DDR4 Memory Standard

ภาพรวมเกี่ยวกับ DDR4

ภาพรวมเกี่ยวกับ DDR4

ในขณะที่ DDR3 กำลังจะถึงขีดจำกัดความเร็ว แต่ในการใช้งานจริงผู้ใช้ยังคงคาดหวังประสิทธิภาพและแบนด์วิธที่สูงขึ้นไปอีก ด้วยเหตุนี้จึงมีการพัฒนา DDR SDRAM ตัวใหม่ขึ้น DDR4 มีประสิทธิภาพที่เหนือกว่า ความจุของ DIMM ที่มากกว่า เสถียรภาพในการทำงานสูงกว่าเดิมและสิ้นเปลืองพลังงานน้อยกว่า

การรองรับข้อมูลที่ 2Gbps ต่อขาและใช้พลังงานต่ำกว่า DDR3L (DDR3 รุ่นแรงดันไฟฟ้าต่ำ) ทำให้ DDR4 มีประสิทธิภาพและรองรับแบนด์วิธเหนือกว่าถึง 50 เปอร์เซ็นต์ นอกจากนี้ยังลดการใช้พลังงานลงทำให้การทำงานของเครื่องโดยรวมประหยัดพลังงานมากขึ้นไปอีก ซึ่งถือเป็นพัฒนาการที่สำคัญที่เหนือกว่าเทคโนโลยีหน่วยความจำก่อนหน้า อีกทั้งยังช่วยประหยัดพลังงานได้สูงสุดถึง 40 เปอร์เซ็นต์

นอกเหนือจากประสิทธิภาพที่เหนือกว่าและความเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม DDR4 รุ่นประหยัดพลังงานยังมีระบบตรวจสอบ Cyclic Redundancy (CRC) ทำให้ข้อมูลมีเสถียรภาพมากขึ้น และยังมีระบบตรวจสอบพาริตี้บนชิปเพื่อตรวจสอบความสมบูรณ์ของการถ่ายโอน คำสั่งและที่อยู่ผ่านทางลิงค์ ทำให้สัญญาณมีคุณภาพ นอกจากนี้ยังรองรับคุณสมบัติที่โดดเด่นอื่น ๆ จาก RAS

เบื้องต้นเกี่ยวกับเทคโนโลยี

รายละเอียดสำหรับ DDR4

อาจมีความแตกต่างเล็กน้อยระหว่างหน่วยความจำ DDR3 และ DDR4

DDR4 - ร่องบากที่ต่างกัน

ร่องบากที่ต่างกัน

ร่องบากที่หน่วยความจำ DDR4 จะแตกต่างจากของ DDR3 ร่องบากของทั้งสองรุ่นจะอยู่ที่ขอบเสียบ โดยร่องบากของ DDR4 จะแตกต่างออกไปเล็กน้อยเพื่อป้องกันการติดตั้งหน่วยความจำในเมนบอร์ดหรือเครื่องที่ไม่รองรับ

DDR4 - ความหนาที่มากกว่า

ความหนาที่มากกว่า

หน่วยความจำ DDR4 จะหนากว่า DDR3 เล็กน้อยเพื่อรองรับเลเยอร์สัญญาณที่มากกว่า

DDR4 - Curved edge

ขอบโค้ง

หน่วยความจำ DDR4 มีขอบโค้งเพื่อช่วยในการเสียบและลดภาระกดที่ PCB ระหว่างติดตั้งหน่วยความจำ

เบื้องต้นเกี่ยวกับรายละเอียดทางเทคนิค

รายละเอียดDDR3DDR4ข้อดี
ความจุของชิป 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb ความจุ DIMM มากกว่า
อัตรารองรับข้อมูล 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s I/O ความเร็วเหนือกว่า
แรงดันไฟฟ้า 1,5V 1,2V ใช้พลังงานสำหรับหน่วยความจำน้อยลง
มาตรฐานแรงดันไฟฟ้าต่ำ ใช่ (DDR3L ที่ 1.35V) คาดว่าจะทำได้ที่ 1.1V ลดการใช้พลังงานของหน่วยความจำ
แถวภายใน 8 16 จำนวนแถวมากกว่า
กลุ่มแถว (BG) 0 4 เรียกค้นข้อมูลแบบเบิร์สได้รวดเร็วกว่า
สัญญาณ VREF 2 – DQs และ CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ รองรับจากภายในแล้วตอนนี้
รองรับ tCK – DLL 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz อัตรารองรับข้อมูลสูงกว่า
ไม่รองรับ tCK – DLL 10MHz – 125MHz (เผื่อเลือก) สูงสุด 125MHz แบบไม่เป็นทางการ รองรับ DLL-off อย่างสมบูรณ์แบบแล้ว
ระยะหน่วงการอ่านข้อมูล AL + CL AL + CL ความคุ้มค่าที่มากกว่า
ระยะหน่วงในการเขียนข้อมูล AL + CWL AL + CWL ความคุ้มค่าที่มากกว่า
DQ Driver (ALT) 40 Ω 48 Ω เหมาะสำหรับ PtP
DQ Bus SSTL15 POD12 สัญญาณ I/O รบกวนน้อยกว่าและใช้พลังงานน้อยกว่า
ค่า RTT (เป็น Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 รองรับอัตรารับส่งข้อมูลที่มากกว่า
ไม่รองรับ RTT การอ่านแบบเบิร์ส ปิดใช้งานระหว่างอ่านแบบเบิร์ส ใช้งานง่าย
โหมด ODT ตามพิกัด, ไดนามิค ตามพิกัด, ไดนามิค, พาร์ค โหมด l Control เติมเติม; ปรับเปลี่ยนค่า OTF
ระบบควบคุม ODT ต้องรองรับการส่งสัญญาณ ODT ไม่ต้องรองรับการส่งสัญญาณ ODT ควบคุม ODT ได้ง่าย; ไม่ต้องกำหนดเส้นทางผ่าน ODT, แอพ PtP
รีจิสเตอร์อเนกประสงค์ รีจิสเตอร์สี่ตัว - 1 Defined, 3 RFU รีจิสเตอร์สี่ตัว - 3 Defined, 1 RFU อ่านค่าเฉพาะได้เพิ่มเติม
ประเภท DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
ขา DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, พาริตี้, การกำหนดที่อยู่, GDM คุณสมบัติด้าน RAS ที่เหนือกว่า; ความสมบูรณ์ของข้อมูลที่มากกว่า