Glosario

1R

1 Rango, o Rango único, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.

2R

2 Rangos, o Doble rango, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.

4R

4 Rango, o Rango cuádruple, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.


AMD

Advanced Micro Devices, Inc.

AMD EPYC™

Serie de procesadores de servidor AMD.

AMD EXPO™

AMD Extended Profiles for Overclocking DDR5.

AMD Ryzen™

Serie de procesadores de PC AMD.

pAES (Estándar de encriptado avanzado)

Ver FIPS. Un cifrado en bloque para encriptar datos electrónicos confidenciales utilizados por el gobierno de los EE. UU., con el nombre FIPS 197 desde 2002.

Protección de distribución de actualización automática de lectura

Los bloques defectuosos contienen uno o más bits que han perdido confiabilidad. Los bloques defectuosos aparecen durante el proceso de fabricación (Early Bad Blocks) o durante toda la vida útil de la tarjeta (Later Bad Blocks). Ambos tipos de bloques defectuosos son inevitables, por lo que la Administración de bloques defectuosos es necesaria para poder administrar estos errores en los dispositivos NAND Flash. La Administración de bloques defectuosos identificará y marcará los bloques defectuosos, y luego usará la capacidad adicional libre para reemplazar los bloques no válidos. Esto evitará que los datos se escriban en los bloques defectuosos, lo que fortalece la confiabilidad del producto. Si el bloque defectuoso tiene datos, moverá los datos a un bloque válido para evitar la pérdida de datos.


Administración de bloques defectuosos

Los bloques defectuosos contienen uno o más bits que han perdido confiabilidad. Los bloques defectuosos aparecen durante el proceso de fabricación (Early Bad Blocks) o durante toda la vida útil de la tarjeta (Later Bad Blocks). Ambos tipos de bloques defectuosos son inevitables, por lo que la Administración de bloques defectuosos es necesaria para poder administrar estos errores en los dispositivos NAND Flash. La Administración de bloques defectuosos identificará y marcará los bloques defectuosos, y luego usará la capacidad adicional libre para reemplazar los bloques no válidos. Esto evitará que los datos se escriban en los bloques defectuosos, lo que fortalece la confiabilidad del producto. Si el bloque defectuoso tiene datos, moverá los datos a un bloque válido para evitar la pérdida de datos.

bit

La medición más pequeña de datos en computación, que representa un 1 o un 0, encendido/apagado.

Byte

8 bits

Fuerza bruta

Un ciberataque poco sofisticado que intenta descifrar una contraseña o clave criptográfica probando todas las soluciones posibles.


Capacidad

Número total de celdas de memoria de datos disponibles en un módulo expresado en Gigabytes (GB). En el caso de kits, la capacidad indicada es la suma de las capacidades de todos los módulos individuales del kit.

CAS

El Estroboscopio de dirección de columna, utilizado con latencia o "latencia CAS", es una serie de tiempos que representan estados de espera para datos.

Latencia CAS

Un número predeterminado estándar de ciclos de reloj para lectura/escritura de datos hacia o desde los módulos de memoria y el controlador de la memoria. Una vez que se cargan el comando de lectura/escritura y la fila/columna de la dirección, la latencia CAS representa el lapso final de espera hasta que los datos estén listos.

Canal

El canal se refiere al número de chips flash con los que el controlador puede hablar simultáneamente. Los SSDs de nivel de entrada/corriente principal generalmente tienen 2 o 4 canales; los SSDs de mayor rendimiento generalmente tienen 8 canales, o hasta 16 en los SSDs de centro de datos.

CL

Abreviatura de Latencia del estroboscopio de dirección de columna o "latencia CAS", es una serie de tiempos que representan estados de espera para datos.

Cryptochip

Una herramienta de hardware que protege los datos en un dispositivo USB manteniendo la administración de claves de encriptado en el dispositivo, donde se puede proteger. La serie IronKey de dispositivos flash utiliza criptochips.


Velocidad de datos

Se refiere a la clase de velocidad de un módulo, por ejemplo: 3200 MT/s.

DDR

Velocidad de datos doble, acortada de SDRAM DDR.

DDR3

SDRAM de tercera generación con velocidad de datos doble.

DDR3L

SDRAM de baja tensión de tercera generación con velocidad de datos doble.

DDR4

Tecnología de memoria de cuarta generación de memoria de acceso aleatorio dinámico sincrónico (SDRAM) DDR (velocidad de datos doble), más comúnmente conocida como "DDR4". Los módulos de memoria DDR4 no son compatibles con las generaciones anteriores de DDR SDRAM debido al voltaje más bajo (1.2 V), diferentes configuraciones de pines y tecnología de chip de memoria incompatible.

DDR5

Tecnología de memoria de quinta generación de memoria de acceso aleatorio dinámico sincrónico (SDRAM) DDR (velocidad de datos doble), más comúnmente conocida como "DDR5". Los módulos de memoria DDR5 no son compatibles con las generaciones anteriores de DDR SDRAM debido al voltaje más bajo (1.1V) diferentes configuraciones de pines y tecnología de chip de memoria incompatible.

Design-In

Componentes o piezas para PC/dispositivos no tradicionales. La línea de productos de módulos de memoria de Kingston se basa en los estándares de la industria, por lo que los números de pieza comienzan con "CBD".

DIMM

Módulo de memoria en línea dual.

DRAM

Memoria de acceso aleatorio dinámica.

Canal dual

Arquitectura de conector de memoria donde dos módulos de memoria idénticos instalados agregan su ancho de banda para aumentar el rendimiento del sistema.

Doble Rango

2 Rangos, o Doble rango, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.

Actualización dinámica de datos

La Actualización dinámica de datos se emplea para asegurarse de que, durante las operaciones de solo lectura, los bloques con un alto número de errores se puedan eliminar y actualizar para próximos usos. Durante cada comando de lectura, el controlador realizará una verificación de tres etapas en el bloque de destino: la primera etapa es verificar una marca de "necesidad de actualización". La segunda etapa es verificar el número de bits de error actualmente presentes. La tercera etapa es marcar el reintento para el número de recuento de reintentos actual.


ECC

Código de corrección de errores.

ECC UDIMM

ECC sin búfer DIMM.

EEPROM

Memoria de solo lectura programable y borrable eléctrica.


FAT

Una tabla de asignación de archivos (FAT) es un sistema de archivos desarrollado para discos duros. Es utilizado por el sistema operativo (SO) para administrar archivos en discos duros y otros sistemas informáticos. Por lo general, se utiliza en memoria flash, cámaras digitales y dispositivos portátiles. Se utiliza para almacenar información de archivos y extender la vida útil de un disco duro.

FIPS (Normas Federales de Procesamiento de Información)

Estándares y pautas para los sistemas informáticos federales de EE. UU., desarrollados por el Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST), de acuerdo con la Ley Federal de Gestión de Seguridad de la Información (FISMA) y aprobados por la Secretaría de Comercio.

FIPS 197

Estándar de encriptación avanzado (también conocido como Rinjdael), una variante de un encriptado en bloques desarrollado en Bélgica. Utiliza claves de 128, 192 o 256 bits: El AES-128 nunca ha sido violado por fuerza bruta y está lo suficientemente protegido para ser autorizado para su uso en datos de nivel Secreto. Es el primer y único encriptado de acceso público aprobado por la Agencia de Seguridad Nacional de los Estados Unidos para información de alto secreto (encriptado de 192 bits o superior).

FIPS 140-2 Nivel 3

Un estándar común de seguridad informática del gobierno, establecido en 2019. Además de ser seguros para producción y cumplir con los requisitos para la autenticación de roles y la resistencia a la manipulación física, los sistemas que cumplan con este estándar deberán tener una separación entre las interfaces por las cuales "parámetros de seguridad críticos" ingresan y salen del módulo.

Memoria flash

La memoria flash es no volátil (tipo de memoria que retiene datos en ausencia de una fuente de alimentación). La memoria flash generalmente se encuentra en dispositivos como unidades de estado sólido (SSD) y dispositivos flash USB. Se encuentra comúnmente en computadoras personales, además de soluciones de almacenamiento empresarial.

Factor de forma

El tamaño y la forma de un componente electrónico, como un disco duro o SSD.

Frecuencia

Un término más antiguo utilizado para describir la velocidad de la memoria.


Recolección de basura

La Recolección de basura es clave para que NAND Flash sea duradero y mantenga su velocidad. Los dispositivos basados en NAND Flash no pueden sobrescribir los datos que ya están ahí. Deben tomar parte de un ciclo Programar/Borrar; para escribir en un bloque de datos ya utilizado, un controlador NAND Flash primero copiaría todos los datos válidos (los que todavía están en uso) y los escribiría en páginas vacías de un bloque diferente, después borraría todas las celdas del bloque actual (datos válidos e inválidos) y luego escribiría nuevos datos en el bloque recién borrado. Este proceso se llama Recolección de basura.

Gbps

Gigabits por segundo, velocidad de datos que mide el # de billones de bits por segundo.

Gigabit (Gb)

Un bit es la unidad de datos más pequeña en informática y se representa como 1 o 0 (encendido/apagado). Un Gigabit (Gb) son 1 billón de bits (o 109), como se define en el Sistema Internacional de Unidades (SI). Para la memoria de la computadora, Gb (o Gbit) se usa comúnmente para expresar la densidad de un solo componente DRAM.

Gigabyte (GB)

Un Byte se compone de 8 bits. Un gigabyte (GB) es 1 billón de bytes (o 109), como se define en el Sistema Internacional de Unidades (SI). Para la memoria de la computadora, GB se usa para representar la capacidad total de datos de un módulo de memoria, o grupo de módulos de memoria combinados para igualar la memoria total del sistema.


Esparcidor de calor

Protector metálico unido a los módulos para disipar el calor.


Infrared Sync Technology™

Tecnología patentada de sincronización RGB que utiliza componentes infrarrojos en los módulos de memoria HyperX®™ y Kingston FURY.

Intel®

Intel Corporation

Intel® Xeon®

Familia de procesadores de servidor Intel.

Intel® XMP 2.0

Especificación de overclock Intel para DDR4 / DDR3.

Intel® XMP 3.0

Especificación de overclock Intel para DDR5.

Certificado para Intel® XMP 3.0

Pieza/kit que ha sido aprobada y enviada al programa de autocalificación de Intel versión 3 para DDR5.

Lista para Intel® XMP 3.0

Pieza/kit que cumple con los perfiles de overclockeo de Intel XMP 3.0 para DDR5.

Certificado para Intel® XMP

Pieza/kit que ha sido aprobada y enviada al programa de autocalificación de Intel versión 2 para DDR4/DDR3.

Lista para Intel® XMP

Pieza/kit que cumple con los perfiles de overclockeo de Intel XMP 2.0 para DDR3.

IR Sync

abreviación de Kingston Infrared Sync Technology.


JEDEC

Consejo de ingeniería de dispositivos electrónicos conjunto, organismo de estándares de la industria.


Kingston FURY™ Beast

Línea de productos de memoria DIMM de overclockeo de nivel básico.

Kingston FURY™ Impact

Línea de productos de memoria de overclockeo basada en SODIMM.

Kingston FURY™ Renegade

Línea de productos de memoria DIMM de overclockeo para rendimiento extremo.

Kit

Un número de pieza que incluye varios módulos de memoria, por lo general, en apoyo de la arquitectura de memoria de dos, tres o cuatro canales. Por ejemplo, K2 = 2 DIMM en el paquete para igualar la capacidad total.


Longitud (mm) x Altura (mm) x Ancho (mm)

Módulo de medición en milímetros de un módulo que incluye el difusor de calor.

LRDIMM

DIMM de carga reducida.


M.2

Un factor de forma para tarjetas de expansión para computadoras montadas internamente. Permite diferentes anchos y longitudes de módulo.

Mbps

Megabits por segundo, velocidad de datos que mide el # de millones de bits por segundo.

Memoria

Área del equipo que almacena datos temporalmente para el procesador.

Canal de memoria

Un canal de memoria es la ruta de transferencia de datos entre un módulo de memoria y un controlador de memoria (que normalmente se encuentra dentro del procesador). La mayoría de los sistemas informáticos (PC, portátiles, servidores) cuentan con una arquitectura de memoria multicanal, donde los canales se combinan para aumentar el rendimiento de la memoria. Una arquitectura de memoria de doble canal denotaría que cuando se instalan módulos idénticos como un par, el ancho de banda efectivo para el controlador de memoria se duplica.

MHz

MegaHertz, millones de ciclos (reloj) por segundo.

Tarjeta microSD

Un tipo de tarjeta de memoria muy pequeña que se utiliza típicamente en teléfonos móviles y otros dispositivos portátiles.

MT/seg

MegaTransfers por segundo, velocidad que mide el # de millones de transferencias de datos por segundo.


NAND

Un tipo de memoria flash, un medio de almacenamiento electrónico no volátil capaz de ser borrado y reprogramado eléctricamente. NAND significa NOT AND, una puerta lógica (medios para producir una salida específica en la electrónica digital).

Apilamiento de dispositivos NAND

Para aumentar la capacidad de almacenamiento, un dispositivo de memoria no volátil, tal como una memoria flash NAND, puede tener múltiples pilas de troqueles de memoria (por ejemplo, chips) para formar un paquete de troqueles de memoria. El paquete de troqueles de memoria se puede implementar en varias formas, como un DDP (paquete de doble troquelado), un QDP (paquete de cuádruple troquelado), un ODP (paquete de octo troquelado), hasta HDP (paquete de 16 troqueles). La tecnología de apilamiento de troqueles permite una mayor capacidad en pequeños factores de forma como un dispositivo USB o un SSD M.2.

No ECC

No compatible con la función ECC.

Memoria no volátil

La memoria no volátil es un tipo de memoria de computadora que tiene la capacidad de almacenar datos guardados incluso si la alimentación está apagada.

NVM Express™ (NVMe™)

Non-Volatile Memory Express, una especificación de interfaz abierta para acceder al almacenamiento no volátil de los equipos, por ejemplo, SSDs.


ECC integrado en el chip (ODECC)

Código de corrección de errores dentro del chip DRAM.


PCB

Placa de circuito impreso, verde/azul para todos los módulos excepto FURY, que siempre es negro.

PCI Express® (PCIe®)

Interconexión de Componentes Periféricos Express, un estándar de interfaz para componentes de alta velocidad como GPUs o SSDs.

PMIC

Circuito integrado de control de energía, un conjunto de componentes en los módulos DDR5 para administrar la distribución de energía.

Plug N Play (PnP)

Cuando se usa con Kingston FURY Beast y Kingston FURY Impact, describe un método Kingston de overclocking sin tener que habilitar la configuración.

Protección en caso de pérdida de energía

La pérdida de energía es inevitable y puede causar estragos en un entorno de trabajo si no se utiliza el hardware adecuado. La protección contra fallos de alimentación es necesaria para evitar la pérdida de datos. Un dispositivo huésped compatible puede enviar un comando a la tarjeta que detendrá cualquiera de sus operaciones si detecta alguna caída de energía. Esto permite que la tarjeta ahorre tiempo para guardar cualquier dato que se esté escribiendo en el momento de la pérdida de energía.


Canal cuádruple

Arquitectura de conector de memoria donde cuatro módulos de memoria idénticos instalados agregan su ancho de banda para aumentar el rendimiento del sistema.

Rango cuádruple

4 Rango, o Rango cuádruple, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.

QVL

Lista de proveedores calificados.


RAM

Memoria de acceso aleatorio.

Puesto

Un rango se refiere a un bloque de datos direccionable en un módulo de memoria. Para DDR2, DDR3 y DDR4, estos bloques de datos tienen 64 bits de ancho (x64), más 8 bits para ECC (x72). Los módulos DDR5 también son de 64 bits por rango, sin embargo, cuando se presenta ECC, el bloque de datos es de 80 bits de ancho por rango (x80). Un módulo se puede construir como Rango único (1R), Rango doble (2R), Rango cuádruple (4R) u Rango octal (8R). El número de rangos generalmente aumenta para permitir que se logren capacidades de módulo más altas.

RAS

Estroboscopio de direcciones de fila, un método de acceso a los datos en la memoria.

RDIMM

DIMM registrado

Listo para AMD Ryzen™

Programa de autocalificación para AMD para overclocking en computadoras basadas en AMD Ryzen.

Registrarse

Un chip de búfer que aparece en los módulos de memoria de clase de servidor, el cual administra las cargas de datos.

RGB

LEDs rojos, verdes y azules


SATA

Abreviatura de Serial Advanced Technology Attachment (Acoplamiento de tecnología avanzada en serie), SATA es una interfaz de bus de ordenador que se conecta a dispositivos de almacenamiento masivo como discos duros y SSDs.

Tarjeta SD

Un tipo de tarjeta de memoria que se usa típicamente en cámaras digitales y otros dispositivos portátiles.

Clase de velocidad SD

La Asociación SD ha establecido estándares que califican la transferencia mínima de datos para las necesidades de las empresas que crean productos de grabación de video que requieren de ciertas velocidades de escritura al grabar los datos en una tarjeta de memoria. La clase de velocidad SD, la clase de velocidad UHS y la clase de velocidad de video estandarizaron esto, tanto para tarjetas de memoria como para dispositivos, para garantizar velocidades de escritura mínimas y ofrecer el mejor rendimiento.

SDRAM

Memoria de acceso aleatoria dinámica sincrónica.

Servidor Premier

Línea de productos de memoria estándar de la industria para servidores/Estaciones de trabajo, los números de pieza comienzan con "KSM".

SIMM

Módulo de memoria en línea sencillo (visto por última vez a principios de la década del 2000).

Rango único

1 Rango, o 1R, cuántas cargas de datos de 64 bits por módulo.

Sistema en paquete (SIP)

Un sistema en paquete (SiP), es un diseño utilizado para agrupar múltiples circuitos integrados (IC) y componentes pasivos en un solo paquete que puede apilarse utilizando paquete en paquete. Se utiliza generalmente en SSDs, dispositivos USB, tarjetas SD. dentro de un teléfono móvil, etc.

SODIMM

El Módulo de memoria dual en línea de pequeño tamaño, es un módulo de memoria de factor de forma reducido destinado a sistemas informáticos más pequeños como ordenadores portátiles, micro servidores, impresoras o enrutadores.

DOCUP

Detección de presencia en serie, también conocida como SPD EEPROM, es un chip en el módulo que almacena información sobre el número de pieza, las especificaciones.

Velocidad (también conocida como frecuencia)

La velocidad de datos o velocidad de reloj efectiva que un módulo de memoria soporta, medida en MHz (MegaHertz) o MT/s (MegaTransfers por segundo). Cuanto mayor sea la velocidad, más datos se pueden transferir por segundo.

Clase de velocidad (clase 4, 6, 10)

La clasificación de velocidad estandarizada de la Asociación SD para diferentes tarjetas de almacenamiento externo (SD, microSD). Estas se caracterizan como "Clase de velocidad" y especifican las velocidades de escritura sostenidas mínimas absolutas. Las tarjetas pueden clasificarse como Clase 4 (4 MB/s), Clase 6 (6 MB/s) o Clase 10 (10 MB/s).

SSD

Unidad de estado sólido, un dispositivo de almacenamiento compuesto por colecciones de chips Flash NAND, donde los datos son leídos y escritos por un controlador Flash en lugar de un actuador mecánico como con las unidades de disco duro. Debido a la falta de piezas mecánicas, los SSDs funcionan de manera más fluida y eficiente que los HDDs. Otra ventaja de los SSDs sobre los HDDs es que no son vulnerables a la interferencia magnética.

Potente motor ECC

La memoria NAND Flash debe mantener la integridad de los datos a medida que los datos se mueven desde el PC huésped al almacenamiento NAND, a través del controlador Flash. Las transferencias de datos del huésped a la tarjeta a menudo se denominan "datos en vuelo" o "datos en tránsito" antes de que realmente se escriban en el almacenamiento Flash NAND. Los controladores flash incorporan tecnología de corrección de errores (llamada ECC, que significa Código de corrección de errores) para detectar y corregir la mayoría de los errores que pueden afectar a los datos a lo largo de esta trayectoria. Los chips de memoria Flash incorporan información adicional de corrección de errores, junto con cada bloque de datos que se escribe; esta información permite al controlador Flash corregir simultáneamente muchos errores al leer un bloque de datos. La memoria NAND Flash, como las unidades de disco duro, encontrará errores de bits durante el funcionamiento normal que corregirá sobre la marcha con sus datos ECC. Si un dispositivo NAND tiene errores excesivos en un bloque de datos, entonces ese bloque se marcará como un Bloque defectuoso, se retirará y uno de los bloques de repuesto se pondrá al servicio. Durante este proceso, los datos se corregirán si es necesario utilizando ECC. El uso de bloques de repuesto prolonga la vida útil y la resistencia de los SSDs.

Subcanal

Se refiere a los módulos de memoria DDR5 que dividen la dirección de 64 bits en dos segmentos de 32 bits para aumentar la eficiencia.


UDIMM

(Módulo de memoria en línea dual sin búfer no ECC) es un módulo de memoria de factor de forma largo con un ancho de datos de x64 más comúnmente utilizado en sistemas de escritorio donde no se requiere corrección de errores y la capacidad DIMM está restringida.

Clase de velocidad de video UHS-I

Una clase de velocidad para la grabación de video. La velocidad mínima de escritura del medio en cuestión se mide por una letra seguida de un número. Una clase de velocidad V30 tiene una velocidad de escritura mínima de 30 MB/s.

Sin taponamiento

No hay búferes de datos en el módulo, como un Registro.

U.2

Un estándar de interfaz informática para conectar SSD, diseñado para el mercado empresarial. Típicamente viene en el factor de forma de 2.5"y ofrece más almacenamiento que el M.2.

UHS-I

Ultra Alta Velocidad – I (UHS-I) es una clase de velocidad para tarjetas de memoria SDHC y SDXC. UHS-I tiene una velocidad de interfaz de bus de hasta 104 MB/s.

UHS-II

Ultra-Alta Velocidad – II (UHS-II) es una clase de velocidad para tarjetas de memoria SDHC y SDXC. UHS-II tiene una velocidad de interfaz de bus de hasta 312 MB/s. La diferencia con la primera versión (UHS-I), fue la adición de una segunda fila de pines, que utiliza la tecnología de señalización diferencial de bajo voltaje (LVDS) para permitir tasas de transferencia más altas.

Clase de velocidad UHS (U1, U3)

Ultra Alta Velocidad (UHS) especifica el rendimiento mínimo de escritura sostenida para la grabación de video. Hay dos clases de velocidad UHS que la Asociación SD creó, Clase de velocidad UHS 1 y UHS 3. Clase de velocidad UHS 1 soporta un mínimo de 10 MB/s de velocidad de escritura y la Clase de velocidad UHS 3 soporta al menos 30 MB/s de velocidad de escritura. La clase de velocidad UHS generalmente se reconoce por un 1 o 3 dentro de un símbolo U.

USB

El Universal Serial Bus (USB) es una interfaz estándar que permite la conexión entre dispositivos y un controlador host, como un ordenador personal (PC) o un teléfono inteligente. Conecta dispositivos periféricos como cámaras digitales, ratones, teclados, impresoras, escáneres, dispositivos multimedia, discos duros externos y dispositivos flash.

USB 3.2 Gen 1 (5 Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4

La diferencia entre estos estándares USB son las capacidades de velocidad de transferencia de datos. El USB 3.2 Gen 1 admite velocidades de hasta 5 Gbit/s, USB 3.2 Gen 2 admite velocidades de hasta 10 Gbit/s, USB 3.2 Gen 2x2 admite velocidades de hasta 20 Gbit/s y USB4 admite velocidades de hasta 40 Gbit/s. Para obtener más información: https://www.kingston.com/latam/usb-flash-drives/usb-30.


Clase de velocidad de video (V10, V30, V60, V90)

Clase de velocidad de video fue creado por la Asociación SD para clasificar las tarjetas que pueden operar a resoluciones de video y características de grabación más altas. Esta clase de velocidad garantiza un rendimiento mínimo sostenido para la grabación de video. Esto incluye V6, V10, V30, V60 y V90. La clase de velocidad V90 significa que la velocidad mínima de escritura de la tarjeta de memoria debe funcionar a 90 MB/s, V30 es 30 MB/s, y así sucesivamente. Para obtener más información: https://www.kingston.com/latam/blog/personal-storage/memory-card-speed-classes.

ValueRAM

Línea de productos de memoria estándar de la industria para PC, los números de pieza comienzan con "KVR".

VLP

Perfil muy bajo, se refiere a la altura del módulo PCB.


Nivelación de desgaste

Los dispositivos de almacenamiento Flash de Kingston incorporan controladores que utilizan tecnología de nivelación de desgaste avanzada, la cual distribuye uniformemente el número de ciclos P/B (programa/borrado) a través de la memoria Flash. La nivelación de desgaste prolonga así la vida útil de una tarjeta de memoria Flash.


x16

Ancho de datos DRAM, 16 bits.

x4

Ancho de datos DRAM, 4 bits.

x64

Ancho de datos del módulo, 64 bits no ECC.

x72

Ancho de datos del módulo, ECC de 72 bits (64 + 8 bits).

x8

Ancho de datos DRAM, 8 bits.

x80

Ancho de datos del módulo, ECC de 80 bits (dual 32 + 8 pero subcanales).

XMP

Perfil de memoria Intel Extreme, tiempos preprogramados en módulos de overclockeo.

XTS-AES

Estándar de encriptado avanzado contra robo de texto cifrado en bloque ajustable XEX; funcionalmente es un encriptado de bloque ajustable para dispositivos de datos de 128 bits o más, utilizando el encriptado de bloque AES como subrutina. Es un modo altamente seguro de encriptado utilizado por muchas organizaciones tanto administrativas como corporativas.