address Strobe Latency หรือ “ค่าหน่วงเวลา CAS” เป็นหน่วยคำนวณค่าเวลารอข้อมูล

คริปโตชิป

ฮาร์ดแวร์ที่ทำหน้าที่ปกป้องข้อมูลในไดรฟ์ USB โดยมีระบบจัดการคีย์เข้ารหัสที่ตัวอุปกรณ์เองเพื่อความปลอดภัย แฟลชไดรฟ์ซีรีส์ IronKey เป็นรุ่นที่ใช้คริปโตชิป


ความเร็วรับส่งข้อมูล:

ระดับความเร็วของโมดูลหน่วยความจำ เช่น 3200MT/s

DDR

Double Data Rate ย่อมาจาก DDR SDRAM

DDR3

Double Data Rate รุ่น 3 SDRAM

DDR3L

Double Data Rate เจน 3 SDRAM แบบแรงดันไฟฟ้าต่ำ

DDR4

DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) เทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นที่สี่ มักเรียกเป็น “DDR4” โมดูลหน่วยความจำ DDR4 ไม่รองรับ DDR SDRAM รุ่นก่อนหน้าเนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า (1.2V) จำนวนขาต่อไม่เท่ากันและเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน

DDR5

DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) เทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นที่ห้า มักเรียกเป็น “DDR5” โมดูลหน่วยความจำ DDR5 ไม่รองรับ DDR SDRAM รุ่นก่อนหน้าเนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า (1.1V) จำนวนขาต่อไม่เท่ากันและเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน

Design-In

ส่วนประกอบหรือชิ้นส่วนสำหรับ PC/อุปกรณ์รุ่นพิเศษ สายผลิตภัณฑ์โมดูลหน่วยความจำจาก Kingston ที่เป็นไปตามมาตรฐานอุตสาหกรรม โดยหมายเลขผลิตภัณฑ์จะเริ่มต้นด้วย “CBD”

DIMM

โมดูลหน่วยความจำ Dual In-line

DRAM

หน่วยความจำเรียกค้นสุ่มแบบไดนามิค

สองช่องสัญญาณ

โครงสร้างช่องเสียบหน่วยความจำซึ่งเป็นจุดที่โมดูลหน่วยความจำที่เหมือนกันสองตัวจะได้รับการติดตั้งไว้ด้วยกันเพื่อเพิ่มแบนด์วิธ ซึ่งทำให้เครื่องมีประสิทธิภาพมากขึ้น

แถวคู่

2 Ranks หรือ Dual Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล

ระบบรีเฟรชข้อมูลไดนามิค

ระบบรีเฟรชข้อมูลไดนามิคใช้เพื่อให้แน่ใจว่าระหว่างกระบวนการอ่านอย่างเดียว บล็อคข้อมูลที่มีข้อผิดพลาดสูงจะถูกแยกออกและรีเฟรชใหม่ในการใช้งานครั้งถัดไป ระหว่างคำสั่งอ่านข้อมูลแต่ละครั้ง ชุดควบคุมจะทำการตรวจสอบบล็อคข้อมูลเป้าหมายสามขั้นตอนด้วยกัน: ขั้นตอนแรกคือเพื่อตรวจสอบว่ามีเครื่องหมาย “ต้องมีการรีเฟรช” หรือไม่ ขั้นตอนที่สองคือการตรวจสอบจำนวนบิตข้อผิดพลาดต่าง ๆ ที่พบในปัจจุบัน ขั้นตอนที่สามคือการตรวจสอบจำนวนการดำเนินการซ้ำที่เกิดขึ้นในปัจจุบัน


ECC

Error Correction Code.

ECC UDIMM

ECC Unbuffered DIMM.

EEPROM

Electrical Erasable Programmable Read-Only Memory.


FAT

file allocation table (FAT) คือระบบไฟล์ข้อมูลที่พัฒนาขึ้นมาสำหรับฮาร์ดไดรฟ์ และถูกใช้งานโดยระบบปฏิบัติการ (OS) เพื่อจัดการไฟล์ข้อมูลในฮาร์ดไดรฟ์หรือระบบคอมพิวเตอร์อื่น ๆ โดยปกติจะใช้กับหน่วยความจำแฟลช กล้องดิจิตอลและอุปกรณ์แบบพกพา และใช้เพื่อจัดเก็บไฟล์ข้อมูลและเพื่อเพิ่มพื้นที่ให้กับฮาร์ดไดรฟ์

FIPS (Federal Information Processing Standards)

มาตรฐานและหลักเกณฑ์ที่กำหนดสำหรับระบบคอมพิวเตอร์โดยรัฐบาลกลางสหรัฐฯ พัฒนาขึ้นโดย National Institute of Standards and Technology (NIST) ภายใต้กฎหมาย Federal Information Security Management Act (FISMA) และได้รับการรับรองโดยรัฐมนตรีพาณิชย์

FIPS 197

มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (หรือ Rinjdael) ซึ่งพัฒนาต่อยอดมาจากระบบเข้ารหัสบล็อคข้อมูลที่พัฒนาโดยชาวเบลเยี่ยม โดยจะใช้คีย์แบบ 128, 192 หรือ 256 บิต: AES-128 สามารถป้องกันการโจมตีแบบ Brute Force ได้และมีความปลอดภัยมากพอสำหรับใช้กับข้อมูลลับ อีกทั้งยังเป็นมาตรฐานการเข้ารหัสที่สาธารณะสามารถเข้าถึงได้มาตรฐานแรกและมาตรฐานเดียวที่ได้รับการรับรองจากสำนักความมั่นคงแห่งชาติของสหรัฐอเมริกา (United States National Security Agency) สำหรับข้อมูลลับสุดยอด (เข้ารหัส 192 บิตขึ้นไป)

FIPS 140-2 Level 3

มาตรฐานรักษาความปลอดภัยกลางสำหรับคอมพิวเตอร์ของภาครัฐที่กำหนดขึ้นในปี 2019 ระบบที่ตรงตามมาตรฐานที่กำหนดนี้ นอกจากจะต้องมีการแยกส่วนระหว่างอินเทอร์เฟซต่าง ๆ ที่เชื่อมต่อกับ “พารามิเตอร์รักษาความปลอดภัยที่สำคัญ” และผ่านโมดูลแล้ว ต้องมีความปลอดภัยสำหรับการใช้งานทั่วไปและผ่านเงื่อนไขการตรวจรับรองตามสถานะผู้ใช้ รวมถึงทนทานต่อการทุบทำลายอีกด้วย

หน่วยความจำแฟลช

หน่วยความจำแฟลชเป็นหน่วยความจำไม่เลือนหาย (หน่วยความจำที่สามารถเก็บรักษาข้อมูลได้แม้จะไม่มีไฟเลี้ยง) หน่วยความจำแฟลชปกติมีอยู่ในอุปกรณ์อย่างไดรฟ์ Solid State (SSD) และแฟลชไดรฟ์ USB โดยปกติจะติดตั้งในคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและสื่อบันทึกข้อมูลระดับองค์กร

ฟอร์มแฟคเตอร์

ขนาดและรูปทรงของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ฮาร์ดไดรฟ์หรือ SSD

ความถี่

คำศัพท์เก่าแก่ที่ใช้ระบุความเร็วของหน่วยความจำ


ระบบจัดเก็บข้อมูลขยะ

ระบบจัดเก็บข้อมูลขยะเป็นหัวใจสำคัญสำหรับแฟลช NAND เพื่อให้อุปกรณ์มีความทนทานและรักษาความเร็วในการทำงานไว้ได้ อุปกรณ์แฟลช NAND จะไม่เขียนทับข้อมูลที่มีอยู่ ข้อมูลจะผ่านรอบการเขียน/ลบ หากต้องการเขียนบล็อคข้อมูลที่ใช้อยู่แล้ว ชุดควบคุมแฟลช NAND จะคัดลอกไฟล์ที่ใช้งานทั้งหมดก่อนและเขียนข้อมูลชุดนี้ไปยังหน้าเปล่าของบล็อคข้อมูลอื่น ๆ และลบข้อมูลในเซลล์ทั้งหมดในบล็อคปัจจุบัน (ทั้งที่ใช้และไม่ได้ใช้งาน) จากนั้นจะเขียนข้อมูลใหม่ไปยังบล็อคที่เพิ่งถูกลบข้อมูลทิ้ง กระบวนการนี้เรียกว่าการจัดเก็บข้อมูลขยะ

Gbps

กิกะบิตต่อวินาที เป็นหน่วยวัดความเร็วของข้อมูลเป็นหน่วย # พันล้านบิตต่อวินาที

กิกะบิต (Gb)

บิตคือหน่วยข้อมูลที่เล็กที่สุดในการประมวลผลและแสดงค่าเป็น 1 หรือ 0 (เปิด/ปิด) กิกะบิต (Gb) คือ 1 พันล้านบิต (หรือ 109) ตามระบบของ International System of Units (SI) สำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ Gb (หรือ Gbit) มักจะใช้เพื่อแสดงความหนาแน่นของส่วนประกอบ DRAM หนึ่งตัว

กิกะไบต์ (GB)

ไบต์ประกอบด้วย 8 บิต กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1 พันล้านไบต์ (หรือ 109) ตามมาตรฐานของ International System of Units (SI) สำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ GB จะใช้เพื่อแสดงความจุของข้อมูลทั้งหมดของโมดูลหน่วยความจำ หรือกลุ่มโมดูลหน่วยความจำที่ติดตั้งเข้าไว้ด้วยกันเป็นหน่วยความจำรวมของเครื่อง


ชุดกระจายความร้อน

ชิ้นส่วนโลหะป้องกันที่ยึดกับโมดูลเพื่อกระจายความร้อน


Infrared Sync Technology™

เทคโนโลยี RGB sync ลิขสิทธิ์เฉพาะที่ใช้ส่วนประกอบอินฟราเรดกับโมดูลหน่วยความจำ HyperX® และ Kingston FURY™

Intel®

Intel Corporation

Intel® Xeon®

กลุ่มผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์สำหรับเซิร์ฟเวอร์จาก Intel

Intel® XMP 2.0

โพรไฟล์ทางเทคนิคในการโอเวอร์คล็อกของ Intel สำหรับหน่วยความจำ DDR4 / DDR3

Intel® XMP 3.0

โพรไฟล์ทางเทคนิคในการโอเวอร์คล็อกของ Intel สำหรับหน่วยความจำ DDR5

รับรองมาตรฐาน Intel® XMP 3.0

ชิ้นส่วน/ชุดอุปกรณ์ที่ผ่านหรือได้รับการยื่นเข้าแผนการตรวจรับรองเวอร์ชั่น 3 ของ Intel สำหรับ DDR5

รองรับมาตรฐาน Intel® XMP 3.0

ชิ้นส่วน/ชุดอุปกรณ์ที่ผ่านมาตรฐานโพรไฟล์โอเวอร์คล็อก Intel XMP 3.0 สำหรับ DDR5

รับรองมาตรฐาน Intel® XMP

ชิ้นส่วน/ชุดอุปกรณ์ที่ผ่านหรือได้รับการยื่นเข้าแผนการตรวจรับรองเวอร์ชั่น 2 ของ Intel สำหรับ DDR4 / DDR3

รองรับมาตรฐาน Intel® XMP

ชิ้นส่วน/ชุดอุปกรณ์ที่ผ่านมาตรฐานโพรไฟล์โอเวอร์คล็อก Intel XMP 2.0 หรือรุ่นก่อนหน้าสำหรับ DDR4 / DDR3

IR Sync

ตัวย่อสำหรับ Kingston Infrared Sync Technology


JEDEC

Joint Electron Device Engineering Council หน่วยงานกำหนดมาตรฐานอุตสาหกรรม


Kingston FURY™ Beast

สายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำโอเวอร์คล็อก DIMM ระดับพื้นฐาน

Kingston FURY™ Impact

สายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำโอเวอร์คล็อกที่ใช้ SODIMM

Kingston FURY™ Renegade

สายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำโอเวอร์คล็อก DIMM ระดับสูงสุด

ชุดผลิตภัณฑ์

เลขชิ้นส่วนที่ประกอบไปด้วยโมดูลหน่วยความจำหลายแถว โดยปกติเป็นแบบคู่ สามแถวหรือสี่แถว เช่น K2 = 2 DIMM ซึ่งจำหน่ายเป็นชุดและระบุความจุเป็นความจุรวมกัน


ยาว (มม.) x สูง (มม.) x กว้าง (มม.)

ขนาดของโมดูลรวมกับชุดกระจายความร้อนโดยมีหน่วยเป็นมิลลิเมตร

LRDIMM

Load Reduced DIMM.


M.2

ฟอร์มแฟคเตอร์สำหรับการ์ดต่อพ่วงสำหรับคอมพิวเตอร์ที่ติดตั้งภายใน รองรับการเชื่อมต่อกับโมดูลความกว้างและความยาวต่าง ๆ กัน

Mbps

เมกะบิตต่อวินาที เป็นหน่วยวัดความเร็วของข้อมูลเป็นหน่วย # ล้านบิตต่อวินาที

หน่วยความจำ

พื้นที่ในคอมพิวเตอร์สำหรับจัดเก็บข้อมูลให้กับโปรเซสเซอร์

ช่องสัญญาณหน่วยความจำ

ช่องสัญญาณหน่วยความจำคือเส้นทางการถ่ายโอนข้อมูลระหว่างโมดูลหน่วยความจำกับชุดควบคุมหน่วยความจำ (โดยปกติจะอยู่ในโปรเซสเซอร์) ระบบคอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่ (PC, โน้ตบุ๊ก หรือเซิร์ฟเวอร์) จะใช้โครงสร้างหน่วยความจำแบบหลายช่องสัญญาณ โดยช่องสัญญาณต่างๆ เหล่านั้นจะถูกนำมารวมกันเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพให้กับหน่วยความจำ โครงสร้างหน่วยความจำแบบ Dual Channel อาศัยการติดตั้งโมดูลหน่วยความจำคู่เหมือนร่วมกันเพื่อเพิ่มแบนด์วิธของชุดควบคุมหน่วยความจำเป็นสองเท่า

MHz

เมกะเฮิร์ตซ์, ล้านรอบ (สัญญาณนาฬิกา) ต่อวินาที

การ์ด MicroSD

ประเภทเมมโมรี่การ์ดขนาดจิ๋วที่มักใช้กับโทรศัพท์มือถือหรืออุปกรณ์พกพาอื่น ๆ

MT/s

เมกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที เป็นหน่วยวัดความเร็วของข้อมูลเป็นหน่วย # ล้านรายการถ่ายโอนต่อวินาที


NAND

หน่วยความจำแฟลชประเภทหนึ่ง เป็นสื่อจัดเก็บข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์แบบไม่เลือนหายที่สามารถลบข้อมูลและเขียนโปรแกรมการทำงานได้ผ่านระบบอิเลกทรอนิกส์ NAND ย่อมาจาก NOT AND ในฐานะลอจิกเกต (วิธีการในการส่งสัญญาณขาออกรูปแบบเฉพาะในอุปกรณ์ดิจิตอลอิเล็กทรอนิกส์)

การวางซ้อนอุปกรณ์ NAND (NAND Device Stacking)

เพื่อเพิ่มความจุของสื่อบันทึกข้อมูล อุปกรณ์หน่วยความจำแบบไม่เลือนหาย เช่น หน่วยความจำแฟลช NAND จึงมีการวางซ้อนดายหน่วยความจำไว้หลาย ๆ ชั้น (เช่น ชิปหน่วยความจำ) เพื่อจัดเป็นชุดดายหน่วยความจำเดียวกัน ชุดดายหน่วยความจำอาจมีอยู่ในรูปแบบต่าง ๆ เช่น DDP (Double-Die Package), QDP (Quad-Die Package) ODP (Octo-Die Package) หรือแม้แต่ HDP (จัดชุด 16 ดาย) เทคโนโลยีการวางซ้อนชั้นดายจะช่วยเพิ่มความจุให้กับฟอร์มแฟคเตอร์ขนาดเล็ก เช่น ไดรฟ์ USB หรือ M.2 SSD

Non-ECC

ไม่รองรับฟังก์ชั่น ECC

หน่วยความจำแบบไม่เลือนหาย

หน่วยความจำไม่เลือนหายเป็นหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ที่สามารถจัดเก็บข้อมูลที่บันทึกไว้ได้แม้ว่าจะตัดกระแสไฟฟ้าไปแล้ว

NVM Express™ (NVMe™)

Non-Volatile Memory Express อินเทอร์เฟซเปิดสาธารณะสำหรับการสืบค้นข้อมูลในสื่อบันทึกข้อมูลแบบไม่เลือนหายของคอมพิวเตอร์อย่าง SSD


On-Die ECC (ODECC)

รหัสแก้ไขข้อผิดพลาดภายในชิป DRAM


PCB

แผงวงจรพิมพ์ สีเขียว/น้ำเงินสำหรับโมดูลหน่วยความจำทุกรุ่นยกเว้น FURY ซึ่งจะเป็นสีดำ

PCI Express® (PCIe®)

Peripheral Component Interconnect Express มาตรฐานอินเทอร์เฟซสำหรับส่วนประกอบความเร็วสูง เช่น GPU หรือ SSD

PMIC

Power Management Integrated Circuit ชุดส่วนประกอบในโมดูลหน่วยความจำ DDR5 สำหรับจัดการการจ่ายกระแสไฟ

Plug N Play (PnP)

เมื่อใช้ร่วมกับ [Kingston FURY Beast] และ [Kingston FURY Impact] ใช้ระบุวิธีการโอเวอร์คล็อกของ Kingston โดยไม่ต้องเปิดใช้งานค่าปรับตั้งต่าง ๆ

ระบบป้องกันปัญหาจากระบบไฟฟ้า

ปัญหาไฟฟ้าดับเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้และอาจทำให้เกิดความโกลาหลระหว่างการทำงานหากไม่ได้เลือกใช้ชิ้นส่วนฮาร์ดแวร์ที่เหมาะสม ระบบป้องกันปัญหาจากระบบไฟฟ้ามีความจำเป็นสำหรับการป้องกันปัญหาข้อมูลสูญหาย อุปกรณ์โฮสต์ที่รองรับจะส่งคำสั่งไปยังการ์ดให้พักการทำงานหากพบว่ากระแสไฟตก ทั้งนี้เพื่อให้การ์ดมีเวลาเพียงพอในการบันทึกข้อมูลที่กำลังเขียนในขณะที่เกิดปัญหากระแสไฟฟ้า


สี่ช่องสัญญาณ

โครงสร้างช่องเสียบหน่วยความจำซึ่งเป็นจุดที่โมดูลหน่วยความจำที่เหมือนกันสี่ตัวจะได้รับการติดตั้งไว้ด้วยกันเพื่อเพิ่มแบนด์วิธ ซึ่งทำให้เครื่องมีประสิทธิภาพมากขึ้น

สี่แถว

4 Ranks หรือ Quad Rank จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล

QVL

รายชื่อผู้ให้บริการที่มีคุณสมบัติตามที่กำหนด


RAM

หน่วยความจำเรียกค้นแบบสุ่ม

Rank

Rank หมายถึงบล็อคข้อมูลที่สามารถกำหนดตำแหน่งได้ในโมดูลหน่วยความจำ สำหรับ DDR2, DDR3 และ DDR4 บล็อคข้อมูลเหล่านี้จะกว้าง 64 บิต (x64) และเพิ่มอีก 8 บิตสำหรับ ECC (x72) หน่วยความจำ DDR5 รองรับข้อมูล 64 บิตต่อ rank เช่นกัน แต่เมื่อใช้ร่วมกับ ECC บล็อคข้อมูลจะกว้างถึง 80 บิตต่อ rank (x80) โมดูลหน่วยความจำอาจเป็นแบบ Single Rank (1R), Dual Rank (2R), Quad Rank (4R) หรือ Octal Rank (8R) จำนวน rank โดยปกติจะเพิ่มขึ้นเพื่อรองรับความจุของโมดูลที่มากขึ้น

RAS

Row Address Strobe เป็นวิธีการสืบค้นข้อมูลในหน่วยความจำ

RDIMM

Registered DIMM

รองรับการทำงานกับ AMD Ryzen™

โปรแกรมตรวจสอบคุณสมบัติของ AMD สำหรับการโอเวอร์คล็อกกับคอมพิวเตอร์ที่ติดตั้ง AMD Ryzen

Register

ชิปบัฟเฟอร์ในหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ทำหน้าที่จัดการโหลดข้อมูล

RGB

LED สีแดง สีเขียวและสีน้ำเงิน


SATA

ย่อมาจาก Serial Advanced Technology Attachment, SATA เป็นอินเทอร์เฟซบัสคอมพิวเตอร์ที่เชื่อมต่อกับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ เช่น ฮาร์ดไดรฟ์และ SSD

การ์ด SD

การ์ดหน่วยความจำประเภทหนึ่งที่มักใช้กับกล้องดิจิตอลและอุปกรณ์พกพาอื่น ๆ

SD Speed Class

SD Association กำหนดมาตรฐานอัตราการถ่ายโอนข้อมูลขั้นต่ำตามความต้องการของบริษัทผู้ผลิตอุปกรณ์บันทึกวิดีโอซึ่งกำหนดค่าความเร็วในการเขียนข้อมูลไว้สำหรับบันทึกข้อมูลไปยังเมมโมรี่การ์ด SD Speed Class, UHS Speed Class และ Video Speed Class กำหนดมาตรฐานไว้สำหรับเมมโมรี่การ์ดและอุปกรณ์ต่าง ๆ เพื่อรับรองความเร็วในการเขียนข้อมูลและในการทำงานที่เต็มประสิทธิภาพ

SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory.

Server Premier

สายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำมาตรฐานอุตสาหกรรมสำหรับเซิร์ฟเวอร์/เวิร์คสเตชั่น โดยหมายเลขชิ้นส่วนจะเริ่มต้นด้วย “KSM”

SIMM

Single In-line Memory Module (พบครั้งล่าสุดช่วงต้นทศวรรษ 2000s)

แถวเดี่ยว

1 Rank หรือ 1R, จำนวนข้อมูลขนาด 64 บิตต่อโมดูล

System In Package (SIP)

system in package (SiP) เป็นรูปแบบที่กำหนดในการจัดชุดวงจรร่วม (IC) และส่วนประกอบพาสซีฟต่าง ๆ เป็นชุดเดียวกันเพื่อให้สามารถติดตั้งร่วมกันได้ โดยปกติใช้กับ SSD ไดรฟ์ USB การ์ด SD หรือภายในโทรศัพท์มือถือเป็นต้น

SODIMM

Small Outline Dual In-Line Memory Module หน่วยความจำลดขนาดสำหรับคอมพิวเตอร์ขนาดเล็ก เช่น โน้ตบุ๊ก ไมโครเซิร์ฟเวอร์ เครื่องพิมพ์หรือเราเตอร์

SPD

Serial Presence Detect หรือ SPD EEPROM, ชิปในโมดูลหน่วยความจำที่ทำหน้าที่จัดเก็บข้อมูลเกี่ยวกับเลขชิ้นส่วน รายละเอียดทางเทคนิค

ความเร็ว (เทียบได้กับความถี่)

อัตราข้อมูลหรือความเร็วสัญญาณนาฬิกาใช้งานที่โมดูลหน่วยความจำรองรับ วัดเป็น MHz (เมกะเฮิร์ตซ์) หรือ MT/s (เมกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที) ยิ่งความเร็วสูงเท่าไร ยิ่งถ่ายโอนข้อมูลต่อวินาทีได้มากเท่านั้น

Speed Class (Class 4, 6, 10)

SD Association กำหนดมาตรฐานความเร็วสำหรับการ์ดบันทึกข้อมูลต่อพ่วงแบบต่าง ๆ ไว้ (SD, microSD) โดยอ้างอิงเป็น “Speed Class” และใช้ระบุความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่องขั้นต่ำ การ์ดจะมีการจำแนกความเร็วเป็น Class 4 (4MB/s), Class 6 (6MB/s) หรือ Class 10 (10MB/s)

SSD

Solid State Drive, อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ประกอบไปด้วยชิป Flash NAND ที่ข้อมูลจะถูกอ่านและเขียนผ่านชุดควบคุมแฟลชแทนตัวสั่งการแบบกลไกที่ใช้ในฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ เนื่องจากไม่มีชิ้นส่วนกลไก SSD จึงทำงานได้นุ่มนวลและประหยัดพลังงานกว่า HDD อีกข้อดีของ SSD เมื่อเทียบกับ HDD คือไม่ได้รับผลกระทบใด ๆ จากสนามแม่เหล็ก

เอนจิน ECC ที่เชื่อถือได้

หน่วยความจำแฟลช NAND จะต้องรักษาความสมบูรณ์ของข้อมูลไว้ขณะข้อมูลเคลื่อนย้ายจาก PC โฮสต์ไปยังส่วนจัดเก็บข้อมูล NAND ผ่านชุดควบคุมแฟลช ข้อมูลที่โอนจากโฮสต์ไปยังการ์ดมักเรียกเป็น “ข้อมูลระหว่างนำส่ง” หรือ “ข้อมูลที่กำลังส่ง” ก่อนที่จะถูกเขียนไปยังส่วนจัดเก็บข้อมูลแฟลช NAND ชุดควบคุมแฟลชใช้เทคโนโลยี Error Correction (หรือ ECC ย่อมาจาก Error Correction Code) เพื่อตรวจหาและแก้ไขข้อผิดพลาดส่วนใหญ่ที่อาจส่งผลต่อข้อมูลระหว่างการนำส่ง ชิปหน่วยความจำแฟลชจะเก็บข้อมูลแก้ไขข้อผิดพลาดเพิ่มเติม และบล็อคข้อมูลทั้งหมดที่ถูกเขียน ข้อมูลนี้จะใช้เพื่อให้ชุดควบคุมแฟลชสามารถแก้ไขข้อผิดพลาดต่าง ๆ ได้พร้อมกันขณะอ่านบล็อคข้อมูล หน่วยความจำแฟลช NAND มีลักษณะคล้ายกับฮาร์ดดิสก์ คือจะมีข้อผิดพลาดบิตข้อมูลระหว่างการทำงานปกติโดยจะมีการแก้ไขข้อผิดพลาดระหว่างการทำงานผ่านข้อมูล ECC ที่มี หากอุปกรณ์ NAND มีข้อผิดพลาดในบล็อคข้อมูลมากเกินไป บล็อคข้อมูลดังกล่าวจะกำกับเป็น Bad Block และถูกปลดระวาง และบล็อคข้อมูลสำรองจะถูกหมุนเวียนมาใช้แทน ระหว่างกระบวนการนี้ ข้อมูลจะถูกแก้ไขตามความเหมาะสมโดยใช้ ECC การใช้บล็อคสำรองจะช่วยเพิ่มอายุการใช้งานและความทนทานของ SSD

ช่องสัญญาณย่อย

อ้างถึงโมดูลหน่วยความจำ DDR5 ที่แบ่งบล็อคที่อยู่ 64 บิตย่อยเป็น 32 บิตเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงาน


UDIMM

Non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module หน่วยความจำแบบยาวที่ช่วงความกว้างข้อมูล x64 ส่วนใหญ่ใช้กับเครื่องเดสก์ทอปที่ไม่ต้องอาศัยระบบแก้ไขข้อผิดพลาด และมีข้อจำกัดความจุของ DIMM

UHS-I Video Speed Class

Speed Class สำหรับการบันทึกวิดีโอ ความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำของตัวกลางพิจารณาจากตัวอักษรตามด้วยตัวเลขกำกับ Speed Class V30 จะมีความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำที่ 30MB/s

ไม่มีบัฟเฟอร์ (Unbuffered)

ไม่มีบัฟเฟอร์ข้อมูลที่โมดูลอย่างเช่น Register

U.2

มาตรฐานอินเทอร์เฟซคอมพิวเตอร์สำหรับเชื่อมต่อกับ SSD ออกแบบมาสำหรับตลาดองค์กรขนาดใหญ่ โดยปกติเป็นฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว และรองรับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลมากกว่า M.2

UHS-I

Ultra-High Speed – I (UHS-I) คือ Speed Class สำหรับเมมโมรี่การ์ด SDHC และ SDXC UHS-I มีอินเทอร์เฟซบัสความเร็วสูงสุด 104/MB/s

UHS-II

Ultra-High Speed – II (UHS-II) คือ Speed Class สำหรับเมมโมรี่การ์ด SDHC และ SDXC UHS-I มีอินเทอร์เฟซบัสความเร็วสูงสุด 312MB/s ความแตกต่างระหว่างเวอร์ชั่นแรก (UHS-I) คือมีขาต่อเพิ่มมาเป็นแถวที่สองโดยใช้เทคโนโลยี Low Voltage Differential Signaling (LVDS) เพื่อให้มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่มากขึ้น

UHS Speed Class (U1, U3)

Ultra High Speed (UHS) ใช้ระบุความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่องขั้นต่ำสำหรับบันทึกวิดีโอ UHS Speed Class มีอยู่สองชุดที่กำหนดโดย SD Association ประกอบไปด้วย UHS Speed Class 1 และ UHS Speed Class 3 UHS Speed Class 1 รองรับความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำที่ 10Mb/s ส่วน UHS Speed Class 3 รองรับความเร็วในการเขียนข้อมูลที่อย่างน้อย 30MB/s UHS Speed Class โดยปกติมักกำกับเป็น 1 หรือ 3 ไว้ในสัญลักษณ์ตัว U

USB

Universal Serial Bus (USB) คืออินเทอร์เฟซมาตรฐานที่รองรับการเชื่อมต่อระหว่างอุปกรณ์และชุดควบคุมโฮสต์ เช่น คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล (PC) หรือสมาร์ทโฟน โดยจะทำการเชื่อมต่อกับอุปกรณ์ต่อพ่วงต่าง ๆ เช่น กล้องดิจิตอล เมาส์ แป้นพิมพ์ เครื่องพิมพ์ สแกนเนอร์ อุปกรณ์มีเดีย ฮาร์ดไดรฟ์ต่อพ่วงและแฟลชไดรฟ์

USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4

ความแตกต่างระหว่างมาตรฐาน USB เหล่านี้คือความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูล USB 3.2 Gen 1 รองรับความเร็วสูงสุด 5Gbit/s, USB 3.2 Gen 2 รองรับความเร็วสูงสุด 10Gbit/s, USB 3.2 Gen 2x2 รองรับความเร็วสูงสุด 20Gbit/s และ USB4 รองรับความเร็วสูงสุด 40Gbit/s ตรวจสอบรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://www.kingston.com/th/usb-flash-drives/usb-30


Video Speed Class (V10, V30, V60, V90)

Video Speed Class กำหนดขึ้นโดย SD Association เพื่อแยกประเภทการ์ดที่สามารถรองรับความละเอียดของวิดีโอที่สูงขึ้นและคุณสมบัติในการบันทึกข้อมูลที่ดีขึ้น Speed Class นี้รับประกันประสิทธิภาพในการทำงานต่อเนื่องขั้นต่ำสำหรับการบันทึกวิดีโอ ซึ่งประกอบไปด้วย V6, V10, V30, V60 และ V90 V90 Speed Class หมายถึงความเร็วในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำของเมมโมรี่การ์ดจะต้องทำได้เท่ากับ 90MB/s ส่วน V30 จะเท่ากับ 30MB/s เป็นต้น ตรวจสอบรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://www.kingston.com/th/blog/personal-storage/memory-card-speed-classes

ValueRAM

สายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำมาตรฐานอุตสาหกรรมสำหรับ PC โดยหมายเลขชิ้นส่วนจะเริ่มต้นด้วย “KVR”

VLP

Very Low Profile (ทรงต่ำ), ใช้ระบุความสูงของโมดูล PCB


ระบบกระจายการสึกหรอ

อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลแฟลชจาก Kingston เลือกใช้ระบบควบคุมที่มาพร้อมเทคโนโลยีการกระจายการสึกหรอของส่วนประกอบ โดยจะกระจายรอบ P/E (เขียนโปรแกรม/ลบ) กับหน่วยความจำแฟลชอย่างทั่วถึงกัน ระบบกระจายการสึกหรอจึงช่วยยืดอายุการใช้งานให้กับแฟลชเมมโมรี่การ์ด


x16

ความกว้างของข้อมูล DRAM, 16 บิต

x4

ความกว้างของข้อมูล DRAM, 4 บิต

x64

ความกว้างของข้อมูลโมดูล, 64 บิต non-ECC

x72

ความกว้างของข้อมูลโมดูล, 72 บิต ECC (64 + 8 บิต)

x8

ความกว้างของข้อมูล DRAM, 8 บิต

x80

ความกว้างของข้อมูลโมดูล, 80 บิต ECC (คู่ 32 + 8 บิตพร้อมช่องสัญญาณย่อย)

XMP

Intel Extreme Memory Profile, โพรไฟล์กำหนดช่วงเวลาการทำงานเบื้องต้นสำหรับหน่วยความจำโอเวอร์คล็อก

XTS-AES

XEX Tweakable Block Ciphertext Stealing Advanced Encryption Standard; ฟังก์ชั่นการทำงานเข้ารหัสบล็อคข้อมูลแบบปรับแต่งได้สำหรับชุดข้อมูล 128 บิตขึ้นไปโดยใช้คีย์เข้ารหัสบล็อคข้อมูล AES เป็นกระบวนการย่อย เป็นโหมดการเข้ารหัสความปลอดภัยสูงที่ใช้โดยหน่วยงานต่าง ๆ ทั้งในภาครัฐและองค์กรธุรกิจ