Kingston 메모리 부품 번호 디코더
Kingston FURY®, Server Premier®, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, 및 DDR 메모리 제품군을 포함하여 Kingston® 메모리 부품 번호를 읽는 방법에 대해 알아보고 사양별로 확인하실 수 있습니다.
Kingston FURY™ DDR5
다음 정보를 통해 Kingston® HyperX® 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다.
부품 번호: KF560C36BBE2AK2-32
- KF
- 5
- 60
- C
- 36
- B
- B
- E
- 2
- A
- K2
- -
- 32
KF = 제품군
- KF – Kingston FURY
5 = 기술
- 5 – DDR5
60 = 속도 (MT/s*)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- 64 – 6400
- 68 – 6800
- 72 – 7200
- 76 – 7600
- 80 – 8000
C = 모듈 유형
- C – UDIMM (비 ECC 언버퍼)
- S – SODIMM (비 ECC 언버퍼)
- R – EC8 RDIMM (x80)
36 = CAS 지연 시간
- 30 – CL30
- 32 – CL32
- 36 – CL36
- 38 – CL38
- 40 – CL40
B = 시리즈
- B – Beast
- I – Impact
- R – Renegade
B = 히트 스프레더
- B – 검정색
- S – 银色
- W – 흰색
E = 프로파일 유형
- 공백 - Intel XMP / 플러그 앤 플레이
- E - AMD EXPO
2 = 차 수정
- 공백 – 1차 수정
- 2 – 2차 수정
- 3 – 3차 수정
A = RGB
- 공백 - 비 RGB
- A – RGB
K2 = 키트 + 개수
- 공백 – 싱글 모듈
- K2 – 2개 모듈의 키트
- K4 - 모듈 4개의 키트
- K8 - 모듈 8개의 키트
32 = 총 용량
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 24 – 24GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
- 96 – 96GB
- 128 – 128GB
- 192 – 192GB
- 256 – 256GB
Kingston Server Premier DDR5
Kingston 서버 프리미어 메모리 모듈을 사양별로 확인할 수 있도록 다음 정보를 제공합니다.
Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR
- KSM
- 48
- R
- 40B
- D
- 4
- T
- M
- P
- -
- 64
- H
- M
- R
KSM = 제품군
- KSM - Kingston Server Premier
48 = 속도 (MT/s*)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
R = 모듈 유형
- E – EC4 UDIMM (x72)
- P – EC4 RDIMM (x72)
- R – EC8 RDIMM (x80)
- T – EC4 SODIMM (x72)
40B = CAS 지연 시간
- 40B – CL40-39-39
- 42B – CL42-42-42
- 46B – CL46-45-45
D = 등급
- S – 싱글
- D – 듀얼
- Q – 쿼드
4 = DRAM 유형
- 4 – x4
- 8 – x8
T = PMIC
- I – Renesas
- K – RichTek
- M – Montage
- P – MPS
- T – TI
- 공백 – 잠금 해제됨
M = SPD 허브
- I – Renesas
- M – Montage
- R – Rambus
- 공백 – 잠금 해제됨
P = 열 센서
- I – Renesas
- M – Montage
- P – MPS
- R – Rambus
- 공백 – 잠금 해제됨
64 = 총 용량
- 16 – 16GB
- 24 – 24GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
- 96 – 96GB
- 128 – 128GB
H = DRAM 제조업체
- H – SK Hynix
- M – Micron
- S – Samsung
M = DRAM 다이 수정
- A – A 다이
- B – B 다이
- C – C 다이
- D – D 다이
- E – E 다이
- M – M 다이
R = 레지스터
- I – Renesas
- M – Montage
- R – Rambus
- 공백 – 잠금 해제됨
Kingston ValueRAM DDR5
부품 번호: KVR48U40BS8K2-32X
- KVR
- 48
- U
- 40B
- S
- 8
- K2
- -
- 32
- X
KVR = 제품군
- KVR – Kingston ValueRAM
48 = 속도 (MT/s*)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
- 60 – 6000
- 64 – 6400
U = 모듈 유형
- U – DIMM(비ECC 언버퍼)
- S – SO-DIMM(비ECC 언버퍼)
40B = CAS 지연 시간
- 40B – CL40
- 42B – CL42
- 46B – CL46
S = 랭크
- S – 싱글 랭크
- D – 듀얼 랭크
8 = DRAM 유형
- 8 – x8
- 6 – x16
K2 = 키트 + 개수
- 공백 – 싱글 모듈
- K2 – 2개 모듈의 키트
- K4 – 4개 모듈의 키트
32 = 총 용량
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
- 48 – 48GB
- 64 – 64GB
- 96 – 96GB
- 128 – 128GB
- 192 – 192GB
- 256 – 256GB
X = 사용자 정의
- 공백 – 표준 팩
- BK – 벌크 팩
Kingston FURY™ DDR4/DDR3 부품 번호 디코더
다음 정보를 통해 Kingston FURY 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다
부품 번호: KF432C16BB12AK2/32
- KF
- 4
- 32
- C
- 16
- B
- B
- 1
- 2
- A
- K2
- /
- 32
KF = 제품군
- KF - Kingston FURY
4 = 기술
- 3 - DDR3
- 4 - DDR4
32 = 속도 (MT/s*)
- 16 - 1600 (1.5V)
- 16L - 1600 (1.35V)
- 18 - 1866 (1.5V)
- 18L - 1866 (1.35V)
- 26 - 2666
- 32 - 3200
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
C = 모듈 유형
- C – UDIMM(비 ECC 언버퍼)
- S – SODIMM(비 ECC 언버퍼)
16 = CAS 지연 시간
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 13 - CL13
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
B = 시리즈
- B - Beast
- R - Renegade
- I - Impact
B = 히트 스프레더
- 공백 - 파란색
- B - 검정색
- R - 빨간색
- W – 흰색
1 = 16GB 모듈 구성
- 공백 – 2Gx8
- 영형의 1 – 1Gx8
2 = 수정
- 공백 - 1차 수정
- 2 - 2차 수정
- 3 - 3차 수정
- 4 – 4차 개정
A = RGB
- 공백 - 비 RGB
- A - RGB
K2 = 키트 + 개수
- 공백 – 싱글 모듈
- K2 - 모듈 2개의 키트
- K4 - 모듈 4개의 키트
- K8 - 모듈 8개의 키트
32 = 총 용량
- 4 - 4GB
- 8 - 8GB
- 16 - 16GB
- 32 - 32GB
- 64 - 64GB
- 128 - 128GB
- 256 - 256GB
Kingston Server Premier DDR4
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
부품 번호: KSM26RD4L/32HAI
- KSM
- 26
- R
- D
- 4
- L
- /
- 32
- H
- A
- I
KSM = 제품군
- KSM: Kingston Server Premier
26 = 속도 (MT/s*)
- 24 – 2400
- 26 – 2666
- 29 – 2933
- 32 – 3200
R = 모듈 유형
- E – 언버퍼 DIMM(ECC)
- L – 부하 절감 DIMM
- R – 레지스터드 DIMM
- SE – 언버퍼 SODIMM(ECC)
D = 랭크
- S – 싱글 랭크
- D – 듀얼 랭크
- Q – 쿼드 랭크
4 = DRAM 유형
- 4 – x4
- 8 – x8
L = 프로파일
- L – 초저 프로파일 DIMM
32 = 총 용량
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
- 64 – 64GB
- 128 – 128GB
- 256 – 256GB
H = DRAM 제조업체
- H – SK 하이닉스
- M – Micron
- S – 삼성
A = DRAM 다이 수정
- A – A 다이
- B – B 다이
- C – C 다이
- E – E 다이
I = 제조업체 등록
- I – Renesas
- M – Montage
- R – Rambus
- 공백 – 잠금 해제됨
Kingston ValueRAM DDR4
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
부품 번호: KVR21LR15D8LK2/4HBI
- KVR
- 21
- L
- R
- 15
- D
- 8
- L
- K2
- /
- 4
- H
- B
- I
KVR = Product Line
- KVR – Kingston ValueRAM
21 = 속도 (MT/s*)
- 21 – 2133
- 24 – 2400
- 26 – 2666
- 29 – 2933
- 32 – 3200
L = 저전압
- 공백 – 1.2V
- L – 미정
R = 모듈 유형
- E – 버퍼링되지 않은 DIMM(ECC)
- L – 부하 감소 DIMM
- N – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
- R – 등록된 DIMM
- S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)
15 = CAS 지연 시간
- 15 – CL15
- 19 – CL19
- 22 – CL22
D = 랭크
- S – 싱글 랭크
- D – 듀얼 랭크
- Q – 쿼드 랭크
- O – 옥탈 랭크
8 = DRAM 유형
- 4 – x4
- 8 – x8
- 6 – x16
L = 프로파일
- 공백 – 모든 높이
- H – 31.25mm
- L – 18.75mm (VLP)
K2 = Kit + 개수
- 공백 – 싱글 모듈
- K2 – 2개 모듈 키트
- K3 – 3개 모듈 키트
4 = 용량
- 4 – 4GB
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
H = DRAM 제조업체
- H – SK 하이닉스
- K – Kingston
- M – Micron
- S – Samsung
B = 수정
- B – 수정
I = Intel 인증
- I – Intel 인증
Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR5
부품 번호: CBD48S40BD8MA-32
- CBD
- 48
- S
- 40B
- D
- 8
- M
- A
- -
- 32
CBD = 제품군
- CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈
48 = 속도(MT/s*)
- 48 – 4800
- 52 – 5200
- 56 – 5600
S = 모듈 유형
- U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
- S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)
40B = CAS 지연 시간
- 40B – CL40-39-39
- 42B – CL42-42-42
- 46B – CL46-45-45
D = 등급
- S – 싱글 랭크
- D – 듀얼 랭크
8 = DRAM 유형
- 8 – x8
- 6 – x16
M = DRAM 제조업체
- H – SK 하이닉스
- M – Micron
- S – 삼성
A = DRAM 다이 수정
- A – A 다이
- B – B 다이
- M – M 다이
32 = 총 용량
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR4
부품 번호: CBD26D4U9D8HJV-16
- CBD
- 26
- D4
- U
- 9
- D
- 8
- H
- J
- V
- -
- 16
CBD = 제품군
- CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈
26 = 속도(MT/s*)
- 21 – 2133
- 24 – 2400
- 26 – 2666
- 32 – 3200
D4 = 기술
- D4 – DDR4
U = 모듈 유형
- U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
- S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)
9 = CAS 지연 시간
- 5 – CL15-15-15
- 7 – CL17-17-17
- 9 – CL19-19-19
- 2 – CL22-22-22
D = 등급
- S – 싱글 랭크
- D – 듀얼 랭크
8 = DRAM 제조업체
- 8 – x8
- 1 – x16
H = 記憶體製造商
- H – SK 하이닉스
- K – Kingston
- M – Micron
- N – Nanya
- S – 삼성
J = DRAM 다이 수정
- A – A 다이
- B – B 다이
- C – C 다이
- D – D 다이
- E – E 다이
- F – F 다이
- H – H 다이
- J – J 다이
- R – R 다이
V = PCB 유형
- Black – 플래시 골드
- H – 하드 골드
- V – 초저 프로파일
16 = 총 용량
- 4 – 4GB
- 8 – 8GB
- 16 – 16GB
- 32 – 32GB
Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR3
부품 번호: CBD16D3LFU1KBG/2G
- CBD
- 16
- D3L
- F
- U
- 1
- K
- B
- G
- –
- 2G
CBD = 제품군
- CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈
16 = 속도 (MT/s*)
- 16 – 1600
D3L = 기술
- D3 – DDR3 (1.5V)
- D3L – DDR3L(1.35V/1.5V)
F = DRAM 유형
- Blank – x8
- F – x16
U = 모듈 유형
- U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
- S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)
1 = CAS 지연 시간
- 1 – CL11-11-11
K = DRAM 제조업체
- K – Kingston
- S – 삼성
B = DRAM 다이 수정
- B – B 다이
- D – D 다이
- E – E 다이
G = PCB 유형
- L – 초저 프로파일
- G – 그린(RoHS 컴플라이언트)
- H – 하드 골드
2G = 총 용량
- 2G – 2GB
- 4G – 4GB
- 8G – 8GB
HyperX® 부품 번호 디코더
다음 정보를 통해 Kingston HyperX 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다.
부품 번호: HX429C15PB3AK4/32
- HX
- 4
- 29
- C
- 15
- P
- B
- 3
- A
- K4
- /
- 32
HX = 제품군
- HX - HyperX (Legacy)
4 = 기술
- 3 - DDR3
- 4 - DDR4
29 = 속도 (MT/s*)
- 13 - 1333
- 16 - 1600
- 18 - 1866
- 21 - 2133
- 24 - 2400
- 26 - 2666
- 28 - 2800
- 29 - 2933
- 30 - 3000
- 32 - 3200
- 33 - 3333
- 34 - 3466
- 36 - 3600
- 37 - 3733
- 40 - 4000
- 41 - 4133
- 42 - 4266
- 46 - 4600
- 48 - 4800
- 50 - 5000
- 51 - 5133
- 53 - 5333
C = DIMM 유형
- C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
- S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = CAS 지연 시간
- 9 - CL9
- 10 - CL10
- 11 - CL11
- 12 - CL12
- 13 - CL13
- 14 - CL14
- 15 - CL15
- 16 - CL16
- 17 - CL17
- 18 - CL18
- 19 - CL19
- 20 - CL20
P = 시리즈
- F - FURY
- B - Beast
- S - Savage
- P - Predator
- I - Impact
B = 히트 스프레더
- 공백 - 파란색
- B - 검정색
- R - 빨간색
- W - 흰색
3 = 수정
- 2 - 2차 수정
- 3 - 3차 수정
- 4 - 4차 수정
A = RGB
- 공백 - 비 RGB
- A - RGB
K4 = 키트 + 키트의 번호
- 공백 - 싱글 모듈
- K2 - 모듈 2개의 키트
- K4 - 모듈 4개의 키트
- K8 - 모듈 8개의 키트
32 = 총 용량
- 4 - 4GB
- 8 - 8GB
- 16 - 16GB
- 32 - 32GB
- 64 - 64GB
- 128 - 128GB
- 256 - 256GB
DDR3
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
ValueRAM 부품 번호를 읽는 방법
예:
새로운 부품 체계: KVR 16 R11 D4/8
이전 부품 체계: KVR 1600 D3 D4 R11 S/8G
2012년 5월 1일 이후에 출고된 부품부터 새로운 부품 체계가 적용됩니다.
부품 번호: KVR16LR11D8LK2/4HB
- KVR
- 16
- L
- R
- 11
- D
- 8
- L
- K2
- /
- 4
- H
- B
KVR = Kingston ValueRAM
- KVR: Kingston ValueRAM
16 = 속도 (MT/s*)
- 16: 1600
- 13: 1333
- 10: 1066
L = 저전압
- 공백: 1.5V
- L: 1.35V
- U: 1.25V
R = 모듈 유형
- E: 언버퍼 DIMM(ECC)
- N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
- R: 레지스터드 DIMM
- L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
- S: SO-DIMM
11 = CAS 지연 시간
- 11: CAS 지연 시간
D = 랭크
- S: 싱글 랭크
- D: 듀얼 랭크
- Q: 쿼드 랭크
8 = DRAM 유형
- 4: x4 DRAM 칩
- 8: x8 DRAM 칩
L = 프로파일
- L: 18.75mm (VLP)
- H: 30mm
K2 = 키트 + 개수
- K2: 2개 모듈 키트
- K3: 3개 모듈 키트
- K4: 4개 모듈 키트
4 = 용량
- 4: 4GB
- 8: 8GB
- 12: 12GB
- 16: 16GB
- 24: 24GB
- 32: 32GB
- 48: 48GB
- 64: 64GB
H = DRAM 제조업체/인증
- H: 하이닉스
- E: Elpida
- I: Intel 인증
B = 다이 수정
- B: 다이 수정
DDR3 & DDR2
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
부품 번호: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB
- KVR
- 1066
- D3
- L
- D
- 8
- R
- 7
- S
- L
- K2
- /
- 4G
- H
- B
KVR = Kingston ValueRAM
- KVR: Kingston ValueRAM
1066 = 속도 (MT/s*)
- 1066: 속도
D3 = 기술
- D2: DDR2
- D3: DDR3
L = 저전압
- 공백: 1.5V
- L: 1.35V
- U: 1.25V
D = 랭크
- S: 싱글 랭크
- D: 듀얼 랭크
- Q: 쿼드 랭크
8 = DRAM 유형
- 4:x4 DRAM 칩
- 8: x8 DRAM 칩
R = 모듈 유형
- P: 레지스터 패리티(레지스터드 모듈 전용)
- E: 언버퍼 DIMM(ECC)
- F: FB DIMM
- M: Mini-DIMM
- N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
- R: 레지스터드 DIMM과 주소/명령 패리티 기능
- S: SO-DIMM
- U: Micro-DIMM
7 = CAS 지연 시간
- 7: CAS 지연 시간
S = 열 센서
- 공백: 열 센서 제외
- S: 열 센서 포함
L = 프로파일
- 공백: 모든 높이
- L: 18.75mm (VLP)
- H: 30mm
K2 = 키트 + 개수
- 공백: 싱글 모듈
- K2: 2개 모듈 키트
- K3: 3개 모듈 키트
4G = 용량
- 4G: 용량
H = DRAM 제조업체
- H: DRAM 제조업체
B = 다이 수정
- B: 다이 수정
DDR
(PC2100, PC2700, PC3200)
부품 번호: KVR400X72RC3AK2/1G
- KVR
- 400
- X72
- R
- C3
- A
- K2
- /
- 1G
KVR = Kingston ValueRAM
- KVR: Kingston ValueRAM
400 = 속도 (MT/s*)
- 266
- 333
- 400
X72 = X72 ECC
- X72: X72 ECC
R = 레지스터드
- R: 레지스터드
C3 = CAS 지연 시간
- C3: CAS 지연 시간
A = DDR400 3-3-3
- A: DDR400 3-3-3
K2 = Kit + 개수
- K2: 2개 모듈 키트
1G = 용량
- 1G: 용량
지연 시간
아래의 정보는 최적의 성능을 위해 마더보드 BIOS에서 메모리 타이밍을 설정할 때 조정할 수 있는 다양한 설정을 적절하게 설명합니다. 이러한 설정은 마더보드 제조업체/모델 또는 BIOS 펌웨어 버전에 따라 다를 수 있습니다.
샘플
15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS
CAS 지연 시간(CL): 행 활성화 후 행을 읽을 때까지의 지연.
RAS to CAS(RAS 대 CAS) 또는 RAS to Column Delay(RAS 대 열 간 지연)(tRCD): 행을 활성화합니다
Row Precharge Delay(행 프리차지 지연) 또는 RAS Precharge Delay(RAS 프리차지 지연)(tRP/tRCP): 행을 비활성화합니다
Row Active Delay(행 활성 지연) 또는 RAS Active Delay(RAS 활성 지연) 또는 준비 시간 (tRA/tRD/tRAS): 행 활성화/비활성화 사이의 클럭 사이클 수입니다.
책임 부인: 모든 Kingston 제품은 발표한 사양을 충족하도록 테스트를 거칩니다. 일부 시스템 또는 마더보드 구성은 발표된 Kingston 메모리 속도와 타이밍 설정으로 작동하지 않을 수 있습니다. Kingston은 사용자가 발표한 속도 이상으로 컴퓨터 실행을 시도하는 것을 권장하지 않습니다. 오버클로킹하거나 시스템 타이밍을 수정하면 컴퓨터 구성부품이 손상될 수 있습니다.