SDD แบบองค์กร vs รายย่อย

ศูนย์ข้อมูลจำนวนมากที่ใช้ไดรฟ์แบบฮาร์ดดิสก์ (HDD) แบบเก่าในเซิร์ฟเวอร์ รวมทั้งต้องประมวลผลข้อมูลจำนวนมหาศาลและต้องการค่าเวลาหน่วงน้อยที่สุด ปัจจุบันกำลังเจอปัญหาคอขวดด้านประสิทธิภาพมากขึ้นเรื่อย ๆ ศูนย์ข้อมูลเหล่านี้จึงหันมาเลือกใช้ไดรฟ์ Solid State (SSD) เพื่อเพิ่มสมรรถนะ ประสิทธิภาพการทำงาน และความน่าเชื่อถือของศูนย์ข้อมูล ตลอดจนลดค่าใช้จ่ายในการดำเนินงาน (OpEx) ลง

เพื่อทำความเข้าใจข้อแตกต่างระว่าง SSD แต่ละประเภท เราจะต้องเข้าใจส่วนประกอบหลักสองอย่างของ SSD ก่อน ซึ่งประกอบไปด้วย Flash Storage Controller (หรือที่เรียกว่าชุดควบคุม SSD) และหน่วยความจำแฟลช NAND แบบไม่ลบเลือนซึ่งใช้เพื่อจัดเก็บข้อมูล

ในปัจจุบัน กลุ่มตลาด SSD และแฟลชเมมโมรี่ NAND แบ่งออกเป็นสามกลุ่มหลัก ๆ ได้แก่

• อุปกรณ์ใช้งานทั่วไป (แท็บเล็ต กล้อง โทรศัพท์มือถือ)
• ระบบไคลเอนท์ (เน็ตบุ๊ก โน้ตบุ๊ก Ultrabook AIO คอมพิวเตอร์เดสก์ทอปส่วนบุคคล) ระบบติดตั้งฟังก์ชั่นสำเร็จ/ระบบใช้งานทางอุตสาหกรรม (ตู้เกม ระบบทำงานเฉพาะด้าน ป้ายดิจิตอล)
• ระบบประมวลผลระดับองค์กร (HPC, เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล)

การเลือก SSD สำหรับจัดเก็บข้อมูลที่เหมาะสมสำหรับศูนย์ข้อมูลระดับองค์กรจึงเป็นกระบวนการที่ต้องศึกษาและพิจารณาอย่างละเอียด เนื่องจากมีผู้จำหน่าย SSD หลายเจ้าและมีผลิตภัณฑ์หลากหลายประเภท อีกทั้ง SSD และหน่วยความจำแฟลช NAND ก็มีประสิทธิภาพไม่เท่าเทียมกัน

SSD ผลิตขึ้นเพื่อให้สามารถใช้แทนฮาร์ดดิสก์ HDD หรือเสริมการทำงานอย่างไม่ยุ่งยาก มีจำหน่ายรองรับฟอร์มแฟคเตอร์มากมาย ทั้งขนาด 2.5 นิ้ว และสำหรับโปรโตคอล/อินเทอร์เฟซการสื่อสารอย่าง Serial ATA (SATA) หรือ Serial Attached SCSI (SAS) หรือใหม่ล่าสุดคือ NVMe PCIe เพื่อรองรับการรับส่งข้อมูลกับหน่วยประมวลผลกลาง (CPU) ของเซิร์ฟเวอร์

แม้ว่าการใช้งานจะไม่ยุ่งยาก แต่ก็ไม่สามารถรับประกันได้ว่า SSD จะเหมาะกับการใช้ในแอพพลิเคชั่นสำหรับองค์กรในระยะยาว อีกทั้งค่าใช้จ่ายจากการเลือก SSD ที่ผิดพลาดยังอาจทำให้เกิดภาระทางการเงินเพิ่มขึ้นและผลกระทบในเชิงประสิทธิภาพที่เกิดขึ้นเมื่อ SSD สึกหรอก่อนกำหนดจากการเขียนข้อมูลเป็นจำนวนมากทำให้การเขียนข้อมูลช้าลงแม้ยังไม่ถึงอายุการใช้งานที่กำหนด การเก็บข้อมูลจึงล่าช้า ซึ่งทำให้ต้องเปลี่ยนชิ้นส่วนใหม่ก่อนเวลาที่คาดการณ์ไว้

เราจะกล่าวถึงคุณสมบัติที่สำคัญสามประการที่ใช้แยกแยะ SSD ระดับองค์กรและสำหรับไคลเอนท์ เพื่อให้สามารถพิจารณาจัดซื้อไดรฟ์สำหรับเปลี่ยนแทนหรือสำหรับเพิ่มพื้นที่ให้กับเซิร์ฟเวอร์ได้อย่างคุ้มค่าที่สุด

ประสิทธิภาพการทำงาน

SSD มีประสิทธิภาพในการอ่านและเขียนข้อมูลสูงมากทั้งแบบอ่านต่อเนื่องหรือแบบสุ่มจาก CPU โดยอาศัยสถาปัตยกรรมหลายช่องสัญญาณ และการสืบค้นข้อมูลแบบคู่ขนานจากชุดควบคุม SSD ไปยังชิปแฟลช NAND

ในศูนย์ข้อมูลปกติที่มีการประมวลผลข้อมูลบริษัทแบบสุ่มนับล้านไบต์ รวมทั้งต้องรองรับระบบ CAD และระบบวิเคราะห์ข้อมูลแผ่นดินไหว (เช่น Big Data) หรือในแอพพลิเคชั่นที่ต้องมีการเรียกค้นข้อมูลของลูกค้าทั่วโลกเพื่อตรวจสอบรายการธุรกรรม (เช่น OLTP) สื่อบันทึกข้อมูลจะต้องสามารถสืบค้นได้โดยใช้เวลาน้อยที่สุด และสื่อสารกับไคลเอนท์ที่ต้องการข้อมูลชุดเดียวกันได้หลายรายพร้อม ๆ กันโดยไม่ส่งผลต่อประสิทธิภาพในการทำงาน ความประทับใจในการใช้งานจะขึ้นอยู่กับค่าหน่วงเวลาที่ต่ำ ซึ่งจะทำให้รองรับการทำงานได้มากขึ้น เมื่อนำประสิทธิภาพนี้ไปคูณกับปริมาณแรงงานทั้งหมด คุณจะเห็นได้ว่าการมีค่าความหน่วงเวลาต่ำ ๆ นั้นให้ประโยชน์ได้รวดเร็วเพียงใด

แอพพลิเคชั่นไคลเอนท์เป็นการใช้งานของผู้ใช้รายเดียวซึ่งข้อจำกัดระหว่างความเร็วต่ำสุดและสูงสุด (หรือค่าหน่วงเวลา) ในการรับส่งข้อมูลอาจไม่มีข้อจำกัดมากนัก

ระบบจัดเก็บข้อมูลที่มีความซับซ้อนที่เลือกใช้ SSD (เช่น Network Attached Storage, Direct Attached Storage หรือ Storage Area Network) อาจเกิดปัญหาขึ้นได้จากประสิทธิภาพที่ไม่สม่ำเสมอของไดร์ฟ ทำให้ส่งผลต่อการจัดเก็บข้อมูล เสถียรภาพในการทำงาน และคุณภาพในการให้บริการตามความรู้สึกของผู้ใช้

SSD ระดับองค์กรของ Kingston จะแตกต่างจาก SSD ไคลเอนท์ตรงที่ไม่เพียงแต่มีประสิทธิภาพในระดับสุดยอดในช่วงเริ่มการทำงานเท่านั้น แต่ยังมีพื้นที่จัดสรรพิเศษ (OP) ที่ทำให้เสถียรภาพในการทำงานเป็นไปอย่างต่อเนื่องแม้จะใช้งานไปแล้วเป็นเวลานาน ดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับไดร์ฟเฉพาะรุ่นได้จากเว็บไซต์ของ Kingston ในหมวด Enterprise SSDs¹

ทำให้มั่นใจได้ว่าระบบจัดเก็บข้อมูลจะมีการทำงานที่สม่ำเสมอตามเกณฑ์ คุณภาพในการให้บริการ ที่องค์กรคาดหวัง (QoS) แม้ในช่วงที่มีการสื่อสารข้อมูลเป็นจำนวนมาก

ความเชื่อถือได้

หน่วยความจำแฟลช NAND มาพร้อมกับปัญหาหลายอย่าง ปัญหาสำคัญที่สุดสองอย่างก็คืออายุการใช้งานจำกัด เนื่องจากเซลล์แฟลช NAND จะสึกหรอไปเรื่อย ๆ เมื่อเขียนข้อมูลซ้ำ ๆ อย่างต่อเนื่อง ปัญหาอีกอย่างคืออัตราข้อผิดพลาดที่เกิดขึ้นเป็นปกติ

ระหว่างขั้นตอนการผลิตแฟลช NAND แฟลชดาย NAND แต่ละตัวจากซิลิคอนเวเฟอร์จะผ่านการทดสอบและประเมินอัตราข้อผิดพลาดบิตเบื้องต้น (BER หรือ RBER)

BER ใช้เพื่อระบุอัตราการเกิดข้อผิดพลาดของบิตข้อมูลในแฟลช NAND หากไม่มี Error Correction Code (ECC) ซึ่งชุดควบคุม SSD จะทำหน้าที่แก้ไขผ่าน on-the-fly Advanced ECC (เรียกทั่วไปว่า BCH ECC, Strong ECC หรือระบบแก้ไขข้อผิดพลาด LDPC ตามแต่ผู้พัฒนาชุดควบคุม SSD จะเรียก) เพื่อไม่ให้รบกวนการทำงานของผู้ใช้หรือระบบตามปกติ

ความสามารถของชุดควบคุม SSD ในการแก้ไขข้อผิดพลาดของบิตข้อมูลเหล่านี้สามารถประเมินออกมาเป็น Uncorrectable Bit Error Ratio (UBER) "ซึ่งเป็นเกณฑ์ชี้วัดอัตราข้อผิดพลาดของข้อมูลเทียบกับจำนวนข้อผิดพลาดของข้อมูลต่อการอ่านบิตหลังจากใช้ระบบแก้ไขข้อผิดพลาดที่เกี่ยวข้องแล้ว"¹

ภายใต้นิยามและมาตรฐานของ Industry Standards Association, JEDEC ปี 2010 ตามเอกสาร JESD218A:Solid State Drive (SSD) Requirements and Endurance Test Method และ JESD219:Solid State Drive (SSD) Endurance Workloads ไดร์ฟสำหรับองค์กรจะมีลักษณะแตกต่างจาก SSD สำหรับไคลเอนท์ในหลาย ๆ ด้าน เช่น รองรับงานเขียนได้มากกว่า สมบุกสมบันกว่า และกู้ข้อมูลจาก BER ได้ดีกว่า SSD ไคลเอนท์ ²³

ภายใต้เงื่อนไข UBER ที่เสนอโดย JEDEC ในส่วนของ SSD สำหรับองค์กรและไคลเอนท์ พบว่า SSD ระดับองค์กรจะมีอัตราข้อผิดพลาดบิตข้อมูลที่ไม่สามารถกู้คืนได้เพียง 1 ต่อ 1,000 ล้านล้านบิต (~1.11 พาทาไบต์) เมื่อเทียบกับ SSD ไคลเอนท์ที่มีข้อผิดพลาดบิตข้อมูลที่ 1 ต่อ 100 ล้านล้านบิต (~0.11 เพทาไบต์)

SSD ระดับองค์กรจาก Kingston ยังมีการใช้เทคโนโลยีเพิ่มเติมเพื่อให้สามารถกู้บล็อคข้อมูลที่เสียหายที่จัดเก็บไว้ในดาย NAND อื่น ๆ (คล้ายกับไดรฟ์ RAIDing ทำให้สามารถกู้บล็อคข้อมูลที่ต้องการเพื่อสร้างข้อมูลใหม่โดยอาศัยข้อมูลพาริตี้ที่จัดเก็บไว้ในบล็อคข้อมูลอื่น)

เพื่อเสริมการทำงานของเทคโนโลยีกู้บล็อคข้อมูลซ้ำซ้อนที่มีอยู่ใน SSD ระดับองค์กรของ Kingston ระบบจัดทำจุดตรวจสอบตามช่วงที่กำหนด Cyclic Redundancy Check (CRC) และระบบแก้ไขข้อผิดพลาด ECC จะถูกนำมาใช้ในรูปแบบการป้องกันภายในแบบ End-to-End เพื่อรับประกันความสมบูรณ์ของข้อมูลจากโฮสต์ผ่านแฟลชและกลับไปยังโฮสต์อีกที ระบบป้องกันข้อมูลแบบ End-to-End หมายถึงข้อมูลที่ได้รับจากโฮสต์จะถูกตรวจสอบความสมบูรณ์ระหว่างจัดเก็บไปยังแคชภายในของ SSD และเมื่อถูกเขียนหรืออ่านกลับจากส่วนจัดเก็บข้อมูล NAND

SSD อาจมีวงจรทางกายภาพเพื่อตรวจจับการเสียไฟเลี้ยงเพื่อคอยจัดการตัวจัดเก็บประจุที่ SSD ซึ่งคล้ายกับระบบป้องกัน ECC แบบพิเศษสำหรับ SSD ระดับองค์กรที่ช่วยป้องกันข้อผิดพลาดบิตข้อมูล ระบบ Power Fail สำหรับฮาร์ดแวร์จะทำหน้าที่ติดตามไฟเลี้ยงขาเข้าไปยัง SSD และเมื่อเกิดไฟดับโดยไม่ได้ตั้งใจก็จะมีการจ่ายไฟสำรองชั่วคราวไปยังวงจร SSD โดยใช้ตัวเก็บประจุเพื่อรองรับการเขียนข้อมูลที่มีการสั่งการจากภายในหรือภายนอกก่อนที่ SSD จะถูกตัดไฟเลี้ยง วงจรป้องกันไฟฟ้าดับในตัว (PLP) มักจำเป็นสำหรับแอพพลิเคชั่นที่จะยอมให้มีการสูญเสียข้อมูลไม่ได้

ระบบป้องกันไฟฟ้าดับในตัว (PLP) ยังอาจถูกใช้กับเฟิร์มแวร์ SSD ผ่านการไล่ล้างข้อมูลที่ใช้งานประจำในพื้นที่แคชของชุดควบคุม SSD (เช่น ในตาราง Flash Translation Layer ) ไปยังส่วนจัดเก็บข้อมูล NAND แต่ไม่สามารถรับประกันได้ว่าจะไม่มีข้อมูลสูญหายระหว่างไฟดับ แต่สามารถช่วยลดความเสียหายจากไฟดับที่อาจสร้างความเสียหายตามมาได้ระดับหนึ่ง ระบบป้องกันไฟดับในตัวที่เฟิร์มแวร์นี้ยังช่วยให้มั่นใจว่า SSD จะไม่เกิดปัญหาหลังจากไฟดับโดยไม่ได้ตั้งใจขึ้น

ในหลายกรณี การใช้พื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่กำหนดโดยฮาร์ดแวร์หรือระบบจัดกลุ่มคลัสเตอร์เซิร์ฟเวอร์อาจช่วยลดความจำเป็นของระบบรองรับ Power Faill ระดับฮาร์ดแวร์ลงได้ เนื่องจากข้อมูลจะถูกทำซ้ำไปยังอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลต่างหากหรือแยกเฉพาะในเซิร์ฟเวอร์อื่น ศูนย์ข้อมูลระดับเว็บมักใช้ระบบ Power Faill ผ่านระบบ Software Defined Storage กับเซิร์ฟเวอร์ RAID เพื่อจัดเก็บสำเนาข้อมูลซ้ำซ้อนของข้อมูลชุดเดียวกัน

สมบุกสมบัน

หน่วยความจำแฟลช NAND ทั้งหมดในสื่อบันทึข้อมูลระบบแฟลชจะมีเสถียรภาพในการเก็บบิตข้อมูลลดลงทุกครั้งที่เขียนโปรแกรมหรือลบข้อมูล (P/E) ลงบนเซลล์หน่วยความจำแฟลช NAND จนในที่สุดบล็อคข้อมูลแฟลช NAND ก็จะไม่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้อย่างมีเสถียรภาพอีกต่อไป โดยบล็อคข้อมูลที่เสื่อมสภาพหรือเสียหายจะถูกนำออกจากการใช้เป็นส่วนจัดเก็บข้อมูลที่อ้างอิงได้ของผู้ใช้ การอ้างอิงที่อยู่ตรรกะของบล็อคข้อมูลไดร์ฟจะถูกย้ายไปยังที่อยู่ทางกายภาพใหม่บนอาร์เรย์จัดเก็บข้อมูลแฟลช NAND บล็อคจัดเก็บข้อมูลใหม่จะถูกแทนที่ส่วนที่เสียหายโดยใช้ชุดบล็อคข้อมูลสำรองซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของส่วนจัดเก็บข้อมูลที่จัดสรรไว้ส่วนเกิน (OP) ใน SSD

ขณะที่เซลล์ถูกเขียนโปรแกรมหรือลบข้อมูลอย่างต่อเนื่อง BER ก็จะเพิ่มขึ้นตามไปด้วย ด้วยเหตุนี้จึงต้องมีเทคนิคในการจัดการที่ซับซ้อนสำหรับชุดควบคุม SSD ระดับองค์กรในการเค้นประสิทธิภาพของเซลล์บันทึกข้อมูลของ SSD ให้มีเสถียรภาพและอายุการใช้งานตามที่กำหนด⁴

ค่าความทนทาน P/E ของหน่วยความจำแฟลช NAND จะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับกระบวนการผลิตในปัจจุบันและประเภทของแฟลช NAND ที่ใช้

SSD ระดับองค์กรจะแตกต่างไปจาก SSD สำหรับไคลเอนท์ในส่วนของรอบการทำงาน SSD ระดับองค์กรจะต้องทนทานต่อการเขียนหรืออ่านข้อมูลจำนวนมหาศาลในการทำงานปกติทั่วไปในเซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล ซึ่งจำเป็นต้องเข้าถึงข้อมูลได้ทุกวันตลอด 24 ชั่วโมง ซึ่งเมื่อเทียบกันแล้ว SSD สำหรับไคลเอนท์มักจะรองรับการทำงานเต็มที่ 8 ชั่วโมงต่อวันในหนึ่งสัปดาห์เท่านั้น

SSD สำหรับองค์กรรองรับรอบการทำงานตลอดทั้งวันแบบไม่มีวันหยุดซึ่งแตกต่างจาก SSD ไคลเอนท์ที่มีรอบการทำงานแบบ 20/80 (20% ใช้งาน 80% เปิดทิ้งไว้หรือสลีประหว่างใช้คอมพิวเตอร์)

การศึกษาเกี่ยวกับความทนทานในการเขียนข้อมูลของแอพพลิเคชั่นหรือ SSD อาจมีองค์ประกอบมากมาย ด้วยเหตุนี้คณะกรรมการ JEDEC จึงได้จัดทำข้อเสนอและเกณฑ์ตรวจวัดความทนทานขึ้นโดยใช้ค่า TeraBytes Written (TBW) เพื่อชี้วัดปริมาณข้อมูลดิบที่สามารถเขียนไปยัง SSD ก่อนที่แฟลช NAND ใน SSD จะไม่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้อย่างมีเสถียรภาพและต้องเปลี่ยนไดร์ฟใหม่

การใช้วิธีการทดสอบ JESD218A และ JESD219 สำหรับองค์กรที่เสนอโดย JEDEC ทำให้สะดวกยิ่งขึ้นในการคำนวณค่าความทนทานของ SSD จากผู้ผลิตต่าง ๆ โดยอาศัย TWB และยังทำให้เกิดมาตรการที่ชัดเจนด้านความทนทานที่มากขึ้นซึ่งศูนย์ข้อมูลทุกแห่งสามารถนำมาปรับใช้ได้

ตามข้อมูลในเอกสาร JESD218 และ JESD219 ภาระในการทำงานของกลุ่มการใช้งานก็ได้รับผลกระทบจากตัวแปรยกกำลังในการเขียนข้อมูล (WAF) ซึ่งสูงกว่าปริมาณการเขียนข้อมูลจริงที่โฮสต์ส่งมาอย่างมหาศาล แฟลช NAND จึงเกิดการสึกหรอที่ไม่สามารถจัดการได้ได้ง่าย ไม่เพียงเท่านั้น NAND Flash BER ยังเพิ่มขึ้นเนื่องจากการเขียนข้อมูลมากเกินไปติดต่อกันเป็นเวลานาน รวมทั้งประสิทธิภาพการทำงานช้าลงเพราะจากเพจที่ไม่ถูกต้องกระจายไปทั่วทั้ง SSD

แม้ว่า TBW จะเป็นสิ่งสำคัญที่ต้องพิจารณาเมื่อเปรียบเทียบ SSD สำหรับองค์กรกับ SSD ระดับไคลเอนท์ แต่ TBW เป็นเพียงรูปแบบการคาดการณ์ความทนทานในระดับแฟลช NAND เท่านั้น เราแนะนำให้พิจารณาระยะเวลาเฉลี่ยก่อนการเสียหายแต่ละครั้ง (MTBF) เนื่องจากเป็นรูปแบบการคาดการณ์ความทนทานและความน่าเชื่อถือในระดับส่วนประกอบ โดยอิงตามความน่าเชื่อถือของส่วนประกอบที่ใช้ในอุปกรณ์ สิ่งที่ผู้ใช้คาดหวังจากส่วนประกอบของ SSD ระดับองค์กร ได้แก่ความทนทาน การรองรับงานได้สมบุกสมบันมากกว่า และการจัดการแรงดันไฟฟ้าได้ครอบคลุมหน่วยความจำแฟลช NAND ทั้งหมดตลอดอายุการใช้งานของ SSD SSD ระดับองค์กรทั้งหมดควรมีประสิทธิภาพในการทำงานอย่างน้อยสองล้านชั่วโมง MTBF หรือมากกว่า 230 ปี! Kingston กำหนดเงื่อนไขทางเทคนิคสำหรับ SSD ไว้สูงเป็นพิเศษ จึงไม่แปลกที่จะเห็นค่า MTBF ของ SSD สูงกว่านี้ ประเด็นสำคัญคือระยะเวลา 2 ล้านชั่วโมงนี้ถือว่ามากเกินพอสำหรับ SSD ระดับเริ่มต้นสำหรับองค์กร

ระบบตรวจสอบและแจ้งข้อมูล S.M.A.R.T. ใน SSD ระดับองค์กร ช่วยให้สามารถประเมินประสิทธิภาพของส่วนประกอบได้ก่อนจะเกิดปัญหา การคาดการณ์อายุการใช้งานจึงสอดคล้องกับตัวแปรยกกำลังในการเขียนข้อมูล (WAF) และระดับการสึกหรอจากการใช้งานจริง ระบบแจ้งเตือนก่อนเกิดปัญหารองรับการตรวจสอบที่หลากหลาย เช่น กรณีไฟดับ ข้อผิดพลาดบิตข้อมูลจากอินเทอร์เฟซทางกายภาพ หรือการสึกหรอที่ไม่สม่ำเสมอกัน ยูทิลิตี้ Kingston SSD Manager สามารถดาวน์โหลดได้จากเว็บไซต์ของ Kingston โดยสามารถใช้เพื่อดูสถานะของไดร์ฟ

SSD ไคลเอนท์รองรับระบบ S.M.A.R.T. ในระดับพื้นฐานเพื่อตรวจสอบ SSD ระหว่างการใช้งานตามปกติหรือเมื่อเกิดข้อผิดพลาดแล้วเท่านั้น

พื้นที่สำรองที่เพิ่มมากขึ้นของหน่วยความจำแฟลช NAND ยังสามารถจัดสรรไว้เป็นพื้นที่จัดเก็บข้อมูลสำรองส่วนเกิน (OP) ได้เช่นกัน ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับกลุ่มแอพพลิเคชั่นและความจุของ SSD พื้นที่ OP จะถูกซ่อนไว้จากเข้าถึงโดยผู้ใช้และระบบปฏิบัติการ และสามารถนำมาใช้เป็นบัฟเฟอร์เขียนข้อมูลชั่วคราว ทำให้ประสิทธิภาพในการทำงานสม่ำเสมอมากกว่า และยังสามารถใช้แทนเซลล์หน่วยความจำแฟลชที่มีปัญหาในช่วงอายุการใช้งานของ SSD ทำให้ SSD มีเสถียรภาพในการทำงานและความทนทานที่สูงกว่า (มีบล็อคข้อมูลสำรองมากกว่า)