Kingston 부품 번호 디코더

Kingston FURY®, Server Premier®, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, 및 DDR 메모리 제품군을 포함하여 Kingston® 메모리 부품 번호를 읽는 방법에 대해 알아보고 사양별로 확인하실 수 있습니다.

Kingston FURY™ DDR5

다음 정보를 통해 Kingston® HyperX® 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다.

부품 번호: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 16
KF = 제품군
  • KF – Kingston FURY
5 = 기술
  • 5 – DDR5
56 = 속도 (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
C = DIMM 유형
  • C – UDIMM (비 ECC 언버퍼)
  • S – SODIMM (비 ECC 언버퍼)
38 = CAS 지연 시간
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = 시리즈
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = 히트 스프레더
  • B – 검정색
  • S – 银色
E = 프로파일 유형
  • 공백 - Intel XMP / 플러그 앤 플레이
  • E - AMD EXPO
2 = 차 수정
  • 공백 – 1차 수정
  • 2 – 2차 수정
  • 3 – 3차 수정
A = RGB
  • 공백 - 비 RGB
  • A – RGB
K2 = 키트 + 키트의 번호
  • 공백 – 싱글 모듈
  • K2 – 2개 모듈의 키트
  • K4 - 모듈 4개의 키트
16 = 총 용량
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 32GB

DDR5 ValueRAM

부품 번호: KVR48U40BS8LK2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • L
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = 속도 (MT/s*)
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
U = DIMM 유형
  • U – DIMM(비ECC 언버퍼)
  • S – SO-DIMM(비ECC 언버퍼)
40B = CAS 지연 시간
  • 40 – 40-40-40
  • 40B – 40-39-39
  • 42 – 42-42-42
  • 46 – 46-46-46
S = 랭크
  • S – 싱글 랭크
  • D – 듀얼 랭크
8 = DRAM 유형
  • 8 – x8 DRAM 칩
  • 6 – x16 DRAM 칩
L = 프로파일
  • 공백 – 표준
  • L – 초저 프로파일(VLP)
K2 = 키트 + 개수
  • 공백 – 싱글 모듈
  • K2 – 2개 모듈의 키트
  • K4 – 4개 모듈의 키트
32 = 총 용량
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
X = 사용자 정의
  • 공백 – 표준 팩
  • BK – 벌크 팩

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 부품 번호 디코더

다음 정보를 통해 Kingston FURY 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다

부품 번호: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
KF = 제품군
  • KF - Kingston FURY
4 = 기술
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = 속도 (MT/s*)
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = DIMM 유형
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
16 = CAS 지연 시간
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = 시리즈
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = 히트 스프레더
  • 공백 - 파란색
  • B - 검정색
  • R - 빨간색
  • W - White
1 = 수정
  • 공백 - 1차 수정
  • 1 - 1Gx8(8Gbit) 구성품을 포함하는 16GB 모듈
  • 2 - 2차 수정
  • 3 - 3차 수정
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • 공백 - 비 RGB
  • A - RGB
K4 = 키트 + 키트의 번호
  • 공백 – 싱글 모듈
  • K2 - 모듈 2개의 키트
  • K4 - 모듈 4개의 키트
  • K8 - 모듈 8개의 키트
64 = 총 용량
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

HyperX® 부품 번호 디코더

다음 정보를 통해 Kingston HyperX 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다.

부품 번호: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = 제품군
  • HX - HyperX (Legacy)
4 = 기술
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = 속도 (MT/s*)
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = DIMM 유형
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = CAS 지연 시간
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = 시리즈
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = 히트 스프레더
  • 공백 - 파란색
  • B - 검정색
  • R - 빨간색
  • W - 흰색
3 = 수정
  • 2 - 2차 수정
  • 3 - 3차 수정
  • 4 - 4차 수정
A = RGB
  • 공백 - 비 RGB
  • A - RGB
K4 = 키트 + 키트의 번호
  • 공백 - 싱글 모듈
  • K2 - 모듈 2개의 키트
  • K4 - 모듈 4개의 키트
  • K8 - 모듈 8개의 키트
32 = 총 용량
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

부품 번호: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = Kingston Server Premier
  • KSM: Kingston Server Premier
26 = 속도 (MT/s*)
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
R = 모듈 유형
  • E: 언버퍼 DIMM(ECC)
  • R: 레지스터드 DIMM
  • L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
  • SE언버퍼 SO-DIMM (ECC)
D = 랭크
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
4 = DRAM 유형
  • 4: x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
L = PCB 프로파일
  • L: 초저 프로파일 DIMM
32 = 용량
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
H = DRAM 제조업체
  • H: SK 하이닉스
  • M: Micron
A = DRAM 다이 수정
  • A 다이
  • B 다이
  • E 다이
I = 제조업체 등록
  • I: IDT
  • M: Montage
  • R: Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

부품 번호: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
21 = 속도 (MT/s*)
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
L = 저전압
  • 공백: 1.2V
  • L: 미정
R = 모듈 유형
  • E: ¬언버퍼 DIMM 열 센서의 오류 수정 코드(ECC)
  • L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
  • N: ¬언버퍼 DIMM(비ECC)
  • R: 의 레지스터드 DIMM 주소/명령 패리티 열 센서의 기능
  • S: SO-DIMM, ¬언버퍼(비ECC)
15 = CAS 지연 시간
  • 15: CAS 지연 시간
D = 랭크
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
  • O: 옥탈 랭크
8 = DRAM 유형
  • 4: x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
  • 6: x16 DRAM 칩
L = 프로파일
  • 공백: 모든 높이
  • H: 31.25mm
  • L: 18.75mm (VLP)
K2 = Kit + 개수
  • 공백: 싱글 모듈
  • K2: 2개 모듈 키트
  • K3: 3개 모듈 키트
4 = 용량
  • 4: 용량
H = DRAM 제조업체
  • H: SK 하이닉스
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
B = 수정
  • B: 수정
I = Intel 인증
  • I: Intel 인증

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

ValueRAM 부품 번호를 읽는 방법

예:

새로운 부품 체계: KVR 16 R11 D4/8
이전 부품 체계: KVR 1600 D3 D4 R11 S/8G
2012년 5월 1일 이후에 출고된 부품부터 새로운 부품 체계가 적용됩니다.

부품 번호: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = 속도 (MT/s*)
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = 저전압
  • 공백: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
R = 모듈 유형
  • E: 언버퍼 DIMM(ECC)
  • N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
  • R: 레지스터드 DIMM
  • L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = CAS 지연 시간
  • 11: CAS 지연 시간
D = 랭크
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
8 = DRAM 유형
  • 4: x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
L = 프로파일
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = 키트 + 개수
  • K2: 2개 모듈 키트
  • K3: 3개 모듈 키트
  • K4: 4개 모듈 키트
4 = 용량
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
H = DRAM 제조업체/인증
  • H: 하이닉스
  • E: Elpida
  • I: Intel 인증
B = 다이 수정
  • B: 다이 수정

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

부품 번호: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = 속도 (MT/s*)
  • 1066: 속도
D3 = 기술
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = 저전압
  • 공백: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
D = 랭크
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
8 = DRAM 유형
  • 4:x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
R = 모듈 유형
  • P: 레지스터 패리티(레지스터드 모듈 전용)
  • E: 언버퍼 DIMM(ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
  • R: 레지스터드 DIMM과 주소/명령 패리티 기능
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = CAS 지연 시간
  • 7: CAS 지연 시간
S = 열 센서
  • 공백: 열 센서 제외
  • S: 열 센서 포함
L = 프로파일
  • 공백: 모든 높이
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = 키트 + 개수
  • 공백: 싱글 모듈
  • K2: 2개 모듈 키트
  • K3: 3개 모듈 키트
4G = 용량
  • 4G: 용량
H = DRAM 제조업체
  • H: DRAM 제조업체
B = 다이 수정
  • B: 다이 수정

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

부품 번호: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = 속도 (MT/s*)
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = 레지스터드
  • R: 레지스터드
C3 = CAS 지연 시간
  • C3: CAS 지연 시간
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Kit + 개수
  • K2: 2개 모듈 키트
1G = 용량
  • 1G: 용량

용어

용량

기가바이트(GB)로 표현되는 모듈에 있는 가용 데이터 메모리 셀의 총 수.
 키트의 경우, 표시된 용량은 키트에 있는 모든 모듈의 용량을 합한 것입니다.

CAS 지연시간

메모리 모듈 및 메모리 컨트롤러로 또는 그 반대로의 데이터 읽기/쓰기 동작에 대한 표준의 사전 정의된 클럭 사이클 수. 데이터 읽기/쓰기 명령 및 행/열 주소들이 로드되고 나면, CAS 대기 시간은 데이터가 준비될 때까지의 대기 시간을 나타냅니다.

DDR4

"DDR4"로 더 유명한 4세대 기술의 DDR(Double Data Rate) SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory). DDR4 메모리 모듈은 저전압(1.2V), 다른 핀 구성 및 호환되지 않는 메모리 칩 기술로 인해 이전 세대의 어떠한 DDR SDRAM과도 역호환되지 않습니다.

DDR5

"DDR5"로 더 유명한 5세대 기술의 DDR(Double Data Rate) SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory). DDR5 메모리 모듈은 저전압(1.1V), 다른 핀 구성 및 호환되지 않는 메모리 칩 기술로 인해 이전 세대의 어떠한 DDR SDRAM과도 역호환되지 않습니다.

DIMM 유형

UDIMM(비 ECC Unbuffered Dual In-line Memory Module)은 오류 수정이 필요하지 않고 DIMM 용량이 제한된 데스크톱 시스템에서 가장 흔하게 사용되는 x64의 데이터 너비를 가진 긴 폼 팩터의 메모리 모듈입니다.

SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)은 노트북, 마이크로 서버, 프린터 또는 라우터와 같은 더 작은 크기의 컴퓨터 시스템에 적합한 축소된 폼 팩터의 메모리 모듈입니다.

GB(기가바이트)

1 비트란 컴퓨터의 최소 데이터 단위로 1 또는 0(켜기/끄기)으로 표시됩니다. 1 기가 바이트(Gb)란 국제 단위계(SI)의 규정에 따라 10억 바이트(또는 109)를 나타냅니다. 컴퓨터 메모리의 경우 일반적으로 Gb(또는 Gbit)를 사용하여 한 개의 DRAM 구성품의 밀도를 나타냅니다.

GB(기가바이트)

1 바이트는 8비트로 이루어집니다. 1 기가 바이트(Gb)란 국제 단위계(SI)의 규정에 따라 10억 바이트(또는 109)를 나타냅니다. 컴퓨터 메모리의 경우 GB 단위를 사용하여 메모리 모듈의 총 데이터 용량 또는 총 시스템 메모리와 동일한 전체 메모리 모듈의 그룹을 나타냅니다.

키트

일반적으로 듀얼, 트리플 또는 쿼드 채널 메모리 아키텍처를 지원하는 여러 메모리 모듈이 포함된 부품 번호. 예를 들어 패키지에 있는 K2 = 2 DIMM은 총 용량과 동일합니다.

속도(주파수라고도 함)

MHz(메가헤르츠) 또는 MT/s(초당 메가트랜스퍼)로 측정된 메모리 모듈이 지원하는 데이터 속도 또는 유효 클럭 속도. 속도가 빠를수록, 초당 더 많은 데이터를 전송할 수 있습니다.

랭크

랭크란 메모리 모듈의 주소 지정 가능한 데이터 블록을 말합니다. DDR2, DDR3, DDR4에서는 이러한 데이터 블록 폭은 64비트 폭(x64)이며, ECC의 경우 여기에 8비트가 더해집니다(x72). DDR5 모듈 또한 랭크당 64비트이지만, ECC가 포함된 경우에는 데이터 블록 폭이 랭크당 80비트(x80)입니다. 모듈은 싱글 랭크(1R), 듀얼 랭크(2R), 쿼드 랭크(4R) 또는 옥탈 랭크(8R)로 구축할 수 있습니다. 일반적으로 랭크 수는 더 높은 모듈 용량을 달성할 수 있도록 증가합니다.

메모리 채널

메모리 채널이란 메모리 모듈과 메모리 컨트롤러(일반적으로 프로세서 내에 위치) 간의 데이터 전송 경로입니다. 대부분의 컴퓨팅 시스템(PC, 노트북, 서버 등)에는 다중 채널 메모리 아키텍처가 있어 채널 결합을 통해 메모리 성능이 향상됩니다. 듀얼 채널 메모리 아키텍처는 동일한 모듈이 쌍으로 설치될 때 메모리 컨트롤러의 유효 대역폭을 두 배로 증가시키는 것을 나타냅니다.

지연 시간

아래의 정보는 최적의 성능을 위해 마더보드 BIOS에서 메모리 타이밍을 설정할 때 조정할 수 있는 다양한 설정을 적절하게 설명합니다. 이러한 설정은 마더보드 제조업체/모델 또는 BIOS 펌웨어 버전에 따라 다를 수 있습니다.

샘플

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS 지연 시간(CL): 행 활성화 후 행을 읽을 때까지의 지연.

RAS to CAS(RAS 대 CAS) 또는 RAS to Column Delay(RAS 대 열 간 지연)(tRCD): 행을 활성화합니다

Row Precharge Delay(행 프리차지 지연) 또는 RAS Precharge Delay(RAS 프리차지 지연)(tRP/tRCP): 행을 비활성화합니다

Row Active Delay(행 활성 지연) 또는 RAS Active Delay(RAS 활성 지연) 또는 준비 시간 (tRA/tRD/tRAS): 행 활성화/비활성화 사이의 클럭 사이클 수입니다.

책임 부인: 모든 Kingston 제품은 발표한 사양을 충족하도록 테스트를 거칩니다. 일부 시스템 또는 마더보드 구성은 발표된 Kingston 메모리 속도와 타이밍 설정으로 작동하지 않을 수 있습니다. Kingston은 사용자가 발표한 속도 이상으로 컴퓨터 실행을 시도하는 것을 권장하지 않습니다. 오버클로킹하거나 시스템 타이밍을 수정하면 컴퓨터 구성부품이 손상될 수 있습니다.