Descodificador de números de parte de Kingston

Aprenda a leer los números de parte de las memorias Kingston® , incluidas las líneas de productos de memoria Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2, y DDR para ayudarlo a identificar módulos por especificación.

Descodificador de números de parte Kingston FURY™

La información a continuación está diseñada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston FURY, por especificación.

Número de parte: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • Blank - Azul
  • B - Negro
  • R - Rojo
  • Blank - 1ra revisión
  • 1 - Módulo(s) de 16GB con componentes 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - 2da revisión
  • 3 - 3ra revisión
  • Blank - No - RGB
  • A - RGB
  • Blank - Módulo individual
  • K2 - Kit de 2 Módulos
  • K4 - Kit de 4 Módulos
  • K8 - Kit de 8 Módulos
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Número de parte: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM: Kingston Server Premier
  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s
  • E: DIMM sin búfer (ECC)
  • R: DIMM registrado
  • L: DIMM de carga reducida
  • SE: SO-DIMM sin búfer (ECC)
  • S: Solo
  • D: Doble
  • Q: Cuádruplo
  • 4: Chip DRAM x4
  • 8: Chip DRAM x8
  • L: DIMM de perfil muy bajo
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
  • Bloque A
  • Bloque B
  • Bloque E
  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Número de parte: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
  • En blanco: 1.2V
  • L: TBD
  • E: DIMM sin búfer (ECC) con Sensor térmico
  • L: DIMM de carga reducida (LRDIMM)
  • N: DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM Registrado con Función de paridad de dirección/comando con Sensor térmico
  • S: SO-DIMM, sin búfer (no Ecc)
  • 15: Latencia CAS
  • S: Solo
  • D: Doble
  • Q: Cuádruplo
  • O: Óctuple
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
  • 6: x16 DRAM chip
  • En blanco: Cualquier altura
  • H: 31.25mm
  • L: 18.75mm (VLP)
  • En blanco: Solo Módulo
  • K2: Kit de Dos Módulos
  • K3: Kit de Tres Módulos
  • 4: Capacidad
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
  • B : Revisión
  • I: Certificado por Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Cómo leer los números de parte de ValueRAM

Ejemplo:
Nuevo esquema de partes: KVR 16 R11 D4 / 8
Anterior esquema de partes: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Nuevo esquema de partes correspondiente a las partes liberadas al mercado, después del 1 de mayo de 2012.

Número de parte: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
  • En blanco: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
  • E: DIMM sin buffer (ECC)
  • N: DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM Registrado
  • L: DIMM de carga reducida (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
  • 11: Latencia CAS
  • S: Solo
  • D: Doble
  • Q: Cuádruplo
  • 4: Chip DRAM x4
  • 8: Chip DRAM x8
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • K2: Kit de Dos Módulos
  • K3: Kit de Tres Módulos
  • K4: Kit de Cuatro Módulos
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Certificado por Intel
  • B: Revisión de bloque

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Número de parte: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 1066: Velocidad
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
  • En blanco: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
  • S: Solo
  • D: Doble
  • Q: Cuádruplo
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
  • P: Paridad en registro (sólo para módulos registrados)
  • E: DIMM sin buffer (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM Registrado con Función de paridad de dirección/comando
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
  • 7: Latencia CAS
  • En blanco: Sin Sensor térmico
  • S: Con Sensor térmico
  • En blanco: Cualquier altura
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • En blanco: Solo Módulo
  • K2: Kit de Dos Módulos
  • K3: Kit de Tres Módulos
  • 4G: Capacidad
  • H: FABR DRAM
  • B: Revisión de bloque

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Número de parte: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72: X72 ECC
  • R: Registrado
  • C3: Latencia CAS
  • A: DDR400 3-3-3
  • K2: Kit de Dos Módulos
  • 1G: Capacidad

Glosario

Capacidad

Número total de celdas de memoria de datos disponibles en un módulo expresado en Gigabytes (GB). En el caso de kits, la capacidad indicada es la suma de las capacidades de todos los módulos individuales del kit.

Latencia CAS

Un número predeterminado estándar de ciclos de reloj para lectura/escritura de datos hacia o desde los módulos de memoria y el controlador de la memoria. Una vez que se cargan el comando de lectura/escritura y la fila/columna de la dirección, la latencia CAS representa el lapso final de espera hasta que los datos estén listos

DDR4

Tecnología de memoria de cuarta generación de memoria de acceso aleatorio dinámico síncrónico (SDRAM) DDR (velocidad de datos doble), más comúnmente conocida como "DDR4". Los módulos de memoria DDR4 no son compatibles con las generaciones anteriores de DDR SDRAM debido al voltaje más bajo (1.2 V), diferentes configuraciones de pines y tecnología de chip de memoria incompatible.

DDR5

Tecnología de memoria de quinta generación de memoria de acceso aleatorio dinámico síncrónico (SDRAM) DDR (velocidad de datos doble), más comúnmente conocida como "DDR5". Los módulos de memoria DDR5 no son compatibles con las generaciones anteriores de DDR SDRAM debido al voltaje más bajo (1.1V) diferentes configuraciones de pines y tecnología de chip de memoria incompatible.

Tipo de DIMM

UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) es un módulo de memoria de factor de forma largo con un ancho de datos de x64 más comúnmente utilizado en sistemas de escritorio donde no se requiere corrección de errores y la capacidad DIMM está restringida.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) es un módulo de memoria de factor de forma reducido diseñado para sistemas informáticos más pequeños, como portátiles, micro servidores, impresoras o enrutadores.

Gigabit (Gb)

Un bit es la unidad de datos más pequeña en informática y se representa como 1 o 0 (encendido/apagado). Un Gigabit (Gb) son mil millones de bits (o 109) como se define en el Sistema Internacional de Unidades (SI). Para la memoria de la computadora, Gb (o Gbit) se usa comúnmente para expresar la densidad de un solo componente DRAM.

Gigabyte (GB)

Un Byte se compone de 8 bits. Un Gigabyte (GB) son mil millones de bytes (o 109) como se define en el Sistema Internacional de Unidades (SI). Para la memoria de la computadora, GB se usa para representar la capacidad total de datos de un módulo de memoria, o grupo de módulos de memoria combinados para igualar la memoria total del sistema.

Kit

Un número de pieza que incluye varios módulos de memoria, por lo general, en apoyo de la arquitectura de memoria de dos, tres o cuatro canales. Por ejemplo, K2 = 2 DIMM en el paquete para igualar la capacidad total.

Velocidad (también conocida como frecuencia)

La tasa de datos o la velocidad de reloj efectiva que admite un módulo de memoria medida en MHz (MegaHertz) o MT/seg (Megatransfers por segundo). Cuanto mayor sea la velocidad, más datos se pueden transferir por segundo.

Tiempo de latencia

La información a continuación, es útil para mostrar las diversas configuraciones que se pueden ajustar al configurar los parámetros de tiempo de memoria en el BIOS dela tarjeta madre, con el fin de obtener un óptimo rendimiento. Tenga presente que estas configuraciones pueden variar de una marca/modelo de tarjeta madre a otra, o la versión del firmware del BIOS.

Muestra

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latencia CAS (CL): Retardo entre la activación de una hilera y la lectura de esa hilera.

RAS a CAS o RAS a Retardo de Columna (tRCD): Activa la hilera

Retardo de Precarga de Hilera o Retardo de Precarga RAS (tRP/tRCP): Desactiva la hilera

Retardo Activo de Hilera o Retardo Activo RAS o tiempo para estar listo (tRA/tRD/tRAS): Cantidad de ciclos de clocking entre activación/desactivación de la hilera.

Aviso de exención de responsabilidad: Todos los productos HyperX están probados y cumplen con nuestras especificaciones publicadas. Las configuraciones de algunos sistemas o placas madre pueden no operar a las velocidades de la memoria y ajustes de tiempos HyperX publicados. HyperX recomienda que los usuarios no intenten forzar sus computadoras para que funcionen a velocidades más rápidas que las publicadas. Si realizas overclocking o modificas los tiempos de tu sistema, sin respetar las indicaciones del fabricante, podrías dañar los componentes de tu computadora.