ระบบทำงานสำเร็จรูป/การใช้งานเชิงอุตสาหกรรม
ระบบทำงานสำเร็จรูป/การใช้งานเชิงอุตสาหกรรม

Embedded Discrete DRAM สำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์

Kingston Embedded Discrete DRAM ออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของอุปกรณ์ที่จำเป็นต้องใช้ผลิตภัณฑ์แบบติดตั้งภายใน รวมถึงมีวางจำหน่ายในรุ่นที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำเพื่อช่วยลดการใช้พลังงาน Kingston Embedded Discrete DRAM เป็นผลิตภัณฑ์ที่อยู่เบื้องหลังอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์รุ่นใหม่ ๆ มากมายที่ใช้เป็นโครงสร้างพื้นฐาน เช่น ระบบจัดการเมืองอัจฉริยะ (HVAC, ไฟส่องสว่าง, ระบบตรวจสอบการใช้ไฟฟ้า และการวัดมาตรวัดที่จอดรถ) การใช้งานทางอุตสาหกรรม (หุ่นยนต์, IoT, ระบบอัตโนมัติภายในโรงงาน, คอมพิวเตอร์แบบแผงวงจรเดียว) ระบบโทรคมนาคม (เครือข่าย 5G, ระบบประมวลผล Edge, ระบบการสื่อสาร, อุปกรณ์เชื่อมต่อเราเตอร์ WiFi) และอุปกรณ์อย่างเช่นอุปกรณ์จัดการบ้านอัจฉริยะ (ซาวด์บาร์, เทอร์โมสตัท, อุปกรณ์ฟิตเนส, เครื่องดูดฝุ่น, เตียง และก๊อกน้ำ) รวมทั้งอุปกรณ์แบบสวมใส่ (นาฬิกาอัจฉริยะ, ระบบตรวจสอบสุขภาพ, ระบบติดตามสุขภาพ, AR, VR)

แจ้งขอข้อมูล

คุณสมบัติหลัก ๆ

  • สถาปัตยกรรม Double Data Rate (DDR): ถ่ายโอนข้อมูลสองชุดต่อรอบสัญญาณนาฬิกา
  • การถ่ายโอนข้อมูลความเร็วสูงผ่านสถาปัตยกรรมแบบสายท่อ 8 บิตที่สืบค้นข้อมูลล่วงหน้า
  • ส่ง/รับการเข้ารหัส Data Strobe เปรียบต่างแบบสองทิศทาง (DQS และ /DQS)
  • DOS เป็นการปรับประสานตามแนวขอบสำหรับข้อมูลในการอ่าน และปรับประสานที่แนวกลางสำหรับข้อมูลในการเขียน
  • สัญญาณเปรียบต่างนาฬิกาขาเข้า (CK และ /CK)
  • DLL จะปรับประสานกับการเปลี่ยนผ่าน DQ และ DOS เข้ากับการเปลี่ยนผ่าน CK
  • คำสั่งส่งไปยังทั้งขอบบวกของพัลส์ CK แต่ละขอบ, มีการอ้างอิงถึงข้อมูลและการมาสก์ข้อมูล
  • มาสก์ข้อมูล (DM) สำหรับข้อมูลการเขียน
  • Posted /CAS โดยอาศัยค่าหน่วงเวลาเพิ่มเติมแบบตั้งโปรแกรมได้เพื่อรองรับคำสั่งและข้อมูลได้ดีและมีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น
  • On-Die Termination (ODD เพื่อให้คุณภาพสัญญาณที่ดียิ่งกว่า)
    • Synchronous ODT o   Dynamic CDT o   Asynchronous ODT
    • Multi-Purpose Register (MPR) สำหรับการอ่านรูปแบบที่กำหนดไว้สำเร็จ
    • ารปรับเทียบ ZQ สำหรับไดร์ฟ DO และ ODT
  • Partial Array Self-Refresh (PASR) แบบตั้งโปรแกรมได้
  • ขา RESET สำหรับกำหนดซีเควนซ์ฟังก์ชั่นการเปิด/ปิดเครื่องและการรีเซ็ต
  • ช่วง SRT: ปกติ/ยืดเวลา
  • ระบบควบคุมค่าความต้านทานไดรเวอร์สัญญาณขาออกแบบตั้งโปรแกรมได้

หมายเลขชิ้นส่วนมาตรฐานและรายละเอียดทางเทคนิค

DDR3 / DDR3L FBGA อุณหภูมิเชิงพาณิชย์

ลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิการ ทำ งาน
D1216ECMDXGJD 2Gb 96 โบรา 128Mx16 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x13.5x1.2 1.35V1 0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJD 4Gb 96 โบรา 256Mx16 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x13.5x1.2 1.35V1 0°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJD 4Gb 78 โบรา 512Mx8 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x10.6x1.2 1.35V1 0°C ~ +95°C
D2516ECMDXGME 4Gb 96 โบรา 256Mx16 DDR3/3L 2133 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x13.5x1.2 1.35V1 0°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJD 8Gb 96 โบรา 512Mx16 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 9x13.5x1.2 1.35V1 0°C ~ +95°C

DDR3 / DDR3L FBGA อุณหภูมิอุตสาหกรรม

ลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิการ ทำ งาน
D1216ECMDXGJDI 2Gb 96 โบรา 128Mx16 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x13.5x1.2 1.35V1 -40°C ~ +95°C
D2568ECMDPGJDI 2Gb 78 โบรา 256Mx8 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x10.6x1.2 1.35V1 -40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGJDI 4Gb 96 โบรา 256Mx16 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x13.5x1.2 1.35V1 -40°C ~ +95°C
D5128ECMDPGJDI 4Gb 78 โบรา 512Mx8 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x10.6x1.2 1.35V1 -40°C ~ +95°C
D2516ECMDXGMEI 4Gb 96 โบรา 256Mx16 DDR3/3L 2133 เมกะบิตต่อวินาที 7.5x13.5x1.2 1.35V1 -40°C ~ +95°C
B5116ECMDXGJDI 8Gb 96 โบรา 512Mx16 DDR3/3L 1866 เมกะบิตต่อวินาที 9x13.5x1.2 1.35V1 -40°C ~ +95°C

DDR3/DDR3L FBGA Automotive Temp

หมายเลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิในการใช้งาน
D1216ECMDXGMEY 2Gb 96 ball 128Mx16 DDR3/3L 2133Mbps 13.5x7.5x1.2 1.35V1 -40°C ~ +105°C
D2516ECMDXGMEY 4Gb 96 ball 256Mx16 DDR3/3L 2133Mbps 13.5x7.5x1.2 1.35V1 -40°C ~ +105°C

DDR4 FBGA อุณหภูมิเชิงพาณิชย์

ลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิการ ทำ งาน
D5116AN9CXGRK 8Gb อุณหภูมิ 96 หลอดไฟ FBGA DDR4 C 7.5x13x1.2 1.2V 0°C ~ +95°C
D5116AN9CXGXN 8Gb อุณหภูมิ 96 หลอดไฟ FBGA DDR4 C 7.5x13x1.2 1.2V 0°C ~ +95°C
D2516ACXGXGRK 4Gb อุณหภูมิ 96 หลอดไฟ FBGA DDR4 C 7.5x13x1.2 1.2V 0°C ~ +95°C

DDR4 FBGA อุณหภูมิอุตสาหกรรม

ลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิการ ทำ งาน
D5116AN9CXGXNI 8Gb 96 เฉดสี FBGA DDR4 I อุณหภูมิ x16 7.5x13x1.2 1.2V -40°C ~ +95°C
D1028AN9CPGXNI 8Gb 78 เฉดสี FBGA DDR4 I อุณหภูมิ x8 7.5x13x1.2 1.2V -40°C ~ +95°C

LPDDR4 FBGA อุณหภูมิเชิงพาณิชย์

ลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิการ ทำ งาน
D0811PM2FDGUK 8Gb อุณหภูมิ 200 หลอดไฟ FBGA LPDDR4 C 10x14.5x1.0 1.1V -25°C ~ +85°C
B1621PM2FDGUK 16Gb อุณหภูมิ 200 หลอดไฟ FBGA LPDDR4 C 10x14.5x1.0 1.1V -25°C ~ +85°C

LPDDR4 FBGA อุณหภูมิอุตสาหกรรม

ลขชิ้นส่วนความจุรายละเอียดแพ็กเกจVDD,
VDDQ		อุณหภูมิการ ทำ งาน
D0811PM2FDGUKW 8Gb 200 เฉดสี FBGA LPDDR4 I อุณหภูมิ 10x14.5x1.0 1.1V -40°C ~ +95°C
B1621PM2FDGUKW 16Gb 200 เฉดสี FBGA LPDDR4 I อุณหภูมิ 10x14.5x1.0 1.1V -40°C ~ +95°C